JPS5914908B2 - インナ−リ−ドボンデイング装置 - Google Patents
インナ−リ−ドボンデイング装置Info
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- JPS5914908B2 JPS5914908B2 JP55126744A JP12674480A JPS5914908B2 JP S5914908 B2 JPS5914908 B2 JP S5914908B2 JP 55126744 A JP55126744 A JP 55126744A JP 12674480 A JP12674480 A JP 12674480A JP S5914908 B2 JPS5914908 B2 JP S5914908B2
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- Japan
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- bonding
- heater
- inner lead
- chip
- lead bonding
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
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- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、バンプとフィンガをボンディングするテープ
キャリア方式のインナーリードボンディング装置に関す
る。
キャリア方式のインナーリードボンディング装置に関す
る。
従来、テープキャリア方式によるインナーリードボンデ
ィングはつぎのように行なわれている。
ィングはつぎのように行なわれている。
すなわち、シネフイルムのようなパーフォレーションを
持つたポリイミドテープに銅箔をラミネートし、これに
ボンディングワイヤに相当するリードパターンをホトエ
ッチでつくり、金または錫をめつきする。さらに、第1
図に示すように半導体チップ11にバンプ12を形成し
プレート13に設置する。そしてこのバンプ12にポリ
イミドテープ14と錫または金めつきされた銅箔で形成
されるテープキャリアのリード15を重ね合わせ、上か
らボンディングツール16で加圧加熱してボンディング
を行なつている。5 ところで、一般にインナーリード
ボンディングで用いられるのは、バンプ側もフィンガ側
も金を使用した金丸−金Au熱圧着方式と、バンプ側が
金でフィンガ側が錫めつきを使用した金Au−錫Sn共
晶方式である。
持つたポリイミドテープに銅箔をラミネートし、これに
ボンディングワイヤに相当するリードパターンをホトエ
ッチでつくり、金または錫をめつきする。さらに、第1
図に示すように半導体チップ11にバンプ12を形成し
プレート13に設置する。そしてこのバンプ12にポリ
イミドテープ14と錫または金めつきされた銅箔で形成
されるテープキャリアのリード15を重ね合わせ、上か
らボンディングツール16で加圧加熱してボンディング
を行なつている。5 ところで、一般にインナーリード
ボンディングで用いられるのは、バンプ側もフィンガ側
も金を使用した金丸−金Au熱圧着方式と、バンプ側が
金でフィンガ側が錫めつきを使用した金Au−錫Sn共
晶方式である。
例えば後者の方式では、ボ10ンデイング時のボンディ
ングツール温度は大略Au−Sn共晶のできる温度、す
なわち217℃〜4180Cの範囲である。この高温の
ボンディングツールをバンプとフィンガの上から加圧し
てボンディングするのが普通である。15上述した構成
のボンディング装置では、ボンディングツールの熱が短
時間に小さなバンプを伝わつてチップ全体に広がるため
、バンフ丁の半導体チップのパッシベーション膜に熱が
原因のクラック等の不良を発生させる要因の一つとなる
。
ングツール温度は大略Au−Sn共晶のできる温度、す
なわち217℃〜4180Cの範囲である。この高温の
ボンディングツールをバンプとフィンガの上から加圧し
てボンディングするのが普通である。15上述した構成
のボンディング装置では、ボンディングツールの熱が短
時間に小さなバンプを伝わつてチップ全体に広がるため
、バンフ丁の半導体チップのパッシベーション膜に熱が
原因のクラック等の不良を発生させる要因の一つとなる
。
さら20に、第2図a、bに示すようにボンディング時
にAu−Sn共晶物ITが溶融して必要以外の場所に流
れ出し、短絡の原因となつてしまう等の欠点があつた。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、25そ
の目的とするところは、ボンディング時の熱的ストレス
によるチップの不良発生を防止し、さらに共晶の溶融物
が必要以外の場所に流れ出ることによる不具合を減少で
きるインナーリードボンディング装置を提供することで
ある。
にAu−Sn共晶物ITが溶融して必要以外の場所に流
れ出し、短絡の原因となつてしまう等の欠点があつた。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、25そ
の目的とするところは、ボンディング時の熱的ストレス
によるチップの不良発生を防止し、さらに共晶の溶融物
が必要以外の場所に流れ出ることによる不具合を減少で
きるインナーリードボンディング装置を提供することで
ある。
30以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する
。
。
第3図aは本発明によるインナーリードボンディング装
置を示す図である。その構成は、タングステン等で形成
され、ボンディングツールと同程度の温度に設定される
第1のヒータ18がチ35ツプ11の支持体として設け
られ、その上にチップ11を囲むように枠状に形成され
た第2のヒータ19が、熱絶縁層20を介して設けられ
る。こ1り0−の第2のヒータ19はタングステン等で
形成され、図示するようにバンプ12より高く、ボンデ
イング時にその端部でフインガ15と接触してこのフイ
ンガ15を持ち上げるように構成される。
置を示す図である。その構成は、タングステン等で形成
され、ボンディングツールと同程度の温度に設定される
第1のヒータ18がチ35ツプ11の支持体として設け
られ、その上にチップ11を囲むように枠状に形成され
た第2のヒータ19が、熱絶縁層20を介して設けられ
る。こ1り0−の第2のヒータ19はタングステン等で
形成され、図示するようにバンプ12より高く、ボンデ
イング時にその端部でフインガ15と接触してこのフイ
ンガ15を持ち上げるように構成される。
そして、このヒータ19は前記第1のヒータ18より低
い温度に加熱され、例えば、フインガが錫めつきの場合
には錫の融点、232℃より低い温度に設定するものと
する。上述のような第1および第2のヒータと熱絶縁層
で構成される加熱体を予め加熱しておき、第1のヒータ
18上にチツプ11を設置後、ボンデイングツール16
によりバンプ12とフインガ15を加圧加熱して共晶ボ
ンデイングを行なう。
い温度に加熱され、例えば、フインガが錫めつきの場合
には錫の融点、232℃より低い温度に設定するものと
する。上述のような第1および第2のヒータと熱絶縁層
で構成される加熱体を予め加熱しておき、第1のヒータ
18上にチツプ11を設置後、ボンデイングツール16
によりバンプ12とフインガ15を加圧加熱して共晶ボ
ンデイングを行なう。
このときフインガ15は第3図bに示すように、この中
程21が第2のヒータ19によつて上に持ち上げられ、
先端部22が傾けられる。このような構成によれば、被
ボンデイング物のチツプがボンデイングツールと同程度
の温度に加熱されているため、ボンデイング時の熱によ
るパツシベーシヨン膜のクラツクなどの不良発生を防止
でき、ヒータでフインガを持ち上げて傾けることにより
、バンプとフインガの共晶の溶融物がチツプ上に流れ出
ることによる不具合を減少できるインナーリードボンデ
イング装置が得られる。
程21が第2のヒータ19によつて上に持ち上げられ、
先端部22が傾けられる。このような構成によれば、被
ボンデイング物のチツプがボンデイングツールと同程度
の温度に加熱されているため、ボンデイング時の熱によ
るパツシベーシヨン膜のクラツクなどの不良発生を防止
でき、ヒータでフインガを持ち上げて傾けることにより
、バンプとフインガの共晶の溶融物がチツプ上に流れ出
ることによる不具合を減少できるインナーリードボンデ
イング装置が得られる。
第1図は従来のインナーリードボンデイング装置を示す
図、第2図A,bはボンデイング不良を示す図、第3図
A,bは本発明の一実施例に係るインナーリードボンデ
イング装置を示す図、第4図は本発明装置によるボンデ
イング状態を示す図である。 11・・・・・・チツプ、12・・・・・・バンプ、1
4・・・・・・ポリイミドテープ、15・・・・・・フ
インガ、16・・・・・・ボンデイングツール 18・
・・・・・第1のヒータ、19・・・・・・第2のヒー
タ、20・・・・・・熱絶縁層。
図、第2図A,bはボンデイング不良を示す図、第3図
A,bは本発明の一実施例に係るインナーリードボンデ
イング装置を示す図、第4図は本発明装置によるボンデ
イング状態を示す図である。 11・・・・・・チツプ、12・・・・・・バンプ、1
4・・・・・・ポリイミドテープ、15・・・・・・フ
インガ、16・・・・・・ボンデイングツール 18・
・・・・・第1のヒータ、19・・・・・・第2のヒー
タ、20・・・・・・熱絶縁層。
Claims (1)
- 1 テープキャリア方式のインナーリードボンディング
装置において、被ボンディング物のチップを予めボンデ
ィングツールと同程度の温度に加熱する第1のヒータと
、チップを囲むように枠状に形成されて前記第1のヒー
タより低い温度に設定されこのヒータと熱絶縁層を介し
て設置された第2のヒータと、バンプとフィンガをボン
ディングするボンディングツールとを具備することを特
徴とするインナーリードボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55126744A JPS5914908B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | インナ−リ−ドボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55126744A JPS5914908B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | インナ−リ−ドボンデイング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5750440A JPS5750440A (en) | 1982-03-24 |
JPS5914908B2 true JPS5914908B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=14942826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55126744A Expired JPS5914908B2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | インナ−リ−ドボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5914908B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0727766Y2 (ja) * | 1984-12-13 | 1995-06-21 | 株式会社豊田自動織機製作所 | ロ−リフト式荷役車輌の走行速度制御装置 |
-
1980
- 1980-09-12 JP JP55126744A patent/JPS5914908B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5750440A (en) | 1982-03-24 |
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