JPS59157278A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59157278A JPS59157278A JP2904283A JP2904283A JPS59157278A JP S59157278 A JPS59157278 A JP S59157278A JP 2904283 A JP2904283 A JP 2904283A JP 2904283 A JP2904283 A JP 2904283A JP S59157278 A JPS59157278 A JP S59157278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- thin film
- film
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空容器内で7?膜形成物質を飛散じしめて基
板に衝突付着せしめ、上記基板に薄膜を形成する7I膜
形成装置に関するものである。
板に衝突付着せしめ、上記基板に薄膜を形成する7I膜
形成装置に関するものである。
この種の装置は従来小物、単品の基板を対象としたもの
で、車両用窓ガラスの如く大型で、しかも連続的に供給
される基板に薄膜を均一に形成することは困難であった
。
で、車両用窓ガラスの如く大型で、しかも連続的に供給
される基板に薄膜を均一に形成することは困難であった
。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、大型で、かつ連続的
に供給される基板に薄膜を精度良く均一に形成できる薄
膜形成装置を提供することを目的としている。
に供給される基板に薄膜を精度良く均一に形成できる薄
膜形成装置を提供することを目的としている。
すなわら、本発明は第1図に示す如く、真空容器1内で
基板3を7il膜形成物貿2の飛散領域内に移動せしめ
る移動手段4と、成膜中の上記基板3に向りて光を光す
る発光手段5と、基板3よりの透過光を受光する受光手
段6と、受光手段6の受光量より基板3に形成され!、
:膜厚を算出する算出手段7と、演算結果に基いて上記
基板3の移動速度ないし薄膜形成物質2の飛散量を制御
する制御手段8とを具協している。
基板3を7il膜形成物貿2の飛散領域内に移動せしめ
る移動手段4と、成膜中の上記基板3に向りて光を光す
る発光手段5と、基板3よりの透過光を受光する受光手
段6と、受光手段6の受光量より基板3に形成され!、
:膜厚を算出する算出手段7と、演算結果に基いて上記
基板3の移動速度ないし薄膜形成物質2の飛散量を制御
する制御手段8とを具協している。
しかして、算出された膜厚が簿い場合には基板の移動速
度を低下せしめるか、あるいは層膜形成物質2の飛散量
を増大せしめて基板3への膜形成物質2の付@量を増し
、膜厚が厚い場合にはその反対として所望の膜厚を得る
ものである。
度を低下せしめるか、あるいは層膜形成物質2の飛散量
を増大せしめて基板3への膜形成物質2の付@量を増し
、膜厚が厚い場合にはその反対として所望の膜厚を得る
ものである。
なa3、透過光に限らず、反射光を受光するようにして
も良い。
も良い。
実施例
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第2図に83いて、真空ポンプ1oによって排気される
真空容器1はその左右両端に設cJだゲートバルブla
、1bにより図示しない前処理工程および後処理工程に
接続されている。そして、前処理工程を終えてゲートバ
ルブ1a、J:り搬入されたカラス基板3はベルトコン
ベヤ4により図の右方へ搬送されてゲー1へバルブ1b
より後処理工程に送出されるようになっている。
真空容器1はその左右両端に設cJだゲートバルブla
、1bにより図示しない前処理工程および後処理工程に
接続されている。そして、前処理工程を終えてゲートバ
ルブ1a、J:り搬入されたカラス基板3はベルトコン
ベヤ4により図の右方へ搬送されてゲー1へバルブ1b
より後処理工程に送出されるようになっている。
一方、真空容器′1の下部に設けた蒸発器9内に配した
薄膜形成物質2は蒸発器9を中心にして放射状に飛散し
ている。そして上記ガラス基板3は搬送時にこの飛散領
域を通過する。
薄膜形成物質2は蒸発器9を中心にして放射状に飛散し
ている。そして上記ガラス基板3は搬送時にこの飛散領
域を通過する。
真空容器1の下部にはまた発光器5が設(プてあり、こ
こから発した単色光はビームスプリッタ13によって分
割され、一方の光L1は直進して上記基板3と同質の参
照用ガラス11を通過して真空容器1の上部に設けた受
光器6aに入射する。
こから発した単色光はビームスプリッタ13によって分
割され、一方の光L1は直進して上記基板3と同質の参
照用ガラス11を通過して真空容器1の上部に設けた受
光器6aに入射する。
ビームスプリッタ13によって反射せしめられた他方の
光L2はミラー12に入射し、ここで再び反射して薄膜
形成物質2の飛散領域を通過中の基板3を透過して真空
容器1の上部に設けた受光器61)に入射−する。
光L2はミラー12に入射し、ここで再び反射して薄膜
形成物質2の飛散領域を通過中の基板3を透過して真空
容器1の上部に設けた受光器61)に入射−する。
上記受光器5a、(Bbは入射光重に比例した出力信号
を発し、各出力信号は増幅器14a、14bで増幅され
た後インターフL−ス回路15に入力される。
を発し、各出力信号は増幅器14a、14bで増幅され
た後インターフL−ス回路15に入力される。
7はコンピュータで、上記回路15を介して入力した上
記出力信号より光L2の透過部に形成された基板3の膜
厚を算出し、これにもとり゛いてコンベアモータ制御回
路8に速度信号を発する。
記出力信号より光L2の透過部に形成された基板3の膜
厚を算出し、これにもとり゛いてコンベアモータ制御回
路8に速度信号を発する。
制御回路8ば上記速度信号にもとすいてコンベレ4を所
定速度に制御する。
定速度に制御する。
第3図に電気回路の詳細を示T 。
図中15aはアナログスイッチ、151〕は△/DSン
バータ、7aはメモリ内蔵のCPU、7bはD/Aコン
バータ、7cはクロック回路である。ソシテ、A/Dコ
ンバータ15b 、CPU 7a、およびり、/Aコン
バータ7bはデータバス71によってたがいに接続され
ている。
バータ、7aはメモリ内蔵のCPU、7bはD/Aコン
バータ、7cはクロック回路である。ソシテ、A/Dコ
ンバータ15b 、CPU 7a、およびり、/Aコン
バータ7bはデータバス71によってたがいに接続され
ている。
ここで増@器74a、’14.bの出力14′aおよび
14′bを第4図(1)、(2)に示り。
14′bを第4図(1)、(2)に示り。
光L1による出力信号14′aはほぼその値が一定であ
る。これに対して薄膜形成物質2の飛散領域を通過中の
基板3を透過した光L1による出力信@ 14 bは基
板3に形成された膜厚に応じて変動している。
る。これに対して薄膜形成物質2の飛散領域を通過中の
基板3を透過した光L1による出力信@ 14 bは基
板3に形成された膜厚に応じて変動している。
上記出力信号14− a 、14− hはクロック回路
7CのクロックパルスCKI、CK2に同期して順次ア
ナログスイッチ15a 、A/Dコンバータ15bを介
してCP U 7’aに入力される。
7CのクロックパルスCKI、CK2に同期して順次ア
ナログスイッチ15a 、A/Dコンバータ15bを介
してCP U 7’aに入力される。
CPU7aは上記信号14−a、14−1)より各周期
ごとに膜厚を算出し、これに応じた速度信号’MbをD
/Aコンバータ7りを介して一ロータ制御回路8に出力
する。この速度信号7′bを第4図で3)に示す。上記
信号7−bは膜厚が所定の値より厚くなると次第に上昇
゛し、モータ制御回路8を介してコンベヤ用モータ4a
が増速せしめられて、基板3の膜厚は一定に保たれる。
ごとに膜厚を算出し、これに応じた速度信号’MbをD
/Aコンバータ7りを介して一ロータ制御回路8に出力
する。この速度信号7′bを第4図で3)に示す。上記
信号7−bは膜厚が所定の値より厚くなると次第に上昇
゛し、モータ制御回路8を介してコンベヤ用モータ4a
が増速せしめられて、基板3の膜厚は一定に保たれる。
第5図にCPU7aにおける演算フローヂャートを示す
。ステップ501で薄膜形成物質2の屈折率d′3よび
目的どする希望膜厚を設定する。
。ステップ501で薄膜形成物質2の屈折率d′3よび
目的どする希望膜厚を設定する。
ステップ502 T−信号14−a 、14”bを入力
する。
する。
ステップ503では上記信号14”a、14”bより透
過率下を計算する。なJ5、この透過率下の4算は次式
で行なう。
過率下を計算する。なJ5、この透過率下の4算は次式
で行なう。
ここでrは基板3表面の反射率である。
次にステップ504で上記透過率Tより基板3に形成さ
れた膜厚を計算する。なお、膜厚と透過率の関係は計算
により求まり、例えば、単層膜として、膜形成物質2の
屈折率が2.4および2゜Oで、光の波長を6328A
とした場合、透過率と膜厚の関係はそれそ゛れ第6図の
実線および鎖線のようになる。これによれば、屈折率2
.4の膜形成物質3が200A付着した時の透過率は8
G、′7%である。
れた膜厚を計算する。なお、膜厚と透過率の関係は計算
により求まり、例えば、単層膜として、膜形成物質2の
屈折率が2.4および2゜Oで、光の波長を6328A
とした場合、透過率と膜厚の関係はそれそ゛れ第6図の
実線および鎖線のようになる。これによれば、屈折率2
.4の膜形成物質3が200A付着した時の透過率は8
G、′7%である。
ステップ505ではステップ504で計算された膜厚よ
り基板3の最適移動速度をt1算する。
り基板3の最適移動速度をt1算する。
ところで、真空熱おの場合、蒸発質バ1をM、蒸発器9
と基板間距離を[〕、蒸発器ど基板上の任意の点との水
平距離をLlその点での蒸発粒子のイU打確率をSとす
ると、この点での(=I着質量■は蒸発器の形状により
異なるが、例えば次試で表わされる。
と基板間距離を[〕、蒸発器ど基板上の任意の点との水
平距離をLlその点での蒸発粒子のイU打確率をSとす
ると、この点での(=I着質量■は蒸発器の形状により
異なるが、例えば次試で表わされる。
rr l) 2
この式において例えば、Dを3Qcm、(q着確率を1
とすると、膜のF1着分布は第7図のようにfe【る。
とすると、膜のF1着分布は第7図のようにfe【る。
ここで、基板3が左方、づなわら−100CITlの位
置から移動してきた場合、第7図を積分することにより
、−17cmの位置で目的膜厚の20%となる。そこで
、−17cmの位置の膜厚を求め、これが目的膜厚の2
0%より薄ければ基板の移動速度を匠<シ、厚ければ早
くする。この時の移動速度は次式で与えられる。
置から移動してきた場合、第7図を積分することにより
、−17cmの位置で目的膜厚の20%となる。そこで
、−17cmの位置の膜厚を求め、これが目的膜厚の2
0%より薄ければ基板の移動速度を匠<シ、厚ければ早
くする。この時の移動速度は次式で与えられる。
−v1
ここで、dは最終膜厚、dは一17cmの位置での膜厚
、vlは嗅在の移動速度、■2は修正後の移動速度であ
る。
、vlは嗅在の移動速度、■2は修正後の移動速度であ
る。
上式で算出された移動′a度をステップ506でモータ
制御回路8に出力することにより基板3の移動速度が修
正される。その結果、−17crnの位置での最終膜厚
に対する膜厚比は第8図に示す如く時間と共に20%に
収束する。第7図の膜厚分イDは常に一定であるから、
−47Cmの位置で20%の膜厚を維持づ−ることによ
り最終膜厚は所定の値となる。
制御回路8に出力することにより基板3の移動速度が修
正される。その結果、−17crnの位置での最終膜厚
に対する膜厚比は第8図に示す如く時間と共に20%に
収束する。第7図の膜厚分イDは常に一定であるから、
−47Cmの位置で20%の膜厚を維持づ−ることによ
り最終膜厚は所定の値となる。
このように本発明の肋膜形成装置は薄膜形成物質の蒸発
速度等が変化しても、これによる膜厚の変化は即座にフ
ィードバックされて丼板の移動速度が変化uしめられ、
目的とする膜厚に粘度良く維持される。
速度等が変化しても、これによる膜厚の変化は即座にフ
ィードバックされて丼板の移動速度が変化uしめられ、
目的とする膜厚に粘度良く維持される。
上記実施例では膜厚比が20%どなる位置で測定を行な
ったがこれに限らす成膜中であればどの位置でも良い。
ったがこれに限らす成膜中であればどの位置でも良い。
ただし、成膜終了に近い位置では膜厚の修正が行ないが
たく、また、成膜開始に近い位置では膜厚が測定しにく
い。従って膜厚比が10〜50%の位置で測定するのが
良い。ここで、第9図に水平距IVI−Lと膜厚比との
関係を示づ。
たく、また、成膜開始に近い位置では膜厚が測定しにく
い。従って膜厚比が10〜50%の位置で測定するのが
良い。ここで、第9図に水平距IVI−Lと膜厚比との
関係を示づ。
この図によれは、例えば膜厚比30%の位置は一1Qc
mの位置となる。
mの位置となる。
なお、第7図に示した膜厚分布は蒸発器の種類、形状、
位置、あるいは基板の性状、圧力、(−1@確率等の諸
条件によって変化する。したがって、各使用状態での膜
厚分布をあらかじめ測定してa3ぎ、前記イ」着質量の
式を補正しておく必要がある。
位置、あるいは基板の性状、圧力、(−1@確率等の諸
条件によって変化する。したがって、各使用状態での膜
厚分布をあらかじめ測定してa3ぎ、前記イ」着質量の
式を補正しておく必要がある。
また、処理する基板3が一枚のみの場合(こは、これに
続りてダミー基板を挿入し、基板3が光L1の透過位置
を通過後も膜厚制御が続行づ”るようにする。
続りてダミー基板を挿入し、基板3が光L1の透過位置
を通過後も膜厚制御が続行づ”るようにする。
さらに、上記実施例では基板3の移動速度を変化せしめ
て膜厚を制御したが、薄膜形成物質の蒸発速度を変化せ
しめるようにしても良い。この場合は例えば膜厚比が2
0%よりも小さくプれば蒸発速度を速くし、大きければ
遅くする。
て膜厚を制御したが、薄膜形成物質の蒸発速度を変化せ
しめるようにしても良い。この場合は例えば膜厚比が2
0%よりも小さくプれば蒸発速度を速くし、大きければ
遅くする。
第10図にはターゲット幅1.3cmで、基板3とター
ゲット間距離を(3,5cmとしたマグネ1〜ロンスパ
ツタ装置の膜厚分布を示す。このように蒸着装置のみな
らずスパッタ装置にa3いても膜厚分布が求まるから、
上記g置と同様にして膜厚制御をすることができる。
ゲット間距離を(3,5cmとしたマグネ1〜ロンスパ
ツタ装置の膜厚分布を示す。このように蒸着装置のみな
らずスパッタ装置にa3いても膜厚分布が求まるから、
上記g置と同様にして膜厚制御をすることができる。
また、光は単色光である必要はなく、白色光をOMA等
で分光測定するようにしてもよく、しかも透過光に限ら
ず、反射光でも良い。
で分光測定するようにしてもよく、しかも透過光に限ら
ず、反射光でも良い。
以上の如く本発明の薄膜形成装置は薄膜形成物質の飛散
領域中を移動する成膜中の基板に光を透過あるいは反射
ぼしめ、透過光量あるいは反則光量より基鈑に形成中の
膜厚を算出して、常に膜厚が一定になるように基板の移
動速度あるいは薄膜形成物質の蒸発速度を制御するよう
にしたので、連続的に供給される長尺状の基板にも極め
て精度良く薄膜を形成することができる。
領域中を移動する成膜中の基板に光を透過あるいは反射
ぼしめ、透過光量あるいは反則光量より基鈑に形成中の
膜厚を算出して、常に膜厚が一定になるように基板の移
動速度あるいは薄膜形成物質の蒸発速度を制御するよう
にしたので、連続的に供給される長尺状の基板にも極め
て精度良く薄膜を形成することができる。
第1図はクレーム対応図、第2図は装置の構成図、第3
図は電気回路のブロック図、第4図は信号の経時変化を
示づ一図、第5図はコンピュータの演算フローチャート
、第6図は透過率ど膜厚の関係を示す図、第7図は蒸着
装置膜厚分布を示づ一図、第8図は膜厚ILの経時変化
を示づ図、第9図は水平距離と膜厚比の関係を示す図、
第10図はスパッタ装置における膜厚分布を示づ一図で
ある。 1・・・・・・真空容器 2・・・・・・薄膜形成物質 3・・・・・・基板 4・・・・・・コンベア 5・・・・・・発光器 5a、6b・・・・・・受光器 7・・・・・・コンピュータ 第1図 第2コ 第3図 猪4′i] 第5図 第6図 0 200 400 600 800 1000膜
厚 (久 ) 第7図 水平距離L (on) 第8図 ↑ 時 間 第9図 水平距離L (備) 第10図 −0 −10−50510
図は電気回路のブロック図、第4図は信号の経時変化を
示づ一図、第5図はコンピュータの演算フローチャート
、第6図は透過率ど膜厚の関係を示す図、第7図は蒸着
装置膜厚分布を示づ一図、第8図は膜厚ILの経時変化
を示づ図、第9図は水平距離と膜厚比の関係を示す図、
第10図はスパッタ装置における膜厚分布を示づ一図で
ある。 1・・・・・・真空容器 2・・・・・・薄膜形成物質 3・・・・・・基板 4・・・・・・コンベア 5・・・・・・発光器 5a、6b・・・・・・受光器 7・・・・・・コンピュータ 第1図 第2コ 第3図 猪4′i] 第5図 第6図 0 200 400 600 800 1000膜
厚 (久 ) 第7図 水平距離L (on) 第8図 ↑ 時 間 第9図 水平距離L (備) 第10図 −0 −10−50510
Claims (2)
- (1)真空容器内で薄膜形成物質を飛散せしめて基板に
衝突付着せしめて、上記基板に薄膜を形成する薄膜形成
装置において、基板を飛散領域内で移動せしめる移動手
段と、成膜中の基板に向けて光を発する発光手段と、基
板よりの透過光ないし反射光を受光する受光手段と、受
光手段の受光量より基板に形成された膜厚を算出する算
出1段と、算出結果に基いて上記基板の移動速度ないし
薄膜形成物質の飛散量を制御づる制御手段とを具備づ−
る薄膜形成装置。 - (2)上記発光手段は最終膜厚の10%〜50%の成膜
領域に光を発する特許請求の範囲第一項記載の薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2904283A JPS59157278A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2904283A JPS59157278A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59157278A true JPS59157278A (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=12265337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2904283A Pending JPS59157278A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59157278A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180063A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-07 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 長尺物の薄膜生成装置 |
US5149375A (en) * | 1988-07-14 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a deposited film of large area with the use of a plurality of activated gases separately formed |
US7649156B2 (en) * | 2003-11-27 | 2010-01-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus for processing semiconductor devices in inline manner |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP2904283A patent/JPS59157278A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180063A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-07 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 長尺物の薄膜生成装置 |
JPH049867B2 (ja) * | 1986-02-03 | 1992-02-21 | ||
US5149375A (en) * | 1988-07-14 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a deposited film of large area with the use of a plurality of activated gases separately formed |
US7649156B2 (en) * | 2003-11-27 | 2010-01-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus for processing semiconductor devices in inline manner |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5955139A (en) | Automatic film deposition control | |
JP2002373843A (ja) | 塗布装置及び塗布膜厚制御方法 | |
CN101802251A (zh) | 薄膜形成装置、膜厚测定方法、膜厚传感器 | |
JP2008122200A (ja) | 膜厚測定方法 | |
JP2006181566A (ja) | スリット式塗布方法、スリット式塗布工程の膜厚リアルタイム監視方法およびその装置 | |
JPS59157278A (ja) | 薄膜形成装置 | |
EP1094344A2 (en) | Thin film forming method and apparatus | |
WO2015004755A1 (ja) | 光学式膜厚計,薄膜形成装置及び膜厚測定方法 | |
JPH0790583A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS6328862A (ja) | 膜厚制御方法 | |
JPH07180055A (ja) | 真空成膜装置 | |
JPH03237304A (ja) | 薄膜作製装置 | |
JPH04176866A (ja) | スパッタリング装置用成膜速度制御装置 | |
JPH01172569A (ja) | 蒸着膜厚制御方法 | |
JPH0384401A (ja) | 膜厚測定方法および装置 | |
JPH10251844A (ja) | 薄膜付き基材の製造方法および製造装置ならびに薄膜付き基材 | |
JP3017762B2 (ja) | レジスト塗布方法およびその装置 | |
JPS63474A (ja) | 薄膜形成方法 | |
Knowlton et al. | Use of Vacuum Deposited Metallic Wedges for Correction of Manufacturing Errors on Reflecting Optics | |
JPS619575A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
JPS62149871A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS61272937A (ja) | 気相成長式化学蒸着の制御方法 | |
JP2004011012A (ja) | 成膜制御装置及び成膜制御方法 | |
JP2001107232A (ja) | 化合物薄膜形成方法及び光学薄膜及び光学素子 | |
CN116676582A (zh) | 一种镀膜设备的直接光控***及方法 |