JPS59141251A - 半導体装置パツケ−ジ - Google Patents
半導体装置パツケ−ジInfo
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- JPS59141251A JPS59141251A JP58015691A JP1569183A JPS59141251A JP S59141251 A JPS59141251 A JP S59141251A JP 58015691 A JP58015691 A JP 58015691A JP 1569183 A JP1569183 A JP 1569183A JP S59141251 A JPS59141251 A JP S59141251A
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- JP
- Japan
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- resin
- radiation
- semiconductor chip
- package
- hydrocarbon group
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- Pending
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、耐放射線性を高めた半導体装置パッケージ
に関する。
に関する。
従来、この種のパッケージは、第１図及び第２図に平面
図及び正面断面図で示すようになっていた。（１）は半
導体チップで、リードフレーム（２）上に接着されてい
る。（３）は半導体チップ（１）上のポンディングパッ
ドとリードフレーム（２）の引出しｔ ｆｆｉ ｆｆｌ
＜（４）とをボンディング接続した金属細線、（５）は
ポリイミド等の炭化水素系樹脂からなり、半導体チップ
（１）表面に付着された耐放射線性の被覆膜、（６）は
リード部を除くリードフレーム及び半導体チップ（１）
部を囲い注型成形された樹脂封止体である。
図及び正面断面図で示すようになっていた。（１）は半
導体チップで、リードフレーム（２）上に接着されてい
る。（３）は半導体チップ（１）上のポンディングパッ
ドとリードフレーム（２）の引出しｔ ｆｆｉ ｆｆｌ
＜（４）とをボンディング接続した金属細線、（５）は
ポリイミド等の炭化水素系樹脂からなり、半導体チップ
（１）表面に付着された耐放射線性の被覆膜、（６）は
リード部を除くリードフレーム及び半導体チップ（１）
部を囲い注型成形された樹脂封止体である。
上記従来の半導体装置パッケージにおいて、樹脂封止体
（６）により内部に封止の半導体チップ（１）ｆ外部の
湿気や機械的衝撃から保護している。また、外部からの
放射線は樹脂封止体（６）によって阻止され、半導体チ
ップ（１）に達しなりようにしている。
（６）により内部に封止の半導体チップ（１）ｆ外部の
湿気や機械的衝撃から保護している。また、外部からの
放射線は樹脂封止体（６）によって阻止され、半導体チ
ップ（１）に達しなりようにしている。
ところが、樹脂封止体（６）自体に通常、微量の放射性
不純物を含有しており、このうち、半導体チップ（１）
に近接する位置のものから発生する放射線が容易に半導
体チップ（１）に達し、チップの電気的動作に少なから
ず影響を与える。この放射線を辿るため、半導体チップ
（１）の表面に高純度炭化水素系樹脂（ポリイミド等）
からなる被覆膜（５）を付着している。この被覆膜（５
） Ｆｉ樹樹脂正正体６）自体からの放射線を遮るとと
もに、自身からは放射線をほとんど発生しないので、半
導体チップ（１）が放射線により乱されるのを防止して
いる。
不純物を含有しており、このうち、半導体チップ（１）
に近接する位置のものから発生する放射線が容易に半導
体チップ（１）に達し、チップの電気的動作に少なから
ず影響を与える。この放射線を辿るため、半導体チップ
（１）の表面に高純度炭化水素系樹脂（ポリイミド等）
からなる被覆膜（５）を付着している。この被覆膜（５
） Ｆｉ樹樹脂正正体６）自体からの放射線を遮るとと
もに、自身からは放射線をほとんど発生しないので、半
導体チップ（１）が放射線により乱されるのを防止して
いる。
上記従来のパッケージは、半導体チップ〔１）部を樹脂
封止するのに、被覆膜（５）ｆチク１表面に塗布し熱硬
化させて形成し、さらに、封止用樹脂を金型を用いて注
入し熱硬化させる工程を要し、組立工程の時間が多くか
かつていた。
封止するのに、被覆膜（５）ｆチク１表面に塗布し熱硬
化させて形成し、さらに、封止用樹脂を金型を用いて注
入し熱硬化させる工程を要し、組立工程の時間が多くか
かつていた。
また、封止用樹脂は一般に、粘度が高いので、成形金型
内に注入するのに、かなり高い圧力が必要であり、その
うえ、内部の気泡を容易に除去することができない欠点
があった。さらに、封止用ｍ詣はいったん硬化すると硬
度が高く、熱変化による伸縮に伴って、ワイヤボンドし
ている金属細線（３）をしばしば断線させる欠点があっ
た。
内に注入するのに、かなり高い圧力が必要であり、その
うえ、内部の気泡を容易に除去することができない欠点
があった。さらに、封止用ｍ詣はいったん硬化すると硬
度が高く、熱変化による伸縮に伴って、ワイヤボンドし
ている金属細線（３）をしばしば断線させる欠点があっ
た。
この発明は、上記従来のものの欠点をなくするためにな
されたもので、耐放射線性の高純度炭化水素系樹脂を封
止用樹脂にして樹脂封止体を成形し、半導体チップ部を
封止し、従来のような被覆膜の付着を要せず、放射線を
確実に遮断し、樹脂封止工程作業が容易で、信頼度の高
い半導体装置パッケージを提供することを目的としてい
る。
されたもので、耐放射線性の高純度炭化水素系樹脂を封
止用樹脂にして樹脂封止体を成形し、半導体チップ部を
封止し、従来のような被覆膜の付着を要せず、放射線を
確実に遮断し、樹脂封止工程作業が容易で、信頼度の高
い半導体装置パッケージを提供することを目的としてい
る。
第３図及び第４図はこの発明の一実施例による半導体パ
ッケージの平面図及び正面断面図であり、（１）〜（４
）は上記従来装置と同一のものである。００けポリイミ
ド等の高純度炭化水素系樹脂からなる耐放射線性の樹脂
封止体で、リード部を露出してリードフレームと半導体
チップ（１）部を封止してｂる。
ッケージの平面図及び正面断面図であり、（１）〜（４
）は上記従来装置と同一のものである。００けポリイミ
ド等の高純度炭化水素系樹脂からなる耐放射線性の樹脂
封止体で、リード部を露出してリードフレームと半導体
チップ（１）部を封止してｂる。
上記一実施例の半導体装置パッケージにおいて、外部か
らの放射線は樹脂封止体αＯに吸収されて遮断され、半
導体チップ（１）には何らじよう乱を与えない。また、
樹脂封止体αＯ自体は高純度炭化水素系樹脂からなるの
で、放射線を発生せず、半導体チップ（１）の動作を乱
さない。
らの放射線は樹脂封止体αＯに吸収されて遮断され、半
導体チップ（１）には何らじよう乱を与えない。また、
樹脂封止体αＯ自体は高純度炭化水素系樹脂からなるの
で、放射線を発生せず、半導体チップ（１）の動作を乱
さない。
上記一実施例のパッケージでは、封止用樹脂としてポリ
イミド等の炭化水素系樹脂を用いており、この樹脂は流
動性の高いゲル状物質であるので、成形金型への注入が
極めて容易であるばかりでなく、混入した気泡を容易に
除去することができる。
イミド等の炭化水素系樹脂を用いており、この樹脂は流
動性の高いゲル状物質であるので、成形金型への注入が
極めて容易であるばかりでなく、混入した気泡を容易に
除去することができる。
また、炭化水素系樹脂は熱硬化された後も、硬度が比較
的に低く、たわみ性に富むので、硬化後において、樹脂
の熱伸縮による金属細線（３）の断線を少なくすること
ができる。
的に低く、たわみ性に富むので、硬化後において、樹脂
の熱伸縮による金属細線（３）の断線を少なくすること
ができる。
第５図及び第６図はこの発明の他の実施例を示すパッケ
ージの平面図及び正面断面図である。前記一実施例のパ
ッケージでは、炭化水素系樹脂からなる樹脂封止体αＯ
は光透過性がある。そこで、半導体チップ（１）が光に
よってじよう乱を生じるおそれのある種類の場合は、第
５図及び第６図に示すように、樹脂封止体αＯの外周に
金属膜、塗料などＫより遮光膜αＤを付着して覆ってい
る。
ージの平面図及び正面断面図である。前記一実施例のパ
ッケージでは、炭化水素系樹脂からなる樹脂封止体αＯ
は光透過性がある。そこで、半導体チップ（１）が光に
よってじよう乱を生じるおそれのある種類の場合は、第
５図及び第６図に示すように、樹脂封止体αＯの外周に
金属膜、塗料などＫより遮光膜αＤを付着して覆ってい
る。
この場合、半導体チップの種類が、紫外線等により消去
可能なメモリ、発光素子等光透過が必要な本のであれば
、光を取入れる箇所の遮光膜α→の一部を除去しておく
。
可能なメモリ、発光素子等光透過が必要な本のであれば
、光を取入れる箇所の遮光膜α→の一部を除去しておく
。
以上のように、この発明によれば、高純度炭化水素系樹
脂を封止用樹脂にして、樹脂封止体を成形し半導体チッ
プ部を封止したので、半導体チップが放射線によって乱
されるのが確実に防止され、封止工程作業が容易で簡単
になり、気泡の混入をなくシ、また、金属細線の断線を
ほとんどなくし、信頼度の高いパッケージが得られる。
脂を封止用樹脂にして、樹脂封止体を成形し半導体チッ
プ部を封止したので、半導体チップが放射線によって乱
されるのが確実に防止され、封止工程作業が容易で簡単
になり、気泡の混入をなくシ、また、金属細線の断線を
ほとんどなくし、信頼度の高いパッケージが得られる。
第１図は従来のパッケージの平面図、第２図は第１図の
■−■線における断面図、第３図はこの発明の一実施例
によるパッケージの平面図、第４図は第５図のｆＶ−ｆ
Ｖ線における断面図、第５図はこの発明の他の実施例に
よるパッケージの平面図、第６図は第５図の■−■線に
おける断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リードフレーム、３・
・・金属細線、１０・・・樹脂封止体、１１・・・遮光
膜なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野信 −（外１名） 第１−図 ｆ４３図 第２図 第４−［４ 第５図 第６図
■−■線における断面図、第３図はこの発明の一実施例
によるパッケージの平面図、第４図は第５図のｆＶ−ｆ
Ｖ線における断面図、第５図はこの発明の他の実施例に
よるパッケージの平面図、第６図は第５図の■−■線に
おける断面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・リードフレーム、３・
・・金属細線、１０・・・樹脂封止体、１１・・・遮光
膜なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野信 −（外１名） 第１−図 ｆ４３図 第２図 第４−［４ 第５図 第６図
Claims (2)
- （１） リードフレームに接着されワイヤボンディン
グされた半導体チップ部を、樹脂封止体により封止した
半導体装置パッケージにおいて、上記樹脂封止体は高純
度炭化水素系樹脂を封止用樹脂として成形され・である
ことを特徴とする半導体装置パッケージ。 - （２）樹脂封止体は外周を全部、又は一部を残して遮光
膜で被覆されであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装質パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015691A JPS59141251A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 半導体装置パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015691A JPS59141251A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 半導体装置パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141251A true JPS59141251A (ja) | 1984-08-13 |
Family
ID=11895780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015691A Pending JPS59141251A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 半導体装置パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2620275A1 (fr) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Thomson Hybrides Microondes | Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences |
| JPH0613148U (ja) * | 1991-07-10 | 1994-02-18 | 修 小川 | 紫外線でデータが消去できるプラスチックパッケージのｉｃ |
| US7582950B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-09-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor chip having gettering layer, and method for manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5088990A (ja) * | 1973-12-10 | 1975-07-17 | ||
| JPS56148852A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57107060A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-02-01 JP JP58015691A patent/JPS59141251A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5088990A (ja) * | 1973-12-10 | 1975-07-17 | ||
| JPS56148852A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57107060A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2620275A1 (fr) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Thomson Hybrides Microondes | Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences |
| JPH0613148U (ja) * | 1991-07-10 | 1994-02-18 | 修 小川 | 紫外線でデータが消去できるプラスチックパッケージのｉｃ |
| US7582950B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-09-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor chip having gettering layer, and method for manufacturing the same |
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