JPS59143347A - 半導体基板材料の製造方法 - Google Patents
半導体基板材料の製造方法Info
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- JPS59143347A JPS59143347A JP58017141A JP1714183A JPS59143347A JP S59143347 A JPS59143347 A JP S59143347A JP 58017141 A JP58017141 A JP 58017141A JP 1714183 A JP1714183 A JP 1714183A JP S59143347 A JPS59143347 A JP S59143347A
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- semiconductor substrate
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
近年、ＩＣの演算速度の向上、トランジスタの電気容量
の増大、Ｑａ −Ａｓ 、 Ｆ Ｅ Ｔの出現等により
半導体素子の駆動時に半導体素子に発生する熱をいかに
放熱させるかという点が大きな問題となっている。半導
体素子内に発生する熱は半導体素子が塔載され、半導体
素子裏面と接合された基板を通してパッケージ外へ排出
される。従ってこの基板材料には熱伝導度が高い材料を
用いることが好ましい。
の増大、Ｑａ −Ａｓ 、 Ｆ Ｅ Ｔの出現等により
半導体素子の駆動時に半導体素子に発生する熱をいかに
放熱させるかという点が大きな問題となっている。半導
体素子内に発生する熱は半導体素子が塔載され、半導体
素子裏面と接合された基板を通してパッケージ外へ排出
される。従ってこの基板材料には熱伝導度が高い材料を
用いることが好ましい。
ところで、近年前記パッケージとしてセラミックを用い
たセラミックパッケージが多用されてぃる。このパッケ
ージの場合、前記基板が電極取出し用のセラミック枠（
又は板）と一体化されている。従って基板材料としてｋ
Ａ ２０ Ｂ を主成分とする磁器を使用する場合に
は、電極取出し用の七ラミック枠（又は板）と一体焼成
されるため問題ないが、熱伝導性を向上させる為、Ｗや
Ｍｏ等、電極取出し用の七ラミック枠（又は板）と異種
の材料を基板材料として用いる場合、以下の如き問題が
生ずる。
たセラミックパッケージが多用されてぃる。このパッケ
ージの場合、前記基板が電極取出し用のセラミック枠（
又は板）と一体化されている。従って基板材料としてｋ
Ａ ２０ Ｂ を主成分とする磁器を使用する場合に
は、電極取出し用の七ラミック枠（又は板）と一体焼成
されるため問題ないが、熱伝導性を向上させる為、Ｗや
Ｍｏ等、電極取出し用の七ラミック枠（又は板）と異種
の材料を基板材料として用いる場合、以下の如き問題が
生ずる。
即ち、ＷＪＰＭｏ等を基板材料として用いた場合、電極
取出し用の七ラミック枠（又は板）との接合は通常銀鑞
による鑞付方法が用いられる。この場合、ＷやＭＯ等は
セラミックとの熱膨張率の差が大きい為、鑞付工程にお
ける加熱後の冷却時に熱歪によりセラミック枠（又は板
）が破損するという問題が生ずる。
取出し用の七ラミック枠（又は板）との接合は通常銀鑞
による鑞付方法が用いられる。この場合、ＷやＭＯ等は
セラミックとの熱膨張率の差が大きい為、鑞付工程にお
ける加熱後の冷却時に熱歪によりセラミック枠（又は板
）が破損するという問題が生ずる。
この為、熱膨張率がセラミックと近いＦ ｅ −Ｎ ｉ
合金又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の薄板と基板と七ラミッ
ク枠（又は板）の間に介在させることが行なわれている
がかかる方法は熱伝導上好ましくない。
合金又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の薄板と基板と七ラミッ
ク枠（又は板）の間に介在させることが行なわれている
がかかる方法は熱伝導上好ましくない。
一方、熱伝導性が良く、熱膨張率もセラミｙり枠（又は
板）に近いＢｅＯを用いることが考えられているがＢｅ
Ｏは毒性を有する為、取扱いや製造が困難であり、さら
に入手することも困難で実用的でない。そこで発明者ら
は熱膨張率、熱伝導率共に満足し、かつ、毒性や入手困
難性などの問題のない半導体基板材料として、「平均粒
度１〜４０μのＷ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉
末を加圧成形した後、１３００’Ｃ−１６００°Ｃの非
酸化雰囲気にて焼結した焼結多孔体に重量比５〜２５係
のＣｕを含浸したことを特徴とする半導体基板材料」な
る発明をした。（昭和５８年 １月３１日特許出願）Ｃ
以下第１発明という） しかるに半導体基板材料はその厚さを０．２〜２＋＋Ｉ
Ｉ＋１程度にする必要があり、通常の粉末冶金法、即ち
Ｃｕ、 Ｗ、 Ｍｏ等の粉末に有機粘結剤を小量加え、
これを型押出の金型に充填し上下より杵で加圧型押した
成形体を非酸化性雰囲気で焼成して製造する方法では下
記のごとき問題点がある。
板）に近いＢｅＯを用いることが考えられているがＢｅ
Ｏは毒性を有する為、取扱いや製造が困難であり、さら
に入手することも困難で実用的でない。そこで発明者ら
は熱膨張率、熱伝導率共に満足し、かつ、毒性や入手困
難性などの問題のない半導体基板材料として、「平均粒
度１〜４０μのＷ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉
末を加圧成形した後、１３００’Ｃ−１６００°Ｃの非
酸化雰囲気にて焼結した焼結多孔体に重量比５〜２５係
のＣｕを含浸したことを特徴とする半導体基板材料」な
る発明をした。（昭和５８年 １月３１日特許出願）Ｃ
以下第１発明という） しかるに半導体基板材料はその厚さを０．２〜２＋＋Ｉ
Ｉ＋１程度にする必要があり、通常の粉末冶金法、即ち
Ｃｕ、 Ｗ、 Ｍｏ等の粉末に有機粘結剤を小量加え、
これを型押出の金型に充填し上下より杵で加圧型押した
成形体を非酸化性雰囲気で焼成して製造する方法では下
記のごとき問題点がある。
■金型への粉末充填を均一にすることが困難であり、成
形体中に密度ムラを生ずる。このため焼成時、収縮の局
部的ムラが生じ形が歪む。
形体中に密度ムラを生ずる。このため焼成時、収縮の局
部的ムラが生じ形が歪む。
■成形体の強度が弱く薄板の取扱いがむつかしい。金型
への粉末充填を容易かつ均一に行なう為には金属粉末に
加える有機粘結剤の量を一定範囲内に押さえる必要があ
り、かつ有機粘結剤混合後の金属粉末の型への流動性を
確保する必要があり有機粘結剤の量及び種類に制約を受
ける。このため成形体に強度を持たせることが困難とな
り、その取扱中に欠け、割れ等が生じ易く工業生産上各
種の問題が生ずる。
への粉末充填を容易かつ均一に行なう為には金属粉末に
加える有機粘結剤の量を一定範囲内に押さえる必要があ
り、かつ有機粘結剤混合後の金属粉末の型への流動性を
確保する必要があり有機粘結剤の量及び種類に制約を受
ける。このため成形体に強度を持たせることが困難とな
り、その取扱中に欠け、割れ等が生じ易く工業生産上各
種の問題が生ずる。
この為、発明者らはこれらの問題全解決する発明として
、［Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に有機粘
結剤と溶媒全顎え混練した後、押出機にて押出した成型
体を、非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発
分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結しな
焼結多孔体に体積比５〜２５係のＣｕ ｆ含浸すること
を特徴とする半導体基板材料の製造方法。」及び「Ｗ粉
末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に有機粘結剤と溶
媒を加５− 克混練した後、押出機にて押出した成型体を積層した積
層体を、非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸
発分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結し
た焼結多孔積層体に体積比５〜２５係のＣｕを含浸する
ことを特徴とする半導体基板材料の製造方法。」なる発
明をした。
、［Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に有機粘
結剤と溶媒全顎え混練した後、押出機にて押出した成型
体を、非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発
分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結しな
焼結多孔体に体積比５〜２５係のＣｕ ｆ含浸すること
を特徴とする半導体基板材料の製造方法。」及び「Ｗ粉
末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に有機粘結剤と溶
媒を加５− 克混練した後、押出機にて押出した成型体を積層した積
層体を、非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸
発分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結し
た焼結多孔積層体に体積比５〜２５係のＣｕを含浸する
ことを特徴とする半導体基板材料の製造方法。」なる発
明をした。
（以下餉２発明という。本願と同日付で特許出願した）
第２発明について簡単に説明すると、まずＷ。
Ｍｏ 又はＷ−Ｍｏ粉末に有機粘結剤と溶媒を加え混練
し、押出機にて押し出し得る程度の柔軟性をもった混合
物を作る。有機粘結剤・溶剤は何を用いてもよいが、例
えば前者としてはポリビニールブチラール、後者として
はメタノールがある。
し、押出機にて押し出し得る程度の柔軟性をもった混合
物を作る。有機粘結剤・溶剤は何を用いてもよいが、例
えば前者としてはポリビニールブチラール、後者として
はメタノールがある。
次に混合物を押出機により押し出し厚さ０．１〜２咽程
度の成型体を作る。押出装置としては混合物中の気体を
取除き得る真空混練装置を内蔵した装置が望ましい。
度の成型体を作る。押出装置としては混合物中の気体を
取除き得る真空混練装置を内蔵した装置が望ましい。
次に成型体を非酸化性雰囲気、例えばＨ２ガス中にて有
機粘結剤と溶媒とが蒸発乾燥するまで加−〇− 熱し、これらを蒸発させる。その後、非酸化雰囲気中で
、所定の温度にて焼結し、所定の空孔率を有する焼結多
孔体を得る。焼結温度としては、１３５０〜１６００°
Ｃが好ましい。
機粘結剤と溶媒とが蒸発乾燥するまで加−〇− 熱し、これらを蒸発させる。その後、非酸化雰囲気中で
、所定の温度にて焼結し、所定の空孔率を有する焼結多
孔体を得る。焼結温度としては、１３５０〜１６００°
Ｃが好ましい。
次に焼結多孔体にＣｕの融点以上の温度にて５〜２５
ｖｏｌ ％のＣｕを含浸し半導体基板材料を得る１Ｃｕ
の量を５〜２５ｖｏ１％とした理由は、前記第１発明
と同様であり、５係より少ない場合はＣｕ含浸の効果が
なく、２５係を越えると熱膨張率が過大となり、接合す
る七ラミック枠（又は板）を破損するからである。
ｖｏｌ ％のＣｕを含浸し半導体基板材料を得る１Ｃｕ
の量を５〜２５ｖｏ１％とした理由は、前記第１発明
と同様であり、５係より少ない場合はＣｕ含浸の効果が
なく、２５係を越えると熱膨張率が過大となり、接合す
る七ラミック枠（又は板）を破損するからである。
以上の製法の利点は以下の通りである。
■従来の粉末冶金法の場合にうける型押時の粉末特性に
係わる制約を考慮する必要がない為、有機粘結剤の量を
成形体の必要強度に応じて任意に選択比きる。
係わる制約を考慮する必要がない為、有機粘結剤の量を
成形体の必要強度に応じて任意に選択比きる。
■成形体の密度バラツキを少なくすることが出き、焼結
後の形歪を小さくすることができる。
後の形歪を小さくすることができる。
即ち、混練し、流体化した金属粉末と有機粘結剤溶媒と
の混合物を押出機にて高圧全かけられて押し出される為
密度バラツキが少なくなる。
の混合物を押出機にて高圧全かけられて押し出される為
密度バラツキが少なくなる。
■七うミック製品等に用いられているドクターブレード
法に比し、押出材の上下面の粒度片寄りがなく成形密度
を高くすることが出来、焼結が容易になる。又、多量の
有機溶媒を用いる等の難点がない。又、第２発明の積層
構造の半導体基板材料の特徴は以下の点にある。
法に比し、押出材の上下面の粒度片寄りがなく成形密度
を高くすることが出来、焼結が容易になる。又、多量の
有機溶媒を用いる等の難点がない。又、第２発明の積層
構造の半導体基板材料の特徴は以下の点にある。
即ち、第１図の如き、積層構造を有する半導体基板材料
を製造する場合、押出機にて押出した成型体を積層し、
積層体を非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶解とが蒸
発分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結し
た焼結多孔体にＣｕを含浸することにより上下一体化す
ることが出来、精度の良い材料を製造することが出きる
。
を製造する場合、押出機にて押出した成型体を積層し、
積層体を非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶解とが蒸
発分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結し
た焼結多孔体にＣｕを含浸することにより上下一体化す
ることが出来、精度の良い材料を製造することが出きる
。
さらに第２図に示すごとき複雑な形状を持つ材料も積層
して熱処理することにより容易に製造することが出来る
。このような形状の材料を通常の粉末冶金法である粉末
プレス法で製造する場合、各部の密度均一化がむつかし
く製造には非常な困難をともなうものである。
して熱処理することにより容易に製造することが出来る
。このような形状の材料を通常の粉末冶金法である粉末
プレス法で製造する場合、各部の密度均一化がむつかし
く製造には非常な困難をともなうものである。
ところで、この第２発明に用いるＷ、Ｍｏ、Ｗ−Ｍ。
粉末としては粒度０．５〜５μの粉末を用いることが好
ましい。
ましい。
即ち、第２発明の製法は本質的に通常の粉末冶金法にお
けるプレス法に比し有機粘結剤を多量に含むため有機粘
結剤に蒸発分解除却した焼結前の密度は低い。よってこ
れより所定の空孔率を持つ焼結多孔体を製造しようとす
ると通常粉末冶金法による場合に比しより焼結性の優れ
た粉末を使用する必要がある。この場合、平均粒度が０
．５μより小さい場合、焼結時に閉空孔（クローズドポ
アー）を生じ後工程におけるＣｕ含浸時Ｃｕが含浸せず
含浸体中に空孔が残り熱伝導度を低下させる。
けるプレス法に比し有機粘結剤を多量に含むため有機粘
結剤に蒸発分解除却した焼結前の密度は低い。よってこ
れより所定の空孔率を持つ焼結多孔体を製造しようとす
ると通常粉末冶金法による場合に比しより焼結性の優れ
た粉末を使用する必要がある。この場合、平均粒度が０
．５μより小さい場合、焼結時に閉空孔（クローズドポ
アー）を生じ後工程におけるＣｕ含浸時Ｃｕが含浸せず
含浸体中に空孔が残り熱伝導度を低下させる。
一方、５μを越える場合、所定の空孔率を持つ多孔体を
得るには工業生産に用いられる経済温度１６００°Ｃｔ
−越えた焼結温度が必要となり、そこで粒度０．５〜５
μの金属粉末を用いることが好ましいことになる。
得るには工業生産に用いられる経済温度１６００°Ｃｔ
−越えた焼結温度が必要となり、そこで粒度０．５〜５
μの金属粉末を用いることが好ましいことになる。
又、第２発明における焼結多孔体の好ましい焼結温度は
比較的高＜ Ｌ３５０−１６００’Ｃである。
比較的高＜ Ｌ３５０−１６００’Ｃである。
−〇一
本発明は、前記第２発明の金属粉末の許容粒径範囲を拡
大すると共に焼結温度を下げることを目的とした発明で
あり、その要旨はＷ粉末又はＭ。
大すると共に焼結温度を下げることを目的とした発明で
あり、その要旨はＷ粉末又はＭ。
粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に前記粉末との合計量に対し
て０．０２〜２ｗｔ％の鉄族元素と有機粘結剤及び溶媒
を加え混練した後、押出機にて押出した成型体を、非酸
化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発分解するま
で加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結した焼結多孔体
に体積比５〜２５係のＣｕを含浸することを特徴とする
半導体基板材料の製造方法。」及び［Ｗ粉末又はＭｏ粉
末又はＷ−Ｍ。
て０．０２〜２ｗｔ％の鉄族元素と有機粘結剤及び溶媒
を加え混練した後、押出機にて押出した成型体を、非酸
化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発分解するま
で加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結した焼結多孔体
に体積比５〜２５係のＣｕを含浸することを特徴とする
半導体基板材料の製造方法。」及び［Ｗ粉末又はＭｏ粉
末又はＷ−Ｍ。
合金粉末に前記粉末との合計量に対して０．０２〜２ｗ
ｔ４の鉄族元素と有機粘結剤及び溶媒を加え混練した後
、押出機にて押出した成型体を積層した積層体を、非酸
化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発分解するま
で加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結した焼結多孔積
層体に体積比５〜２５係のＣＵを含浸することを特徴と
する半導体基板材料の製造方法。」にある。
ｔ４の鉄族元素と有機粘結剤及び溶媒を加え混練した後
、押出機にて押出した成型体を積層した積層体を、非酸
化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発分解するま
で加熱した後、非酸化性雰囲気中で焼結した焼結多孔積
層体に体積比５〜２５係のＣＵを含浸することを特徴と
する半導体基板材料の製造方法。」にある。
本発明と第２発明との相違点はＷ、Ｍｏ、Ｗ−Ｍ。
＝ＩＯ−
粉末に微量の鉄族元素（Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ ）を加
えたことである。
えたことである。
鉄族元素はＷ、 Ｍｏ等に固溶する為、これらをＷ。
Ｍｏ等の粉末に加え、この成型体全焼結するとＷ。
Ｍｏ等の粒子間に存在するＦｅ族元素がＷ、 Ｍｏ等の
粒子と固溶し、焼結が推進され無添加の場合に比し低温
で等しい空孔率を有する多孔体を得ることが出来る。又
、この結果、粒度の大きいＷ、 Ｍｏ。
粒子と固溶し、焼結が推進され無添加の場合に比し低温
で等しい空孔率を有する多孔体を得ることが出来る。又
、この結果、粒度の大きいＷ、 Ｍｏ。
Ｗ−Ｍｏ粉末を用いることが出来る。具体的には無添加
の場合、好ましい金属粉末として平均粒度０．５〜５μ
のＷ、 Ｍｏ粉末を用いるのに対し鉄族元素を０．０２
〜２係添加した場合０．５〜１０μまで拡大することが
出来、又焼結温度も１３５０°Ｃ−１６００°Ｃから１
２００°Ｃ〜１４５０’Ｃに低下させることができる。
の場合、好ましい金属粉末として平均粒度０．５〜５μ
のＷ、 Ｍｏ粉末を用いるのに対し鉄族元素を０．０２
〜２係添加した場合０．５〜１０μまで拡大することが
出来、又焼結温度も１３５０°Ｃ−１６００°Ｃから１
２００°Ｃ〜１４５０’Ｃに低下させることができる。
鉄族元素の添加量が０．０２ｗｔ４ より少ない場合
添加効果がなく、一方、２係を越えた場合、Ｃｕ含浸工
程においてＣｕ中に鉄族元素が多量に固溶し熱伝導度を
極端に低下させるとともに閉空孔が出来る為好ましくな
い。
添加効果がなく、一方、２係を越えた場合、Ｃｕ含浸工
程においてＣｕ中に鉄族元素が多量に固溶し熱伝導度を
極端に低下させるとともに閉空孔が出来る為好ましくな
い。
又、平均粒度が０．５μより小さい場合、焼結時ニ閉空
孔（クローズドポアー）を生じ、後工程におけるＣｕ含
浸時Ｃｕが含浸せず、含浸体中に空孔が残り熱伝導度を
低下させる。一方ｌＯμを越゛える場合、所定の空孔率
を持つ多孔体を得るには１５００°Ｃ以上の高温全要し
本発明の目的に反する。
孔（クローズドポアー）を生じ、後工程におけるＣｕ含
浸時Ｃｕが含浸せず、含浸体中に空孔が残り熱伝導度を
低下させる。一方ｌＯμを越゛える場合、所定の空孔率
を持つ多孔体を得るには１５００°Ｃ以上の高温全要し
本発明の目的に反する。
伺、この鉄族添加法は第２発明の積層構造の半導体基板
材料の製法においても適用でき、上下一体化した精度の
よい材料を粒度の荒い金属粉末を用いて、低温で容易に
製造することが出来る。
材料の製法においても適用でき、上下一体化した精度の
よい材料を粒度の荒い金属粉末を用いて、低温で容易に
製造することが出来る。
以下実施例に基づいて説明する。
実施例１
第１表に示すような金属粉末にそれぞれ第１表に記載し
た粘結剤、可塑性向上剤、溶媒を加えて１．３咽厚さの
押出成形体を得てＨ２ガス雰囲気下で７００°ＣＸ２Ｈ
加熱してバインダーを除去した後第１表に記載した条件
で焼結あるいはＣｕを含浸または焼結−含浸を行ってそ
れぞれ第１表に示す合金を得た。なおこれらの焼結、含
浸は全てＨ２ガス雰囲気中で行った。
た粘結剤、可塑性向上剤、溶媒を加えて１．３咽厚さの
押出成形体を得てＨ２ガス雰囲気下で７００°ＣＸ２Ｈ
加熱してバインダーを除去した後第１表に記載した条件
で焼結あるいはＣｕを含浸または焼結−含浸を行ってそ
れぞれ第１表に示す合金を得た。なおこれらの焼結、含
浸は全てＨ２ガス雰囲気中で行った。
以上の如く本発明法により所望の特性を満足する材料が
得られた。
得られた。
又、上記実施例と同一条件で積層構造の半導体基板材料
を製造した結果、精度のよい材料が得られた。
を製造した結果、精度のよい材料が得られた。
第１図、第２図は積層構造の半導体基板材料の斜視図。
一１４＝
才１図
第２図
２３５−
Claims (4)
- （１）Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末に前記
粉末との合計量に対して０．０２〜２ｗｔ％の鉄族元素
と有機粘結剤及び溶媒を加え混練した後、押出機にて押
出した成型体を、非酸化性雰囲気中にて有機粘結剤と溶
剤とが蒸発分解するまで加熱した後、非酸化性雰囲気中
で焼結した焼結多孔体に体積比５〜２５係のＣｕを含浸
することを特徴とする半導体基板材料の製造方法。 - （２）Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍｏ合金粉末の平均
粒度が０．５〜１０μであることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の半導体基板材料の製造方法。 - （３）Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍ ｏ合金粉末に前
記粉末との合計量に対して０．０２〜２ｗｔ％の鉄族元
素と有機粘結剤及び溶媒を加え混練した後、押出機にて
押出した成型体を積層しな積層体に１非酸化性雰囲気中
にて有機粘結剤と溶剤とが蒸発分解するまで加熱した後
、非酸化性雰囲気中で焼結した焼結多孔積層体に体積比
５〜２５係のＣｕを含浸することを特徴とする半導体基
板材料の製造方法。 - （４）Ｗ粉末又はＭｏ粉末又はＷ−Ｍ ｏ合金粉末の平
均粒度が０．５〜１０μであることを特徴とする特許請
求の範囲第（３）項記載の半導体基板材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017141A JPS59143347A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 半導体基板材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017141A JPS59143347A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 半導体基板材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143347A true JPS59143347A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0336305B2 JPH0336305B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=11935723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017141A Granted JPS59143347A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 半導体基板材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143347A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0217176A2 (de) * | 1985-10-02 | 1987-04-08 | Vacuumschmelze GmbH | Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH01165706A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Kawasaki Steel Corp | 複相組織焼結体およびその製造方法 |
| JPH0449642A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Nippon Tungsten Co Ltd | 半導体装置用基板材料及びその製造方法 |
| JPH04124205A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-24 | Nippon Tungsten Co Ltd | 高精度ウェイト部品とその製造方法 |
| EP0645804A3 (en) * | 1993-09-16 | 1996-05-29 | Sumitomo Electric Industries | Metal housing for semiconductor device and method for its production. |
| EP0784341A4 (en) * | 1995-06-23 | 1997-05-14 | Toho Kinzoku Kk | METHOD OF PRODUCING A MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PACKING FOR A SEMICONDUCTOR |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP58017141A patent/JPS59143347A/ja active Granted
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|---|---|---|---|---|
| EP0217176A2 (de) * | 1985-10-02 | 1987-04-08 | Vacuumschmelze GmbH | Verbundwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
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| EP0784341A4 (en) * | 1995-06-23 | 1997-05-14 | Toho Kinzoku Kk | METHOD OF PRODUCING A MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PACKING FOR A SEMICONDUCTOR |
| EP0784341A1 (en) * | 1995-06-23 | 1997-07-16 | Toho Kinzoku Co., Ltd. | Method of manufacture of material for semiconductor substrate, material for semiconductor substrate, and package for semiconductor |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336305B2 (ja) | 1991-05-31 |
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