JPS5913309A - 磁気応用デバイスとその製造方法 - Google Patents
磁気応用デバイスとその製造方法Info
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- JPS5913309A JPS5913309A JP12199482A JP12199482A JPS5913309A JP S5913309 A JPS5913309 A JP S5913309A JP 12199482 A JP12199482 A JP 12199482A JP 12199482 A JP12199482 A JP 12199482A JP S5913309 A JPS5913309 A JP S5913309A
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- JP
- Japan
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- diffraction
- application device
- thin film
- alloy
- magnetic application
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は(F、−5i−A、>系合金(以下センダスト
合金と記す)を用いた磁気応用デバイスとその製造方法
に係り、特に良好な磁気特性を有するセンダスト合金と
その製造方法に関するものである。
合金と記す)を用いた磁気応用デバイスとその製造方法
に係り、特に良好な磁気特性を有するセンダスト合金と
その製造方法に関するものである。
従来、センダスト合金薄膜は、DC4極スパッタ、ある
いはMスパッタで製造していた。なかで4、r4極スパ
ッタによるセンダスト合金薄膜の製造方法忙関しては、
紫谷氏(NHK技術研究29巻51頁〜106頁)によ
って系統的に研究されている。紫谷氏は、その系統的研
究の中でスパッタリングガス圧: l X 10 r
、、r、基板温度:350℃、析出速度:α7μmへの
条件下で良好な磁気特性(保磁カニα25〜α5、初透
磁率: 1000〜2000)を有するセンダスト合金
薄膜が作成できることを示している。
いはMスパッタで製造していた。なかで4、r4極スパ
ッタによるセンダスト合金薄膜の製造方法忙関しては、
紫谷氏(NHK技術研究29巻51頁〜106頁)によ
って系統的に研究されている。紫谷氏は、その系統的研
究の中でスパッタリングガス圧: l X 10 r
、、r、基板温度:350℃、析出速度:α7μmへの
条件下で良好な磁気特性(保磁カニα25〜α5、初透
磁率: 1000〜2000)を有するセンダスト合金
薄膜が作成できることを示している。
また、そのセンダスト合金薄膜の結晶構造は、(220
)軸が基板にほぼ垂直に配向した単一配向膜で、(22
0)回折に対する( 224 )回折の相対強度は上5
×10 程度と小さく、かつ(133)超格子回折は程
んど観測されていない。
)軸が基板にほぼ垂直に配向した単一配向膜で、(22
0)回折に対する( 224 )回折の相対強度は上5
×10 程度と小さく、かつ(133)超格子回折は程
んど観測されていない。
しかし、上記の方法は析出速度がおそいの六センダスト
合金薄膜厚さ20〜30μmの磁気応用デバイスを製造
するのに29〜43時間もかかってbた。さらに高析出
速度(−3μfi/h )でセンダスト合金薄膜を製造
すると、この薄膜は磁気特性が悪く、前述した磁気特性
を得るには、この薄膜を600℃で約1時間アニールす
る必要があるのみならず、アニール時にセンダスト合金
薄膜が基板からはく離する現象がみられ、磁気応用デバ
イス製造歩留まシが著しく低下した。
合金薄膜厚さ20〜30μmの磁気応用デバイスを製造
するのに29〜43時間もかかってbた。さらに高析出
速度(−3μfi/h )でセンダスト合金薄膜を製造
すると、この薄膜は磁気特性が悪く、前述した磁気特性
を得るには、この薄膜を600℃で約1時間アニールす
る必要があるのみならず、アニール時にセンダスト合金
薄膜が基板からはく離する現象がみられ、磁気応用デバ
イス製造歩留まシが著しく低下した。
また、使用する基板は耐熱性の点で制限され、センダス
ト合金の応用範囲は著しく制限されていた。
ト合金の応用範囲は著しく制限されていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、高
速析出させてもアニール不要な磁気応用デバイスの製造
方法と、その結果得られた磁気特性良好な磁気応用デバ
イスを提供するにある。
速析出させてもアニール不要な磁気応用デバイスの製造
方法と、その結果得られた磁気特性良好な磁気応用デバ
イスを提供するにある。
そして、本発明の要点は、析出状態(A、dapo)で
アニールすることなく良好な磁気特性が得られるよう々
高析出条件を見い出した点にある。
アニールすることなく良好な磁気特性が得られるよう々
高析出条件を見い出した点にある。
高析出秦件ハ、仄対向スパッタリング法でセンダスト合
金薄膜を形成する場合を例にしてもスパッタリングガス
圧、基板温度、基板の種類等積々の要因に依存する。し
かし、得られたセンダスト合金薄膜は、全てSi6〜H
wtチ、 、41!4〜8wt%、F、残部の組成を有
し、かつ以下の結晶学的性質を有していた。
金薄膜を形成する場合を例にしてもスパッタリングガス
圧、基板温度、基板の種類等積々の要因に依存する。し
かし、得られたセンダスト合金薄膜は、全てSi6〜H
wtチ、 、41!4〜8wt%、F、残部の組成を有
し、かつ以下の結晶学的性質を有していた。
すなわち、第1図は、高速析出させたセンダスト合金薄
膜にCアKaを用いた場合の(224)回折及び(IX
S)超格子回折の(220)に対する相対強度と磁気特
性との関係である。同図中、○印は、保磁カニα5oa
以下、初透磁率: 1000以上の場合、・印は、保磁
カニα5og以上、初透磁率: 1000以下の場合に
つbて代表例を示したものである。
膜にCアKaを用いた場合の(224)回折及び(IX
S)超格子回折の(220)に対する相対強度と磁気特
性との関係である。同図中、○印は、保磁カニα5oa
以下、初透磁率: 1000以上の場合、・印は、保磁
カニα5og以上、初透磁率: 1000以下の場合に
つbて代表例を示したものである。
第1図の結果よ’) 、’5dapeで良好な磁気特性
を有するセンダスト合金薄膜は、(224)回折及び(
113)超格子回折の(220)回折に対する相対強度
が6以上及び1以上のハツチングを施した領域で得られ
ていることがわかる。なお前者の好ましb相対強度の範
囲は5〜200.後者の好ましい相対強度の範囲は1〜
1oであった。
を有するセンダスト合金薄膜は、(224)回折及び(
113)超格子回折の(220)回折に対する相対強度
が6以上及び1以上のハツチングを施した領域で得られ
ていることがわかる。なお前者の好ましb相対強度の範
囲は5〜200.後者の好ましい相対強度の範囲は1〜
1oであった。
また、析出速度は3μm4以上、好ましくけ3〜10μ
m4であった。
m4であった。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第2図に、用いた仄対向スパッタ装置の概略側断面図を
示す。図中42はターゲット、3#′i磁石、4Fi基
板、5は鉄製のカソード、6はシールド、マは基板ホル
ダ、8はペルジャー、9はスペーサーである。
示す。図中42はターゲット、3#′i磁石、4Fi基
板、5は鉄製のカソード、6はシールド、マは基板ホル
ダ、8はペルジャー、9はスペーサーである。
第2図に示した装置を用い、かつターゲットにはF、:
s5.ユwt%+ S@ :Q5”% 、 A :a
4=’glのものを用い、スパッタリング時のガス圧
:4×1claTOrr、基板温度:4oo℃、析出速
度:約5μ杓で □直径2インチのフォトセラム基板上
に厚さ約10μmのセンダスト合金薄膜を得た。
s5.ユwt%+ S@ :Q5”% 、 A :a
4=’glのものを用い、スパッタリング時のガス圧
:4×1claTOrr、基板温度:4oo℃、析出速
度:約5μ杓で □直径2インチのフォトセラム基板上
に厚さ約10μmのセンダスト合金薄膜を得た。
このセンダ、スト薄膜をCuKaを用いて分析した結果
、(224)回折の(220)回折に対する相対強度は
100で、(、113)超格子回折の同相対強度は5で
あった。また同センダスト膜の保磁力はQ 561、初
透磁率は1200であった。
、(224)回折の(220)回折に対する相対強度は
100で、(、113)超格子回折の同相対強度は5で
あった。また同センダスト膜の保磁力はQ 561、初
透磁率は1200であった。
以上述べたように1本発明によれ一高析出速度で析出薄
膜をアニールすることなく良好な磁気特性を有する磁気
応用デバイスが効率良く製造でき、その結果磁気特性良
好な磁気応用デノくイスが得られる。
膜をアニールすることなく良好な磁気特性を有する磁気
応用デバイスが効率良く製造でき、その結果磁気特性良
好な磁気応用デノくイスが得られる。
この意味で、本発明はセンダスト合金薄膜使用磁気応用
デバイスの製造方法及び同薄膜を用いたデバイス開発に
対する寄与は極めて太きh
デバイスの製造方法及び同薄膜を用いたデバイス開発に
対する寄与は極めて太きh
第1図は、センダスト合金薄膜の結晶栴造と磁気特性と
の関係を示す図、第3図は仄対向スパッタ装置の概略側
断面図である。 1.2・・・ターゲット、 3・・・磁石、 4・
・・基板5・・・鉄製カソード、 6・・・シールド
、 マ・・・基第1図 苅格了(IB’)f>(220)v−、’対すδ相対強
度第2記
の関係を示す図、第3図は仄対向スパッタ装置の概略側
断面図である。 1.2・・・ターゲット、 3・・・磁石、 4・
・・基板5・・・鉄製カソード、 6・・・シールド
、 マ・・・基第1図 苅格了(IB’)f>(220)v−、’対すδ相対強
度第2記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 fll F、−5”、−A、系合金薄膜を用いた磁気
応用デバイスにおいて、該合金におけるSiおよびAz
の濃度が夫々6〜Hwt%、4〜F3wt%で、かつこ
の合金のC,LKa線を用いたときに観察される(22
0)回折に対する(244)回折及び(113)超格子
による回折の相対強度が、夫々5以上及び1以上である
ことを特徴とする磁気応用デバイス。 f21 基板上にSi6〜lユwt%、Az 4〜e
wt%、F残部よシなるF、−56−At系合金薄膜で
あって、かつこの合金のCuKa線を周込た時に観察さ
れる(220)回折に対する( 224 )回折及び(
113)成することを特徴とする磁気応用デバイスの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12199482A JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12199482A JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5913309A true JPS5913309A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14824928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12199482A Pending JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913309A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12199482A patent/JPS5913309A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
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