JPS59119721A - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS59119721A JPS59119721A JP57226609A JP22660982A JPS59119721A JP S59119721 A JPS59119721 A JP S59119721A JP 57226609 A JP57226609 A JP 57226609A JP 22660982 A JP22660982 A JP 22660982A JP S59119721 A JPS59119721 A JP S59119721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- defect
- electron beam
- beams
- rectangle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子ビームを照射してパターンの良否を検査す
る／４ターン検査方法に関するものである。
る／４ターン検査方法に関するものである。
（２）従来技術と問題点
電子ビーム露光等によシ形成さｎたレジストパターンで
とくにフィールド接合部の良否を判定する方法として従
来から種々の方法が提案さｎているが第１図０）はその
１例である。すなわち第１図（、）のごとく微小に絞っ
た１、子ビームｌを例えばＸ方向にある測定範囲にわた
ってラスター走査し、検出した信号を基準信号と比較す
ることによって接合部に欠陥があるかどうかを判別する
ことができる。第１図（ｂ）においてＸ軸は検出信号の
大きさをｙ軸は検出された位置における時間を示し、２
は基準信号を３は検出信号を示す。第１図（ｂ）におい
ては第１図（、）の時間ｔ１に対応する位置に異常信号
があられ孔欠陥の検出されたことを示している。々お第
１図（、）において４は電子ビームの走査範囲を示す。
とくにフィールド接合部の良否を判定する方法として従
来から種々の方法が提案さｎているが第１図０）はその
１例である。すなわち第１図（、）のごとく微小に絞っ
た１、子ビームｌを例えばＸ方向にある測定範囲にわた
ってラスター走査し、検出した信号を基準信号と比較す
ることによって接合部に欠陥があるかどうかを判別する
ことができる。第１図（ｂ）においてＸ軸は検出信号の
大きさをｙ軸は検出された位置における時間を示し、２
は基準信号を３は検出信号を示す。第１図（ｂ）におい
ては第１図（、）の時間ｔ１に対応する位置に異常信号
があられ孔欠陥の検出されたことを示している。々お第
１図（、）において４は電子ビームの走査範囲を示す。
第１図（、）に示した方法では電子ビーム１をＸ方向に
ラスター走査するため走査のために多大の時間を要し、
迅速な・母ターン検査ができないという欠点がある。
ラスター走査するため走査のために多大の時間を要し、
迅速な・母ターン検査ができないという欠点がある。
（３）発明の目的
本発明はこの従来の方法の欠点にかんがみ電子ビーム露
光等により形成されたレジストパターンで特にフィール
ド接合部の良否を短時間で判定するためのパターン検査
方法を提供することを目的とするものである。
光等により形成されたレジストパターンで特にフィール
ド接合部の良否を短時間で判定するためのパターン検査
方法を提供することを目的とするものである。
（４） 発明の構成
この目的は本発明によれば電子ビームを被検査ノ４クー
ンに照射し、該パターンよシの反射電子、２次電子を検
知して前記パターンの欠陥を検査する・母ターン検査方
法において、前記電子ビームの断面形状を走査方向に対
して長方形とし、前記電子ビームを前記長方形の長辺と
直角に前記パターンの長辺に沿って走査することを特徴
とするパターン検査方法を提供することによって達成さ
ｎる〇（５）発明の実施例 以下本発明にか＼る方法の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
ンに照射し、該パターンよシの反射電子、２次電子を検
知して前記パターンの欠陥を検査する・母ターン検査方
法において、前記電子ビームの断面形状を走査方向に対
して長方形とし、前記電子ビームを前記長方形の長辺と
直角に前記パターンの長辺に沿って走査することを特徴
とするパターン検査方法を提供することによって達成さ
ｎる〇（５）発明の実施例 以下本発明にか＼る方法の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
本発明の方法は第２図（、）に示すように断面が長方形
６をなす電子ビームを長方形の長辺と直角方向にパター
ン５に沿って方向７に１回の走査でその目的を達成でき
るので高速化が可能となる。第２図（ａ）において５は
レジストパターン、５＆は接合部の欠陥、７は走査方向
をそｎぞｎ示す。第２図（ｂ）は検出信号３０大きさと
基準信号２との関係を示し、第２図（ａ）の欠陥部５＆
において検出される信号が異常を示す状態が明らかにさ
れている。
６をなす電子ビームを長方形の長辺と直角方向にパター
ン５に沿って方向７に１回の走査でその目的を達成でき
るので高速化が可能となる。第２図（ａ）において５は
レジストパターン、５＆は接合部の欠陥、７は走査方向
をそｎぞｎ示す。第２図（ｂ）は検出信号３０大きさと
基準信号２との関係を示し、第２図（ａ）の欠陥部５＆
において検出される信号が異常を示す状態が明らかにさ
れている。
第３図（４）は電子ビーム６ａ＋６ｂｔ６ｃ＋６ｄ。
６ｅを用いて種々のノ４ターン８ｍ＋８ｂｔ８ｅ＋８ｄ
、８ｅｆｔ走査した場合を示し、第３図（Ｂ）はその検
出信号を示すものである。第３図の）において（、）〜
（、）はそれぞれ第３図に）の（ａ）〜（、）に対応し
、・９ターンに欠陥がある場合には検出信号に異常点が
あられれる。なお（、）は欠陥がない場合の検出信号を
示す。
、８ｅｆｔ走査した場合を示し、第３図（Ｂ）はその検
出信号を示すものである。第３図の）において（、）〜
（、）はそれぞれ第３図に）の（ａ）〜（、）に対応し
、・９ターンに欠陥がある場合には検出信号に異常点が
あられれる。なお（、）は欠陥がない場合の検出信号を
示す。
第４図は本発明にか＼る方法を実施するための装置の１
実施例を示し、図においてｌｌは方形電子ビーム、１２
は偏向回路、１３はビーム整形回路、１４はステージ、
１５は被測定試料、１６は検出器、１７はビーム偏向お
よびブランキング回路、１８は１準信号発生器、１９は
比較回路、２０はモニター、２１はステージ位置制御回
路である。すなわち方形波電子ビーム１１の情報信号は
検出器１６により検出されて比較回路１９に入力されζ
＼において基準信号発生器１８よシの基準信号と比較さ
れる。その比較さｎた信号はモニター２０よシ出力され
る。なおビーム偏向およびブランキング回路１７は偏向
器１２、基準信号発生器１８およびモニター２０を制御
する回路であフステージ位置制御回路２１はステージ１
４の位置とモニター２０の同期をとる回路である。
実施例を示し、図においてｌｌは方形電子ビーム、１２
は偏向回路、１３はビーム整形回路、１４はステージ、
１５は被測定試料、１６は検出器、１７はビーム偏向お
よびブランキング回路、１８は１準信号発生器、１９は
比較回路、２０はモニター、２１はステージ位置制御回
路である。すなわち方形波電子ビーム１１の情報信号は
検出器１６により検出されて比較回路１９に入力されζ
＼において基準信号発生器１８よシの基準信号と比較さ
れる。その比較さｎた信号はモニター２０よシ出力され
る。なおビーム偏向およびブランキング回路１７は偏向
器１２、基準信号発生器１８およびモニター２０を制御
する回路であフステージ位置制御回路２１はステージ１
４の位置とモニター２０の同期をとる回路である。
第５図は第４図における装置の動作の各部波形を示すも
のであって、（ａ）は偏向コイル１２に印加される偏向
信号波形で、ａ□はビームオンの位置、ｂｌはビームオ
フの位置を示す。（ｂ）は基準信号発生器１８の発生す
る基準信号波形、（ｃ）は検出器の発生する情報信号波
形であり、ｃｌは欠陥部を検出した場合の波形である。
のであって、（ａ）は偏向コイル１２に印加される偏向
信号波形で、ａ□はビームオンの位置、ｂｌはビームオ
フの位置を示す。（ｂ）は基準信号発生器１８の発生す
る基準信号波形、（ｃ）は検出器の発生する情報信号波
形であり、ｃｌは欠陥部を検出した場合の波形である。
なお（ｄ）は波形（ｂ）と（ｃ）を比較してモニター２
０に得られるモニタ出力波形である。
０に得られるモニタ出力波形である。
（６）発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば方形波電子ビ
ームを使用することにより仮めて短時間にレジストパタ
ーンのフィールド接合部等の良否を短時間で判定するこ
とが可能であル、電子ビーム露光等によ多形成されたレ
ジストパターンの検査等においてその効果は頗る大であ
る。
ームを使用することにより仮めて短時間にレジストパタ
ーンのフィールド接合部等の良否を短時間で判定するこ
とが可能であル、電子ビーム露光等によ多形成されたレ
ジストパターンの検査等においてその効果は頗る大であ
る。
第１図は従来の／４ターン検査方法の動作説明図、第２
図は本発明にか＼るパターン検査方法の動作説明図、第
３図は本発明にか＼る方法で検出した種りの欠陥と検出
信号との関係を示す図、第４図は本発明にか＼る方法を
実施するための装置の１実施例、第５図は第４図の装置
における各部動作波形を示す図である。 図において１１が方形波電子ビーム、１６が検出器、１
８が基準信号発生器、１９が比較回路、２０がモニター
である。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 （ＣＩ） （ｂ）第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３回 （△） （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）（
Ｂ） →時間
図は本発明にか＼るパターン検査方法の動作説明図、第
３図は本発明にか＼る方法で検出した種りの欠陥と検出
信号との関係を示す図、第４図は本発明にか＼る方法を
実施するための装置の１実施例、第５図は第４図の装置
における各部動作波形を示す図である。 図において１１が方形波電子ビーム、１６が検出器、１
８が基準信号発生器、１９が比較回路、２０がモニター
である。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 （ＣＩ） （ｂ）第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３回 （△） （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） （ｅ）（
Ｂ） →時間
Claims (1)
- 電子ビームを被検査パターンに照射し、該パターンよシ
の反射電子、２次電子を検知して前記パターンの欠陥を
検査するノ４ターン検査方法において、前記電子ビーム
の断面形状を走査方向に対して長方形とし、前記電子ビ
ームを前記長方形の長辺と直角に前記パターンの長辺に
沿って走査することを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226609A JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226609A JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119721A true JPS59119721A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16847874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226609A Pending JPS59119721A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57226609A patent/JPS59119721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
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