JPS59117138A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ　産業上の利用分野 零兄男はＤＨＤ型ダイオード等のガラス封止した電子部
品に関し、牛田デインプ等の熱ストレスにより微小クラ
ンクの発生を防止し引張強度低下を防止した電子部品に
関する。

口　従来技術 例えばガラス封止型ＤＨＤ型ダイオードは第２図に示す
ような構造を有している。即ち図示の即くジュメツト線
等を適宜の長さに切断して塊状の電極を形成するスラグ
ｉ　（ｌａ）に、該スラグ部（１ａ）を外部に引出すリ
ード部（２ａ）を溶着したスラグリード（３ａ）から所
定距離だけ離隔して、該スラグリード（３ａ）と同型の
スラグリード（３ｂ）を対向配置し、そのスラグ部（ｌ
ａ）（ｌｂ）の間に半導体ペレツ）　＋４１を挾持した
状態で且つ該スラグ部（ｌａ）（ｌｂ）の外周面にガラ
ススリーブｆ５１を溶着して気密封止している。このＤ
ＨＤをダイオードの製造工程では第１図に示すように上
治具（６ａ）及び下心具（６ｂ）を密着させた状態で、
該上ｉ８具（６ａ）に穿設された貫通孔（７ａ）並びに
下心具（６ｂ）に形成された凹部（８）及び該凹部（８
）に連設される貫通孔（ｌｂ）ｌ／ｉ：、スラグリード
（３ａ）（３ｂ）、半導本ベレツ）　ｆ４１及びガラス
スリーグ（５）の、′Ｉ８部材が配置されている。また
上治具（６ａ）の上方にはスラグリード（３ａ）のリー
ド部（２ａ）の位置に合わせて加圧体（９）が配設され
、且つリード部（２ａ）上に載置されておシ、該リード
部（２ａ）を上方より下方へ抑圧している。従って前記
ガラススリーブ（５）をスラグ部（ｌａＸＩりの外周面
に溶着して気密封止する１奈には、該ガラススリーグ＋
５１の溶着を偏実にするだめにその最終段階で所定圧力
で加圧している。

ところが前述の即くスラグリード（３ａ）（３ｂ）のス
ラグ部（ｌａ）（ｌｂ）は犬々ジュメット線等を適宜の
長さに１７１ｔｆ／ｒ　して得るため、その切断の際に
第２図図示の如く各スラグ部（ｌａ）（ｌｂ）の端縁に
バ’）　ｕｏ）　Ｄｏ）が形成される。従ってガラスス
リーブ（５）を溶着して気−封止する舐の加圧により上
記パリｊｌｏ）　ｔＩＯ＋がガラススリーグ［５］の内
側部に侵入し、この状態でリード部（２ａ）（２ｂ）を
半田ディツプするとその俵ζストレスにより上６己ガラ
ススリーグ（１５１ツバＵ　ｔｏｏ）　ＩＩＱＩの浸入
位置に微小クランク（五〇（１すが発生して引張頻度が
’＋ｆｔ、端に低下し、ガラススリーグ（５）が破萌す
る場合があった。これを解決するために上記ジュメット
等を力１ｉスしてスラグ部（ｌａ）（ｌｂ）を得る除に
そのｒａｆｔに発生するパリ（１ｏ）１０）　を除去す
ればよいがスラグ部（ｌａＸｌｉ））の外周面を汚すと
ガラススリーグ（５）が溶着し難くなり、従ってこのよ
うな加工も困難であった。

ハ　発明の目的 本発明はＤＨＤ型ダイオード等の電子部品に関し、特に
半田ディツプ等の熱ストレスにより微小クランクの発生
を防止し、その引張強度を向上させた電子部品を提供す
ることを目的とする二　発明の構成 本発明はガラススリーグ内においてスラグ部及び咳スラ
グ部を外部に引出すリード部からなる／対のスラグリー
ドのスラブ部間に半導体ペレツトを挾持しスラブ部外周
面とガラススリーグ内周而とを溶着して気密封止したも
のにおいて、上記ガラススリーグの溶着時に外部圧力を
減圧して上記スラブ部間に形成される空隙部を膨張させ
たことを特徴としている。

実施例 本発明による電子部品は従尿と同様ｉ／図に示す上治具
（６ａ）及び下ｌ′８具（６ｂ）を用い、この治具にス
ラグリード（３ａＸ３ｂ）％半導体ベレット（４］及び
ガラススリーグ（５）を供給し、その各部材を図ボの即
く配置する。そしてガラススリーグ（５）内周面とスラ
グ部（ｌａＸより）の外周面を溶誉して気密封止Ｊ−る
除に、ガラスの軟化状態でまずその時の圧力を所定圧力
（例えば／気ｆＥ）に保持し、上記ガラススリーグ（６
）をスラグ部（Ｉａ）（１１））の外周囲に溶着し、そ
の後気密封止が完了する直前に外Ｍ≦正圧力減圧（例え
ばＯ，Ｓ気圧）するト、カラススリーグ（５）は未硬化
状態であるのでｆＪＪ図に示すようにスラグリード（３
ａ）（３ｂ）のスラグ部（１ａＸｌｂ）の間にノー成さ
れる空隙部０りが膨張してカリススリーブ（６）の内周
間に四部（Ｉ萄が形成される。従ってジュメント巌等を
適宜の畏きにｇＪ祈した時にそのスラグ部（ｌａ）（ｌ
ｂ）の端縁にパリｔ１０１　ｔＩＯ＋があってもガラス
スリーグ（５）へのくい込与を小さくあるいはくい込み
を防止できる。

へ　発明の効果 木発り」はガラススリーブ内においてスラグ部及び該ス
ラグ部を外部だ引出すリード部からなる／対のスラグリ
ードのスラグ部間に半導体ペレツトを挾持しスラグ部外
周面とガラススリーブ内周面とを溶着して気密封止した
ものにおいて、上記気密封止が完了する直前に外部圧力
を鼠圧して上記スラブ部間に形成されるを隙都を膨張さ
せたことがら、スラグ部の端縁にパリがあってもカリス
スリーグの内側部に（ｖｓ込まず、くい込んでもわずか
である７ヒめ、この４子部品に熱ストレスが加えられて
もガラススリーブに微小クランクが発生することなく引
張強度が低下することがない。木出題人にょる実幀結果
では、／ＷタイプのＤＨＤダイオードで従来の場公ガラ
ススリーブの破−ｒ兄生羊が７０％であったのに対し本
発明の場合同一スリーブ、同一スラグリードを用い、該
破４テ発生率をｊ％程度にまで低下させることができ、
この結果から見ても引張強度の大幅な向上は男らがであ
る。

また従来、半導体ペレツトとスラグ部との聞に：ワｆ　
カナ隙間が生じ接触不良となることがあツタ力、スリー
ブ丙の空、間部を膨張させグとことによシ谷スラグ部が
引き舒せられ、該半導体ペレットとスラグ部との接触が
確実となって接触不良の発生が防止される。

尚、零発１３Ｊはダイオ−トノどけでなく、頌似構逮の
電子Ｍｊ’−品一般に通用できる。

【図面の簡単な説明】

第７図は、ＤＨＤ型ダイオードの気層封止を行う状態を
示す１祈面図、（肪２図は従来の方法による１）ｌ（Ｄ
型ダイオードの一例を示す１針面図、第３図は本発明に
係るｕＭＤ型ダイオードの一例と示す１９丁曲図である
。 （ｌａ）（：ｌ）、　、　スラグ部、（２ａ）（２ｂ）
−１１リ一ド部、（３ａ）（３ｂ）・・スラグリード、
＋４１・・半導体ペレット、（６ｊ・・ガラススリーグ
、政・＠空隙８１Ｓ　。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ｉｌｌ　　ガラススリーグ内においてスラグ部及び該ス
   ラグ部を外部に引出すリード部からなる／対のスラグリ
   ードのスラブ部面に半導体ペレットを挾持しスラブ部外
   周面とガラススリーブ内周面とを溶着して気密封止した
   ものにおいて、上記ガラススリーグの溶着時に外部圧力
   を減圧して上記スラグ部間に形成される空ｖｓを膨張さ
   せたことを特徴とする電子部品。