JPS5917259A - 半導体素子の測定方法 - Google Patents
半導体素子の測定方法Info
- Publication number
- JPS5917259A JPS5917259A JP12616482A JP12616482A JPS5917259A JP S5917259 A JPS5917259 A JP S5917259A JP 12616482 A JP12616482 A JP 12616482A JP 12616482 A JP12616482 A JP 12616482A JP S5917259 A JPS5917259 A JP S5917259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stylus pressure
- electrode
- measuring
- semiconductor element
- contact resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板上に形成されホキ導体素子の測定
時の精度？向上させるための方法に関する。
時の精度？向上させるための方法に関する。
一般に、半導体素子は一つの半導体基板上に数十〜数万
が同時罠形成される。この多数の半導体素子は必ずしも
全てが要求される電気的特性を満足しているとはいえな
いので５個々の素子について必要な電気的特性を測定し
、良品と不良品とに分類する。
が同時罠形成される。この多数の半導体素子は必ずしも
全てが要求される電気的特性を満足しているとはいえな
いので５個々の素子について必要な電気的特性を測定し
、良品と不良品とに分類する。
丁なわち、第１図（ａｌによりこれを説明すると、第１
図において、２およびｌは半導体基板の一表面上に形成
された半導体素子１の引出電極、３およびイは引出電極
と接触した電気特性測定用の探針會示す。半導体素子１
は、測定用探針３゜イ紮通して測定機に接続され、電気
的特性が測定きれる。
図において、２およびｌは半導体基板の一表面上に形成
された半導体素子１の引出電極、３およびイは引出電極
と接触した電気特性測定用の探針會示す。半導体素子１
は、測定用探針３゜イ紮通して測定機に接続され、電気
的特性が測定きれる。
第１図ｔｂ＞に示すように、多数の半導体素子１が一つ
の半導体基板１０上に規則正しく配列されており、上記
測定が全ての素子について順次行われる。このとき、特
性測定用探針３．３′に加えられる圧力（針圧）は測定
開始時に設定され、その後。
の半導体基板１０上に規則正しく配列されており、上記
測定が全ての素子について順次行われる。このとき、特
性測定用探針３．３′に加えられる圧力（針圧）は測定
開始時に設定され、その後。
全ての素子について変わらない。つまり、針圧は。
最初に測定される素子に最適な状態に設定嘔れるので、
その後に測定される他の素子については必ずしも適当で
ない場合がある。一般的に、探針と電極との間の接触抵
抗は、針圧によって第２図に示すような変化を示し、電
極の表面状態によって、その関係はＡ、Ｈのように異る
。
その後に測定される他の素子については必ずしも適当で
ない場合がある。一般的に、探針と電極との間の接触抵
抗は、針圧によって第２図に示すような変化を示し、電
極の表面状態によって、その関係はＡ、Ｈのように異る
。
半導体素子ケ特性測定用探針を通して測定する場合の探
針の針圧は、第２図の人ではａ １．上、Ｂでは５以上
の最低抵抗値ｇ？与えることが必要であり、それ以下の
針圧では接触抵抗が不安定となり測定の精度が悪くなる
。一方、針圧を無制限に増丁と、電極上の探針痕が大き
くなり、電極金属上剥離したり、場合によっては半導体
素子に歪會与えて素子？劣化させる場合があり、好まし
くない。従って、半導体素子測定時の針圧は、第２図の
Ａ、ではａよりわずかに太きいところに設定Ｔるのが望
ましい。
針の針圧は、第２図の人ではａ １．上、Ｂでは５以上
の最低抵抗値ｇ？与えることが必要であり、それ以下の
針圧では接触抵抗が不安定となり測定の精度が悪くなる
。一方、針圧を無制限に増丁と、電極上の探針痕が大き
くなり、電極金属上剥離したり、場合によっては半導体
素子に歪會与えて素子？劣化させる場合があり、好まし
くない。従って、半導体素子測定時の針圧は、第２図の
Ａ、ではａよりわずかに太きいところに設定Ｔるのが望
ましい。
第１図（ｂ）において、半導体基板１０に含まれる、多
数の半導体素子ｌの電極は、同時に形成されるので、一
般的にはかなり良い均−性紮示す。しかし、その形成法
によっても異るが、同一基板内で±１０％程度の電極厚
さの変動があるのが普通である。また、その表面状態％
（電極金属の粒子形状、硬度等〕も微妙に弄る場合が
ある。このような場合には、針圧一定の状態で測定ケ行
うと、一部の半導体素子に対しては針圧が適当でなくな
り。
数の半導体素子ｌの電極は、同時に形成されるので、一
般的にはかなり良い均−性紮示す。しかし、その形成法
によっても異るが、同一基板内で±１０％程度の電極厚
さの変動があるのが普通である。また、その表面状態％
（電極金属の粒子形状、硬度等〕も微妙に弄る場合が
ある。このような場合には、針圧一定の状態で測定ケ行
うと、一部の半導体素子に対しては針圧が適当でなくな
り。
測定精度が悪化したり、場合によっては半導体素子を劣
化させることがある。
化させることがある。
本発明は、このような問題点全改善し、半導体素子ケ劣
化させることなく、かつ、精度良く測定することを目的
とする。
化させることなく、かつ、精度良く測定することを目的
とする。
本発明の測定方法は、一つの半導体基板の一主面上に形
成された多数の半導体素子の電気的特性を測定するに際
し、該半導体素子の電気特性測定の九めの探針とは別に
設は九針圧検出用探針？該半導体素子の電極の一部また
は該電極とは電気的に独立して設は友接触抵抗測定用電
極に接触させ、前記針圧検出用探針の針圧を変えながら
接触抵抗全測定し、その測定された接触抵抗値が太きい
値からほぼ一定の低い抵抗値に達したときの針圧？検出
し、この針圧値近傍の針圧に前記電気特性測用探針の針
圧？制御し測定？行う。
成された多数の半導体素子の電気的特性を測定するに際
し、該半導体素子の電気特性測定の九めの探針とは別に
設は九針圧検出用探針？該半導体素子の電極の一部また
は該電極とは電気的に独立して設は友接触抵抗測定用電
極に接触させ、前記針圧検出用探針の針圧を変えながら
接触抵抗全測定し、その測定された接触抵抗値が太きい
値からほぼ一定の低い抵抗値に達したときの針圧？検出
し、この針圧値近傍の針圧に前記電気特性測用探針の針
圧？制御し測定？行う。
つぎに本発明を実施例により説明Ｔる。
第３図は本発明の一実施例に説明Ｔる九めの平面図であ
る。同図において、半導体素子１の表面に形成場れた半
導体素子電極２．ｌの近傍に、電極２．ｚとは電気的に
独立して、同時に形成された接触抵抗測定用電極４ヶ設
けておく。電気特性測定用探針３．ご紫通して半導体素
子全測定する場合、同時に接触抵抗測定用電極４に接触
するような別の針圧検出用探針５．り會設ける。この場
合、特性測定用探針３゜ゴおよび針圧検出用探針５．５
′は一定の許容範囲内で同一平面上に設定されることが
必要である。接触抵抗測定用電極４は素子電極２．ｚの
ごく近傍にある友め、その表面状態、厚さ等は同じであ
ると考えて良い。
る。同図において、半導体素子１の表面に形成場れた半
導体素子電極２．ｌの近傍に、電極２．ｚとは電気的に
独立して、同時に形成された接触抵抗測定用電極４ヶ設
けておく。電気特性測定用探針３．ご紫通して半導体素
子全測定する場合、同時に接触抵抗測定用電極４に接触
するような別の針圧検出用探針５．り會設ける。この場
合、特性測定用探針３゜ゴおよび針圧検出用探針５．５
′は一定の許容範囲内で同一平面上に設定されることが
必要である。接触抵抗測定用電極４は素子電極２．ｚの
ごく近傍にある友め、その表面状態、厚さ等は同じであ
ると考えて良い。
特性測定時に、同時に探針５．ぎケ通して、接触抵抗測
定用電極４と針圧検出用探針５．ぎ間の接触抵抗會測定
し、その抵抗値が、第２図に示すように、大きな値から
ほぼ一定の低い抵抗（ｉ′ｉ（第２図のｇ）に達するま
で針圧？増加する。同時に。
定用電極４と針圧検出用探針５．ぎ間の接触抵抗會測定
し、その抵抗値が、第２図に示すように、大きな値から
ほぼ一定の低い抵抗（ｉ′ｉ（第２図のｇ）に達するま
で針圧？増加する。同時に。
電気特性測定用探針３．ごの針圧も小芒い値から増加さ
せて、低い飽和値に達したときの針圧より僅かに大きい
針圧に制４７る。
せて、低い飽和値に達したときの針圧より僅かに大きい
針圧に制４７る。
このようにＴると、各半導体素子毎に電極厚さとか、表
面状態が変化しても、それに追随して最適な針圧ゲ与え
ることができる。従って、全ての半導体素子について、
糸通の状態で測定が行われ素子を劣化させることがない
。
面状態が変化しても、それに追随して最適な針圧ゲ与え
ることができる。従って、全ての半導体素子について、
糸通の状態で測定が行われ素子を劣化させることがない
。
第４図は他の実施例の平面図である。本例においては、
針圧検出用探針ぎ′は半導体素子電極ノに接触し、電気
特性測定用探針の一つの探針イとの間で接触抵抗？測定
する。同図中、接触抵抗測定用電極４′は、電気的に半
導体基板と接続され、針圧検出用探針５と半導体基板の
間に電流を流して、探針と電極間の接触抵抗を測定する
のである。
針圧検出用探針ぎ′は半導体素子電極ノに接触し、電気
特性測定用探針の一つの探針イとの間で接触抵抗？測定
する。同図中、接触抵抗測定用電極４′は、電気的に半
導体基板と接続され、針圧検出用探針５と半導体基板の
間に電流を流して、探針と電極間の接触抵抗を測定する
のである。
第１図（ａ）け従来の半導体素子の測定方法の−例を説
明するための平面図、同図（ｂ）は多数の素子を含む半
導体基板の平面図、第２図は針圧と接触抵抗の関係ケ示
すグラフ、第３図は本発明の一実施例を説明する友めの
平面図、第４図は本発明の他の実施例を説明Ｔる九めの
平面図である。 １・・・・・・半導体素子、２．ｚ・・・・・・素子電
極、３゜ご・・・・・・電気特性測定用探針、４．４・
・・・・・接触抵抗測定用電極、５．ぎ、ｑ′・・・・
・・針圧検出用探針、１０・・・・・・半導体基板。
明するための平面図、同図（ｂ）は多数の素子を含む半
導体基板の平面図、第２図は針圧と接触抵抗の関係ケ示
すグラフ、第３図は本発明の一実施例を説明する友めの
平面図、第４図は本発明の他の実施例を説明Ｔる九めの
平面図である。 １・・・・・・半導体素子、２．ｚ・・・・・・素子電
極、３゜ご・・・・・・電気特性測定用探針、４．４・
・・・・・接触抵抗測定用電極、５．ぎ、ｑ′・・・・
・・針圧検出用探針、１０・・・・・・半導体基板。
Claims (1)
- 半導体基板の一生平面上に形成された半導体素子の電気
的特性？測定するときに、該半導体素子の特性測定のた
めの探針とは別に設は九針圧検出用探針を該半導体素子
の電極の一部ま九は該半導体素子の電極とは電気的に独
立して設けた接触抵抗測定用電極に接触させ、前記針圧
検出用探針の針圧？変えながら接触抵抗を測定し、その
測定された接触抵抗値が大きい値からほぼ一定の低い抵
抗値に達したときの′針圧を検出し、この針圧値近傍の
針圧に前記特性測定用探針の針圧全制御し測定荀行うこ
とケ特徴とする半導体素子の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12616482A JPS5917259A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体素子の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12616482A JPS5917259A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体素子の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917259A true JPS5917259A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14928258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12616482A Pending JPS5917259A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体素子の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917259A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233328A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | Honda Motor Co Ltd | 内燃エンジンの空燃比フイ−ドバツク制御方法 |
| JPS6310553U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | ||
| US6684868B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fuel injection control apparatus of internal combustion engine |
| CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12616482A patent/JPS5917259A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233328A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | Honda Motor Co Ltd | 内燃エンジンの空燃比フイ−ドバツク制御方法 |
| JPS6310553U (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | ||
| US6684868B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fuel injection control apparatus of internal combustion engine |
| CN103135022A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20050225345A1 (en) | Method of testing semiconductor wafers with non-penetrating probes | |
| JPS5917259A (ja) | 半導体素子の測定方法 | |
| US10613116B2 (en) | Kelvin connection with positional accuracy | |
| US6736699B2 (en) | Electrolytic polishing apparatus, electrolytic polishing method and wafer subject to polishing | |
| KR20110053658A (ko) | 기판의 회로패턴 결함 검사장치 및 검사방법 | |
| JP2707119B2 (ja) | 基板用プローブ | |
| TWI813361B (zh) | 電阻器結構及其阻值測量系統 | |
| JPS6252457B2 (ja) | ||
| JPH0566732B2 (ja) | ||
| JP2751353B2 (ja) | ウェハ特性の電気的測定方法および装置 | |
| JPH04315062A (ja) | 抵抗体の抵抗値測定方法 | |
| JP4474874B2 (ja) | アルミ電解コンデンサの製造方法及びこれを用いた接続抵抗検査装置 | |
| JP2002214274A (ja) | 回路配線の検査方法 | |
| JPH05114631A (ja) | プローバ | |
| TWI604204B (zh) | 用於電測探針頭的電測裝置及其電測方法 | |
| KR100256067B1 (ko) | 박막 자기헤드의 갭깊이 가공용 저항패턴 및 이를 이용한 갭깊이 가공방법 | |
| JP2588715B2 (ja) | プローブ装置の探針先端位置検出方法 | |
| SU943563A1 (ru) | Устройство дл измерени переходного электрического сопротивлени | |
| JP2024519645A (ja) | 高抵抗率試験試料を測定する方法 | |
| JP2590759Y2 (ja) | スルーホール抵抗測定用プローブ | |
| CN110687351A (zh) | 一种导电胶碳粒检测治具及检测方法 | |
| JPH0669294A (ja) | 集積回路用試験プローブ装置 | |
| JPH05315412A (ja) | コンタクトポイントの判定方法 | |
| JPH05113305A (ja) | プローブ針検査装置 | |
| JP2001041999A (ja) | 半導体チップにおける内部抵抗の検出方法 |