JPS59119721A - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS59119721A JPS59119721A JP57226609A JP22660982A JPS59119721A JP S59119721 A JPS59119721 A JP S59119721A JP 57226609 A JP57226609 A JP 57226609A JP 22660982 A JP22660982 A JP 22660982A JP S59119721 A JPS59119721 A JP S59119721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- defect
- electron beam
- beams
- rectangle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は電子ビームを照射してパターンの良否を検査す
る/4ターン検査方法に関するものである。
る/4ターン検査方法に関するものである。
(2)従来技術と問題点
電子ビーム露光等によシ形成さnたレジストパターンで
とくにフィールド接合部の良否を判定する方法として従
来から種々の方法が提案さnているが第1図0)はその
1例である。すなわち第1図(、)のごとく微小に絞っ
た1、子ビームlを例えばX方向にある測定範囲にわた
ってラスター走査し、検出した信号を基準信号と比較す
ることによって接合部に欠陥があるかどうかを判別する
ことができる。第1図(b)においてX軸は検出信号の
大きさをy軸は検出された位置における時間を示し、2
は基準信号を3は検出信号を示す。第1図(b)におい
ては第1図(、)の時間t1に対応する位置に異常信号
があられ孔欠陥の検出されたことを示している。々お第
1図(、)において4は電子ビームの走査範囲を示す。
とくにフィールド接合部の良否を判定する方法として従
来から種々の方法が提案さnているが第1図0)はその
1例である。すなわち第1図(、)のごとく微小に絞っ
た1、子ビームlを例えばX方向にある測定範囲にわた
ってラスター走査し、検出した信号を基準信号と比較す
ることによって接合部に欠陥があるかどうかを判別する
ことができる。第1図(b)においてX軸は検出信号の
大きさをy軸は検出された位置における時間を示し、2
は基準信号を3は検出信号を示す。第1図(b)におい
ては第1図(、)の時間t1に対応する位置に異常信号
があられ孔欠陥の検出されたことを示している。々お第
1図(、)において4は電子ビームの走査範囲を示す。
第1図(、)に示した方法では電子ビーム1をX方向に
ラスター走査するため走査のために多大の時間を要し、
迅速な・母ターン検査ができないという欠点がある。
ラスター走査するため走査のために多大の時間を要し、
迅速な・母ターン検査ができないという欠点がある。
(3)発明の目的
本発明はこの従来の方法の欠点にかんがみ電子ビーム露
光等により形成されたレジストパターンで特にフィール
ド接合部の良否を短時間で判定するためのパターン検査
方法を提供することを目的とするものである。
光等により形成されたレジストパターンで特にフィール
ド接合部の良否を短時間で判定するためのパターン検査
方法を提供することを目的とするものである。
(4) 発明の構成
この目的は本発明によれば電子ビームを被検査ノ4クー
ンに照射し、該パターンよシの反射電子、2次電子を検
知して前記パターンの欠陥を検査する・母ターン検査方
法において、前記電子ビームの断面形状を走査方向に対
して長方形とし、前記電子ビームを前記長方形の長辺と
直角に前記パターンの長辺に沿って走査することを特徴
とするパターン検査方法を提供することによって達成さ
nる〇(5)発明の実施例 以下本発明にか\る方法の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
ンに照射し、該パターンよシの反射電子、2次電子を検
知して前記パターンの欠陥を検査する・母ターン検査方
法において、前記電子ビームの断面形状を走査方向に対
して長方形とし、前記電子ビームを前記長方形の長辺と
直角に前記パターンの長辺に沿って走査することを特徴
とするパターン検査方法を提供することによって達成さ
nる〇(5)発明の実施例 以下本発明にか\る方法の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
本発明の方法は第2図(、)に示すように断面が長方形
6をなす電子ビームを長方形の長辺と直角方向にパター
ン5に沿って方向7に1回の走査でその目的を達成でき
るので高速化が可能となる。第2図(a)において5は
レジストパターン、5&は接合部の欠陥、7は走査方向
をそnぞn示す。第2図(b)は検出信号30大きさと
基準信号2との関係を示し、第2図(a)の欠陥部5&
において検出される信号が異常を示す状態が明らかにさ
れている。
6をなす電子ビームを長方形の長辺と直角方向にパター
ン5に沿って方向7に1回の走査でその目的を達成でき
るので高速化が可能となる。第2図(a)において5は
レジストパターン、5&は接合部の欠陥、7は走査方向
をそnぞn示す。第2図(b)は検出信号30大きさと
基準信号2との関係を示し、第2図(a)の欠陥部5&
において検出される信号が異常を示す状態が明らかにさ
れている。
第3図(4)は電子ビーム6a+6bt6c+6d。
6eを用いて種々のノ4ターン8m+8bt8e+8d
、8eft走査した場合を示し、第3図(B)はその検
出信号を示すものである。第3図の)において(、)〜
(、)はそれぞれ第3図に)の(a)〜(、)に対応し
、・9ターンに欠陥がある場合には検出信号に異常点が
あられれる。なお(、)は欠陥がない場合の検出信号を
示す。
、8eft走査した場合を示し、第3図(B)はその検
出信号を示すものである。第3図の)において(、)〜
(、)はそれぞれ第3図に)の(a)〜(、)に対応し
、・9ターンに欠陥がある場合には検出信号に異常点が
あられれる。なお(、)は欠陥がない場合の検出信号を
示す。
第4図は本発明にか\る方法を実施するための装置の1
実施例を示し、図においてllは方形電子ビーム、12
は偏向回路、13はビーム整形回路、14はステージ、
15は被測定試料、16は検出器、17はビーム偏向お
よびブランキング回路、18は1準信号発生器、19は
比較回路、20はモニター、21はステージ位置制御回
路である。すなわち方形波電子ビーム11の情報信号は
検出器16により検出されて比較回路19に入力されζ
\において基準信号発生器18よシの基準信号と比較さ
れる。その比較さnた信号はモニター20よシ出力され
る。なおビーム偏向およびブランキング回路17は偏向
器12、基準信号発生器18およびモニター20を制御
する回路であフステージ位置制御回路21はステージ1
4の位置とモニター20の同期をとる回路である。
実施例を示し、図においてllは方形電子ビーム、12
は偏向回路、13はビーム整形回路、14はステージ、
15は被測定試料、16は検出器、17はビーム偏向お
よびブランキング回路、18は1準信号発生器、19は
比較回路、20はモニター、21はステージ位置制御回
路である。すなわち方形波電子ビーム11の情報信号は
検出器16により検出されて比較回路19に入力されζ
\において基準信号発生器18よシの基準信号と比較さ
れる。その比較さnた信号はモニター20よシ出力され
る。なおビーム偏向およびブランキング回路17は偏向
器12、基準信号発生器18およびモニター20を制御
する回路であフステージ位置制御回路21はステージ1
4の位置とモニター20の同期をとる回路である。
第5図は第4図における装置の動作の各部波形を示すも
のであって、(a)は偏向コイル12に印加される偏向
信号波形で、a□はビームオンの位置、blはビームオ
フの位置を示す。(b)は基準信号発生器18の発生す
る基準信号波形、(c)は検出器の発生する情報信号波
形であり、clは欠陥部を検出した場合の波形である。
のであって、(a)は偏向コイル12に印加される偏向
信号波形で、a□はビームオンの位置、blはビームオ
フの位置を示す。(b)は基準信号発生器18の発生す
る基準信号波形、(c)は検出器の発生する情報信号波
形であり、clは欠陥部を検出した場合の波形である。
なお(d)は波形(b)と(c)を比較してモニター2
0に得られるモニタ出力波形である。
0に得られるモニタ出力波形である。
(6)発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば方形波電子ビ
ームを使用することにより仮めて短時間にレジストパタ
ーンのフィールド接合部等の良否を短時間で判定するこ
とが可能であル、電子ビーム露光等によ多形成されたレ
ジストパターンの検査等においてその効果は頗る大であ
る。
ームを使用することにより仮めて短時間にレジストパタ
ーンのフィールド接合部等の良否を短時間で判定するこ
とが可能であル、電子ビーム露光等によ多形成されたレ
ジストパターンの検査等においてその効果は頗る大であ
る。
第1図は従来の/4ターン検査方法の動作説明図、第2
図は本発明にか\るパターン検査方法の動作説明図、第
3図は本発明にか\る方法で検出した種りの欠陥と検出
信号との関係を示す図、第4図は本発明にか\る方法を
実施するための装置の1実施例、第5図は第4図の装置
における各部動作波形を示す図である。 図において11が方形波電子ビーム、16が検出器、1
8が基準信号発生器、19が比較回路、20がモニター
である。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 (CI) (b)第2図 (Q) (b) 第3回 (△) (a) (b) (c) (d) (e)(
B) →時間
図は本発明にか\るパターン検査方法の動作説明図、第
3図は本発明にか\る方法で検出した種りの欠陥と検出
信号との関係を示す図、第4図は本発明にか\る方法を
実施するための装置の1実施例、第5図は第4図の装置
における各部動作波形を示す図である。 図において11が方形波電子ビーム、16が検出器、1
8が基準信号発生器、19が比較回路、20がモニター
である。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 (CI) (b)第2図 (Q) (b) 第3回 (△) (a) (b) (c) (d) (e)(
B) →時間
Claims (1)
- 電子ビームを被検査パターンに照射し、該パターンよシ
の反射電子、2次電子を検知して前記パターンの欠陥を
検査するノ4ターン検査方法において、前記電子ビーム
の断面形状を走査方向に対して長方形とし、前記電子ビ
ームを前記長方形の長辺と直角に前記パターンの長辺に
沿って走査することを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57226609A JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57226609A JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119721A true JPS59119721A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16847874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57226609A Pending JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119721A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57226609A patent/JPS59119721A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
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