JPS59170273A - Plasma etching apparatus - Google Patents
Plasma etching apparatusInfo
- Publication number
- JPS59170273A JPS59170273A JP4255283A JP4255283A JPS59170273A JP S59170273 A JPS59170273 A JP S59170273A JP 4255283 A JP4255283 A JP 4255283A JP 4255283 A JP4255283 A JP 4255283A JP S59170273 A JPS59170273 A JP S59170273A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は石英を材質としたチャンバー内でガスをプラズ
マ化し、半導体生産における薄膜のエツチングを行うプ
ラズマエツチング装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a plasma etching apparatus for etching thin films in semiconductor production by turning gas into plasma in a chamber made of quartz.
従来、この種のプラズマエツチング装置は第１図のよう
な構造を有している。プラズマ状態をつくり出すチャン
バー１は石英ケ材質とし７てお９、内部は排気口４がら
真空ポンプによって排気されているチャンバー１周辺部
電極２がベルト状に固定され、ケーブル３によｐ高周波
電力が印加されている。又内部電極７は穴のあいた筒で
、ベースプレート６に固定されており、電気的にアース
電位となっている。内部電極７の中心にはテーブル９が
設置されており、その表面には基板８を装着するように
なっている。チャンバー１の上部に設置されたカスノズ
ル５から導入された反応カスは、外部電極２と内部電極
７０間に印加された高周波電力によって励起し、外部電
極２と内部電極７の間でプラズマ化することになる。そ
してこのプラズマ中に存在する活性原子が内部電極７を
通って拡散し、基板８と反応を起すのである。Conventionally, this type of plasma etching apparatus has a structure as shown in FIG. The chamber 1 that creates the plasma state is made of quartz material 7 and 9, and the inside is evacuated by a vacuum pump through an exhaust port 4.The peripheral electrode 2 of the chamber 1 is fixed in the form of a belt, and the high-frequency power is supplied through a cable 3. is being applied. Further, the internal electrode 7 is a cylinder with a hole, and is fixed to the base plate 6, and is electrically at ground potential. A table 9 is installed at the center of the internal electrode 7, and a substrate 8 is mounted on the surface of the table 9. The reaction scum introduced from the scum nozzle 5 installed at the top of the chamber 1 is excited by the high frequency power applied between the external electrode 2 and the internal electrode 70, and is turned into plasma between the external electrode 2 and the internal electrode 7. become. The active atoms present in this plasma diffuse through the internal electrode 7 and react with the substrate 8.
しかし、従来この種のプラズマエツチング装置では、基
板８に対する汚染、電気的絶縁及び真空維持を考慮して
、チャンバー１が石英でつくられている為、活性原子が
チャンバー１とも反応してしまう。さらに悪いことには
チャンバー１がプラズマ中にさらされている為に電子や
、イオンがチャンバーと衝突し、そのエネルキーでチャ
ンバー１の温度が１００℃以上咬で上昇することによｐ
１活性原子との反応は著しく増大してしまう。したがっ
てプラズマ中で発生した活性原子の多くはチャンバー１
との反応に費いやされ基板８と反応する活性原子の数を
減少させてしまう。こねがこの棟のプラズマエツチング
装置の基板８に対する反応速ルーを下げる原因となって
おり、従ってエツチング効率が低下し、生産性が低いと
いう欠点があった。However, in conventional plasma etching apparatuses of this type, the chamber 1 is made of quartz in consideration of contamination of the substrate 8, electrical insulation, and vacuum maintenance, so that active atoms also react with the chamber 1. To make matters worse, since chamber 1 is exposed to plasma, electrons and ions collide with the chamber, and their energy causes the temperature of chamber 1 to rise by more than 100 degrees Celsius.
The reaction with one active atom increases significantly. Therefore, most of the active atoms generated in the plasma are in the chamber 1.
This reduces the number of active atoms that are used for reaction with the substrate 8 and reacts with the substrate 8. The kneading caused a reduction in the reaction rate of the plasma etching apparatus in this building to the substrate 8, resulting in a reduction in etching efficiency and low productivity.
本発明の目的は、この上記のような欠点のないプラズマ
エツチング装置を提供することにある。The object of the present invention is to provide a plasma etching apparatus which does not have the above-mentioned drawbacks.
本発明の特徴は石英を材質としたチャンバーを持ったプ
ラズマエツチングｓ−ｈにおいて、そのチャンバーを冷
却する手段金有するところにある。A feature of the present invention is that a plasma etching system having a chamber made of quartz has a means for cooling the chamber.
その実鉋は、例え、はチャンバーをカバーで１冗いその
曲に空気又は窒累蓼の冷却流体を流すことのできる構造
を待つ体で達成される。The actual plane is achieved, for example, by covering the chamber with a structure that allows air or nitrogen cooling fluid to flow through its curves.
本発明によれば、基板と反応する活性原子を増すことに
より、反応速度を増すことができ、生産性の旨いプラズ
マエツチング装で、が実層できる。According to the present invention, by increasing the number of active atoms that react with the substrate, the reaction rate can be increased and a highly productive plasma etching system can be realized.
次に本発明を第２図（ａ）、 （ｂ）に示す実施例で説
明する。チャンバー１は周囲をチャンバー１とある間隙
を持ったカバーｌＯで覆われている。カッ〈−１０は周
囲ＶＣ復数個の冷却ノズル１１全持っており、それぞれ
外部よシ空気又は窒素が冷却ノズル１１よりチャンバー
１に向って吹き出すようになっている。吹き出された空
気又は窒素はチャンバー１の熱を奪いながら上昇［７、
力・（−］０上部より放出する。・便用カスは低温Ｎ２
が効果的である。Next, the present invention will be explained with reference to the embodiment shown in FIGS. 2(a) and 2(b). The chamber 1 is surrounded by a cover lO with a certain gap between the chamber 1 and the chamber 1. The chamber 10 has several cooling nozzles 11 around the VC, each of which allows external air or nitrogen to be blown out from the cooling nozzles 11 toward the chamber 1. The blown air or nitrogen rises while taking away the heat from chamber 1 [7,
Force・(-]0 Released from the top.・Fecal matter is low temperature N2
is effective.
以上の構造及び方法によって、チャンバーと、活性原子
との反応を抑えることが可能となりプラズマ中で発生し
た活性原子を有効に利用できることになる。又同時にチ
ャンバーの消耗も抑えることが可能となるので、生産性
が高く、経済的なプラズマエッチ装置を供給することか
でキル。With the above structure and method, it is possible to suppress the reaction between the chamber and the active atoms, and the active atoms generated in the plasma can be effectively utilized. At the same time, it is also possible to suppress chamber wear and tear, making it possible to achieve high productivity by supplying economical plasma etching equipment.
第１図は従来のプラズマ、エツチング装置ｋ＋、を示す
断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）幻本発明によるプラズ
マエツチング＋＝ｈを示す平面図及び断面図である。
ン欠おし１においてｌ・・・・・・チャンバー、２・・
・・・・外部箱枠、３・・・・・・ケーブル、４・・・
・・・排気口、５・・・・・・カスノズル、６・旧・・
ベースプレート、７・・・・・・内部電極、８・・・・
・・基板、９・・・・・・テーブル、１ｏ・・・・・・
カバー、】１・・・・・・冷却ノズルである。FIG. 1 is a sectional view showing a conventional plasma etching apparatus k+, and FIGS. 2(a) and 2(b) are a plan view and a sectional view showing a plasma etching +=h according to the present invention. In the hole 1... chamber, 2...
...External box frame, 3...Cable, 4...
...Exhaust port, 5...Cass nozzle, 6. Old...
Base plate, 7... Internal electrode, 8...
...Substrate, 9...Table, 1o...
Cover, ]1... Cooling nozzle.
Claims (1)
ング装置において、そのチャンバーを冷却する手段を有
することを特徴とするプラズマエツチング装置。1. A plasma etching apparatus having a chamber made of quartz, characterized in that the plasma etching apparatus has a means for cooling the chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255283A JPS59170273A (en) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | Plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255283A JPS59170273A (en) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | Plasma etching apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170273A true JPS59170273A (en) | 1984-09-26 |
Family
ID=12639214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255283A Pending JPS59170273A (en) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | Plasma etching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170273A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570010A (en) * | 1992-05-20 | 1996-10-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for identifying objects using compound signal and a detector employing an electrical static coupling technique |
| WO2000008229A1 (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Tokyo Electron Limited | Esrf chamber cooling system and process |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP4255283A patent/JPS59170273A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570010A (en) * | 1992-05-20 | 1996-10-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for identifying objects using compound signal and a detector employing an electrical static coupling technique |
| WO2000008229A1 (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Tokyo Electron Limited | Esrf chamber cooling system and process |
| US6385977B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-05-14 | Tokyo Electron Limited | ESRF chamber cooling system and process |
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