JPS59172811A - セラミツク共振子 - Google Patents
セラミツク共振子Info
- Publication number
- JPS59172811A JPS59172811A JP4644083A JP4644083A JPS59172811A JP S59172811 A JPS59172811 A JP S59172811A JP 4644083 A JP4644083 A JP 4644083A JP 4644083 A JP4644083 A JP 4644083A JP S59172811 A JPS59172811 A JP S59172811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- resonance point
- ceramic
- impedance
- ceramic resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45928—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection using IC blocks as the active amplifying circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック共振子に関する。
一般にセラミック共振子はチタン酸ジルコン酸鉛々どの
圧電セラミックを圧電体としている。従って、その誘電
率も温度に依存して変化する。この誘電率の温度特性は
正傾向を示す。これをセラミック共振子のインピーダン
ス特性でみると、第1図(a)で示すように、高温に々
る程、同図(a)中の実線で示す常温時の位置から破線
のごとく下方に、また低温になる程、一点鎖線のごとく
一ヒ方に移行する。このために、セラミック共振子のイ
ンピーダンス特性を利用する回路たとえばFM波を復調
するだめのデイファレン/ヤルピーク検波回路等におい
ては中心周波数や出力レベルも温度に依存して変動する
こととなり、FM波の復調が困難となるなどの問題があ
る。
圧電セラミックを圧電体としている。従って、その誘電
率も温度に依存して変化する。この誘電率の温度特性は
正傾向を示す。これをセラミック共振子のインピーダン
ス特性でみると、第1図(a)で示すように、高温に々
る程、同図(a)中の実線で示す常温時の位置から破線
のごとく下方に、また低温になる程、一点鎖線のごとく
一ヒ方に移行する。このために、セラミック共振子のイ
ンピーダンス特性を利用する回路たとえばFM波を復調
するだめのデイファレン/ヤルピーク検波回路等におい
ては中心周波数や出力レベルも温度に依存して変動する
こととなり、FM波の復調が困難となるなどの問題があ
る。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、
セラミック共振子の共振点と***振点との中間付近の周
波数においてインピーダンス%性が温度に影響されない
ようにし、これによってセラミック共振子のインピーダ
ンス特性を利用した回路における温度特性を向上するこ
とを目的とする。
セラミック共振子の共振点と***振点との中間付近の周
波数においてインピーダンス%性が温度に影響されない
ようにし、これによってセラミック共振子のインピーダ
ンス特性を利用した回路における温度特性を向上するこ
とを目的とする。
一ヒ記目的を達成するための本発明の基本的な考えは、
セラミック共振子の圧電セラミックの材料として、共振
点および***振点の温度依存性が負の温度傾向をもつも
のを適用した点にある。すなわち、第1図(b)に示す
ように、セラミック共振子の共振点f、と***振点f、
とが高温になる程実線で示す常温時の位置から破線のご
とく低周波数側へ、また、低温になる程一点鎖線のごと
く高周波数側へ移行するような温度特性を有する圧電セ
ラミックを圧電体さするものである。さらに具体的には
次に示す関係式を満たす月料を選定する必要がある。す
なわち、第2図に示すように、いま同図中実線のごとく
基準温度T。における共振周波数をfr。
セラミック共振子の圧電セラミックの材料として、共振
点および***振点の温度依存性が負の温度傾向をもつも
のを適用した点にある。すなわち、第1図(b)に示す
ように、セラミック共振子の共振点f、と***振点f、
とが高温になる程実線で示す常温時の位置から破線のご
とく低周波数側へ、また、低温になる程一点鎖線のごと
く高周波数側へ移行するような温度特性を有する圧電セ
ラミックを圧電体さするものである。さらに具体的には
次に示す関係式を満たす月料を選定する必要がある。す
なわち、第2図に示すように、いま同図中実線のごとく
基準温度T。における共振周波数をfr。
そのときのインピーダンスをz「、また***振の七きの
それらをf、、 Zaとし、両共振点fa、 frの中
間の周波数fcにおけるインピーダンスヲzcトスる。
それらをf、、 Zaとし、両共振点fa、 frの中
間の周波数fcにおけるインピーダンスヲzcトスる。
またインピーダンスは画周波数fr、 fa間で周波数
に対して直線的に変化するものとする。そして、温度が
変化してT1に々つたとき、インピーダンス特性が誘電
率の変化のみでみれば破線の位置へ移行し、また共振点
frおよび***温点f、の温度依存性のみでみればイン
ピーダンス特性が一点鎖線の位置に移行するものとする
。上記条件のもとでは、1 o−B141 o−c 1
のとき、誘電率によるインピーダンス特性の変化分が共
振点frおよび***振点f、の周波数変化により補償さ
れる。相似関係よりl O”B l/I O−A l
= l fr fa I、’r Zr −Za lで
あるからl C1”Cl/I O”A l = l f
r−fa I/l zr Zc lが満足されればよ
い。従って温度がT。がらT1に変化したときにこれに
ともなう誘電率の変化により中間周波数fcにおけるイ
ンピーダンスがZcかう21に変化する場合は f2−fc=== 2a −,2,(zc −2,)
となるような周波数特性をもつ材料を選定すればよい。
に対して直線的に変化するものとする。そして、温度が
変化してT1に々つたとき、インピーダンス特性が誘電
率の変化のみでみれば破線の位置へ移行し、また共振点
frおよび***温点f、の温度依存性のみでみればイン
ピーダンス特性が一点鎖線の位置に移行するものとする
。上記条件のもとでは、1 o−B141 o−c 1
のとき、誘電率によるインピーダンス特性の変化分が共
振点frおよび***振点f、の周波数変化により補償さ
れる。相似関係よりl O”B l/I O−A l
= l fr fa I、’r Zr −Za lで
あるからl C1”Cl/I O”A l = l f
r−fa I/l zr Zc lが満足されればよ
い。従って温度がT。がらT1に変化したときにこれに
ともなう誘電率の変化により中間周波数fcにおけるイ
ンピーダンスがZcかう21に変化する場合は f2−fc=== 2a −,2,(zc −2,)
となるような周波数特性をもつ材料を選定すればよい。
または、第3図に示すような等価回路を有するセラミッ
ク共振子において、共振点frと***振点faの中間附
近の周波数fcのインピーダンスは共振点frと***振
点faの各インピーダンスZr、 ZaのQmの変化の
影響をほとんど受けず容量(C2十〇o)の変化のみに
依存するようにすればよい。従って、中間周波数fcと
そのときのインピーダンスzCとを温度tで偏微分する
と、 δzc δfC 7−「/−、、−= (za −2r ) /
(fa −fr )1次温度係数は温度による変化量を
基準化したもfc a t TCzCza Zr fa−fr”’ T
Cf。” Zo/ f。
ク共振子において、共振点frと***振点faの中間附
近の周波数fcのインピーダンスは共振点frと***振
点faの各インピーダンスZr、 ZaのQmの変化の
影響をほとんど受けず容量(C2十〇o)の変化のみに
依存するようにすればよい。従って、中間周波数fcと
そのときのインピーダンスzCとを温度tで偏微分する
と、 δzc δfC 7−「/−、、−= (za −2r ) /
(fa −fr )1次温度係数は温度による変化量を
基準化したもfc a t TCzCza Zr fa−fr”’ T
Cf。” Zo/ f。
従って、
を満足する材料を選定する。
従って、上記の関係を満す材料を選定使用すれば誘電率
の正傾向を示す温度特性が共振点および***振点の負傾
向の温度特性により相殺され、結果的に第1図(C)に
示すように共振点と***振点との中間の周波数fc附近
におけるインピーダンスが温度にほとんど影響されなく
なる。
の正傾向を示す温度特性が共振点および***振点の負傾
向の温度特性により相殺され、結果的に第1図(C)に
示すように共振点と***振点との中間の周波数fc附近
におけるインピーダンスが温度にほとんど影響されなく
なる。
以下、本発明を実施例について第4図ないし第6図に基
づいて詳細に説明する。なお、本実施例においては、セ
ラミック共振子をディファレンシャルピーク検波回路に
適用した場合について説明する。
づいて詳細に説明する。なお、本実施例においては、セ
ラミック共振子をディファレンシャルピーク検波回路に
適用した場合について説明する。
第4図はディファレンシャルピーク検波回路の構成図で
ある。このテイファレンンヤルピーク検波回路1は、差
動増幅器2にセラミック共振子CDA、 コンデンサ
C,インタリタLおよび抵抗Rを組合せてなる共振回路
3を接続して構成される。
ある。このテイファレンンヤルピーク検波回路1は、差
動増幅器2にセラミック共振子CDA、 コンデンサ
C,インタリタLおよび抵抗Rを組合せてなる共振回路
3を接続して構成される。
上記セラミック共振子ODAは、圧電体として、チタン
酸ジルコン酸鉛の圧電セラミックを素材としている。ま
た、この圧電セラミックは共振点および***振点の温度
依存性が誘電率の温度変化にともなうインピーダンス特
性の変化を相殺する負の温度傾向を有している。従って
、この十ラミック共振子ODAの共振点と***振点との
中間附近の周波数ではインピーダンスが温度にほとんど
影響されなくなる。これは、第5図および第6図に示す
実験結果からも明らかである。すなわち、第5図はこの
ティファレノンヤルピーク検波回路1の周波数に対する
出力電圧の関係(Sカーブ)を示したものであり、第6
図はこのディファレンシャルピーク検波回路1を用いた
復調器の復調出力ならびに歪率の離調特性を示している
。両図とも比較のため従来のセラミック共振子を使用し
た場合の特性についても同時に示している。第5図およ
び第6図から本発明品を適用すれば温度に影響されるこ
とのない良好な復調特性が得られることが理解される。
酸ジルコン酸鉛の圧電セラミックを素材としている。ま
た、この圧電セラミックは共振点および***振点の温度
依存性が誘電率の温度変化にともなうインピーダンス特
性の変化を相殺する負の温度傾向を有している。従って
、この十ラミック共振子ODAの共振点と***振点との
中間附近の周波数ではインピーダンスが温度にほとんど
影響されなくなる。これは、第5図および第6図に示す
実験結果からも明らかである。すなわち、第5図はこの
ティファレノンヤルピーク検波回路1の周波数に対する
出力電圧の関係(Sカーブ)を示したものであり、第6
図はこのディファレンシャルピーク検波回路1を用いた
復調器の復調出力ならびに歪率の離調特性を示している
。両図とも比較のため従来のセラミック共振子を使用し
た場合の特性についても同時に示している。第5図およ
び第6図から本発明品を適用すれば温度に影響されるこ
とのない良好な復調特性が得られることが理解される。
なお、本実施例においてはディファレンシャルピーク検
波回路に適用した場合について説明したが、その他りオ
ードラチュア検波回路など、セラミック振動子のインピ
ーダンス特性を利用するものであれば広く本発明品を適
用することができる。
波回路に適用した場合について説明したが、その他りオ
ードラチュア検波回路など、セラミック振動子のインピ
ーダンス特性を利用するものであれば広く本発明品を適
用することができる。
以上のように本発明によればセラミック共振子の共振点
と***振点との中間附近の周波数におけるインピーダン
ス特性は温度に影響され゛なくなるので、この中間附近
のインピーダンス特性を利用した検波回路等においては
その回路全体の温度特性か向上するという優れた効果が
発揮される。
と***振点との中間附近の周波数におけるインピーダン
ス特性は温度に影響され゛なくなるので、この中間附近
のインピーダンス特性を利用した検波回路等においては
その回路全体の温度特性か向上するという優れた効果が
発揮される。
第1図はインピーダンス特性の温度の影響を説明する図
、第2図は圧電セラミックの材料を選定するための説明
図、第3図はセラミック共振子の等価回路図、第4図な
いし第6図は本発明の実施例を示し、第4図はディファ
レンシャルピーク検波回路の概略を示す構成図、第5図
はディファレンシャルピーク検波回路の周波数対出力電
圧の関係を示す特性図、第6図はディファレンシャルピ
ーク検波回路の復調特性図である。 特許出願人 株式会社村田製作所 代 理 人 弁理士岡田和秀 ヘ メ 藺 第2図 第3図 第4図 1し艮り又Ll′’1llzジ 5図 、わし脇 6図 イ足未品
、第2図は圧電セラミックの材料を選定するための説明
図、第3図はセラミック共振子の等価回路図、第4図な
いし第6図は本発明の実施例を示し、第4図はディファ
レンシャルピーク検波回路の概略を示す構成図、第5図
はディファレンシャルピーク検波回路の周波数対出力電
圧の関係を示す特性図、第6図はディファレンシャルピ
ーク検波回路の復調特性図である。 特許出願人 株式会社村田製作所 代 理 人 弁理士岡田和秀 ヘ メ 藺 第2図 第3図 第4図 1し艮り又Ll′’1llzジ 5図 、わし脇 6図 イ足未品
Claims (1)
- (l)@電率が正の温度特性を有する圧電セラミックを
備えたセラミック共振子において、その共振点と***振
点との温度特性が前記誘電率の正の温度特性に基づくイ
ンピーダンスの変化全相殺する負の温度特性を呈する材
料で前記圧電セラミックが構成されていることを特徴と
するセラミック共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4644083A JPS59172811A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | セラミツク共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4644083A JPS59172811A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | セラミツク共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59172811A true JPS59172811A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12747219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4644083A Pending JPS59172811A (ja) | 1983-03-19 | 1983-03-19 | セラミツク共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59172811A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008309173A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Nsk Ltd | ボールねじ用シール装置およびボールねじ |
-
1983
- 1983-03-19 JP JP4644083A patent/JPS59172811A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008309173A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Nsk Ltd | ボールねじ用シール装置およびボールねじ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002176334A (ja) | 音響共振器および音響共振器の組立方法 | |
JPH0119771B2 (ja) | ||
TWI222784B (en) | Surface acoustic wave filter | |
US4295108A (en) | Filter circuit employing surface acoustic wave device | |
US4281298A (en) | Flexural transducer | |
JPH0522406B2 (ja) | ||
JPS59172811A (ja) | セラミツク共振子 | |
US4297660A (en) | Electric circuit using surface acoustic wave device | |
US4438417A (en) | Filter circuit utilizing a surface acoustic wave filter | |
JPS581563B2 (ja) | セラミツクキヨウシンシ | |
US4006437A (en) | Frequency filter | |
JPH0331283B2 (ja) | ||
JPH05283968A (ja) | 発振回路 | |
US4127833A (en) | Band pass filter | |
US3983518A (en) | Filter chain | |
JPH0133969B2 (ja) | ||
JP2501521Y2 (ja) | Fm復調回路 | |
US3947784A (en) | Dual-coupled monolithic crystal element for modifying response of filter | |
JPS6031307Y2 (ja) | 拡がりモ−ド共振形フイルタ | |
JPS6133719Y2 (ja) | ||
JPS6133700Y2 (ja) | ||
JPS59135918A (ja) | 弾性表面波フイルタ | |
JPS6125253B2 (ja) | ||
JPS63217813A (ja) | ノイズフイルタ | |
JPS5814766B2 (ja) | リジェクタ回路 |