JPS59117124A - 配線パタ−ンの形成方法 - Google Patents
配線パタ−ンの形成方法Info
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- JPS59117124A JPS59117124A JP22583182A JP22583182A JPS59117124A JP S59117124 A JPS59117124 A JP S59117124A JP 22583182 A JP22583182 A JP 22583182A JP 22583182 A JP22583182 A JP 22583182A JP S59117124 A JPS59117124 A JP S59117124A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は配線パターンの形成方法ｒ（関するものであシ
、特に記録層を選択的に配化して、得られた該酸化層を
マスクとしてエツチングし配線パターンを形成する方法
に関するものである。
、特に記録層を選択的に配化して、得られた該酸化層を
マスクとしてエツチングし配線パターンを形成する方法
に関するものである。
（２）技術の背双
一般的に、半尋体基板（ウェー・）全曲に例涜された一
極材別を込択的に除去してｂ１望の配線パターン全形成
する時は、該電極伺相面に選択的にマスクを抜法し、化
学薬品中で除去するウェットエツチング法又はガスグラ
ダマ中で除去するドライエツチング法が用いられる。
極材別を込択的に除去してｂ１望の配線パターン全形成
する時は、該電極伺相面に選択的にマスクを抜法し、化
学薬品中で除去するウェットエツチング法又はガスグラ
ダマ中で除去するドライエツチング法が用いられる。
（３）従来技術と問題点
従来、好感度なネガレノストをマスク材料として配線パ
ターンを形成しようとした砲台、２ンよいし３．５ミク
ロン程度の解像性がが限界でり９、それ以上、例えは１
．５ミクロン柱度の解１ｐ性は得られなかった。このよ
うなネガレジストを用いては得られない微細パターンを
形成するに（は、解像性の良い７ぎジレノストを用いれ
は侑ることが出来る。
ターンを形成しようとした砲台、２ンよいし３．５ミク
ロン程度の解像性がが限界でり９、それ以上、例えは１
．５ミクロン柱度の解１ｐ性は得られなかった。このよ
うなネガレジストを用いては得られない微細パターンを
形成するに（は、解像性の良い７ぎジレノストを用いれ
は侑ることが出来る。
又１μないしはツブミクロン領域では電子線露光等が用
いられる。この場合でもネがｌ／シストよシボジレノス
トの解像性がより優れている。
いられる。この場合でもネがｌ／シストよシボジレノス
トの解像性がより優れている。
（４）発明の目的
本発明は上記のように解像性の優れたポジレジストを用
いて微細な配蔵パターンを提供しようとするものでメジ
、特に耐ドライエ１．テング注に劣る↑Ｌ子紗用ボルノ
ストを用いて微細配線を形成するのに不動である。
いて微細な配蔵パターンを提供しようとするものでメジ
、特に耐ドライエ１．テング注に劣る↑Ｌ子紗用ボルノ
ストを用いて微細配線を形成するのに不動である。
（５）発明のに成
不発り」の目的は半導体基板上に金属（配線）層を形成
し、眩毎１１）（配線）層」二にレジストお松属し、次
に露光し、８１ｉ！曹することによって微細なＬ・シス
トパターンを形成し、次に該レジストのノやターニング
によって露出した金ス・鳴Ｊ會入ｍ」に岐累イオンビー
ム足照射して酸化せしめることにより、該金槌表向層を
該金后５の１１夕化股層に友化せしめ、該酸化膜層をマ
スクとしてドライエツチングすることを特徴とするＦ”
ｊｊＬ線パターンのりしＱ’７方伝によって達成される
。
し、眩毎１１）（配線）層」二にレジストお松属し、次
に露光し、８１ｉ！曹することによって微細なＬ・シス
トパターンを形成し、次に該レジストのノやターニング
によって露出した金ス・鳴Ｊ會入ｍ」に岐累イオンビー
ム足照射して酸化せしめることにより、該金槌表向層を
該金后５の１１夕化股層に友化せしめ、該酸化膜層をマ
スクとしてドライエツチングすることを特徴とするＦ”
ｊｊＬ線パターンのりしＱ’７方伝によって達成される
。
すなわち本発明で（ｄレノストん１を配線パターン形成
のマスク材料とぜす、単に飼細なレジスト・？ターンを
形ｊ或し、そのパターンによって形成された館（惹）を
利用するものであって、血出され１こ半導体基板上の金
属配線層を該レジン） ｉ９ターンの溝を介して酸化し
、生成された酸化膜層をマスクとしてドライエツチング
することによって自己線パターンを形成するのである。
のマスク材料とぜす、単に飼細なレジスト・？ターンを
形ｊ或し、そのパターンによって形成された館（惹）を
利用するものであって、血出され１こ半導体基板上の金
属配線層を該レジン） ｉ９ターンの溝を介して酸化し
、生成された酸化膜層をマスクとしてドライエツチング
することによって自己線パターンを形成するのである。
本発明において使用するレノストはポジレジストである
のが微細な配線・ぐターンを形成するフこめに好丑しい
。
のが微細な配線・ぐターンを形成するフこめに好丑しい
。
更に本発明におけるドライエツチングとして、プラズマ
エツチング待（・′こ対Ｖ別１ａ紘全由い７こリアクテ
ィブイオンエツチングか好暫しい。
エツチング待（・′こ対Ｖ別１ａ紘全由い７こリアクテ
ィブイオンエツチングか好暫しい。
（６）発りｊ」の実施例
」以下木ジらヴ」の実施例を図１１」に基ついて説明す
る。
る。
第１図から第５１迄は本さ、：ｌ明に係る１つの東ｂｉ
例を説す］する／ζめの概略工程断面図である・シリコ
ンシ＾板１上にアルミニウム（Ａ’／−）金属層２を約
１ミクロンの）♀みに蒸膚−せしめ、該Ａｔ金属層２上
に例えはｐｒＡＭＡ（ポリメチルメタリソレート）のボ
ッレノスト３をスピンコード法によ’ｎ塗布ｆる。かか
る状態を第１図に示す。
例を説す］する／ζめの概略工程断面図である・シリコ
ンシ＾板１上にアルミニウム（Ａ’／−）金属層２を約
１ミクロンの）♀みに蒸膚−せしめ、該Ａｔ金属層２上
に例えはｐｒＡＭＡ（ポリメチルメタリソレート）のボ
ッレノスト３をスピンコード法によ’ｎ塗布ｆる。かか
る状態を第１図に示す。
次にし、月？ジレジヌト３を１８子線露光技術によって
約０．５ミクロンのラインアンドスペースのレジストパ
ターンを札゛た。かかる状態を第２図に示す。
約０．５ミクロンのラインアンドスペースのレジストパ
ターンを札゛た。かかる状態を第２図に示す。
なお第２１Ｚｌ中にライン及びスペースをそ几ぞれＬ及
びＳで示ず・ 次に・１り〕られたレノストパターンの７４−ス（ｒｌ
’＋Ｅ＋ ） ＊介して蕗出し／ヒＡｔ金属層表面２′
に酸素イオン（φ［４２図Ａ）をイオン注入によって打
ち込む。
びＳで示ず・ 次に・１り〕られたレノストパターンの７４−ス（ｒｌ
’＋Ｅ＋ ） ＊介して蕗出し／ヒＡｔ金属層表面２′
に酸素イオン（φ［４２図Ａ）をイオン注入によって打
ち込む。
その力１１速電圧は初め１ＱｋｅＶ次に４ＱｋｅＶの２
段階で１丁ないドーズ量はそれぞれ１ｏ １７ 、＋駆
−２で行なっグヒ。その結果、Ａｔの酸化膜４の厚さは
約１０００〜１５００Ｘ程度になった。かかる状態を第
３図に示す。
段階で１丁ないドーズ量はそれぞれ１ｏ １７ 、＋駆
−２で行なっグヒ。その結果、Ａｔの酸化膜４の厚さは
約１０００〜１５００Ｘ程度になった。かかる状態を第
３図に示す。
次に第３図に示さｔたレノスト３をプラズマアッシング
によって除去する。かかる状態を第４図に示す。
によって除去する。かかる状態を第４図に示す。
次に第３図において形成されたＡ７の酸化膜４をマスク
にしそして四塩化炭素（ＣＣｔ４）ガスをエッチャント
としてＡｔ金属層２をプラズマエツチングによって除去
する。グラズマエッテング処理の条件としてはガス圧０
．１トール、′電力５００ Ｗで約１０分間行ない、約
１μｍの厚みのＡｔ金属層をパターニングせしめ、Ａｔ
配線パターン２ａを形成した。かかる状態を第５図に示
す。
にしそして四塩化炭素（ＣＣｔ４）ガスをエッチャント
としてＡｔ金属層２をプラズマエツチングによって除去
する。グラズマエッテング処理の条件としてはガス圧０
．１トール、′電力５００ Ｗで約１０分間行ない、約
１μｍの厚みのＡｔ金属層をパターニングせしめ、Ａｔ
配線パターン２ａを形成した。かかる状態を第５図に示
す。
本実施例において解像性の良いボッレノストヲ用いてい
るのでその解像性をその丑ま金属配線パターンに応用可
能である。本実施例のアルミニウムその他モリブデン、
タングステン、等の金属配線を形成する種々の金属は酸
化せしめられるとプラズマエツチング、リブクティブイ
オンスパｙタエッチング等のドライエッチングレートカ
樋’＋ １１５〜１／２０と低下するので酸化されてい
ない金属層が先にエツチングされ、酸化膜形成された金
属層が残存することになる。このよう（（シて閂己線パ
タ−ン力〕形成される。
るのでその解像性をその丑ま金属配線パターンに応用可
能である。本実施例のアルミニウムその他モリブデン、
タングステン、等の金属配線を形成する種々の金属は酸
化せしめられるとプラズマエツチング、リブクティブイ
オンスパｙタエッチング等のドライエッチングレートカ
樋’＋ １１５〜１／２０と低下するので酸化されてい
ない金属層が先にエツチングされ、酸化膜形成された金
属層が残存することになる。このよう（（シて閂己線パ
タ−ン力〕形成される。
（７）発明の効果
以上の祝（刀から本発明によれはポジレジストを用いで
、又レノストの面１エツチング性を考慮せずに微細７２
：配線パターンを形成することが出来る。
、又レノストの面１エツチング性を考慮せずに微細７２
：配線パターンを形成することが出来る。
４Ｉλイ１面の１．・１０１′（な説明第１図から第５
１迄は本発明に係る１つの実施例を説明するための仏を
略工程１（シ１面図である。
１迄は本発明に係る１つの実施例を説明するための仏を
略工程１（シ１面図である。
■・・・シリコン基板、２・・・Ａ７金属層、２ａ・・
・Ａｔ配線パターン、２′・・・露出したＡ、ａ金属）
會衣面、３・・・７」？ルノスト、４・・・Ａ７の酸化
膜。
・Ａｔ配線パターン、２′・・・露出したＡ、ａ金属）
會衣面、３・・・７」？ルノスト、４・・・Ａ７の酸化
膜。
・侍許出願人
富士辿株式会社
竹１ｉｆ−出ル１１代乃１人
弁理± １ｔ 木 朗
弁、１．！ｌＩ１士 西 鵠 和 之弁理士
内 １） 幸 男 −ｆｆＪψ士 山 口 昭 ２第１図 第３図
内 １） 幸 男 −ｆｆＪψ士 山 口 昭 ２第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 十ｚＪモ“什基板上に金属（配線文治を形成し、
該金Ｊｔ・（でｌ′Ｉ１．′縁）層上に１７ノストを被
着し、次に露光し、現ｉ＝’ することによって微細な
レジストパターンケ形欣し、次に該レノストのパターニ
ングによっでｊ、・１−出した全組）’ｊＪ秋而に面素
イオンを照射してｊ１ン化せしめることにより酸化膜層
を形成し、該１）支化Ｉｉ、’、ｌ冒をマスクとしてド
ライエツチングすることを４」仏とする配線ノぐターン
のノし取方法。 ２− ｉｊ！Ｊ ｆｆ１Ｌニレジストとしてポジレジ
ストを１更用することをｑ１旬ｔとするｌ清ｆｒ＃Ｎｊ
求の争巳囲訝Ｌ１項ｄ己鴨のカフ２＜〇 ’ ｌ」！」ｉピｊ４ｒＬ出した金Ｊ’：４層オ七面
の数比２、歌集イオンをｍ ｕ（２金シゴ）表面に打ち
込むことによって行なうことを特徴とする特♂ｆ’Ｂｒ
ｉ求の範囲第１項記載の方法。 ４− ＨｔＪｉｊ已ドライニドライエツチングズマエ
２．チングによって行なうことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583182A JPS59117124A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583182A JPS59117124A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117124A true JPS59117124A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16835488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22583182A Pending JPS59117124A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112534341A (zh) * | 2018-07-31 | 2021-03-19 | 豪雅镜片泰国有限公司 | 光学产品及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496370A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Mask forming method |
| JPS563679A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of metallic pattern |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22583182A patent/JPS59117124A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496370A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Mask forming method |
| JPS563679A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of metallic pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112534341A (zh) * | 2018-07-31 | 2021-03-19 | 豪雅镜片泰国有限公司 | 光学产品及其制造方法 |
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