JPS59172746A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59172746A JPS59172746A JP59045362A JP4536284A JPS59172746A JP S59172746 A JPS59172746 A JP S59172746A JP 59045362 A JP59045362 A JP 59045362A JP 4536284 A JP4536284 A JP 4536284A JP S59172746 A JPS59172746 A JP S59172746A
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- semiconductor
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- terminal
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
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- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、その間に半導体素体が位置しそれぞれ外側に
接触面を有する円形の端子電極と、少なくとも一部分注
型樹脂によって充てんされた絶縁材料からなるカップ状
容器と、容器の底にあって端子電極によっ゛C閉塞され
る開口部とを備え、注型樹脂か半導体素体、ならびに接
触面を露出させた端子電極を包囲するような半導体装置
に関する。
接触面を有する円形の端子電極と、少なくとも一部分注
型樹脂によって充てんされた絶縁材料からなるカップ状
容器と、容器の底にあって端子電極によっ゛C閉塞され
る開口部とを備え、注型樹脂か半導体素体、ならびに接
触面を露出させた端子電極を包囲するような半導体装置
に関する。
そのような半導体装置は、例えばヨーロッパ特許出願第
0034208号明細書に記載されている。
0034208号明細書に記載されている。
この半導体装置においては、半導体素体は端子電極とろ
う刊けされている。半導体素体を注型樹脂から保護する
ために、半導体素体は端子電極の間α立山空間を埋める
保護フェスによって包まれている。
う刊けされている。半導体素体を注型樹脂から保護する
ために、半導体素体は端子電極の間α立山空間を埋める
保護フェスによって包まれている。
加圧接触によって接続される半導体装置においては、半
導体素体は端子電極とろう付けされずに端子電極の間に
ゆるく置かれている。その場合、注型樹脂が端子電極と
半導体素体の間に浸入することは避けられなければなら
ない。保護フェス自身は、半導体素体および端子電極間
の接触面を濡らす傾向があるから、この場合、半導体素
体と注型樹脂の間tこ保護フェスは使用されない。
導体素体は端子電極とろう付けされずに端子電極の間に
ゆるく置かれている。その場合、注型樹脂が端子電極と
半導体素体の間に浸入することは避けられなければなら
ない。保護フェス自身は、半導体素体および端子電極間
の接触面を濡らす傾向があるから、この場合、半導体素
体と注型樹脂の間tこ保護フェスは使用されない。
「発明の目的〕
本発明は、上述の種類の半導体装置を、加圧接触の適用
の場合にも注型樹脂の浸入が防がれるように改善するこ
とを目的とする。
の場合にも注型樹脂の浸入が防がれるように改善するこ
とを目的とする。
本発明の目的は、端子電極がその互いに向き合った側に
おいて同心の封止面を縁部に有し、この封止面の間に少
なくとも一つの弾性リングが存在し、リングは少なくと
も端面で圧力下で封止面に接することによって達成され
る。
おいて同心の封止面を縁部に有し、この封止面の間に少
なくとも一つの弾性リングが存在し、リングは少なくと
も端面で圧力下で封止面に接することによって達成され
る。
本発明を第1図ないし第4図に関連して四つの実施例を
引用して説明する。図はそれぞれ各実施例の断面図であ
る。
引用して説明する。図はそれぞれ各実施例の断面図であ
る。
第1図に示した半導体装置は、絶縁材料からなる力、プ
状容器lを有し、それは底に開口部2を備える。開口部
2は第一の端子電極3によって閉塞されている。端子電
極3は外側に容器1の底から若干量ている接触面4を有
する。しかし端子電極が底に密着して結合してもよい。
状容器lを有し、それは底に開口部2を備える。開口部
2は第一の端子電極3によって閉塞されている。端子電
極3は外側に容器1の底から若干量ている接触面4を有
する。しかし端子電極が底に密着して結合してもよい。
端子電極3の上に半導体素体14が存在し、それは例え
はモ、リブデン円板と合金化されたシリコンウェーノ・
からなる。」二側で半導体素体14は第二の端子電極5
に外側接触面6によって接触している。この接触面6は
容器1の上縁から突出しているが、しかし同じ高さにあ
ってもよい。端子電極3,5は半径方向に張り出す肩部
10もしくは7を備える。肩部7゜】0は互いに同心の
第−刺止面8,11および第二封止面9.】2を有する
。第一封止面8.11は実施例では半径方向を有し、一
方封止面9,12は端子1極の周囲面から形成されてい
る。ここでは第二の封止面は軸方向に向いている。しか
し封止面が端子電極の軸もしくは半径に傾いていてもよ
い。けれども第一、第二封止面が唯一の1例えばアーチ
状の面を形成することもできる。
はモ、リブデン円板と合金化されたシリコンウェーノ・
からなる。」二側で半導体素体14は第二の端子電極5
に外側接触面6によって接触している。この接触面6は
容器1の上縁から突出しているが、しかし同じ高さにあ
ってもよい。端子電極3,5は半径方向に張り出す肩部
10もしくは7を備える。肩部7゜】0は互いに同心の
第−刺止面8,11および第二封止面9.】2を有する
。第一封止面8.11は実施例では半径方向を有し、一
方封止面9,12は端子1極の周囲面から形成されてい
る。ここでは第二の封止面は軸方向に向いている。しか
し封止面が端子電極の軸もしくは半径に傾いていてもよ
い。けれども第一、第二封止面が唯一の1例えばアーチ
状の面を形成することもできる。
封止面8.9.11.12に、弾性を有し絶縁材料から
なるリング13が接し、その高さは力の加わらない状態
で封止面8および11の間隔より大きい。端子電極3お
よび5を互いに押し合わせる際には、従ってリングは若
干押しつぶされ、その結果その端面は封止面8,11に
密に接する。組Vの容易化と密封性の向上のために、弾
性リング13は封止面9.12に押圧されて接すること
もできろ。それによって、力、ブ状容器1に挿入する前
に組立てられて試験することができる管理可能な半導体
装置が生ずる。端子電極3,5、弾性リング138よび
半導体素体14かうなる単位は、注型樹脂18の容器1
中への充てんによって相互にまた容器1と固く結合され
ている。その結合は、肩部7,10が注型樹脂によって
外側を覆われているときに特に良好である。注型樹脂1
8の注入の際に、注型物のリングの内部への浸入を阻止
するために、端子電極3を端子電極5に対して押圧しな
ければならない。
なるリング13が接し、その高さは力の加わらない状態
で封止面8および11の間隔より大きい。端子電極3お
よび5を互いに押し合わせる際には、従ってリングは若
干押しつぶされ、その結果その端面は封止面8,11に
密に接する。組Vの容易化と密封性の向上のために、弾
性リング13は封止面9.12に押圧されて接すること
もできろ。それによって、力、ブ状容器1に挿入する前
に組立てられて試験することができる管理可能な半導体
装置が生ずる。端子電極3,5、弾性リング138よび
半導体素体14かうなる単位は、注型樹脂18の容器1
中への充てんによって相互にまた容器1と固く結合され
ている。その結合は、肩部7,10が注型樹脂によって
外側を覆われているときに特に良好である。注型樹脂1
8の注入の際に、注型物のリングの内部への浸入を阻止
するために、端子電極3を端子電極5に対して押圧しな
ければならない。
注型樹脂が開口部2を通じて漏出することは、開口部2
を囲みその上に端子電極3が載る封止唇状体19の作用
によって阻止される。注型樹脂の凝固の後に、端子電極
3,5に加えられた力を再び除く。それらは今度は注型
樹脂18によって締結される。作動の際に半導体素子は
二つの冷却体の間に押圧され、それが端子電極と半導体
素体の間の必要な接触圧をもたらす。
を囲みその上に端子電極3が載る封止唇状体19の作用
によって阻止される。注型樹脂の凝固の後に、端子電極
3,5に加えられた力を再び除く。それらは今度は注型
樹脂18によって締結される。作動の際に半導体素子は
二つの冷却体の間に押圧され、それが端子電極と半導体
素体の間の必要な接触圧をもたらす。
半導体素体14にサイリスタウェーハ・を問題とするな
らば、これは制御電極15と接触する。これは、例えば
端子電極5の中央の凹部中に電気的に絶縁されて存在す
るらせんばねからなる。制御電極15は、例えば絶縁管
16によって絶縁され、端子電極5のスリ、ト内に配置
される制御導線17と接続されている。制御溝M17は
その場合弾性リング13の素体を突きぬける。
らば、これは制御電極15と接触する。これは、例えば
端子電極5の中央の凹部中に電気的に絶縁されて存在す
るらせんばねからなる。制御電極15は、例えば絶縁管
16によって絶縁され、端子電極5のスリ、ト内に配置
される制御導線17と接続されている。制御溝M17は
その場合弾性リング13の素体を突きぬける。
第2図に示す半導体装置は、第1図に示すそれと実質的
には唯一の弾性リングの代りに二つの互いに同心の弾性
リング21.22を用いる点において異なっている。こ
のリングは互いに向い1合った端面で圧力下で接し、そ
れ自体で封止面8,11に、場合によっては封止面9,
12に接することによって密封する。その場合第一の弾
性リング21は、封止面として形成された端子電極3の
周囲面と端子電極5の胸囲面の一部分を囲む。第二の弾
性リングnはかなり小さい高さを有し、端子電極5の周
囲面だ、けを囲む。第2図の実施例には、弾性リング2
2の外径が弾性リング21のそれより大きいことが示さ
れている9゜しかし双方の外径を同じ大きさにしてもよ
い。他方弾性リングの内径は相異することができる。
には唯一の弾性リングの代りに二つの互いに同心の弾性
リング21.22を用いる点において異なっている。こ
のリングは互いに向い1合った端面で圧力下で接し、そ
れ自体で封止面8,11に、場合によっては封止面9,
12に接することによって密封する。その場合第一の弾
性リング21は、封止面として形成された端子電極3の
周囲面と端子電極5の胸囲面の一部分を囲む。第二の弾
性リングnはかなり小さい高さを有し、端子電極5の周
囲面だ、けを囲む。第2図の実施例には、弾性リング2
2の外径が弾性リング21のそれより大きいことが示さ
れている9゜しかし双方の外径を同じ大きさにしてもよ
い。他方弾性リングの内径は相異することができる。
半導体素体14は制御電極器と接触している。これは端
子電極5のスリットの中を通る制御導線6と接続されて
いる。制制導fR25は、リング21.22の互いに向
き合う端面の間を外へ向けて通る。容器1の注型のため
に端子電極3および5を再び互いに押圧し、それによっ
て注型物のリングの端子電極の間ならびに制御導線5の
通路の場所への浸入を阻止する。
子電極5のスリットの中を通る制御導線6と接続されて
いる。制制導fR25は、リング21.22の互いに向
き合う端面の間を外へ向けて通る。容器1の注型のため
に端子電極3および5を再び互いに押圧し、それによっ
て注型物のリングの端子電極の間ならびに制御導線5の
通路の場所への浸入を阻止する。
第3図に示す半導体装置は、第1図に示すそれと実質的
に弾性リング13の端が肩部7,100互いに対向する
側に設けられた溝26.27の中に存在すること点で異
なっている。溝は第一の封止面26およびnと端子電極
の周囲に第二の封止面々、31とを形成する。この実施
形式は、ダイオードウェーハに対する外囲器であるが、
しかしサイリスタウェーハを封入することもでき、その
場合は第1および第2図に示す実施例のように適応した
スリットが備えられる。
に弾性リング13の端が肩部7,100互いに対向する
側に設けられた溝26.27の中に存在すること点で異
なっている。溝は第一の封止面26およびnと端子電極
の周囲に第二の封止面々、31とを形成する。この実施
形式は、ダイオードウェーハに対する外囲器であるが、
しかしサイリスタウェーハを封入することもでき、その
場合は第1および第2図に示す実施例のように適応した
スリットが備えられる。
第1図ないし第3図に示した実施例による弾性リングは
円筒状に形成されている。それらは、半導体素体14の
外径がリングの内径と同じ大きさである時には、半導体
素体の容器中の心出しをする。
円筒状に形成されている。それらは、半導体素体14の
外径がリングの内径と同じ大きさである時には、半導体
素体の容器中の心出しをする。
半導体素体の直径がリングの内径より小さいならば、リ
ング(第4図では34)がその内側に半径方向に引込む
肩部36を備えるとよい。リング34は第二のリングn
と共に密封を引受けることができるが、しかし適応した
内側肩部をもつ一体のリングも適用することができる。
ング(第4図では34)がその内側に半径方向に引込む
肩部36を備えるとよい。リング34は第二のリングn
と共に密封を引受けることができるが、しかし適応した
内側肩部をもつ一体のリングも適用することができる。
対応してこの実施例においても、第1図あるいは第2図
に示した制御電極を用いることができる。第3図に示す
ダイオードの封入に対して第4図に示j葵施例を同様に
用いられる。
に示した制御電極を用いることができる。第3図に示す
ダイオードの封入に対して第4図に示j葵施例を同様に
用いられる。
本発明は、半導体装置の半導体素体の両側lこ位置する
端子電極が半導体素体を囲む弾性リングと抑圧によって
密着することにより、加圧接触型の平形半導体装置にお
いても、容器内に充てんされる注型物の端子電極と半導
体素体の間への浸入を防止することができ、樹脂注型に
より両端子電極間の締結を行う低価格の平形半導体装置
に極めて有効に適用できる。
端子電極が半導体素体を囲む弾性リングと抑圧によって
密着することにより、加圧接触型の平形半導体装置にお
いても、容器内に充てんされる注型物の端子電極と半導
体素体の間への浸入を防止することができ、樹脂注型に
より両端子電極間の締結を行う低価格の平形半導体装置
に極めて有効に適用できる。
第1図、第2図、第3図、第4図は本発明の異なる4実
施例をそれぞれ示す断面図である。 1・・・カップ状容器、3.5・・・端子電極、7.1
0・・・肩部、8.9.11.12・・・封止面、13
.21.22・・・弾性リング、14.33・・・半導
体素体、18・・・注型樹脂、19・・・封止唇状体。 代理人餅!J: 山 口 IG I IG 2 IG 3 fG4
施例をそれぞれ示す断面図である。 1・・・カップ状容器、3.5・・・端子電極、7.1
0・・・肩部、8.9.11.12・・・封止面、13
.21.22・・・弾性リング、14.33・・・半導
体素体、18・・・注型樹脂、19・・・封止唇状体。 代理人餅!J: 山 口 IG I IG 2 IG 3 fG4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■)その間に半導体素体が位置し、それぞれ外側に接触
面を有する円形の端子箱、極と、少なくとも一部分注型
樹脂に、よって充てんされた絶縁材料からなるカップ状
容器と、容器の底にあって端子電極によって閉塞される
開口部とを備え、容器によって注型樹脂が半導体素体、
ならびに接触面を露出させた端子電極を包囲するものに
おいて、端子’+(−j極がその向き合った側において
同心の封止面を縁部に有し、この封止面の間に少なくと
も一つの弾性リングが存在し、リングは少なくとも端面
で圧力下で封止面に接することを特徴とする半導体装置
。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、封止面
が半径方向に張り出す肩部上に位置し、該肩部が注型樹
脂中に一部埋め込まれたことを特徴とする半導体装置。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の装置にお
いて、各端子電極が半径方向および軸方向の封止面を有
し、リングが圧力下で軸方向および半径方向封止面に接
することを特徴とする半導体装置。 4)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記
載の装置において、封止面の間に圧力下でその端面にお
いて互に接する二つの互に同心の弾性リングを有し、第
一のリングは両端子電極の軸方向封止面に共に接し、第
二のリングは第一のリングより幅が狭く、一つの端子電
極の軸方向封止面のみに接することを特徴とする半導体
装置。 5)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれ゛かに
記載の装置において、半導体素体が制御導線と接続され
、制御導線が弾性リングの素体を貫通することを特徴と
する半導体装置。 6)特許請求の範囲第4項記載の装置において、半導体
素体が制御導線と接続され、制御導線が両リングの互い
に向き合う端面の間のところで外へ向けて導かれること
を特徴とする半導体装置。 7)特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれ置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833308720 DE3308720A1 (de) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Halbleiterbauelement mit scheibenfoermigem gehaeuse |
DE33087202 | 1983-03-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59172746A true JPS59172746A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=6193212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59045362A Pending JPS59172746A (ja) | 1983-03-11 | 1984-03-09 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4607275A (ja) |
EP (1) | EP0122431A1 (ja) |
JP (1) | JPS59172746A (ja) |
DE (1) | DE3308720A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
US4924353A (en) * | 1985-12-20 | 1990-05-08 | Hughes Aircraft Company | Connector system for coupling to an integrated circuit chip |
DE3604882A1 (de) * | 1986-02-15 | 1987-08-20 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
DE3826820A1 (de) * | 1987-09-28 | 1989-04-06 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterelement |
FR2633452B1 (fr) * | 1988-06-28 | 1990-11-02 | Doue Julien | Dispositif de support pour un substrat mince, notamment en un materiau semiconducteur |
US4956696A (en) * | 1989-08-24 | 1990-09-11 | Sundstrand Corporation | Compression loaded semiconductor device |
GB9109542D0 (en) * | 1991-05-02 | 1991-06-26 | Semitron Ind Ltd | Semiconductor device assembly |
DE19732738A1 (de) * | 1997-07-30 | 1999-02-04 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelemente mit druckausgleichender Kontaktplatte |
DE19739083C2 (de) | 1997-09-06 | 2001-09-27 | Bosch Gmbh Robert | Gehäuse mit einem planaren Leistungstransistor |
JP5229271B2 (ja) | 2010-05-19 | 2013-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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