JPS59148005A - 単モ−ド単偏波を伝搬する光フアイバ - Google Patents

単モ−ド単偏波を伝搬する光フアイバ

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JPS59148005A
JPS59148005A JP59017224A JP1722484A JPS59148005A JP S59148005 A JPS59148005 A JP S59148005A JP 59017224 A JP59017224 A JP 59017224A JP 1722484 A JP1722484 A JP 1722484A JP S59148005 A JPS59148005 A JP S59148005A
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fiber
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optical fiber
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wave
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JP59017224A
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リチヤード・エドウイン・ハワード
ウイリアム・プレイベル
ジエイ・リチヤード・シンプソン
ロジヤーズ・ホール・ストーレン
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Western Electric Co Inc
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/105—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type having optical polarisation effects

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 を利用（〜で、基本モードの２廟波を分離すると共に、
トンネル作用によって一方の偏波を減殺するクラツシン
グ構造を有スる、単モード単ｔＪｉｉｔ波（ＳＭＳＰ）
光ファイバに関する。
この結果得られたファイバ（はファイバ偏光子として利
用できる。
ファイバセンサ、インラインファイバ装置、ラーマン（
　Ｒａｍａｎ　）レーザ等の用途では一方向の偏波だけ
で伝送できる光学導波管が望ましい。しかし、通常の軸
方向に対称を成す単モードファイバは、２つの直交偏波
されたＨＥＩＩモードを伝搬できるので、１−２モード
」ファイバである。その結果、形状的又は誘電的摂動が
存在する場合は、伝搬モードの偏波状態が不安定になる
。これらの逆効果を般少限におさえるため、単調波ファ
イバと区別されるものとして、偏波保持ファイバが開発
され／辷。
これらは基本的に、（１）だ円形コアファイバ、（２）
応力誘起双相祈ファイバ、及．ひ（３）側ピットファイ
バに発願される。
だ円コアファイバは、例えば米国時１許第４、１　０　
６，８　４　７号に記載されており、該特許には、円形
コアファイバに対抗するものと１〜てだ円コアフフイバ
を、列えはヘテロ−産金シー・ザ又はエツジ放出発光ダ
イオード等の、細長い面積を有する発光源により効果的
（て結合できることが示されている。
米国特許第４．　、２　７　４　８　５　４号は、応力
誘起及屈折を起こす偏波保護光ファイバの狸潰力法を開
示している。該方法は、特定形状のサブストレート管内
に、クラツシング・錆とコア層とを付着させ、得られた
生成物全圧壊して予備成形体を形成し、ファイバを勲引
きするものである。各層の熱膨張率の相違、及び各層の
非環状形状によって応カ誘起双屈折現象が発生１〜、そ
の結果偏波保護！特性を有する光ファイバが潜られる。
しかし上記の従来構成は全て、伝送モードの不要偏波を
阻市又は排除できない偏波保持ファイバに関するもので
ある。望ましくない偏波、？　ｌ＞１１市し」こうとじ
たものは、「コアの両側に屈折率ピットを備える単扁彼
学モード光ファイバ（Ｓｉｎｇｌｅ　−Ｐｏｌａｒｉｚ
ａｔｉｏｎ　Ｓｉｎｇｌｅ　−Ｍｏｄｅ　０ｐｔｉｃａ
ｌ　Ｆｉｂｒｅ　Ｗｉｔｈ　Ｒｅｆｒａｃｔｊｖｅ　−
ＩｎｄｅｘＰｉｔｓ　ｏｎ　Ｂｏｔｈ　５ｉｄｅｓ　ｏ
ｆ　ｔｈｅ　Ｃｏｒｅ　）Ｊと称して、「エレクトロニ
クスレターズ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ
　）　Ｊ　（１９８０年８月２８日発行のＶｏｌ、　］
、　６　、　Ａ　１８の７１２〜７］、３頁）に掲載さ
れてい乙、辷イー・オーコシ（Ｔ、　０ｋｏｓｈ　ｉ　
）その池による論文に記載されている倶ｊピットファイ
バである。これによると、コアの両・１則に夫々１ピツ
トを１１ｍえた。２ピツトを％徴とする軸方向に非対称
を成Ｊ−屈折率分布が提案されている。この構成では直
交偏波された２つのＨＥｕ　　モードが、異なる遮断波
長を有しているため、ある狭め８彼敢屹囲では一方のモ
ードは減衰され他力のモードは伝送される。
高周波では両方の；偏波が伝］般され、ファイバ（は両
主軸に沿つ、そ線形偏波を保護する。効果的・を双屈折
は、本来幾何学的形状を成し、コア、クラツシング及び
１則ピット間の屈４斤率の差によって制御きれる。相対
的屈折率の差（Δｎ／ｎ）が］％である場合１ｄ、予測
される単個波帯域幅は約２５チである。」−記論文の指
摘によると、実際の単一波ファイバの場合、相対的屈折
率の差は約２％であることが要求される。
「コアの両側に非対称屈折率ビットを備える単一波ファ
イバ（Ｓｉｎｇｌ二Ｍｏｄｅ　Ｆｉｂｒｅｓｗｉｔｈ　
　Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ　　Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ
　　Ｉｎｄｅｘ　　ｐｉｔｓｏｎ　Ｂｏｔｈ　５ｉｄｅ
ｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｏｒｅ月と称する、「エレクトロ
ニクスレタース’　（Ｅｌ　ｅｃｔｒｏｎ　１ｃｓＬｅ
ｔｔｅｒｓ月（１９８１年３月発行のＶｏｌ、　＋−７
゜Ａ５の１９１〜１９３頁）に掲載されているティー・
ホサカ（Ｔ、　Ｈｏ５ａｋａ　）その他による論文に記
載されている、側ピット構造に関する実検的調査による
と、側ビットファイバが２主軸に沿った線形偏波を保護
することが実証されており、単調波（偏波ファイバとし
ての作用の意味において）は報告されていない。
またその後、ファイバの双屈折の大半が応力で誘起され
ることが判り、［非対称応力双屈折性の低損失単偏波フ
ナイバ（Ｌｏｗ−ＬｏｓｓＳｉｎｇｌｅ　Ｐｏ１ａｒｉ
ｚａｔｉｏｎ　Ｆｉｂｒｅｓ　ｗｊ　ｔｈ　Ａｓｙｍｍ
ｅｔ　−ｒｉｃａｌ　５ｔｒａｉｎ　Ｂｉｒｅｆｒｊｎ
ｇｅｎｃｅ　）　Ｊと称する「エレクトロニクスレター
ズ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｊｃｓＬｅｔｔｅｒｓ、）Ｊ　（
１９８１年７月２３日発行、Ｖｏｌ、　］　７−　Ａ　
１．５の５３０〜５３１頁）に掲載されている、ティー
・ホサカ（Ｔ、　Ｈｏ５ａｋａ　）その他による論文に
記載されている様に高双屈折低損失偏波保護ファイバを
得るべく種々の修正が加えられた。また側ビットファイ
バに代わる構成は、「側トンネルファイバ：偏波保持光
学的導波構成へのアプローチ（ｓｔａｅ−Ｔｕｎｎｅｌ
　Ｆｔｂｒｅ　：Ａｎ　Ａｐｐｒｏａｃｈ　ｔｏ　Ｐｏ
１ａｒｊｓａ　−ｔｉｏｎ　−Ｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇ
　Ｑｐｔｉｃａｌ　ＷａｖｅｇｕｉｄｉｎｇＳｃｈｅｍ
ｅ）ｊ　　と称する、［エレクトロニクスレターズ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　）　Ｊ　（１
９８２年９月２６日発行のＶｏｌ、、ｌ　８．Ａ　１．
９’の８２４〜８２６頁）に掲載されている、ティー・
オーサキ（Ｔ、　０ｓａｋｉ　）その池による論文に記
載されている。この場合、側ピットの代りに中窒トンネ
ルを用いている。この他のファイバは、１チの相対的屈
折率差に対し、７％の帯域幅を有すると予測されている
が、実際は、真の単一波作用は観察されなかった。
このため、一方の基本モード偏波全完全に阻市でき、広
範の帯域帯に亘って作動できるト共に、通常のファイバ
と互換性があり、かつ手近の製造方法で製造できる一Ｊ
＋ｉｉ波ファイバが必要である。
本発明は、高い応力誘起双屈コツ〒惟を利用して、基本
モードの２−波を分離すると共に、トンネルによって一
方の偏波を減衰するクラツシング構造を有する、単偏波
単モード光フアイバに関する。
基本モードの２つの偏波は応力によって大傷く分離され
、他方の所望１扁波が、低ロスでファイバコアまで伝搬
する間に、外クラツシングにトンネルすることによって
、一方の偏波か減衰される。
クラツシング層は、内側の低屈折率クラツシングにより
誘導されたモードの伝搬定数が外側のクラツシング層の
屈折率以下に下がり、かつ内クラツシング層が、不要の
偏波のトンネルを促進するに充分程度薄くなる様に構成
されている。
本発明によって形成されたインラインＩ扁波ファイバは
、挿入損及び結合頂がかなり低く、かつ消滅率が高い。
この種のＡ波ファイバは、例えばファイバアインレータ
、マルチプレキサ、フィルタ、同調自在光ファイバ又は
ファイバ減衰器に１吏用できる。
次に添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明によって形成されだ偏波ファイバの１
黄；新面図である。コア頭載１（Ｎ；ｌ：クラツシング
層１２によって包囲され、一対の応力ローブ１４及び１
６は、シリカサブストレート１８のクラツシング層１２
の各側に配設されている。図示のコア頭載１ｏ１クラツ
シング層１２、及び応力ローブ１４．１６は円形の断面
膨大をしているが、列えば、だ円形等の形状にすること
もできる。本発明の第１実施例では、コア領域１ｏはゲ
ルマニウムでドープされたＳｉＯ２、クラツシング□：
！！１２はフッ素でドープされたｓ４．ｏ２、及び応力
ローブ１４．１６けホウ素、ゲルマニウムでドープされ
たＳｉ　Ｏ２で構成されている。主にコア頭載１０内で
導波するには、クラツシング層１２の屈折率ｎ２、及び
シリカサブストレート１８の屈折率ｎ３を、コア１ｏの
屈折率０１以下にすると共に特にｎ２（ｎ３　（ｎｌと
なる７傾にする必要がある。本発明の作動において、応
力ローブ１４．１６の屈折率をサブストレート１８と同
−又はそれ以下にする必要がある点に留意されたい。応
力ローブ１４．１６の屈折率がサブストレート１８以上
になると応力ローブにトンネル現象が発生する。本発明
によると、応力ローブ１４．１Ｂの存在により、波がコ
ア領域１０まで進行するに充分な双屈折量が得られ、基
本モードの２つの直交偏波ｎＢ、”Ｌが分離される（図
中δｎは双屈折量であ）、ｎ１ｌ−ｎ４で表わされる）
。
この場合不要な伝搬偏波は、クラツシング層１２を通る
トンネル作用によって減衰される。
第２図ＩＣ示す屈折率分布は、本発明により形成された
偏波ファイバの基本的作動原理を説明する上で有益であ
る。図示の様に誘導偏波ｎｌｌは、上記の応力誘起双屈
折黴δｎだけ非誘導調波ｎ１　から分離されている。本
発明による偏波ファイバではδｎけ、ｎ３ｎ（の１０％
にほぼ相当する約５×１０　　である。双屈折量は帯域
帯に直接関係し、δｎが大へい程、偏波ファイバの動作
帯域幅が広くなる。応力ローブ１４．１６で誘起される
応力は、誘導調波ｎｌｌをサブストレート１８の屈折率
ｎ３以上にあげ、非誘導偏波ｎ、１を屈折率ｎ３以下に
下げてトンネル作用により減衰する様に充分程度、２１
扁波に分波する。サブストレート１８ではなくコア領域
に応力誘起双屈胛がみられるのが理想であるが、実際は
、図示の形状の場合、コア頭載１０の外側に偏波ファイ
バの動作帯域幅をせばめるある程度の双屈折がみられる
。双屈折量は、コア１０から離れる程減少するだめ最大
帯域幅を鍔るには、内クラツシング１２を大きくする必
要があるが不要偏波をトンネル作用によって急減させる
にはクラツシング１２を狭くしなければならない。従つ
−Ｃ１トンネルによる減衰連関を速める必要性と、帯域
幅を広げる必要性との間で、相対的バランスを保つ様に
する。
第３図は、帯域幅を広げると同時に減衰速度を速める様
に構成された、本発明の第２実施例による偏波ファイバ
の横断面図である３、コア頭載３０はだ円形の内クラツ
シング層３２で己囲されており、該内層は、外クラツシ
ング、Ｉ！３４で包囲されている。第３図では外クラツ
シング層３４は、だ円形の断面を有しているが、その他
の適切な形状にできることを理解されたい。本発明の第
２実施列では、コア狽１或３０を５ｃ０２で内クラツシ
ング層３２をホウ素をドープした５４０２で、及び外ク
ラツシング層３４をフッ素をドープしたＳｉ、０２で構
成することができる。
主にコア偵域３０における導波を確医するには、夫々ｎ
２及びｎ３で表わされる内クララジンク層３２及び外ク
ラツシング層３４の屈折率を、コア領域３０の屈折率ｎ
！より小きくすると共に、特にｎ２　（ｎ３　（ｎｌに
なる様にする必要がある。本発明によると、内クララジ
ンク層３２は、その短軸が実β的にコア煩域３０の半径
と等しくなる様な、だ同性を有している。この様に内ク
ラツシング層３２のだ円度が大きいため、基本モードの
２つの偏波ｎｉｌ及びｎ上　を大きく分離するに充分程
匿大きい応力−がファイバに発生する。
第３図に示す実施例では、内クラツシング３２はその断
面のだ円度が大きいことと関連して、本発明による偏波
ファイバを形成するに要する低屈折率クラツシング及び
応力誘起及屈折量を与えている。図示の実施例（・ま、
双屈折量がコア領域３０の外側の内クラツシング３２の
短軸に沿って非常に急・京に減少し、従って動作帯域幅
がコア領域３０外側の双屈折によって余り影響されない
という１０点を有している。
第３図に示す様な特定形状の偏波ファイバでは、コア領
域３０を、ＳｉＯ２で、内クラツシング層３２をホウ素
をドープした５ｉＯｚで、及び外クラツシング層３４を
フッ素をドープした、’；ｉ０２で構成できる。この様
に形成されていると、偏波ファイバに、λ＝　５１．、
４．５　ｎ　ｍでビート長Ｌ　＝’１．　Ｌ’ｍｍから
測定される４、７ＸｌＯ”にほぼ等しいσｎを持たせる
ことができる。
本発明による１波フアイバの１．２　ｍの断面の消滅比
は、６３３　ｎｍで約３０ｄＢであシ、この場合、端反
射及び結合損を含む挿入損は約２．３ｄＢである。
第３図に示す実施例の屈折率分布を第４図に示すが、こ
れはファイバの長軸及び短軸に沿った屈折率を表わして
いる。
第５図は、本発明の第３実施例である。図示の様にファ
イバは、ドープ（例えばゲルマニウム）シリカファ領域
４０．低屈折率バリヤ層４２、及び非円形応カクラッジ
ング偵域４４から成り、この、−谷りラッシング頭載４
４をホウ素をドープした５ｉ０２で、バリヤ層４２をフ
ッ素をドープした５ｉ０２で構成できる。
この特定実施例ではコア領域４０と応カクランジング領
域４４との間でトンネル現象が発生ずる。バリヤ層４２
は、領域４４に含まれるホウ素の存在により、長い波長
における慣失を軽減する役目をする。第６図は本発明に
よる嘔モード単扁波ファイバを、偏波されていない白色
光で励起した場合の、ファイバ出力電力と波長との相関
性を表わすグラフである。曲線Ａは、伝送された伝搬Ｉ
偏波ｎ１１を表わし、曲線Ｂは阻止されだ伝搬偏波ｎ上
　を表わしている。第６図から判る様に、伝送光の波長
が、約０．５４マイクロメータに達すると基本モードの
２つの１波はがなり分離し始め、一方入力光が約０，５
６マイクロメータの波長になると、不要の伝搬偏波が阻
Ｉトされ、無視できる程の電力しか出力しなくなる。２
篩波は第６図に符号Ｃで示す帯域幅に亘って分離し続け
るため、従来装置に比してかなシ広い帯域幅を有する偏
波ファイバが得られる゛。
本発明のある構成では、１波フアイバと曲げて、所定の
曲げ半径を持たせたり、又（ｄ所定直径を有する棒に巻
くことができるが、この場合、その動作波長は曲げ半径
の関数としてシフトする。従って偏波ファイバを曲げた
り巻いたシすることによシ、所望の動作波長に合わせる
ことができる。第６ｊ図の伝送データは、本発明による
ファイバを１．５センチの曲げ半径で４回巻いて得られ
たものである。
また同様のファイバを、１４センチ直径の棒に巻くと０
．６乃至０．５４マイクロメータの波しを有する偏波子
として機能する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の第１実施１ケ１１による；偏波ファ
イバの横断ｌｎ１図である。 第２図は、本発明の作動原理を示す屈折率分布図である
。 第３図は、本発明第２実施例による偏波ファイバの・溝
断面間である。 第４図は、第３図に示す偏、伎ファイバの長軸及び短軸
の屈折率分布図である。 第５図は長い波長における信号用を軽減できる本発明第
３実施例による偏波ファイバの溝断面図である。及び 第６図は、所定のファイバ曲げ半径に対する、波し１列
数としてのファイバ出力電力のグラフである。 く主要部分の符号の説明〉 １０・コア領域、１２・・クララシンク層、１４．１６
　応力ローブ、１８・・サブストレート、３０・・・コ
ア頭載、３２．３４・クララシンク層、４０・・コア領
域、４２・・・バリヤ・響、４４・・応カクラッシンク
領域。 出願人　　　ウェスターン　エレクトリックカムパ、ニ
ー、インコーホレーテッド ＦＩＧ、／ ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、６ 波長（Ｐｍｌ 第１頁の続き ＠発　明　者　ジエイ・リチャード・シンプソン アメリカ合衆国０７０２３ニユージ ヤーシイ・ユニオン・ファンウ ラド・ロビン・ロード８ ０発　明　者　ロジャーズ・ホール・ストーレン アメリカ合衆国０７７６０ニユージ ヤーシイ・モンマウス・ラムノ ン・ウォーターマン・アヴエニ ュー７７ 手続補１Ｅ　、ｊ３： １４田の表示昭和５９年　特許願第　１７２２４　号（
袖１にをすると ・ＩＬＩ’ｌとの関１不　特許出願入 １代理人 ５　補正の対象　　「　図　　面　」 （Ｉ）、別紙の通り、第１図の符号の ［１４、ｎＪＪを 「１４」に、 「・１６、ｎ、」を 「１６」に 「１８」を 「１８、ｎ、Ｊに夫々訂正する。 ７：添伺書類の目録

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■　第１屈折率（ｎりを有する中央コア領域、及び前記
    第１屈折率より小さい第２屈折率（ｎ２）を有する、前
    記コア領域を包囲するクラツシング領域から成る、単モ
    ード単偏波を云ｊ般する光ファイバにおいて、 前記ファイバはさらに、前記クラツシング層と密接形成
    され前記第２屈折率より大きい第３屈折率（ｎ３）を有
    する包囲領域を含み、また種々の領域が、前記単モード
    波を、前記コア頭載まで伝搬される第１直交編波と前記
    クラツシング領域を通るトンネル作用によシ減衰される
    第２直交１扁波とで搗成される一対の直交偏波に分離で
    きる応力双屈折量を有する様に配置形成されていること
    を特徴とする単モード単１扁波を伝搬する光ファイバ。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の、ファイバであって
    、前記包囲領域が、前記クラツシング層の両側に配設さ
    れだ第１、第２応力口−ブを含むことを特徴とする単モ
    ード単偏波を伝搬する光ファイバ。 ３、特許請求の範囲第１項に記載のファイバであって、
    前記クラツシング領域が短軸に沿って前記コア領域と（
    ａ）近接又は（ｂ）密妻する様に形成された長軸及び短
    軸を持つ非円形断面を有する、コア領域包囲層を含み、
    また前記包囲領域が前記第１クラツシング領域を完全包
    囲する層を含むことを特徴とする単モード単偏波を伝搬
    する光ファイバ。 ４、特許請求の範囲第３項に記載のファイバであって、
    前記包囲領域が、（ａ）円形断面又は（ｂ）非円形ｉｆ
    ｒ面を有する層を含むことを特徴とする単モード単篩波
    を伝搬する光ファイバ。 ５、特許請求の範囲第１項に記載−のファイバであって
    、前記コア領域がＳｉ　Ｏ２を含み、前記クラツシング
    領域がホウ素でドープされた５ｉ０２を含み、また前記
    包囲領域がフッ素でドープされた８４．０２を含むこと
    を特徴とする学モード単１扁波を伝搬する光ファイバ。 ６　特許請求の範囲第１項に記載のファイバであって、
    前記コア領域がゲルマニウムでドープされたＳも０２を
    含み、前記クララジンク領域がホウ素でドープされだＳ
    ｉ　Ｏ２とゲルマニウムでドープされた。５ｃＯ２とを
    含み前記包囲領域が、Ｅｉ　Ｏ２をＪむことを一侍敵と
    する単モード単偏波を伝搬する光ファイバ。 ７　特許請求の範囲第１項に記載のファイバであって、
    前記コア領域がＳｃＯ２を含み、バリヤ層がフッ素でド
    ープされた３ｉ０２を含み、まだ前記包囲領域がＳｉＯ
    ２を含むことを特徴とする単モード単訓波を伝搬する光
    ファイバ。 ８、　時１１′Ｆ請求の範囲第１項に記載のファイバで
    あって、前記コア！貢域がゲルマニウムでドープされた
    Ｓｃ　Ｏ２を含み、バリヤ層がフッ素でドープされた８
    ４．０２を含み、また非円形クララジンク領域が、ホウ
    素と別のドーパントとの組合せでドープされた８４．０
    ２を含むことを特徴とする雫モード単１扁波を伝搬する
    光ファイバ。 ９、　特許請求の範囲第８頃に記載のファイバであって
    、前記別のドーパントがゲルマニウム及びリンのうち少
    くとも一方であることを特徴とする単モード単關波を伝
    搬する。 光ファイバ。 ［０特許請求の範囲第１項に記載のファイバ。 であって、前記ファイバが、動作波長に関係する所定曲
    げ半径を有する腫に構成されていることを特徴とする単
    モード単偏波を伝搬する光ファイバ。 ］１　特許請求の＋ＪｉｉＳ囲第１０項第１０項ファイ
    バであって、前記ファイバがコイル状に巻かれることを
    特徴とする単モード単偏彼を伝搬する光ファイバ。 Ｉ２、特許請求の範囲第１項に記載のファイバであって
    、前記コア置載が相対的に屈祈宇を、￥め乙ようにドー
    プされていることを特徴とする単モード単關波を伝搬す
    る光ファイバ。
JP59017224A 1983-02-04 1984-02-03 単モ−ド単偏波を伝搬する光フアイバ Expired - Lifetime JPS59148005A (ja)

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