JPS59172648A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS59172648A JPS59172648A JP58048163A JP4816383A JPS59172648A JP S59172648 A JPS59172648 A JP S59172648A JP 58048163 A JP58048163 A JP 58048163A JP 4816383 A JP4816383 A JP 4816383A JP S59172648 A JPS59172648 A JP S59172648A
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- Japan
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- thin film
- film
- ray exposure
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はＸ線露光用マスク、特に例えば１μｍ程度の
極めて微細なパターン形成に適用し得るＸ線露光用マス
クに関するものである。
極めて微細なパターン形成に適用し得るＸ線露光用マス
クに関するものである。
第１図ないし第５図に従来例によるこの種のＸ線露光用
マスクをその製造工程順に示しである。
マスクをその製造工程順に示しである。
これらの各図において、符号（１）は支持基板としての
シリコン基板、（２）はＸ線を透過し易い無機物薄膜、
すなわち透過基板となるシリコン窒化膜、（３）はＸ線
吸収層となる金の薄膜、（４）はポリイミド膜、（５）
はレジストパターンである。
シリコン基板、（２）はＸ線を透過し易い無機物薄膜、
すなわち透過基板となるシリコン窒化膜、（３）はＸ線
吸収層となる金の薄膜、（４）はポリイミド膜、（５）
はレジストパターンである。
こ＼でこの従来例によるＸ線露光用マスクの製造は、ま
ず第１図に示すように、シリコン基板（１）上に厚さ１
〜２μｍ程度のシリコン窒化膜（２）、メッキベースと
しての厚さ数１００Ａの金膜（３＆）、リフトオフプロ
セスの中間層となる厚さ１μｍ程度のポリイミドＭ（４
）を順次に形成させ、かっこのポリイミド膜（４）上に
所望のレジストパターン（５）を形成させる。
ず第１図に示すように、シリコン基板（１）上に厚さ１
〜２μｍ程度のシリコン窒化膜（２）、メッキベースと
しての厚さ数１００Ａの金膜（３＆）、リフトオフプロ
セスの中間層となる厚さ１μｍ程度のポリイミドＭ（４
）を順次に形成させ、かっこのポリイミド膜（４）上に
所望のレジストパターン（５）を形成させる。
ついで第２図にみられるように、リアクティブイオンエ
ッチなどによりポリイミド膜（４）をエツチングしたの
ち、露出したメッキベースとしての金膜（３ａ）部分に
、第３図に示すように、ポリイミド膜（４）と同程度の
膜厚で金メッキを行なって金の薄膜（３）を得る。そし
てさらにこれを有機溶剤などに浸漬して、第４図に示す
ように、ポリイミド膜（４）およびレジストパターン（
５）を除去し、最後に金のライトエツチングを行なって
メッキベース部分の金膜（３ａ）を除去し、かつ裏面側
からＫＯＨ溶液によりシリコン基板（１）のエツチング
をなして、第５図に示す通りのＸ線露光用マスクを完成
するのである。
ッチなどによりポリイミド膜（４）をエツチングしたの
ち、露出したメッキベースとしての金膜（３ａ）部分に
、第３図に示すように、ポリイミド膜（４）と同程度の
膜厚で金メッキを行なって金の薄膜（３）を得る。そし
てさらにこれを有機溶剤などに浸漬して、第４図に示す
ように、ポリイミド膜（４）およびレジストパターン（
５）を除去し、最後に金のライトエツチングを行なって
メッキベース部分の金膜（３ａ）を除去し、かつ裏面側
からＫＯＨ溶液によりシリコン基板（１）のエツチング
をなして、第５図に示す通りのＸ線露光用マスクを完成
するのである。
しかしてこのようにして得た従来例によるＸ線露光ｉス
クは、薄膜の透過基板（２）上に盛り上った状態でＸ線
吸収層としての金の薄膜（３）によるバタ工程も中間層
を利用するので複雑であるなどの欠点があった。
クは、薄膜の透過基板（２）上に盛り上った状態でＸ線
吸収層としての金の薄膜（３）によるバタ工程も中間層
を利用するので複雑であるなどの欠点があった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、金の薄膜パタ
ーンを透過基板表面に埋め込むことによって、その変形
、破損を阻止し、併せてその製造工程を簡略化させたも
のである。
ーンを透過基板表面に埋め込むことによって、その変形
、破損を阻止し、併せてその製造工程を簡略化させたも
のである。
以下、この発明に係るＸ線露光用マスクの一実施例につ
き第６図ないし第９図を参照して詳細に説明する。
き第６図ないし第９図を参照して詳細に説明する。
これらの第６図ないし第９図はこの実施例にょるＸ線露
光用マスクをその製造工程順に示してあり、これらの各
図においても同様に、符号（６）は支持基板としてのシ
リコン基板、（７）はＸ線を透過し易い無機物薄膜、す
なわち透過基板となるシリコン窒化膜、（８）はレジス
トパターン、（９）はＸ線吸収層となる金の薄膜である
。
光用マスクをその製造工程順に示してあり、これらの各
図においても同様に、符号（６）は支持基板としてのシ
リコン基板、（７）はＸ線を透過し易い無機物薄膜、す
なわち透過基板となるシリコン窒化膜、（８）はレジス
トパターン、（９）はＸ線吸収層となる金の薄膜である
。
しかしてこの実施例によるＸ線露光用マスクの製造は、
まず第６図に示すように、シリコン基板（６）上に厚さ
２μｍ程度のシリコン窒化膜（７）を形成したのち、こ
のシリコン窒化膜（７）上に所望のレジストパターン（
８）を形成させ、こ扛を例えばＣＦ４ガス、 ０．０３
ｔｏｒｒ のリアクティブイオンエツチングによシ、
シリコン窒化膜（７）の表面に、第７図にみら扛る通り
、深さ１μｍ程度のパターン溝（ｒａ）を堀シ込んで形
成する。
まず第６図に示すように、シリコン基板（６）上に厚さ
２μｍ程度のシリコン窒化膜（７）を形成したのち、こ
のシリコン窒化膜（７）上に所望のレジストパターン（
８）を形成させ、こ扛を例えばＣＦ４ガス、 ０．０３
ｔｏｒｒ のリアクティブイオンエツチングによシ、
シリコン窒化膜（７）の表面に、第７図にみら扛る通り
、深さ１μｍ程度のパターン溝（ｒａ）を堀シ込んで形
成する。
ついで第８図に示すように、蒸着法などによって金の薄
膜（９）を形成するが、このときパターン溝（７ａ）内
での金の薄膜（９）の膜厚は、間溝（７ａ）の深さと同
程度とし、続いてこれを有機溶剤などに浸漬してレジス
トパターン（８）を溶解することにより、同パターン（
８）およびその上の金の薄膜（９）を選択的に除去し、
かつ裏面側からＫＯＨ溶液によりシリコン基板（１）の
エツチングをなして、第９図に示す通りに透過基板表面
に金の薄膜パターンを埋め込んだＸ線露光用マスクを完
成するのである。
膜（９）を形成するが、このときパターン溝（７ａ）内
での金の薄膜（９）の膜厚は、間溝（７ａ）の深さと同
程度とし、続いてこれを有機溶剤などに浸漬してレジス
トパターン（８）を溶解することにより、同パターン（
８）およびその上の金の薄膜（９）を選択的に除去し、
かつ裏面側からＫＯＨ溶液によりシリコン基板（１）の
エツチングをなして、第９図に示す通りに透過基板表面
に金の薄膜パターンを埋め込んだＸ線露光用マスクを完
成するのである。
なお前記実施例では、Ｘ線透過基板としてシリコン窒化
膜を用いたが、ボロン窒化膜、その他の無機物薄膜を用
いてもよいことは勿論である。
膜を用いたが、ボロン窒化膜、その他の無機物薄膜を用
いてもよいことは勿論である。
以上詳述したようにこの発明によれば、Ｘ線透過基板と
なる無機物薄膜の表面にパターン溝を形成し、このパタ
ーン溝内にＸ線吸収膜としての金の薄膜を埋め込んだ構
成としたので、金の薄膜パターンの変形、破損がなくな
り、従ってマスクの副次性を向上し得ると共に、その製
造工程をも簡略化できるなどの優れた特長を有するもの
である。
なる無機物薄膜の表面にパターン溝を形成し、このパタ
ーン溝内にＸ線吸収膜としての金の薄膜を埋め込んだ構
成としたので、金の薄膜パターンの変形、破損がなくな
り、従ってマスクの副次性を向上し得ると共に、その製
造工程をも簡略化できるなどの優れた特長を有するもの
である。
第１図ないし第５図は従来例によるＸ線露光用マスクを
製造工程順に示す断面図、第６図ないし第９図はこの発
明の一実施例によるＸ線露光用マスクを製造工程順に示
す断面図である。 （６）・・・・シ９ ” ：４Ｌ （７）・・・・シリ
コン窒化膜（無機物薄膜）、（７ａ）・′・・・パター
ンＷ、（８）・・・・レジストパターン、（９）・・・
・金の薄膜（Ｘ線吸収層）。 代理人 葛 野 信 −
製造工程順に示す断面図、第６図ないし第９図はこの発
明の一実施例によるＸ線露光用マスクを製造工程順に示
す断面図である。 （６）・・・・シ９ ” ：４Ｌ （７）・・・・シリ
コン窒化膜（無機物薄膜）、（７ａ）・′・・・パター
ンＷ、（８）・・・・レジストパターン、（９）・・・
・金の薄膜（Ｘ線吸収層）。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- シリコンあるいはボロン窒化膜のようなＸ線を透過し易
い無機物薄膜を有し、この無機物薄膜の表面に所望のパ
ターン溝を形成すると共に、溝内にＸ線吸収層となる金
の薄膜を埋め込んで構成したことを特徴とするＸ線露光
用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048163A JPS59172648A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048163A JPS59172648A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172648A true JPS59172648A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12795710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048163A Pending JPS59172648A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58048163A patent/JPS59172648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087535A (en) * | 1986-02-28 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| EP0533217A2 (en) * | 1986-02-28 | 1993-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
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