JPS59127540A - Backup power source circuit - Google Patents
Backup power source circuitInfo
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- JPS59127540A JPS59127540A JP58002077A JP207783A JPS59127540A JP S59127540 A JPS59127540 A JP S59127540A JP 58002077 A JP58002077 A JP 58002077A JP 207783 A JP207783 A JP 207783A JP S59127540 A JPS59127540 A JP S59127540A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばＩＣメモリ等安定した電源の供給が要
求される素子に、常時は直流電源装置から電源供給を行
い該直流電源装置の出力低下時にはその直流電源装置に
代わって電池より電源供給するようになされたバックア
ップ用電源回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides power supply to devices that require a stable power supply, such as IC memory, from a DC power supply at all times, and when the output of the DC power supply decreases, the DC power supply is switched on. The present invention relates to a backup power supply circuit which is instead supplied with power from a battery.
従来、この種の回路として第１図に示すものがあった。Conventionally, there has been a circuit of this type as shown in FIG.
図において、（１）は直流電源装置、（２）は充電不可
の電池、（３）は常時は上記直流電源装置（１）から電
源供給され、該直流電源装置（１）の出力低下時には電
池（２）からの電源供給を受けるＩＣメモリで、上記直
流電源装置（１）とＩＣメモリ（３）との間にはｐｎＰ
形トランジスタ（４）が設けられ、またこのトランジス
タ（４）のベースには抵抗器（５）を介してｎｐｎ形ト
ランジスタ（６）のコレクスが接続されており、該トラ
ンジスタ（４）はベース電流制限用の抵抗器（７）を介
して上記直流電源袋Ｍ（１）からベース電流の供給によ
り導通するトランジスタ（６）によって導通制御される
ようになされており、その導通によって直流電源装置（
１）からの電源をＩＣメモリ（３）に供給するようにな
っている。また、（８）は上記直流電源装置（１）から
電池（８）へ逆電流が流れるのを阻止するためのダイオ
ードで、直流電源装置（１）の出力低下時はこのダイオ
ード（８）を介して電池（２）から電源供給されるよう
になっているー。In the figure, (1) is a DC power supply, (2) is a non-rechargeable battery, and (3) is normally supplied with power from the DC power supply (1), and when the output of the DC power supply (1) decreases, the battery is used. (2) is an IC memory that receives power supply from the DC power supply unit (1) and the IC memory (3).
A type transistor (4) is provided, and the base of this transistor (4) is connected to the collector of an npn type transistor (6) via a resistor (5), and the transistor (4) has a base current limiter. The conduction is controlled by the transistor (6) which is turned on by supplying base current from the DC power supply bag M (1) through the resistor (7) for the DC power supply (
Power from 1) is supplied to the IC memory (3). Further, (8) is a diode for preventing reverse current from flowing from the DC power supply (1) to the battery (8), and when the output of the DC power supply (1) decreases, the diode is Power is supplied from the battery (2).
すなわち、第１図構成において、直流電源装置（１）の
出力が正常な場合は抵抗器（７）を通してトランジスタ
（６）へベース電流が流れ、その結果トランジスタ（６
）のコレクタ電流がトランジスタ（４）のベース電流と
なってトランジスタ（４）のエミッタ・コレクタ間が導
通しＩＣメモリ（８）へ直流電源を供給することになる
。次いで停電等で直流電源装置（１）の出力が低下する
と、電池（２）よりダイオード（８）を通してＩＣメモ
リ（８）へ電源を供給するようになっている。That is, in the configuration shown in FIG. 1, when the output of the DC power supply (1) is normal, the base current flows to the transistor (6) through the resistor (7), and as a result, the transistor (6)
) becomes the base current of the transistor (4), conduction occurs between the emitter and collector of the transistor (4), and DC power is supplied to the IC memory (8). Next, when the output of the DC power supply (1) decreases due to a power outage or the like, power is supplied from the battery (2) to the IC memory (8) through the diode (8).
しかるに、上記構成においては、ｐｎｐ形トランジスタ
（４）のコレクタ（言い換えればＩＣメモリ（３）のＶ
ｃｃ入力端）と電池（２）の陽極端との間に直流電源装
置（１）の正常時にこの直流電源装置（１）から電池（
２）へ逆電流が流れるのを阻止するダイオード（８）を
設けることを必要としているため、電池（２）から電源
を供給する場合、このダイオード（８）の順方向電圧降
下のためＩＣメモリ（３）に供給される電源電圧が電池
（２）の両端電圧より通常０．２Ｖ〜０．７Ｖ（ダイオ
ードの種類や流れる電流により差がある）程度低下する
ことになり、この電圧の低下によって電池（２）の電圧
とＩＣメモリ（３）の記憶保持のだめの動作電圧最低値
との間に差がない場合はメモリ（３）に定電圧の供給を
行い得なくその記憶保持機能に大きく影響を及ぼすこと
になるという不具合があった。However, in the above configuration, the collector of the pnp transistor (4) (in other words, the V of the IC memory (3)
cc input terminal) and the anode end of the battery (2).
Since it is necessary to provide a diode (8) to prevent reverse current from flowing to the IC memory (2), when power is supplied from the battery (2), the forward voltage drop of this diode (8) 3) The power supply voltage supplied to the battery (2) will normally be 0.2V to 0.7V lower than the voltage across the battery (2) (depending on the type of diode and the current flowing), and this voltage drop will cause the battery to If there is no difference between the voltage of (2) and the minimum operating voltage of the memory retention device of the IC memory (3), a constant voltage cannot be supplied to the memory (3), which will greatly affect its memory retention function. There was a problem that it would cause damage.
そこで、本発明は上記のような従来のものの不具合を解
消するためになされたもので、電池とメモリとの間に電
圧降下の極めい小さいトランジスタを設け、直流電源装
置の出力低下時にこのトランジスタを導通せしめる゛構
成とすることにより、常にメモリに定電圧の電源を供給
してその記憶保持機能に支障をきたすことのないバック
アップ用電源回路を提供するものである。Therefore, the present invention was made in order to solve the above-mentioned problems of the conventional devices.A transistor with extremely small voltage drop is provided between the battery and the memory, and this transistor is activated when the output of the DC power supply device decreases. By adopting a conductive configuration, it is possible to provide a backup power supply circuit that constantly supplies constant voltage power to the memory without interfering with its memory retention function.
以下、本発明の一実施例を第１図と同一部分は同一符号
を附して示す第２図について説明する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2, in which the same parts as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
第２図において、（８）は従来のダイオード（８）に代
わって電池（２）とＩＣメモリ（３）との間に設けられ
たエミッタ・コレクタ間電圧降下の極めて小さいｐｎｐ
形トランジスタ、（１０）はこのトランジスタ（８）の
ベースに抵抗（１１）を介してコレクタが接続されたｎ
ｐｎ形ｌ・ランジスタで、そのエミッタはダイオード（
１２）を介して直流電源装置（１）の陽極端に接続され
、またベースは抵抗（１３）を介して電池（２）の陽極
端に接続されている。なお、（１４）はトランジスタ（
ｌＯ）のエミッタ抵抗である。In Figure 2, (8) is a PNP with an extremely small emitter-collector voltage drop, which is installed between the battery (2) and the IC memory (3) in place of the conventional diode (8).
The transistor (10) is an n-type transistor whose collector is connected to the base of the transistor (8) via a resistor (11).
It is a pn type L transistor, and its emitter is a diode (
The base is connected to the positive end of the DC power supply (1) through a resistor (12), and the base is connected to the positive end of the battery (2) through a resistor (13). Note that (14) is a transistor (
is the emitter resistance of lO).
上記構成で成る電源回路は次のようにして動作する。先
ず、直流電源装置（１）の出力が正常な場合は、従来の
回路と同じ動作で直流電源装置（１）よりトランジスタ
（４）を通しＩＣメモリ（３）へ直流電源が供給される
。しかして、この時、直流電源装置（１）の出力電圧が
ダイオード（１２）を通しトランジスタ（１０）のエミ
ッタに供給されるが、通常電池（２）の電圧より直流電
源装置（１）の出力電圧が高く設定されるのでトランジ
スタ（１０）は逆バイアス状態となり、トランジスタ（
１０）にはベース電流は流れずコレクタ・エミッタ間は
ＯＦＦ状態となって、このトランジスタ（１０）がＯＦ
Ｆのためトランジスタ（８）もＯＦＦ状態であり、した
がって電池（２）は電気的に回路より切り離された状態
となっている。The power supply circuit having the above configuration operates as follows. First, when the output of the DC power supply (1) is normal, DC power is supplied from the DC power supply (1) to the IC memory (3) through the transistor (4) in the same operation as the conventional circuit. At this time, the output voltage of the DC power supply (1) is supplied to the emitter of the transistor (10) through the diode (12), but normally the output voltage of the DC power supply (1) is lower than the voltage of the battery (2). Since the voltage is set high, the transistor (10) becomes reverse biased, and the transistor (10) becomes reverse biased.
No base current flows through transistor (10), and the collector-emitter is in an OFF state, and this transistor (10) is turned off.
Because of F, the transistor (8) is also in an OFF state, so the battery (2) is electrically disconnected from the circuit.
次に、停電等で直流電源装置（１）の出力がなくなると
、トランジスタ（ｌＯ）の逆バイアスがなくなり電池（
２）より抵抗器（１３）を通しトランジスタ（１０）に
ベース電流が流れてこのトランジスタ（１０）は導通状
態となり、したがってトランジスタ（９）には電池（２
）の陽極→トランジスタ（８）のエミッタートランジス
タ（８）のコレクタ→゛−抵抗器（１１）→トランジス
タ（１０）のコレクタ→トランジスタ（１０）のエミッ
タ→抵抗器（１４）→電池（６）の陰極の順でベース電
流が流れる。そのためトランジスタ（８）は導通状態と
なり、電池（２）の電圧はこのトランジスタ（８）を通
しＩＣメモリ（２）に供給される。このときのトランジ
スタ（８）のエミッタ・コレクタ間の電圧降下は０．１
ｖ以下となり、はとんど電圧降下することなくＩＣメモ
リ（３）に定電圧の電源を供給することができ、その記
憶保持機能に支障を与えることはない。Next, when the output of the DC power supply (1) disappears due to a power outage, etc., the reverse bias of the transistor (IO) disappears and the battery (
2), the base current flows to the transistor (10) through the resistor (13), and this transistor (10) becomes conductive, so that the transistor (9) has a battery (2).
) anode → emitter of transistor (8) collector of transistor (8) → resistor (11) → collector of transistor (10) → emitter of transistor (10) → resistor (14) → battery (6) The base current flows in the order of the cathode. Therefore, the transistor (8) becomes conductive, and the voltage of the battery (2) is supplied to the IC memory (2) through this transistor (8). At this time, the voltage drop between the emitter and collector of transistor (8) is 0.1
V or less, constant voltage power can be supplied to the IC memory (3) without any voltage drop, and its memory retention function will not be affected.
以上にように本発明によれば、電池とメモリとの間に電
圧降下の極めて小さいトランジスタを設け、直流電源装
置の出力低下時にこのトランジスタを導通せしめる構成
としたので、メモリに常に定電圧の電源を供給すること
ができ、その記憶保持機能に支障をきたすことのないバ
ックアップ用電源回路を得ることができるという効果を
奏する。As described above, according to the present invention, a transistor with an extremely small voltage drop is provided between the battery and the memory, and this transistor is made conductive when the output of the DC power supply device decreases, so that the memory is always supplied with a constant voltage power supply. This has the effect of providing a backup power supply circuit that can supply the following data without interfering with its memory retention function.
第１図は従来のバックアップ用電源回路を示す回路図、
−第２図は本発明の一実施例によるバックアップ用電源
回路を示す回路図である。
（１）・・・直流電源装置、 （２）・・・電池（３）
・・・ＩＣメモリ、
（４） 、（ｅ）、（８）、（１０）・・・トランジス
タ、（５）、（？）、（１１）、 （１３）、（１４）
・・・抵抗、（１２）・・・ダイオード。
なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 葛野 信−
第１図
′第２図Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional backup power supply circuit.
- FIG. 2 is a circuit diagram showing a backup power supply circuit according to an embodiment of the present invention. (1)...DC power supply device, (2)...Battery (3)
...IC memory, (4), (e), (8), (10)...transistor, (5), (?), (11), (13), (14)
...Resistor, (12)...Diode. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Agent Makoto Kuzuno - Figure 1' Figure 2
Claims (1)
電源装置の出力低下時に該直流電源装置に代わって上記
メモリに電源供給する電池とを備えたバックアップ用電
源回路において、上記電池とメモリとの間にエミッター
コレクタ間電圧降下の極めて小さいトランジスタを設け
て、上記直流電源装置の出力低下時に該トランジスタを
導通させる構成としたことを＃徴とするバックアップ用
電源回路。A backup power supply circuit comprising a DC power supply that supplies operating power to the memory, and a battery that supplies power to the memory in place of the DC power supply when the output of the DC power supply decreases, wherein the battery and the memory are connected to each other. A backup power supply circuit characterized in that a transistor having an extremely small emitter-collector voltage drop is provided between the two, and the transistor is made conductive when the output of the DC power supply device decreases.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002077A JPS59127540A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Backup power source circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002077A JPS59127540A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Backup power source circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127540A true JPS59127540A (en) | 1984-07-23 |
Family
ID=11519275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002077A Pending JPS59127540A (en) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | Backup power source circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127540A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0584150U (en) * | 1984-08-10 | 1993-11-12 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Uninterruptible voltage switching device |
| JP6407381B1 (en) * | 2017-09-21 | 2018-10-17 | 三菱電機株式会社 | In-vehicle electronic control unit with post-power failure processing function |
-
1983
- 1983-01-08 JP JP58002077A patent/JPS59127540A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0584150U (en) * | 1984-08-10 | 1993-11-12 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Uninterruptible voltage switching device |
| JP6407381B1 (en) * | 2017-09-21 | 2018-10-17 | 三菱電機株式会社 | In-vehicle electronic control unit with post-power failure processing function |
| JP2019055667A (en) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | On-vehicle electronic control device having power failure post-processing function |
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