JPS5911772A - 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 - Google Patents
光点弧サイリスタの過電圧保護装置Info
- Publication number
- JPS5911772A JPS5911772A JP57120835A JP12083582A JPS5911772A JP S5911772 A JPS5911772 A JP S5911772A JP 57120835 A JP57120835 A JP 57120835A JP 12083582 A JP12083582 A JP 12083582A JP S5911772 A JPS5911772 A JP S5911772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- thyristor
- thyristors
- ignition
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/092—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Protection Of Generators And Motors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高電圧回路に使用する光点弧サイリスタの過
電圧保護に関するものである。
電圧保護に関するものである。
従来直流高電圧変換装置として使用され、電気信号にて
点弧する複数個のサイリスクを直列接続したものとして
、第１（９）に示すものがあった。図において、Ｒ，８
，Ｔは交流端子、Ｐ、Ｎは直流端子、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、
Ｙ、Ｚは交流直流変換装置を構成する複数個のサイリス
タが直列接続されているアーム、１０，１１．１２，１
ろはアームＵ内のサイリスタ、１４，１５，１６．１７
は点弧信号用増巾回路、１８．１９，２０．２１は受光
素子、２２は大地側に設けられる点弧信号発生回路、２
ろ、２４は直流制御電源端子、２５は点弧信号を発生す
るトランジスタ、２６はトランジスタのペース信号を与
える端子、２７ 、２Ｂ、２９．３０は発光ダイオード
、３１．５２．３５．５４は光ファイバ、ろ５，５６，
３７．３８は規定電圧以上になると電流が流れる非線形
抵抗素子、３９．４０，４１，４２は電流抑制用抵抗器
である。
点弧する複数個のサイリスクを直列接続したものとして
、第１（９）に示すものがあった。図において、Ｒ，８
，Ｔは交流端子、Ｐ、Ｎは直流端子、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、
Ｙ、Ｚは交流直流変換装置を構成する複数個のサイリス
タが直列接続されているアーム、１０，１１．１２，１
ろはアームＵ内のサイリスタ、１４，１５，１６．１７
は点弧信号用増巾回路、１８．１９，２０．２１は受光
素子、２２は大地側に設けられる点弧信号発生回路、２
ろ、２４は直流制御電源端子、２５は点弧信号を発生す
るトランジスタ、２６はトランジスタのペース信号を与
える端子、２７ 、２Ｂ、２９．３０は発光ダイオード
、３１．５２．３５．５４は光ファイバ、ろ５，５６，
３７．３８は規定電圧以上になると電流が流れる非線形
抵抗素子、３９．４０，４１，４２は電流抑制用抵抗器
である。
次に第１図の動作を説明する。アームＵ、Ｖ。
ｗ、ｘ、ｙ、ｚにより構成される交流直流変換装置は、
交流電力と、直流電力の変換を行うが、通常１２０ＫＶ
以上の高電圧で使われるため、１００個程度のサイリス
タを直列接続されており、大地側に設けられた点弧信号
発生回路２２よりの光信号により、高圧側に設けられる
受光素子１８，１９．２０，２１及び点弧信号用増幅器
１４，１５゜１６．１７Ｙ動作させ、サイリスタ１０，
１１ 。
交流電力と、直流電力の変換を行うが、通常１２０ＫＶ
以上の高電圧で使われるため、１００個程度のサイリス
タを直列接続されており、大地側に設けられた点弧信号
発生回路２２よりの光信号により、高圧側に設けられる
受光素子１８，１９．２０，２１及び点弧信号用増幅器
１４，１５゜１６．１７Ｙ動作させ、サイリスタ１０，
１１ 。
１２．１３を点弧させる。サイリスタ１０，１１．１２
，１３は定格電圧を越えると破壊されるので一過電圧防
止回路が設けられている。例えば、４０００Ｖ定格のサ
イリスタに対して、３８００Ｖで電流が流れる非線形抵
抗素−Ｆ−３５，３６，、り７．６８をサイリスタの陽
極と、ゲート極間に接続し、サイリスタを点弧する方法
が用いられる。
，１３は定格電圧を越えると破壊されるので一過電圧防
止回路が設けられている。例えば、４０００Ｖ定格のサ
イリスタに対して、３８００Ｖで電流が流れる非線形抵
抗素−Ｆ−３５，３６，、り７．６８をサイリスタの陽
極と、ゲート極間に接続し、サイリスタを点弧する方法
が用いられる。
上記サイリスタに過大電圧が印加される場合は２種類で
ある。第１は、変換装置の外部より雷サージ又はスイッ
チングサージなどの過大電圧が印加される場合と、第２
はアーム内のサイリスクが点弧するものと点弧しないも
のに別れる部分点弧となり、点弧しないサイリスクに過
大電圧となる場合である。
ある。第１は、変換装置の外部より雷サージ又はスイッ
チングサージなどの過大電圧が印加される場合と、第２
はアーム内のサイリスクが点弧するものと点弧しないも
のに別れる部分点弧となり、点弧しないサイリスクに過
大電圧となる場合である。
第２図、第３図、第４図は部分点弧の現象の発生を説明
する図面である。一般に導通状態にあるサイリスタを非
導通状態にターンオフするには一逆電圧を印加し、加え
て電流を一時的に逆流すれば良い。しかし、サイリスタ
の順方向電流が零となった時点で、時間間隔を置かず、
すぐさま順方向電圧を印加すると、内部に残留するキャ
リアによって、点弧信号を与えなくても再び導通状態に
なり、これがため、順方向電流が零になった時点から再
び順方向電圧が印加されるまでに、素子のターンオフ時
間以上の時間が必要である。
する図面である。一般に導通状態にあるサイリスタを非
導通状態にターンオフするには一逆電圧を印加し、加え
て電流を一時的に逆流すれば良い。しかし、サイリスタ
の順方向電流が零となった時点で、時間間隔を置かず、
すぐさま順方向電圧を印加すると、内部に残留するキャ
リアによって、点弧信号を与えなくても再び導通状態に
なり、これがため、順方向電流が零になった時点から再
び順方向電圧が印加されるまでに、素子のターンオフ時
間以上の時間が必要である。
すなわち−サイリスタ変換装置において、成るアームに
属するサイリスクをターンオフ動作するためには、電流
を零にしてから再び、順方向電圧が加わるまでの時間即
ち、転流余裕時間！サイリスタのターンオフ時間より長
くするようにした回路の設計が必要である。
属するサイリスクをターンオフ動作するためには、電流
を零にしてから再び、順方向電圧が加わるまでの時間即
ち、転流余裕時間！サイリスタのターンオフ時間より長
くするようにした回路の設計が必要である。
第２図はインバータ変換装置として従来から使用されて
いる電気回路で、１は直流電源−２は直流リアクトル、
６はサイリスタ変換装置、４は交流電源、５は接地用変
圧器、６はアースを示す。
いる電気回路で、１は直流電源−２は直流リアクトル、
６はサイリスタ変換装置、４は交流電源、５は接地用変
圧器、６はアースを示す。
なお、第２図において一部１図と同一符号は、同−又は
相当部分を示し、以下の図においても同様である。サイ
リスタ変換装置３が直流電源１の電力を交流に変換し一
交流電源４に送っているが、上記サイリスタ変換装置６
内のアームの転流は交流電源４の電圧によって行なわれ
る他励転流である。
相当部分を示し、以下の図においても同様である。サイ
リスタ変換装置３が直流電源１の電力を交流に変換し一
交流電源４に送っているが、上記サイリスタ変換装置６
内のアームの転流は交流電源４の電圧によって行なわれ
る他励転流である。
第３図は他励転流形インバータの動作を示す一般的な波
形図で、Ｈ）は通流アーム、（向は動作電位、（ハ）は
Ｕ相の電圧波形で、（ロ）は直流電圧波形であり一すイ
リスタアームＵは通流後、サイリスタアーム■の点弧に
より、重なり角の後Ｓ相とＲ相の相間電圧が逆電圧とし
て印加され、ｒ時間の転流余裕時間が与えられる。
形図で、Ｈ）は通流アーム、（向は動作電位、（ハ）は
Ｕ相の電圧波形で、（ロ）は直流電圧波形であり一すイ
リスタアームＵは通流後、サイリスタアーム■の点弧に
より、重なり角の後Ｓ相とＲ相の相間電圧が逆電圧とし
て印加され、ｒ時間の転流余裕時間が与えられる。
この転流余裕時間は通常はサイリスタのターンオフ時間
以上に保持されているが、電源電圧の変動、電流変動等
により、転流余裕時間がターンオフ時間より短かくなる
ことが起りつる。例えば第２図の交流電源の中性点が接
地されている時、１線が地絡した場合に、相間電圧は３
００位相が進むことが知られている。第４図は、Ｒ相が
地絡したとき、８−Ｒ間電圧が３００進むことを示すベ
クトル図で、ａは正常時の８−Ｒ間電圧、ｂはＲ相地絡
時の８−Ｒ間電圧である。この場合、サイリスタアーム
Ｕに印加される逆電圧は３０°位相が進むことになり、
転流余裕時間は少なくなる。１アーム内のサイリスタに
は、各々並列にコンデンサと抵抗器よりなる分圧回路を
接続し、分担電圧を平衡させ−Ｃいるが、回路より巧え
られる転流余裕時間がターンオフ時間の長い素子と、タ
ーンオフ時間の短かい素子のそれぞれのターンオフ時間
の中間になった時には、転流余裕時間が終り一正電圧が
印加される時点において、ターンオフ時間の短かい素子
は電圧分担能力り回復しているが、ターンオフ時間の長
い素子はターンオフが失敗して順電圧を分担しない結果
となり、アームの全電圧が、ターンオフ時間の短い一部
の素子のみに加わり、いわゆる部分点弧による過大電圧
となる。
以上に保持されているが、電源電圧の変動、電流変動等
により、転流余裕時間がターンオフ時間より短かくなる
ことが起りつる。例えば第２図の交流電源の中性点が接
地されている時、１線が地絡した場合に、相間電圧は３
００位相が進むことが知られている。第４図は、Ｒ相が
地絡したとき、８−Ｒ間電圧が３００進むことを示すベ
クトル図で、ａは正常時の８−Ｒ間電圧、ｂはＲ相地絡
時の８−Ｒ間電圧である。この場合、サイリスタアーム
Ｕに印加される逆電圧は３０°位相が進むことになり、
転流余裕時間は少なくなる。１アーム内のサイリスタに
は、各々並列にコンデンサと抵抗器よりなる分圧回路を
接続し、分担電圧を平衡させ−Ｃいるが、回路より巧え
られる転流余裕時間がターンオフ時間の長い素子と、タ
ーンオフ時間の短かい素子のそれぞれのターンオフ時間
の中間になった時には、転流余裕時間が終り一正電圧が
印加される時点において、ターンオフ時間の短かい素子
は電圧分担能力り回復しているが、ターンオフ時間の長
い素子はターンオフが失敗して順電圧を分担しない結果
となり、アームの全電圧が、ターンオフ時間の短い一部
の素子のみに加わり、いわゆる部分点弧による過大電圧
となる。
第５因は光点弧サイリスタを複数個直列接続した従来の
光点弧サイリスクの回路である。第５図において、Ｕｌ
、Ｖｌ 、Ｗｌ 、Ｘｌ 、Ｙｌ 、Ｚｌは交通直流
変換装置を構成する複数個の光点弧サイリスクが直列接
続されているアーム−５０，５１゜５２．５りはアーム
Ｕ１内の光点弧サイリスタである。
光点弧サイリスクの回路である。第５図において、Ｕｌ
、Ｖｌ 、Ｗｌ 、Ｘｌ 、Ｙｌ 、Ｚｌは交通直流
変換装置を構成する複数個の光点弧サイリスクが直列接
続されているアーム−５０，５１゜５２．５りはアーム
Ｕ１内の光点弧サイリスタである。
第５図において、大地側に設けられた点弧信号発生回路
２２よりの光信号により、光点弧サイリスタ５０，５１
，５２，５３が点弧するもので一電気点弧のザイリスタ
に必要な受光素子や点弧信号用増幅回路が不要となるた
め、部品数が減り、変換装置の信頼度が高まる効果があ
る。
２２よりの光信号により、光点弧サイリスタ５０，５１
，５２，５３が点弧するもので一電気点弧のザイリスタ
に必要な受光素子や点弧信号用増幅回路が不要となるた
め、部品数が減り、変換装置の信頼度が高まる効果があ
る。
このように光点弧サイリスタは電気信号で点弧できない
ため、従来の方式では光点弧サイリスタに過大電圧が印
加されても、非線形抵抗素子により点弧させる従来の過
電圧防止回路Ｚ使用できず、光点弧サイリスクの破損に
いたる欠点があった。
ため、従来の方式では光点弧サイリスタに過大電圧が印
加されても、非線形抵抗素子により点弧させる従来の過
電圧防止回路Ｚ使用できず、光点弧サイリスクの破損に
いたる欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、光点弧サイリスタに並列に電圧抑
制素子と順方向電圧乞検出する検出装置を接続し、光点
弧サイリスクの過電圧を防止することを目的としている
。
めになされたもので、光点弧サイリスタに並列に電圧抑
制素子と順方向電圧乞検出する検出装置を接続し、光点
弧サイリスクの過電圧を防止することを目的としている
。
以下、この発明の一実施例を第１図及び第５図と同一部
分を同一符号で示す第６図により説明する。第６図にお
いて、５０．５１．５２，５３はアームＵ１内の光点弧
サイリスタで、５４，５５．５６，５７は酸化亜鉛等の
電圧抑制用素子、５８．５９，６０，６１ ．６２．
６ ろ 、６４ ．６５ は分圧抵抗器、６
６．６７．６８．６９は順方向の電圧が印加された時、
伯号乞発生する発光素「−７０，７１，７２，７３は光
ファイバー、８０は大地側に設けられた検出回路、８１
は直流制御電源端子、８２．８３．８４．８５は受光素
子−８７，８８，８９，９０，９１は抵抗器、８６は電
圧信号加算用演算増幅器、９２は第１比較器で、順方向
に電圧が印加された光点弧サイリスクの数が一定値以下
の時、信号を発生する回路−９６はその一定値を設定す
る抵抗器、９４，９５は直流制御電源端子−９６は第２
比較器で一顧方向に電圧を印加された光点弧サイリスタ
の数が存在する時−信号を発生する回路、９７は一定値
を設定する抵抗器、９８．９９は直流制御電源端子、１
００は第１比較器９２及び第２比較器９６が信号を発生
している時、動作するＡＮＤ回路である。１０１は、Ｏ
Ｒ回路で、ＡＮＤ回路１００の出力または通常の点弧動
作の信号端子１０２の出力により動作する回路で、トラ
ンジスタ２５のベース信号を発生する。
分を同一符号で示す第６図により説明する。第６図にお
いて、５０．５１．５２，５３はアームＵ１内の光点弧
サイリスタで、５４，５５．５６，５７は酸化亜鉛等の
電圧抑制用素子、５８．５９，６０，６１ ．６２．
６ ろ 、６４ ．６５ は分圧抵抗器、６
６．６７．６８．６９は順方向の電圧が印加された時、
伯号乞発生する発光素「−７０，７１，７２，７３は光
ファイバー、８０は大地側に設けられた検出回路、８１
は直流制御電源端子、８２．８３．８４．８５は受光素
子−８７，８８，８９，９０，９１は抵抗器、８６は電
圧信号加算用演算増幅器、９２は第１比較器で、順方向
に電圧が印加された光点弧サイリスクの数が一定値以下
の時、信号を発生する回路−９６はその一定値を設定す
る抵抗器、９４，９５は直流制御電源端子−９６は第２
比較器で一顧方向に電圧を印加された光点弧サイリスタ
の数が存在する時−信号を発生する回路、９７は一定値
を設定する抵抗器、９８．９９は直流制御電源端子、１
００は第１比較器９２及び第２比較器９６が信号を発生
している時、動作するＡＮＤ回路である。１０１は、Ｏ
Ｒ回路で、ＡＮＤ回路１００の出力または通常の点弧動
作の信号端子１０２の出力により動作する回路で、トラ
ンジスタ２５のベース信号を発生する。
本発明の動作！第６図、第７図、第８図を用いて以下説
明する。
明する。
第７図は光点弧サイリスタ５０，５１．５２゜５′５に
並列に接続された電圧抑制用素子５４ 、５５．５６．
５７の電圧対電流特性を説明する特性図である。電圧抑
制用素子５４は印加電圧がｖＲより少ない時−電流はほ
とんど流さないか一印加電圧がＶＢ より大きくなると
、大電流が流れるため、電圧を抑制する働らきがある。
並列に接続された電圧抑制用素子５４ 、５５．５６．
５７の電圧対電流特性を説明する特性図である。電圧抑
制用素子５４は印加電圧がｖＲより少ない時−電流はほ
とんど流さないか一印加電圧がＶＢ より大きくなると
、大電流が流れるため、電圧を抑制する働らきがある。
健全な動作状態で１アームの構成サイリスクが全数（例
えば１００個として）が電圧を分担できる時には、サイ
リスタ１素子に印加される電圧はｖｎ より小さい■１
である。雷サージやスイッチングサージなどが外部より
印加されるとサージ電流Ｉｓが電圧抑制素子５０の電圧
は■２となり光点弧サイリスタの耐圧ＶＣ以下に抑制す
る。
えば１００個として）が電圧を分担できる時には、サイ
リスタ１素子に印加される電圧はｖｎ より小さい■１
である。雷サージやスイッチングサージなどが外部より
印加されるとサージ電流Ｉｓが電圧抑制素子５０の電圧
は■２となり光点弧サイリスタの耐圧ＶＣ以下に抑制す
る。
回路の状態により部分点弧の現象がおこり、１ｏ。
個のうち、５０個以下の光サイリスタのみ電圧分担特性
を回復したときには、１素子に加わる電圧はｖｎを越え
る電圧となり、最大電圧は直流回路の電流１．が電圧抑
制素子５４に流れたときに発生する電圧Ｖ６となる。■
６は光点弧サイリスタ耐圧ＶＣより小さい値なので、光
点弧サイリスクは保護されているが、電圧抑制素子５４
には直流回路電流が流れて大きな熱が発生し破損するこ
とになる。
を回復したときには、１素子に加わる電圧はｖｎを越え
る電圧となり、最大電圧は直流回路の電流１．が電圧抑
制素子５４に流れたときに発生する電圧Ｖ６となる。■
６は光点弧サイリスタ耐圧ＶＣより小さい値なので、光
点弧サイリスクは保護されているが、電圧抑制素子５４
には直流回路電流が流れて大きな熱が発生し破損するこ
とになる。
この発明は本来１００個で分担すべき順方向電圧が５０
個以下この光点弧サイリスタで分担していることを検出
し、この場合には光点弧信号を送出し、全数を点弧する
ことにより、電圧抑制素子の破損を防ぐ。なお、電圧抑
制素子のない場合には、急速に検出一点弧信号の発生に
おこなわないと光点弧サイリスクの破損にいたるが１本
発明では電圧抑制素子の熱耐駄の許容範囲内で比較的ゆ
っくりした時間内に点弧信号全発生すればよく一制御回
路が構成し易い長所がある。
個以下この光点弧サイリスタで分担していることを検出
し、この場合には光点弧信号を送出し、全数を点弧する
ことにより、電圧抑制素子の破損を防ぐ。なお、電圧抑
制素子のない場合には、急速に検出一点弧信号の発生に
おこなわないと光点弧サイリスクの破損にいたるが１本
発明では電圧抑制素子の熱耐駄の許容範囲内で比較的ゆ
っくりした時間内に点弧信号全発生すればよく一制御回
路が構成し易い長所がある。
第８図は検出回路８０の動作を示す動作図で、横軸にサ
イリスタ素子数８Ｎ、縦軸に第１比較器９２の出カイ）
、第２比較器の出方眞１−ＡＮＤ回路出力（／−Ｊ７示
す電圧信号加算用演算増幅器８６の出力は、順方向に電
圧が印加される光点弧サイリスタの数に比例した値とな
り−この出方は、第１比較器９２で、素子数５０個の信
号と比較され、順方向に電圧が印加される光点弧サイリ
スタ素子数が５０個以下の時、第１比較器９２出カば１
となる。第２比較器９６の出力は順方向に電圧が印加さ
れる光点弧サイリスタが存在するとき１となる。
イリスタ素子数８Ｎ、縦軸に第１比較器９２の出カイ）
、第２比較器の出方眞１−ＡＮＤ回路出力（／−Ｊ７示
す電圧信号加算用演算増幅器８６の出力は、順方向に電
圧が印加される光点弧サイリスタの数に比例した値とな
り−この出方は、第１比較器９２で、素子数５０個の信
号と比較され、順方向に電圧が印加される光点弧サイリ
スタ素子数が５０個以下の時、第１比較器９２出カば１
となる。第２比較器９６の出力は順方向に電圧が印加さ
れる光点弧サイリスタが存在するとき１となる。
Ａ Ｎ Ｉ）回路１００の出力は第１比較器９２の出力
及び第２比較器９乙の出方が存在するとき１となる。す
なわち５０個以下の光点弧サイリスタに順方向電圧が印
加されるとき、ＡＮＤ回路１００の出力が１となり、点
弧信号発生回路２２に信号が与えられ、トランジスタ２
５が動作し、発光素子２７．２８，２９．３０が発光し
、光点弧サイリスク５０，５１．５２．５３に点弧信号
が送出され、Ｕ［アーム内のすべてのサイリスタが点弧
し、電圧抑制素子には電圧が印加されなくなり、電圧抑
制素子の破損を防ぐことができる。
及び第２比較器９乙の出方が存在するとき１となる。す
なわち５０個以下の光点弧サイリスタに順方向電圧が印
加されるとき、ＡＮＤ回路１００の出力が１となり、点
弧信号発生回路２２に信号が与えられ、トランジスタ２
５が動作し、発光素子２７．２８，２９．３０が発光し
、光点弧サイリスク５０，５１．５２．５３に点弧信号
が送出され、Ｕ［アーム内のすべてのサイリスタが点弧
し、電圧抑制素子には電圧が印加されなくなり、電圧抑
制素子の破損を防ぐことができる。
なお第１比較器９２の設定数は、この数以下になると電
圧抑制素子に印加される電圧が第７図のＶＢをこえ、電
圧抑制素子の発生熱が許容値をこえる値に選定する。
圧抑制素子に印加される電圧が第７図のＶＢをこえ、電
圧抑制素子の発生熱が許容値をこえる値に選定する。
以上のように本発明によれば、電圧抑制素子を光点弧サ
イリスクに並列に接続し、過電圧より係挿することがで
き、しかも順方向に印加される素子数を監視することに
より、電圧抑制素子の破損！防ぐことができる大きな効
果がある。
イリスクに並列に接続し、過電圧より係挿することがで
き、しかも順方向に印加される素子数を監視することに
より、電圧抑制素子の破損！防ぐことができる大きな効
果がある。
第１図は従来の電気信号にて点弧する複数個のサイリス
タを直列接続した点弧サイリスク回路図、第２図、第３
図、第４図は部分点弧の現象を説明する説明図、第５図
は光点弧サイリスタン複数個直列接続した従来の光点弧
サイリスク回路図である。第６図は本発明の一実施例７
示す光点弧サイリスタ回路図、第７図及び第８図は本発
明の詳細な説明する図である。 ５０．５１．５２．５３・・・光点弧サイリスター５４
．５５．５６．５７・・・電圧抑制用素子、６６．６７
．６Ｂ、６９・・・順方向の電圧が印加された時信号ン
発生する発光素子、８０・−・大地側に設けられた検出
回路、９２・・・順方向に電圧が印加された光点弧サイ
リスタ数が一定値以下のとき信号を発生する回路、９６
・・・順方向に電圧が印加された光点弧サイリスタが存
在するとき、信号７発生する回路、２２・・・点弧信号
発生回路。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−（ほか１名） 爾１図 ｐ 第 ５ 図 特許庁長官殿 １．事件の表示 １１′願昭５７−１２０８３５
号２、 発Ｉ１１ ノ名称 光点弧ヤイ１，７７゜
過７亀圧保ＩＩ ３ 、 Ｘｉ ｉＥをすると ＣＢｆ’ｌ−との関係 １′１訂出１９（１大作
所 東３：儲Ｈ・代１１１区九の内−１’ｌ＋
２爵３号−名 ｆ４、（６０１）：、菱′−Ｉデ機株式
会社 （外１名）代表石片ｍ化代部 ４、代理人 ｆｌ：、所 東ｊ；〔都Ｐ代Ｉ１１区九の内１
１Ｎ−１２音３２ン５、補正の対象 明神１貢の発明のｉｌＴ却１７’Ｊ説明のイ（（２）６
補正の内容 ｔｌ＋明細貢第３戸第１９杓目のｒ ｔｔｎえて電流を
」とあるのを「電流を」と補正する。 （２１明却１１第６貞第１８右目の「父通向が十質換装
ｆ縮」とあるのを「父ｍ１自流芥換発償」と袖ＩＥする
・（３１明細１第１０負第１１省目の「５０個以下この
」とあるのを「５０個以下の」と補ｊＥする。 以 上
タを直列接続した点弧サイリスク回路図、第２図、第３
図、第４図は部分点弧の現象を説明する説明図、第５図
は光点弧サイリスタン複数個直列接続した従来の光点弧
サイリスク回路図である。第６図は本発明の一実施例７
示す光点弧サイリスタ回路図、第７図及び第８図は本発
明の詳細な説明する図である。 ５０．５１．５２．５３・・・光点弧サイリスター５４
．５５．５６．５７・・・電圧抑制用素子、６６．６７
．６Ｂ、６９・・・順方向の電圧が印加された時信号ン
発生する発光素子、８０・−・大地側に設けられた検出
回路、９２・・・順方向に電圧が印加された光点弧サイ
リスタ数が一定値以下のとき信号を発生する回路、９６
・・・順方向に電圧が印加された光点弧サイリスタが存
在するとき、信号７発生する回路、２２・・・点弧信号
発生回路。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−（ほか１名） 爾１図 ｐ 第 ５ 図 特許庁長官殿 １．事件の表示 １１′願昭５７−１２０８３５
号２、 発Ｉ１１ ノ名称 光点弧ヤイ１，７７゜
過７亀圧保ＩＩ ３ 、 Ｘｉ ｉＥをすると ＣＢｆ’ｌ−との関係 １′１訂出１９（１大作
所 東３：儲Ｈ・代１１１区九の内−１’ｌ＋
２爵３号−名 ｆ４、（６０１）：、菱′−Ｉデ機株式
会社 （外１名）代表石片ｍ化代部 ４、代理人 ｆｌ：、所 東ｊ；〔都Ｐ代Ｉ１１区九の内１
１Ｎ−１２音３２ン５、補正の対象 明神１貢の発明のｉｌＴ却１７’Ｊ説明のイ（（２）６
補正の内容 ｔｌ＋明細貢第３戸第１９杓目のｒ ｔｔｎえて電流を
」とあるのを「電流を」と補正する。 （２１明却１１第６貞第１８右目の「父通向が十質換装
ｆ縮」とあるのを「父ｍ１自流芥換発償」と袖ＩＥする
・（３１明細１第１０負第１１省目の「５０個以下この
」とあるのを「５０個以下の」と補ｊＥする。 以 上
Claims (1)
- 点弧信号発生回路により点弧する複数個の光点弧サイリ
スタを直列に接続した光点弧サイリスク装置において、
上記各光点弧サイリスタに並列に電圧抑制用素子と、順
方向電圧を検出する検出器を接続し、順方向に電圧を印
加される上記光点弧サイリスタが一定数以下で存在した
場合に光点弧信号を上記点弧信号発生回路に送出するこ
とを特徴とする光点弧サイリスタの過電圧保護装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120835A JPS5911772A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 |
| US06/497,495 US4536816A (en) | 1982-07-12 | 1983-05-24 | Thyristor apparatus employing light-triggered thyristors |
| SE8303403A SE459536B (sv) | 1982-07-12 | 1983-06-15 | Tyristoranordning med ljusstyrda tyristorer innefattande kretsar foer detektering av framspaenning oever tyristorerna och en krets foer detektering av antalet saadana framspaenda tyristorer |
| DE3322873A DE3322873C2 (de) | 1982-07-12 | 1983-06-24 | Schaltungsanordnung mit lichttriggerbaren Thyristoren |
| CH3798/83A CH660266A5 (de) | 1982-07-12 | 1983-07-11 | Thyristoreinrichtung mit durch licht steuerbaren thyristoren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120835A JPS5911772A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911772A true JPS5911772A (ja) | 1984-01-21 |
| JPH0258849B2 JPH0258849B2 (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14796134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57120835A Granted JPS5911772A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4536816A (ja) |
| JP (1) | JPS5911772A (ja) |
| CH (1) | CH660266A5 (ja) |
| DE (1) | DE3322873C2 (ja) |
| SE (1) | SE459536B (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986395A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 光制御装置 |
| JPS6098823A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
| GB2149594A (en) * | 1983-11-09 | 1985-06-12 | Smidth & Co As F L | Fast-acting spark-over detector |
| EP0155627B1 (de) * | 1984-03-21 | 1988-07-20 | BBC Brown Boveri AG | Shunt-Anordnung |
| JPS60255054A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-16 | Hitachi Ltd | 電力変換器の印加電圧検出装置 |
| EP0190925B1 (en) * | 1985-02-08 | 1993-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A protection circuit for an insulated gate bipolar transistor |
| AU588020B2 (en) * | 1985-03-04 | 1989-09-07 | Raytheon Company | High voltage solid state switch |
| JPS62138055A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-20 | Toshiba Corp | サイリスタ変換器の保護装置 |
| DE3731412A1 (de) * | 1986-11-08 | 1988-05-11 | Bosch Gmbh Robert | Hochspannungsschalter |
| JPS63157664A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | サイリスタ変換器用ゲ−トパルス発生器 |
| JPS63234874A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-30 | Toshiba Corp | サイリスタバルブ |
| DE3722666A1 (de) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Bosch Gmbh Robert | Hochspannungsschalter |
| DE3875728D1 (de) * | 1988-08-30 | 1992-12-10 | Siemens Ag | Verfahren zum betrieb eines dreipunktwechselrichters. |
| JP2674355B2 (ja) * | 1991-05-15 | 1997-11-12 | 三菱電機株式会社 | パワー素子の過電流保護装置 |
| JPH0759256A (ja) * | 1993-08-19 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | サイリスタバルブの保護装置 |
| JP3444081B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2003-09-08 | 株式会社日立製作所 | ダイオード及び電力変換装置 |
| DE19626129C2 (de) * | 1996-06-28 | 2000-03-02 | Elan Schaltelemente Gmbh & Co | Sicherheitsschaltung |
| US6204493B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-03-20 | Drexel University | Fault tolerant electric current regulator |
| DE102004002581B4 (de) * | 2004-01-13 | 2005-11-10 | Siemens Ag | Funkenstrecke mit optisch gezündetem Leistungshalbleiterbauelement |
| US7375942B1 (en) * | 2005-02-10 | 2008-05-20 | Fultec Semiconductor, Inc. | Flexible secondary overcurrent protection |
| US7535180B2 (en) * | 2005-04-04 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting circuits including light emitting diodes and four layer semiconductor shunt devices |
| US9640982B2 (en) * | 2014-11-05 | 2017-05-02 | General Electric Company | Over-voltage protection system and method |
| CN105471232B (zh) * | 2015-11-20 | 2017-11-07 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心 | 换流阀电触发晶闸管与阀基电子设备信息交换的控制方法 |
| CN109149911B (zh) * | 2017-06-28 | 2020-03-27 | 北京金风科创风电设备有限公司 | 功率模块及其并联装置、变流器以及控制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953385A (ja) * | 1972-07-10 | 1974-05-23 | ||
| JPS5553176A (en) * | 1978-10-09 | 1980-04-18 | Toshiba Corp | Thyristor converter |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3459943A (en) * | 1967-02-06 | 1969-08-05 | Gen Electric | Silicon controlled rectifier gating circuits with a high frequency triggering voltage and photocells |
| DE1763751C3 (de) * | 1968-08-01 | 1975-08-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Impulsgenerator für eine mit einer Wechselspannung synchrone Impulsfolge mit einstellbarem Phasenwinkel |
| CH492334A (de) * | 1968-11-08 | 1970-06-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Stromrichteranordnung mit mehreren in Reihe geschalteten Stromrichterventilen |
| JPS4831015B1 (ja) * | 1969-01-08 | 1973-09-26 | ||
| SE338099B (ja) * | 1969-02-14 | 1971-08-30 | Asea Ab | |
| SE364412B (ja) * | 1972-06-21 | 1974-02-18 | Asea Ab | |
| US3962624A (en) * | 1973-06-28 | 1976-06-08 | Allmanna Svenska Elektriska Aktiebolaget | Thyristor rectifier |
| JPS5245632B2 (ja) * | 1973-09-03 | 1977-11-17 | ||
| JPS5268355A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-07 | Hitachi Ltd | Gate control circuit of high-voltage thyristor converter |
| CA1068782A (en) * | 1976-08-23 | 1979-12-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Protective circuit for thyristors |
| JPS5586373A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-30 | Toshiba Corp | Gate control system for thyristor converter |
| JPS5684032A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-09 | Hitachi Ltd | Protective device for thyristor bulb |
| DE3015831C2 (de) * | 1980-04-24 | 1982-06-24 | Werner Messmer Gmbh & Co Kg, 7760 Radolfzell | Elektronischer Schalter für hohe Lastströme, insbesondere für den Lampenkreis von Kraftfahrzeugen |
| JPS57156666A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-28 | Toshiba Corp | Protecting device for thyristor against overvoltage |
| JPS57202870A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Device for firing light-firing thyristor |
| JPS57208862A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | Thyristor bulb |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57120835A patent/JPS5911772A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-24 US US06/497,495 patent/US4536816A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-06-15 SE SE8303403A patent/SE459536B/sv not_active Application Discontinuation
- 1983-06-24 DE DE3322873A patent/DE3322873C2/de not_active Expired
- 1983-07-11 CH CH3798/83A patent/CH660266A5/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953385A (ja) * | 1972-07-10 | 1974-05-23 | ||
| JPS5553176A (en) * | 1978-10-09 | 1980-04-18 | Toshiba Corp | Thyristor converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH660266A5 (de) | 1987-03-31 |
| US4536816A (en) | 1985-08-20 |
| JPH0258849B2 (ja) | 1990-12-10 |
| SE8303403D0 (sv) | 1983-06-15 |
| SE8303403L (sv) | 1984-01-13 |
| DE3322873C2 (de) | 1985-01-10 |
| SE459536B (sv) | 1989-07-10 |
| DE3322873A1 (de) | 1984-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5911772A (ja) | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 | |
| US4683514A (en) | Surge voltage protective circuit arrangements | |
| US3865438A (en) | Protection means against auto-ignition for the rectifiers of a static converter | |
| EP0458511A2 (en) | Thyristor protection method and apparatus | |
| US3424948A (en) | Overvoltage protection circuit for controlled solid state valves | |
| JPS644376B2 (ja) | ||
| EP0061838B1 (en) | Surge voltage protection arrangements | |
| JPS62138055A (ja) | サイリスタ変換器の保護装置 | |
| JPS60234423A (ja) | 過電圧保護装置 | |
| US3629685A (en) | Static converter station connected to a dc transmission line over a dc reactor with lightning arrester protection means | |
| US4442480A (en) | Protective circuit for thyristor controlled systems and thyristor converter embodying such protective circuit | |
| JPS6031291B2 (ja) | 半導体しや断器 | |
| JPH053667A (ja) | サイリスタ回路の保護装置 | |
| JPS5839264A (ja) | 光サイリスタ過電圧保護方式 | |
| JPH02276419A (ja) | Ｖвоフリーサイリスタ変換装置 | |
| JPH0247132B2 (ja) | Gyakuheiretsusairisutatenkosochi | |
| SU1757006A1 (ru) | Комбинированное устройство дл защиты электроустановки | |
| JPS58141671A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH0389843A (ja) | 変換器 | |
| JPS61196765A (ja) | 光トリカサイリスタの制御装置 | |
| JPS6222333B2 (ja) | ||
| JPH07106028B2 (ja) | 過電圧抑制装置 | |
| JPH0685618B2 (ja) | サイリスタ変換器の保護装置 | |
| JPH0373232B2 (ja) | ||
| JPH0251315A (ja) | 超電導エネルギー貯蔵システムの保護方法 |