JPS59154643A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS59154643A JPS59154643A JP58028644A JP2864483A JPS59154643A JP S59154643 A JPS59154643 A JP S59154643A JP 58028644 A JP58028644 A JP 58028644A JP 2864483 A JP2864483 A JP 2864483A JP S59154643 A JPS59154643 A JP S59154643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carbon
- plasma polymerization
- thickness
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発門は磁件云シ脱を磁気記録層とする磁気記録媒体に
関し、特に防蝕性、′[L磁変換特性、ZI2行性、耐
摩耗性にすぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
関し、特に防蝕性、′[L磁変換特性、ZI2行性、耐
摩耗性にすぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体としては、非磁性支持体ゴーに磁性粉末を
結合剤中に分散せ[7め、厚布乾ソ栗させる塗布型のも
のが広< 1jll用されてきている。しかし、近年高
密度記録への安水が高まるにつれ、真空蒸着、スノξツ
タリング、イオンプレー ティン・グQ、rのペーパー
デポンション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等の
メッキ法により形成される強磁性金属薄膜を6R気記録
層とする金層薄膜型磁気記録媒体が注目を浴びており実
用化に至っている。
結合剤中に分散せ[7め、厚布乾ソ栗させる塗布型のも
のが広< 1jll用されてきている。しかし、近年高
密度記録への安水が高まるにつれ、真空蒸着、スノξツ
タリング、イオンプレー ティン・グQ、rのペーパー
デポンション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等の
メッキ法により形成される強磁性金属薄膜を6R気記録
層とする金層薄膜型磁気記録媒体が注目を浴びており実
用化に至っている。
金属#脱型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな強磁性金
属をバインダーの如き非磁性物質を介在させない状態で
、極めて薄す層として形成できるので、電磁変換特性上
非常に有利で、高密度記録にも適している。
属をバインダーの如き非磁性物質を介在させない状態で
、極めて薄す層として形成できるので、電磁変換特性上
非常に有利で、高密度記録にも適している。
しかしながら、金属薄膜型磁気記録媒体についての大き
な問題点け、製造後経時しておくと金属表面が腐蝕を一
電磁変換特性が低ド[7でしまうことである。この欠点
を防止−する方法として、熱iiJ塑性ポリマー、熱硬
化性ポリマーを金属表面に塗設し、保護層を十J与する
ことによって解決することが提案され又いる。この方法
では4、ヘッドと磁性層間のスペ・−シング損失のため
に保護層の厚みを大きくできないという制約があるため
、充分な防蝕性を付りすることはできなかつ/こ。(第
2図参照)また、磁性層表面を窒化させる方法(特開昭
50−53806号)あるいは酸化させる方法(慣公昭
42−20025−シJ)などによって防蝕性i向−■
ニすることが知られているが、これらの方法でけ1[]
分〜2時間ものJ<4時間処理が8苅であったり、処理
時間を短かくすると充分な防蝕効果が1杢Iられなかっ
た。
な問題点け、製造後経時しておくと金属表面が腐蝕を一
電磁変換特性が低ド[7でしまうことである。この欠点
を防止−する方法として、熱iiJ塑性ポリマー、熱硬
化性ポリマーを金属表面に塗設し、保護層を十J与する
ことによって解決することが提案され又いる。この方法
では4、ヘッドと磁性層間のスペ・−シング損失のため
に保護層の厚みを大きくできないという制約があるため
、充分な防蝕性を付りすることはできなかつ/こ。(第
2図参照)また、磁性層表面を窒化させる方法(特開昭
50−53806号)あるいは酸化させる方法(慣公昭
42−20025−シJ)などによって防蝕性i向−■
ニすることが知られているが、これらの方法でけ1[]
分〜2時間ものJ<4時間処理が8苅であったり、処理
時間を短かくすると充分な防蝕効果が1杢Iられなかっ
た。
まだ、金属薄膜′)f、IJ圃気気記録媒体ついでのも
うひとつの大きな問題点け、走行性及び耐久性が悪く、
デツキ走行中に: 7ij行経路に貼りついて走行停止
したり、あるいは、メチル耐久性が悪かったりすること
である。この欠点を防止するため、熱町ν1り性、熱硬
化性ポリマーあるbは脂肪酸、脂肪酸エステル等の4゛
シ”」滑剤をJ!ItI性金属薄膜上に塗設する方法が
考えられるが、これらの方法を用いたとき走行性が不充
分であつブこり、あるいは耐久性が不充分であったりす
る。まだ元力な走行’t’ix、耐久性を確保しようと
−する。塗設層か厚くなりスば−・シング損失によって
電磁変換特性が悪化するのである。防蝕性を充分満足の
あるものを得るためにも塗設層を厚くする必要があり電
磁変換特性上好ましくなかった。
うひとつの大きな問題点け、走行性及び耐久性が悪く、
デツキ走行中に: 7ij行経路に貼りついて走行停止
したり、あるいは、メチル耐久性が悪かったりすること
である。この欠点を防止するため、熱町ν1り性、熱硬
化性ポリマーあるbは脂肪酸、脂肪酸エステル等の4゛
シ”」滑剤をJ!ItI性金属薄膜上に塗設する方法が
考えられるが、これらの方法を用いたとき走行性が不充
分であつブこり、あるいは耐久性が不充分であったりす
る。まだ元力な走行’t’ix、耐久性を確保しようと
−する。塗設層か厚くなりスば−・シング損失によって
電磁変換特性が悪化するのである。防蝕性を充分満足の
あるものを得るためにも塗設層を厚くする必要があり電
磁変換特性上好ましくなかった。
本発明者らは上記欠点を克服するため鋭意研究を重ねだ
結果本発明に到達した。
結果本発明に到達した。
本発明の[I的は、ヘッドと磁性層間のスペーシング損
失を極力小さくするため超薄層でしかも防蝕性、走行性
、耐久性の全ての面で極めて良好な保φ層を有する金属
薄膜磁気記録媒体をイdることにある。
失を極力小さくするため超薄層でしかも防蝕性、走行性
、耐久性の全ての面で極めて良好な保φ層を有する金属
薄膜磁気記録媒体をイdることにある。
本発明の上記の[1的d゛、強磁性金属薄膜を有する高
分子支持体の金属薄膜」−に、厚さ20〜270Aのプ
ラズマ重合層を打力し、更に末端に炭素炭素不飽和児−
を有する炭素数8以上の化合物の群から成る一種以上の
化合物による滑性層をプラズマ重合層の−1−に設けた
ことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
分子支持体の金属薄膜」−に、厚さ20〜270Aのプ
ラズマ重合層を打力し、更に末端に炭素炭素不飽和児−
を有する炭素数8以上の化合物の群から成る一種以上の
化合物による滑性層をプラズマ重合層の−1−に設けた
ことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
本発明によるプラズマ重合層は、ii(+常のボリーマ
・一層と比較すると、緻密な架橋横糸をイ1している。
・一層と比較すると、緻密な架橋横糸をイ1している。
即ち、非常に緻密で、しかも金属薄膜上に均一な厚みの
層として形成されていると考えられる。このために、腐
蝕の原因となる酸素、水分等を金属薄膜から遮断しかつ
酸素、水分等を透過しないことによって防蝕性に優れ、
しかも極めて尚い層として形成できるのでヘラ1−゛・
磁性層間のスペーシング損失が小さくなることによって
電磁変換特性の良好な磁気記録媒体を得ることができる
。しかしながら上記のプラズマ重合層だけでれl−充分
な走行性、耐久性を躯ね備えたCB磁気記録媒体イ1f
られなかった。
層として形成されていると考えられる。このために、腐
蝕の原因となる酸素、水分等を金属薄膜から遮断しかつ
酸素、水分等を透過しないことによって防蝕性に優れ、
しかも極めて尚い層として形成できるのでヘラ1−゛・
磁性層間のスペーシング損失が小さくなることによって
電磁変換特性の良好な磁気記録媒体を得ることができる
。しかしながら上記のプラズマ重合層だけでれl−充分
な走行性、耐久性を躯ね備えたCB磁気記録媒体イ1f
られなかった。
さらにプラズマ重合層の上に或釉の化合物から成る滑性
層を設けることによりfl<べきことに電la変41ν
侍性が良好で防蝕性、走行4′[及び耐久性の兼ね(+
i#えたα(気記録媒体をイuることかできた。滑性層
として神々の累月を検潤した結果、末端に炭素炭素イ〈
t;〕第11結合を有1〜炭素数10以上の化合物(以
F士ツマ−と略称する)を選択することにより極めて走
行性、耐久性の良好な(1荘気記録媒体をt(Jること
かできたのであるこれは恐らくプラズマ〕1j、合によ
って発生したラジカル活性(・トが炭素炭素不t・;・
1和結合と反応し7でプラズマ重合層の上に強固に結合
した滑性層が形成されたためであろうと思われる。
層を設けることによりfl<べきことに電la変41ν
侍性が良好で防蝕性、走行4′[及び耐久性の兼ね(+
i#えたα(気記録媒体をイuることかできた。滑性層
として神々の累月を検潤した結果、末端に炭素炭素イ〈
t;〕第11結合を有1〜炭素数10以上の化合物(以
F士ツマ−と略称する)を選択することにより極めて走
行性、耐久性の良好な(1荘気記録媒体をt(Jること
かできたのであるこれは恐らくプラズマ〕1j、合によ
って発生したラジカル活性(・トが炭素炭素不t・;・
1和結合と反応し7でプラズマ重合層の上に強固に結合
した滑性層が形成されたためであろうと思われる。
本発明の有利なことはプラズマ重合1〜を形成したのち
滑性層を設ける方法と1.て、モノマ・−ガスの雰囲気
を通過させる方法あるいはモノマーガスを噴霧する方法
で行うことができるので、溶剤を全く使わないことも可
能なことである。このようにすれば作業が簡単で乾燥ゾ
ーン等の付帯設備も不安となり、しかも、金属薄膜の形
成を真空条件下での蒸着等によるベーノξ−デポジショ
ン法と組合せると、真空を破ることなく共通のラインで
金り風薄膜の形成と保1漁層とf逐次に形成できるので
設備的にも経済的にも有利である。
滑性層を設ける方法と1.て、モノマ・−ガスの雰囲気
を通過させる方法あるいはモノマーガスを噴霧する方法
で行うことができるので、溶剤を全く使わないことも可
能なことである。このようにすれば作業が簡単で乾燥ゾ
ーン等の付帯設備も不安となり、しかも、金属薄膜の形
成を真空条件下での蒸着等によるベーノξ−デポジショ
ン法と組合せると、真空を破ることなく共通のラインで
金り風薄膜の形成と保1漁層とf逐次に形成できるので
設備的にも経済的にも有利である。
本発明によるプラズマ71i−金層の形成に用いる化合
物(以下低分子化合物と称する)と[7て巾、20υ、
10’−’ torrで蒸気圧を有するもσ)なら
使用可能であるが、沸点が200 U以下のものが好ま
しい。特に好ましい例と17では、下記のものを挙ける
ことができるが、本発明はこれらの化合物に限定される
ものではない。即ち、メタン、エタン、フロ/ぐン、メ
タン、×メタン、ヘキサン、オシラン等の脂肪族飽和炭
化水素、エチレン、プロピレン、シラン、ヘキサノ等の
脂肪族不飽和炭化水り、−<ンゼン、トルエン、キシレ
ン、スチl/ン、エチルベンゼン等の芳猶族炭化水素、
フロロメタン、ジフロロメタン、トリフロロメタン、テ
トラフロロメタン、シフロロエタン、テトラフロロエチ
レン、ヘキザフロロプロピレン、テトラフロロシラン、
シクロロエヂレン、テトラクロロエタン等の飽和又d1
、不飽和の/%ロゲン化合物、アルコール類、ケトン類
、工゛−チル類、脂肪酸類などを単独又は混合して用い
ることができる。
物(以下低分子化合物と称する)と[7て巾、20υ、
10’−’ torrで蒸気圧を有するもσ)なら
使用可能であるが、沸点が200 U以下のものが好ま
しい。特に好ましい例と17では、下記のものを挙ける
ことができるが、本発明はこれらの化合物に限定される
ものではない。即ち、メタン、エタン、フロ/ぐン、メ
タン、×メタン、ヘキサン、オシラン等の脂肪族飽和炭
化水素、エチレン、プロピレン、シラン、ヘキサノ等の
脂肪族不飽和炭化水り、−<ンゼン、トルエン、キシレ
ン、スチl/ン、エチルベンゼン等の芳猶族炭化水素、
フロロメタン、ジフロロメタン、トリフロロメタン、テ
トラフロロメタン、シフロロエタン、テトラフロロエチ
レン、ヘキザフロロプロピレン、テトラフロロシラン、
シクロロエヂレン、テトラクロロエタン等の飽和又d1
、不飽和の/%ロゲン化合物、アルコール類、ケトン類
、工゛−チル類、脂肪酸類などを単独又は混合して用い
ることができる。
プラズマ重合処理の装置としては無電極放電型、電極放
電型のいずれを用いてもよく、また電極が重合槽の中に
ある内部電極型、FIE合槽の外に電極をイjする外部
電極型を用いてもよい。さらに、後グロー中に低分子化
合物のガスを導入する方法も可能である。特に好ま1〜
< l2、安定なプラズマ状態が得られ易い、内部電極
型(第1図参照)及び後グr1−中に、低分子化合物を
導入する方法である。
電型のいずれを用いてもよく、また電極が重合槽の中に
ある内部電極型、FIE合槽の外に電極をイjする外部
電極型を用いてもよい。さらに、後グロー中に低分子化
合物のガスを導入する方法も可能である。特に好ま1〜
< l2、安定なプラズマ状態が得られ易い、内部電極
型(第1図参照)及び後グr1−中に、低分子化合物を
導入する方法である。
第1図は本発明のプラズマ重合層を形成するに適した内
部電極型プラズマ重合装置の1例を示す略図である。真
空装置(重合槽)内に、サンプル送出部1とサンプル巻
取部2を設置1〜、平行板電極部6.3の間を、高分子
支持体−にに強磁性金属薄膜の形成されたサンプル4を
連続的に走行させてプラズマ重合層を形成させるように
なっている。
部電極型プラズマ重合装置の1例を示す略図である。真
空装置(重合槽)内に、サンプル送出部1とサンプル巻
取部2を設置1〜、平行板電極部6.3の間を、高分子
支持体−にに強磁性金属薄膜の形成されたサンプル4を
連続的に走行させてプラズマ重合層を形成させるように
なっている。
排気口から真空ポンプ(図示せず)によって適当な真空
度に排気した後に、ガス導入部から、低分子化合物のガ
スAを流量計8及びバルブ7を5ト0″:)て」■当圧
で導入する。なお、必要に応じて不活性ガスBを同様に
流量旧8及びノζルプを1111つて導入することがで
きる。
度に排気した後に、ガス導入部から、低分子化合物のガ
スAを流量計8及びバルブ7を5ト0″:)て」■当圧
で導入する。なお、必要に応じて不活性ガスBを同様に
流量旧8及びノζルプを1111つて導入することがで
きる。
重合槽中の低分子化合物の圧力は、1〜1O−4tor
r が好ましく、更に好ましくは、10 〜5X10”
”’ torrである。これより川内が高いときはプラ
ズマ重合層が粉状で形成されたり、プラゼマ槽内部の汚
れが大きく、低いときけ重合層の形成に時間を要したす
するので好ましくない。8夢に応じて窒素ガス、アルゴ
ンガス等の不活性気体を重合槽内に導入することができ
る。
r が好ましく、更に好ましくは、10 〜5X10”
”’ torrである。これより川内が高いときはプラ
ズマ重合層が粉状で形成されたり、プラゼマ槽内部の汚
れが大きく、低いときけ重合層の形成に時間を要したす
するので好ましくない。8夢に応じて窒素ガス、アルゴ
ンガス等の不活性気体を重合槽内に導入することができ
る。
プラズマの発振周波数は特に限定されるものではないが
、13.56 MHz が便利である。
、13.56 MHz が便利である。
プラズマ重合層の灯まl〜い厚みは20〜270この範
囲を越えてルくなるとヘッド磁性層のスば一シング損失
が犬きくなるL、薄くなると防蝕性が低下したり、プラ
ズマ重合条件のr+−容範囲が狭くなって好ま1〜〈な
い。
囲を越えてルくなるとヘッド磁性層のスば一シング損失
が犬きくなるL、薄くなると防蝕性が低下したり、プラ
ズマ重合条件のr+−容範囲が狭くなって好ま1〜〈な
い。
本発明のプラズマ重合層としては密度が1.4以」二で
あることが好ましいが特に限定されるものではない。こ
こでいう密I隻とは、形成したプラズマ重合層を削り取
り、イリられたプラズマ重合層の粉末をルーヘキザンと
子トラクロルメタンからなる密度勾配管法により求めた
ものである。
あることが好ましいが特に限定されるものではない。こ
こでいう密I隻とは、形成したプラズマ重合層を削り取
り、イリられたプラズマ重合層の粉末をルーヘキザンと
子トラクロルメタンからなる密度勾配管法により求めた
ものである。
本発明の滑性層の付与に用いる七ノ゛7−とじては末端
に炭素炭素不飽和基を有する炭素数8以−Lの化合物の
群から選はれた化合物であり2種以上を71L合して用
いてもよい。より好ましくけ末端に炭素炭素不飽和基を
有する炭素数12以上の化合物である。
に炭素炭素不飽和基を有する炭素数8以−Lの化合物の
群から選はれた化合物であり2種以上を71L合して用
いてもよい。より好ましくけ末端に炭素炭素不飽和基を
有する炭素数12以上の化合物である。
とれらの化合物の好ましい例としては、末端に炭素炭素
不飽和基を有する脂肪族不飽和炭化水素あるいは前記脂
肪族不飽和炭化水素の水素を一部フツソで置換した化合
物、末端に炭素炭素不飽和基を有する不飽和脂肪族アル
コールと、脂肪酸のエステル類、あるいは前記ニスデル
類の水素を一部フツソで置換した化合物、末端に炭素炭
素不飽和基を1する不飽和脂肪酸と脂肪族アルコールと
のエステル類あるいは前記エステル類の水素を一部7ツ
ソで置換した化合物等であり、しかし−分子中の炭素数
が8以上の化合物である。具体例としては、1オクテン
、1−デセン、1−ビデセン。
不飽和基を有する脂肪族不飽和炭化水素あるいは前記脂
肪族不飽和炭化水素の水素を一部フツソで置換した化合
物、末端に炭素炭素不飽和基を有する不飽和脂肪族アル
コールと、脂肪酸のエステル類、あるいは前記ニスデル
類の水素を一部フツソで置換した化合物、末端に炭素炭
素不飽和基を1する不飽和脂肪酸と脂肪族アルコールと
のエステル類あるいは前記エステル類の水素を一部7ツ
ソで置換した化合物等であり、しかし−分子中の炭素数
が8以上の化合物である。具体例としては、1オクテン
、1−デセン、1−ビデセン。
1−デ)7デセン、1・−ペンタデセン、1−オクタテ
セン、1−アイコセン、2.4−tメチル−1−ヘプタ
ン、ヒニル力プリレー ト、ヒニルラウレ−,−) 、
ビニルミリステート、ヒニルパルミデー ト。
セン、1−アイコセン、2.4−tメチル−1−ヘプタ
ン、ヒニル力プリレー ト、ヒニルラウレ−,−) 、
ビニルミリステート、ヒニルパルミデー ト。
ビニルステアレート、アリルラウレ・−ト、了りルオレ
ー ト、デシルアクリレート、ドデシルアクリレ−ト、
デトラデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート
、テトラデシルメタクリレート。
ー ト、デシルアクリレート、ドデシルアクリレ−ト、
デトラデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート
、テトラデシルメタクリレート。
ヘキシル−4−ペンテネート、及びこれらの化合物の一
部または全部の水素原子をフッソ原子に置きかえた化合
物である。
部または全部の水素原子をフッソ原子に置きかえた化合
物である。
滑性層を設ける方法としてC」−プラズマ重合層を何カ
した後 ■ 常圧条件でモノマー・をガス状で噴霧する方法(リ
減圧条件でモノマー気体にプラズマ重合層を接触させ
る方法 ■ 千ツマ−をそのままもしくは有機溶剤で希釈して塗
布する方法 などを用いることができる。これらの方法のうち最も有
利な方法は(♀)の方法であり、極めて薄層で走行性の
良好な滑性層を付与することができる。
した後 ■ 常圧条件でモノマー・をガス状で噴霧する方法(リ
減圧条件でモノマー気体にプラズマ重合層を接触させ
る方法 ■ 千ツマ−をそのままもしくは有機溶剤で希釈して塗
布する方法 などを用いることができる。これらの方法のうち最も有
利な方法は(♀)の方法であり、極めて薄層で走行性の
良好な滑性層を付与することができる。
本発明でいう滑性層とに、必らずしも均一な層構造を有
−するものではない。
−するものではない。
本発明に使用される高分子支持体としては、酢酸セルロ
ー又;硝rtセルローX;エチルセルローノル;メチル
セルロース;ポリアミド;ポリメチルメタクリレ−ト;
ポリテトシフルオルエチレン;ホリトリフルオルエチレ
ン;エチレン、フロピレンのよりなα−オレフィンの重
合体あるいは共重合体;塩化ビニルの重合体あるいは共
重合体;7トリ塩化ビニリデン;ポリカーボネート;ポ
リイミド9:ポリアミド8イミド” ;d’jリエチレ
ンテレフタレートのようf、(rgソリエステル類であ
る。
ー又;硝rtセルローX;エチルセルローノル;メチル
セルロース;ポリアミド;ポリメチルメタクリレ−ト;
ポリテトシフルオルエチレン;ホリトリフルオルエチレ
ン;エチレン、フロピレンのよりなα−オレフィンの重
合体あるいは共重合体;塩化ビニルの重合体あるいは共
重合体;7トリ塩化ビニリデン;ポリカーボネート;ポ
リイミド9:ポリアミド8イミド” ;d’jリエチレ
ンテレフタレートのようf、(rgソリエステル類であ
る。
本発明における強磁性金属薄膜は、イー−で−デポジシ
ョンあるいはメッキ法により形成される。
ョンあるいはメッキ法により形成される。
ば−パーデポジション法とは、不活性ガスあるいは酸素
等の気体あるいti真真空開間中おいて、膜として形成
せしめようという物質又はその化合物を蒸気あるいはイ
オン化した蒸気として発生もし7〈は導入させて所望の
支持体上に膜として析出させる方法で、!1、空蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレー・テング法、イオン
ビームデポジション法、化学気相メッキ法等がこれに相
当する。またメッキ法とは電気メッキあるいは無電解メ
ッキ法熔の液相より支持体上に物質を膜として形成させ
る方法をLfう。強磁性金属薄膜の+A料としては、F
e、 Go、旧その他の強磁性金属あるいd、これらの
合金、さらにFs −8i、 、 Fe −RA 、
Fc−V、Fe−Ti、Go−P、Go−B、CJ、o
−E3iSGo−V、Go−−Y、Go−3m%Go
−MnSCo−Ni −P。
等の気体あるいti真真空開間中おいて、膜として形成
せしめようという物質又はその化合物を蒸気あるいはイ
オン化した蒸気として発生もし7〈は導入させて所望の
支持体上に膜として析出させる方法で、!1、空蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレー・テング法、イオン
ビームデポジション法、化学気相メッキ法等がこれに相
当する。またメッキ法とは電気メッキあるいは無電解メ
ッキ法熔の液相より支持体上に物質を膜として形成させ
る方法をLfう。強磁性金属薄膜の+A料としては、F
e、 Go、旧その他の強磁性金属あるいd、これらの
合金、さらにFs −8i、 、 Fe −RA 、
Fc−V、Fe−Ti、Go−P、Go−B、CJ、o
−E3iSGo−V、Go−−Y、Go−3m%Go
−MnSCo−Ni −P。
Go−Ni −B−Go−Cr、Co−Ni −Cr。
GO−Ni、−Aji、Go −Ni −PJ Go
−Ni −Zyz、Go−Ctt、GO−Ni−Cu、
Go−W、Go−Ni−W。
−Ni −Zyz、Go−Ctt、GO−Ni−Cu、
Go−W、Go−Ni−W。
Go −Mn、 −P 、 Go −8yn−Cu、、
co−Ni−Zn−P、0O−V−Or、等が用いられ
る。 1時に好ましくは、強磁性薄膜l1COを5Qw
t係以上含有する。
co−Ni−Zn−P、0O−V−Or、等が用いられ
る。 1時に好ましくは、強磁性薄膜l1COを5Qw
t係以上含有する。
本発明による1直伝記録媒体の強磁性薄膜の膜厚は一般
には0.02 μm〜5 pm、好ましくは0.05μ
m〜2μ7nである。高分子支持体の厚さ口4μm〜5
0μm が好ましい。強磁性裾1漠の密着向上、磁気特
性の改良のために高分子支持体上に下tub /脅を設
けてもいい。高分子支持体の磁性層と反対側にバラフコ
−ト層を設けてもよい。
には0.02 μm〜5 pm、好ましくは0.05μ
m〜2μ7nである。高分子支持体の厚さ口4μm〜5
0μm が好ましい。強磁性裾1漠の密着向上、磁気特
性の改良のために高分子支持体上に下tub /脅を設
けてもいい。高分子支持体の磁性層と反対側にバラフコ
−ト層を設けてもよい。
磁気d〔シ録媒体の形状はテープ、シート、カード、デ
スク等いずれでも良いが、特に好ましいのはテープ形状
である。
スク等いずれでも良いが、特に好ましいのはテープ形状
である。
次に本発明の実施例について説明するが、本発明は下記
の実施例に制限されるものでに[ない。実施例中1部」
は「重量部」を示す。
の実施例に制限されるものでに[ない。実施例中1部」
は「重量部」を示す。
12μm1のポリエチレンテレフタレー トフィルムの
表面に、斜め蒸着によってC,o −Ni (Ni 2
0wtt4)磁性膜(膜厚1000A)を設けたものを
以下の実験に使用した。
表面に、斜め蒸着によってC,o −Ni (Ni 2
0wtt4)磁性膜(膜厚1000A)を設けたものを
以下の実験に使用した。
なお、次のようにしてプラズマ−(Q1合層をイjする
サンプルを作成した。
サンプルを作成した。
第1図の装置を用いて、CH4ガスとN2ガスの混合比
が1/10、重合槽内の1′L力10 torr、、
50watt で電極間の滞在時間が10秒間になるよ
うにしてプラズマ重合処理を行ないヤンプル屋1を得た
。
が1/10、重合槽内の1′L力10 torr、、
50watt で電極間の滞在時間が10秒間になるよ
うにしてプラズマ重合処理を行ないヤンプル屋1を得た
。
第1図の装Rを用すて、CF =CF2 ガスと3
N2ガスの混合比が1/10、重合槽内の圧力5×10
torr、50 watt で電極間のff1)往時
間が10秒間になるようにしてプラズマ重合外!lI!
を行ないザンプル腐2を得た。
torr、50 watt で電極間のff1)往時
間が10秒間になるようにしてプラズマ重合外!lI!
を行ないザンプル腐2を得た。
実施例 1
&1のサンプルをプラズマ重合層を付与したのらプラズ
マ重合を中止1〜同じ一重合槽中で1ドデセンで1 t
orrの圧力にしす°ンプA・をもう一度巻きかえした
。1ドデセンの雰囲気にさらされる時間Lj、10秒と
した。このサンプルを屋6とする。
マ重合を中止1〜同じ一重合槽中で1ドデセンで1 t
orrの圧力にしす°ンプA・をもう一度巻きかえした
。1ドデセンの雰囲気にさらされる時間Lj、10秒と
した。このサンプルを屋6とする。
実施例 2
扁1のサンプルを常YT−,で取り出し、ビニルラウレ
・−トを工゛ア〜ジェットを用いて噴霧しながら巻き替
え1−だ3.とのサンプルを屋4とする。
・−トを工゛ア〜ジェットを用いて噴霧しながら巻き替
え1−だ3.とのサンプルを屋4とする。
実施例 6
A1のサンプルを空気中に取りL丁目〜だのちJIjび
第1図の製産を用いてCH2CHCQ2(OF2)、C
F3で[J、5 torrの圧力にしてさら1〜時間が
10秒間となるようにして巻き替えしサンプルA5をイ
;Jだ。
第1図の製産を用いてCH2CHCQ2(OF2)、C
F3で[J、5 torrの圧力にしてさら1〜時間が
10秒間となるようにして巻き替えしサンプルA5をイ
;Jだ。
実施例 4
A2のサンプルを常1Fで取り出1〜1−テトラデセン
のメチルエチルク“トン0.1係浴、夜全塗布し、乾燥
してサンプル黒6をイ(Iだ。
のメチルエチルク“トン0.1係浴、夜全塗布し、乾燥
してサンプル黒6をイ(Iだ。
比較例 1,2
ザンプル&1.篇2をそのまま評価した。
比較例 3
サンプルA1にパルミチン酸のメチルエチルケトン0.
1チ溶液を塗布し乾燥しサンプル扁7を得た。
1チ溶液を塗布し乾燥しサンプル扁7を得た。
比較例 4
プラズマ重合を施1前の試料に塩ビ酢ビ共重合体のメチ
ルエチルケトン[J、1%溶液を塗布し乾燥1〜てサン
プル黒8をイ4Iた、1 比較例 5 プラズマ重合を施寸前の試料をそのまま評価した。これ
をサンプル罵9とする。
ルエチルケトン[J、1%溶液を塗布し乾燥1〜てサン
プル黒8をイ4Iた、1 比較例 5 プラズマ重合を施寸前の試料をそのまま評価した。これ
をサンプル罵9とする。
比較例 6
黒8のサンプルを1 torr の圧力で1−)Sデ
センの雰囲気に10秒間さらしてサンプル黒10を得だ
。
センの雰囲気に10秒間さらしてサンプル黒10を得だ
。
実施例 5
サンプル黒1の作成に於て、電極間内の滞在時間を以下
のように変えたサンプルを用いて実施例1と同様な処理
を施してサンプル&11〜15を得た。
のように変えたサンプルを用いて実施例1と同様な処理
を施してサンプル&11〜15を得た。
50秒間 ・・・ サンプル篇11
25秒間 ・・・ サンプル黒12
5 I 16
2 I 14
1 # 15
」ニ記のサンプル黒1〜還15について以下の評価方法
に従ってテストを行なった。結果を第−表にまとめた。
に従ってテストを行なった。結果を第−表にまとめた。
、
0)防蝕性
60C,80%RHの雰囲気で7日間曝したのち目視で
錆の発生を調べた。
錆の発生を調べた。
■ 走行性
サンプルを怪インチrjJにスリッN〜家庭用ビデオテ
ープレコーダー(松下電器産業(株)!ll!NV8ろ
10)を用いて回転シリンダーの入口側のテンシコンT
1 と出「1側のテンシコンT2ヲ測定した。
ープレコーダー(松下電器産業(株)!ll!NV8ろ
10)を用いて回転シリンダーの入口側のテンシコンT
1 と出「1側のテンシコンT2ヲ測定した。
“r27’r□−cxp(μπ)の関係式よりμを算出
[また。T1.T2の測定は2ろC65%l(Hで行っ
た。
[また。T1.T2の測定は2ろC65%l(Hで行っ
た。
■ 耐久性
家庭用ビデオゾールコーダー・(ビクター製3600)
を用すてスチル耐久時間(分)を調べた。測定条件は2
3 C65%RH6 ■ 厚み測定 水晶発振子を用いて測(定した。3厚みの薄いものVl
l、ウェブスピード9を遅く[7て1000A以上のも
のを作成し′市極内滞在時間を算出した。第1表には金
縞薄膜磁拙層の上の保護層及び滑性層の合計厚みで示し
た。※印はプラズマ重合処理時間からの推定値。
を用すてスチル耐久時間(分)を調べた。測定条件は2
3 C65%RH6 ■ 厚み測定 水晶発振子を用いて測(定した。3厚みの薄いものVl
l、ウェブスピード9を遅く[7て1000A以上のも
のを作成し′市極内滞在時間を算出した。第1表には金
縞薄膜磁拙層の上の保護層及び滑性層の合計厚みで示し
た。※印はプラズマ重合処理時間からの推定値。
第 1 表
サンプル扁 防錆性 走行性 耐久性 厚み1
変化なし 0.5以−に 60分以−(二1
00A2 変化なし 0.5以上 ろO分板上
100A3 変化なし 0.15 30分
以上 10r、)A4 変化なし 0.14
30分以上 160A5 変化なし 0.1
5 30分以上 100A6 変化なし 0
.17 30分以上130A7 変化なt、
0.18 10分 1ろDA1〇 一部が
白く7蜀った (1,455分 500A11
変化なL D、15 30分J夕If 500
A12 変化f、CI、 0.14 3
0分以上300A13 像化なし 0.14
30分以上 50A ”t4 変化fx−L、
、 0.15 30分以上2()A ”以上
の結果から本発明がいかに防錆性、走<Jttg及び耐
久性が良好でスベ・−シングロスの少ない′1r1、直
変換慣性の良好な磁気記録媒体を提供するかがわかる。
変化なし 0.5以−に 60分以−(二1
00A2 変化なし 0.5以上 ろO分板上
100A3 変化なし 0.15 30分
以上 10r、)A4 変化なし 0.14
30分以上 160A5 変化なし 0.1
5 30分以上 100A6 変化なし 0
.17 30分以上130A7 変化なt、
0.18 10分 1ろDA1〇 一部が
白く7蜀った (1,455分 500A11
変化なL D、15 30分J夕If 500
A12 変化f、CI、 0.14 3
0分以上300A13 像化なし 0.14
30分以上 50A ”t4 変化fx−L、
、 0.15 30分以上2()A ”以上
の結果から本発明がいかに防錆性、走<Jttg及び耐
久性が良好でスベ・−シングロスの少ない′1r1、直
変換慣性の良好な磁気記録媒体を提供するかがわかる。
更に実施例1及び6の方法1士、金属薄膜のla件層形
成、プラズマ重合層の形成と同一ラインで処理できる有
利な方法であることがわかる。
成、プラズマ重合層の形成と同一ラインで処理できる有
利な方法であることがわかる。
第1図し、1−内γ16電極型プラズマ重合装置音であ
る。 1:ザンプル送出′t′lls (実施例1の滑性層付
与のプロセスでは巻取部となる) ロセスでは送出部となる) 6:平行板霜、極部 4;ザンプル 5:雰囲気ガス導入部 6:真空部との接続部 7:パルプ 代理人 ブf Ll’±(8107)佐々木イ〆j(降
(ほか3名) 手続補正書 昭和59J 2 月u、9E1 1 事件の表示 昭和58年持π(願第28644 iヱ)2 発明
の名称 歿気記録媒体 3 補正をする者 車イ′1と(7)1ν1係 ’127rt’l出願友名
称 (520) 畠士’、4 Jj、フィルム株式会
社tl カj’+’;l I−ル内郵(o)届I!、j
’:’nl第4911栄光持許小務所 電詔(584)
−9601(代701、「発明の1.1−バ・l(1な
説すljの41肖を下記のy[1<補止する。、1)明
赳1伺第2頁1行目、「ペーパーデボ/ジョン」を[−
ペーパーデボ/ジョン」と補正する0、2)同 第4頁
7行目、「金用薄膜パ!磁気記録媒体、」と補正する・
1 6)同 第5頁11♀j1敷 「耐久性の」を1−耐久
性を」と補正する1、 4)同 第6頁11行1、「炭素数10以−ト−」を「
炭素数8以上」と補止する1、 5)同 第6頁11行1」、[博)j0ケ)形Jylと
」を「薄)IQと」と補止する3、 6)同 第7負2行目、[−ヘキーリン」2[−\キセ
ノ」と補正する1、 7)同 第8頁丁から4行1ミ」、1−ゾラセーマ憎」
を1ゾラズマ槽Jと補1)二する。 8)同 第18頁第1行目、[−シかし、Jを1−シか
も−」と補[トする1、 9)同 第16貴下から6行目、[−デスク−4を1デ
イスク」と補正する 10)同 第14頁1〜2行目、1一実施例中1” s
Jは「声量部」を示す。、」を削除する3、11)同
第18頁第1行目、f−C1−12C■I CQ2
(CF2) 9CFJをrCH2CHco2(CF2)
、 CF、Jと1由止する1、 12)同 第18頁第1表中、「防錆性」を「防蝕性」
と補正する、。 2.1図面のn11竿な説明」の欄を下記の如く補正す
る。 1)明1YIll書第20頁8行目、[8:流↓]’C
tl”」の後の杓に下記の文を挿入する。 「第2図は、ヘツP−テープ間隔(A゛)とスペーシン
グロス(dB)との関係ケ示す2、」6、「図面」の第
2図を添付の如く追加する3、第 2 図 ン 會 ン (di
る。 1:ザンプル送出′t′lls (実施例1の滑性層付
与のプロセスでは巻取部となる) ロセスでは送出部となる) 6:平行板霜、極部 4;ザンプル 5:雰囲気ガス導入部 6:真空部との接続部 7:パルプ 代理人 ブf Ll’±(8107)佐々木イ〆j(降
(ほか3名) 手続補正書 昭和59J 2 月u、9E1 1 事件の表示 昭和58年持π(願第28644 iヱ)2 発明
の名称 歿気記録媒体 3 補正をする者 車イ′1と(7)1ν1係 ’127rt’l出願友名
称 (520) 畠士’、4 Jj、フィルム株式会
社tl カj’+’;l I−ル内郵(o)届I!、j
’:’nl第4911栄光持許小務所 電詔(584)
−9601(代701、「発明の1.1−バ・l(1な
説すljの41肖を下記のy[1<補止する。、1)明
赳1伺第2頁1行目、「ペーパーデボ/ジョン」を[−
ペーパーデボ/ジョン」と補正する0、2)同 第4頁
7行目、「金用薄膜パ!磁気記録媒体、」と補正する・
1 6)同 第5頁11♀j1敷 「耐久性の」を1−耐久
性を」と補正する1、 4)同 第6頁11行1、「炭素数10以−ト−」を「
炭素数8以上」と補止する1、 5)同 第6頁11行1」、[博)j0ケ)形Jylと
」を「薄)IQと」と補止する3、 6)同 第7負2行目、[−ヘキーリン」2[−\キセ
ノ」と補正する1、 7)同 第8頁丁から4行1ミ」、1−ゾラセーマ憎」
を1ゾラズマ槽Jと補1)二する。 8)同 第18頁第1行目、[−シかし、Jを1−シか
も−」と補[トする1、 9)同 第16貴下から6行目、[−デスク−4を1デ
イスク」と補正する 10)同 第14頁1〜2行目、1一実施例中1” s
Jは「声量部」を示す。、」を削除する3、11)同
第18頁第1行目、f−C1−12C■I CQ2
(CF2) 9CFJをrCH2CHco2(CF2)
、 CF、Jと1由止する1、 12)同 第18頁第1表中、「防錆性」を「防蝕性」
と補正する、。 2.1図面のn11竿な説明」の欄を下記の如く補正す
る。 1)明1YIll書第20頁8行目、[8:流↓]’C
tl”」の後の杓に下記の文を挿入する。 「第2図は、ヘツP−テープ間隔(A゛)とスペーシン
グロス(dB)との関係ケ示す2、」6、「図面」の第
2図を添付の如く追加する3、第 2 図 ン 會 ン (di
Claims (1)
- 強磁性金属薄膜を有する高分子支持体の金EA薄膜上に
、厚さ20〜270Aのプラズマ重合層を付4L、史に
末端に炭素炭素不飽和基を有する炭素数8以上の化合物
の群から成る−(中以上の化合物による滑性層をプラズ
マ重合層合層の上に設けたことを44徴とスる磁気記録
媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58028644A JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
NLAANVRAGE8400565,A NL189885C (nl) | 1983-02-24 | 1984-02-23 | Magnetisch registratiemedium omvattende een polymeerondersteuningsbasis, een ferromagnetische dunne metaalfilm, een plasmapolymerisatielaag en een smeermiddellaag. |
DE3406587A DE3406587C2 (de) | 1983-02-24 | 1984-02-23 | Magnetisches Aufzeichnungsmaterial vom Typ eines metallischen Dünnfilms |
US07/309,327 US4873138A (en) | 1983-02-24 | 1988-10-18 | Metallic thin film type magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58028644A JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59154643A true JPS59154643A (ja) | 1984-09-03 |
JPH0479067B2 JPH0479067B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=12254220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58028644A Granted JPS59154643A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4873138A (ja) |
JP (1) | JPS59154643A (ja) |
DE (1) | DE3406587C2 (ja) |
NL (1) | NL189885C (ja) |
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---|---|---|---|---|
DE3545794A1 (de) * | 1984-12-25 | 1986-07-03 | TDK Corporation, Tokio/Tokyo | Magnetaufzeichnungsmedium |
JPS61151837A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
DE3545794C2 (de) * | 1984-12-25 | 1996-11-14 | Tdk Corp | Verfahren zur Herstellung eines Magnetaufzeichnungsmediums |
JPS647317A (en) * | 1986-05-09 | 1989-01-11 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL189885C (nl) | 1993-08-16 |
DE3406587A1 (de) | 1984-08-30 |
NL8400565A (nl) | 1984-09-17 |
US4873138A (en) | 1989-10-10 |
JPH0479067B2 (ja) | 1992-12-14 |
DE3406587C2 (de) | 1995-05-24 |
NL189885B (nl) | 1993-03-16 |
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