JPS59125729A - ドライ現像ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ドライ現像ポジ型レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS59125729A JPS59125729A JP21698682A JP21698682A JPS59125729A JP S59125729 A JPS59125729 A JP S59125729A JP 21698682 A JP21698682 A JP 21698682A JP 21698682 A JP21698682 A JP 21698682A JP S59125729 A JPS59125729 A JP S59125729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist composition
- methyl
- aromatic ring
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はドライ現岱ポジ型レジスト組成物に関する。更
に詳しく述べるならば、本発明は電子線、X綜イオンビ
ーム、DeepUv線等の放射線により露光後、敢素プ
ラズマ、アルゴンガスプラズマ、酸カーアルゴン混合ガ
スプラズマ、酸素−弗素系ガス混合プラズマなどを用い
て現像することのできるドライ現像ポジ型レジスト組成
物に関する。
に詳しく述べるならば、本発明は電子線、X綜イオンビ
ーム、DeepUv線等の放射線により露光後、敢素プ
ラズマ、アルゴンガスプラズマ、酸カーアルゴン混合ガ
スプラズマ、酸素−弗素系ガス混合プラズマなどを用い
て現像することのできるドライ現像ポジ型レジスト組成
物に関する。
(2) 技術の背景及び従来技術と問題点従来、半導
体県債回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成には、現像液(主に有機溶剤)を用いて現
像するレジストが使用されている。例えば、電子線ポジ
型レジストのポリメチルメタクリレートやネガ型のポリ
グリシジルメタクリレ−1・などがある。これらの従来
のレジストは現像液を使用して現像するために、レジス
トが現像時に膨潤や収縮を起し、ザブミクロンのパター
ンを形成することは困難である。また、現像液全多量に
使用する点及びその廃棄処理に多大な経費を必要として
いた。
体県債回路等の電子デバイスの製造におけるレジストパ
ターンの形成には、現像液(主に有機溶剤)を用いて現
像するレジストが使用されている。例えば、電子線ポジ
型レジストのポリメチルメタクリレートやネガ型のポリ
グリシジルメタクリレ−1・などがある。これらの従来
のレジストは現像液を使用して現像するために、レジス
トが現像時に膨潤や収縮を起し、ザブミクロンのパター
ンを形成することは困難である。また、現像液全多量に
使用する点及びその廃棄処理に多大な経費を必要として
いた。
(3)発明の目的および構成
本発明は、かかる従来の欠点を解消しかつ微細レジスト
パターンを与えるドライ現伶ポジ型レジスト組成物を提
供することをその目的とする。
パターンを与えるドライ現伶ポジ型レジスト組成物を提
供することをその目的とする。
かかる本発明のレジスト組成物は、分子構造中に芳香環
ヲ有する高分子化合物に於て、芳香環に結合する水素を
ハロゲン化アルキルにて1個又は2個置換した高分子化
合物および下記一般式■又は■で表わされるシリコン化
合物を1〜50重量係含有せしめてなることを特徴とす
る。
ヲ有する高分子化合物に於て、芳香環に結合する水素を
ハロゲン化アルキルにて1個又は2個置換した高分子化
合物および下記一般式■又は■で表わされるシリコン化
合物を1〜50重量係含有せしめてなることを特徴とす
る。
一般式I:
一般式■:
上記式中、Xはそれぞれメチル基、フェニル基、ビフェ
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Yは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
t−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、2は水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、t−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、1≦ル≦5である。
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Yは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
t−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、2は水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、t−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、1≦ル≦5である。
本発明において、芳香環に結合する水素ヲ7・ロゲン化
アルキルで置換した高分子化合物は、例えばクロルメチ
ル化ポリスチレン、クロロメチル化ポリα−メチルスチ
レン等のポリスチレン、ポリα−メチルスチレンのハロ
ゲン化アルキルfft換体等がある。
アルキルで置換した高分子化合物は、例えばクロルメチ
ル化ポリスチレン、クロロメチル化ポリα−メチルスチ
レン等のポリスチレン、ポリα−メチルスチレンのハロ
ゲン化アルキルfft換体等がある。
本発明は上記高分子化合物に一般式(1)および(It
)で示される有機シリコン化合物を混合した組成物に於
て、電子線を照射した部分と照射しない部分との酸素プ
ラズマのエツチング速匪比が著しく大きいことの知見全
完成されたものである。
)で示される有機シリコン化合物を混合した組成物に於
て、電子線を照射した部分と照射しない部分との酸素プ
ラズマのエツチング速匪比が著しく大きいことの知見全
完成されたものである。
本発明における式(1)で表わされるシリコン化合物と
しては、例えばトリフェニルシラン、トリフェニルビニ
ルシラン、トリフェニルシラノール、1.2−ジメチル
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランおよび1.
1.1−トリメチル−2,2,2−トリフェニルジシラ
ンがあげられる。また1、式(II)で表わされるシリ
コン化合物の例として、例えば1.3−ジメチル−1,
1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、ヘキサフェ
ニルシクロトリシロキサンおよびオクタフェニルシクロ
テトラシロキサンがあげられる。
しては、例えばトリフェニルシラン、トリフェニルビニ
ルシラン、トリフェニルシラノール、1.2−ジメチル
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランおよび1.
1.1−トリメチル−2,2,2−トリフェニルジシラ
ンがあげられる。また1、式(II)で表わされるシリ
コン化合物の例として、例えば1.3−ジメチル−1,
1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、ヘキサフェ
ニルシクロトリシロキサンおよびオクタフェニルシクロ
テトラシロキサンがあげられる。
本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法は通
常の方法に従い、次の如き操作により実施することがで
きる。即ち、第1図の(イ)に示す如く、先ず基板1上
にレジスト層2を形成する。例えば、スピンコード法に
よりレジスト組成液を塗布し、60〜80℃の温症で1
0〜30分間プリベークする。次に、これを(ロ)に示
す如く電子線等に露光する。これにより、レジスト層2
の露光部分3に化学反応により新たな物質が生成される
。
常の方法に従い、次の如き操作により実施することがで
きる。即ち、第1図の(イ)に示す如く、先ず基板1上
にレジスト層2を形成する。例えば、スピンコード法に
よりレジスト組成液を塗布し、60〜80℃の温症で1
0〜30分間プリベークする。次に、これを(ロ)に示
す如く電子線等に露光する。これにより、レジスト層2
の露光部分3に化学反応により新たな物質が生成される
。
次に、これ1ffi素プラズマ等によりプラズマ処理す
ることにより露光部分3が除去されて、第1図の(ハ)
に示す如く所望のレジストパターンが得うれるのである
。
ることにより露光部分3が除去されて、第1図の(ハ)
に示す如く所望のレジストパターンが得うれるのである
。
以下、実施例により本発明を更に説明する。
(4)発明の実施例
実施例1゜
クロロメチル化ポリスチレン(8wt%キシレン溶液)
にトリフェニルシラン’125wt%添加した。このレ
ジスト液をスピナーによるシリコン基板上に1μmの膜
厚にて塗布し、60℃にて20分間プリベーキングを行
なった。加速電圧30kVにて電子線を露光した後試料
をドライエツチング装置内に入れ、8 X 10 P
a 甘で試料室を排気した。現像ガスとして8素を用
い、ガス圧15Pa印加電力密度0,3W/crILに
て10分間現像を行なった。レジストはボン型特性を示
し、感就2.5X10−50イd、残膜率75係であっ
た。
にトリフェニルシラン’125wt%添加した。このレ
ジスト液をスピナーによるシリコン基板上に1μmの膜
厚にて塗布し、60℃にて20分間プリベーキングを行
なった。加速電圧30kVにて電子線を露光した後試料
をドライエツチング装置内に入れ、8 X 10 P
a 甘で試料室を排気した。現像ガスとして8素を用
い、ガス圧15Pa印加電力密度0,3W/crILに
て10分間現像を行なった。レジストはボン型特性を示
し、感就2.5X10−50イd、残膜率75係であっ
た。
実施例2゜
クロロメチル化ポリα−メチルスチレンに1.2−ジメ
チル−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン25w
t5k添加しレジスト液とした。このレジスト液を使用
し、以下実施例1と1【]様にして試料作製、露光、ド
ライ現像を行なった。このレジストの感度は5 X’I
0−507.t、残膜率60チであった。
チル−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン25w
t5k添加しレジスト液とした。このレジスト液を使用
し、以下実施例1と1【]様にして試料作製、露光、ド
ライ現像を行なった。このレジストの感度は5 X’I
0−507.t、残膜率60チであった。
(5)発明の効果
本発明のレジスト組成物においてはエツチング速度比が
犬であるため膜厚の高いレジスト層(ターンを得ること
ができ、更に、ガラス転位温度が高いため、プラズマ甲
での熱によるレジスト層<ターンの軟化が起こり難く、
従って解像性の非常に高いパターンを与える効果を奏す
る。質にドライ酸でちるので、従来のメ;」<廃棄物の
処理の問題も生じない。
犬であるため膜厚の高いレジスト層(ターンを得ること
ができ、更に、ガラス転位温度が高いため、プラズマ甲
での熱によるレジスト層<ターンの軟化が起こり難く、
従って解像性の非常に高いパターンを与える効果を奏す
る。質にドライ酸でちるので、従来のメ;」<廃棄物の
処理の問題も生じない。
第1図は本発明の方法によりポジ堀しジントバクーン全
形成する工程を模式的に示すフローシートでちる。 図において、1は基板、2はレジスト層、そして3は露
光部分である。 143
形成する工程を模式的に示すフローシートでちる。 図において、1は基板、2はレジスト層、そして3は露
光部分である。 143
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、分子構造中に芳香環ヲ有する高分子化合物に於て、
芳香環に結合する水素?・ロゲン化アルキルにて1個又
は2個置換した高分子化合物および下記一般式I又は■
で表わされるシリコン化合物を1〜50重量係含有せし
めてなるドライ現像ポジ型レジスト組成物。 一般式I: 一般式Il: 上記式中、Xはそれぞれメチル基、フェニル基、ビフェ
ニル基、フェニルアミノ基、フェノキシ基、ベンジル基
、シアノ基、ビニル基又はアセトキシ基を表わし、Yは
フェニル基、ヒドロキシル基、ベンジル基、メチル基、
t−ブチル基、フェノキシ基、ハロゲン原子、ビフェニ
ル基又はアセトキシ基を表わし、Zは水素原子、ヒドロ
キシ基、アジド基、ビニル基、エトキシ基、ブトキシ基
、フェノキシ基、ハロゲン原子、ベンジル基、メチル基
、t−ブチル基、ビフェニル基又はアセトキシ基を表わ
し、1≦ル≦5である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21698682A JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21698682A JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59125729A true JPS59125729A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16697021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21698682A Pending JPS59125729A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59125729A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63184746A (ja) * | 1984-04-05 | 1988-07-30 | アメリカ合衆国 | 基板表面にポジ像を形成する方法 |
JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21698682A patent/JPS59125729A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63184746A (ja) * | 1984-04-05 | 1988-07-30 | アメリカ合衆国 | 基板表面にポジ像を形成する方法 |
JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
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