JPS5911659A - 半導体用リ−ド材 - Google Patents
半導体用リ−ド材Info
- Publication number
- JPS5911659A JPS5911659A JP12091582A JP12091582A JPS5911659A JP S5911659 A JPS5911659 A JP S5911659A JP 12091582 A JP12091582 A JP 12091582A JP 12091582 A JP12091582 A JP 12091582A JP S5911659 A JPS5911659 A JP S5911659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead material
- conductivity
- heat resistance
- lead
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、すぐれたメッキ性、プレス打抜き性、放熱
性、耐繰り返し曲げ性、および導電性を有し、かつ耐熱
性にもすぐれた半導体用リード材に関するものである。
性、耐繰り返し曲げ性、および導電性を有し、かつ耐熱
性にもすぐれた半導体用リード材に関するものである。
一般に、半導体としてはｌ・ランジスクやＩＣなどが知
られているが、例えばＩＣなどの半導体は、（ａ、）
まず、 Ｃｕ合金ストリップの表面［Ｎｉ 、 Ｓｎ
。
られているが、例えばＩＣなどの半導体は、（ａ、）
まず、 Ｃｕ合金ストリップの表面［Ｎｉ 、 Ｓｎ
。
Ａ１およびその合金などのメッキ層を形成したものから
なるリード素材を用意し。
なるリード素材を用意し。
（ｂ） 上記リード累月よりプレス打抜き加工により
製造せんとする半導体の形状に適合したリードフレーム
を成形し。
製造せんとする半導体の形状に適合したリードフレーム
を成形し。
（ｃ）ついで、上記リードフレームの所定箇所に高純度
Ｓ１あるいはＧｅなどの素子を順次約３５０〜５００℃
の温度で上記メッキ層を介して熱圧着し。
Ｓ１あるいはＧｅなどの素子を順次約３５０〜５００℃
の温度で上記メッキ層を介して熱圧着し。
（ｄ） 上記素子と上記リードフレームに渡ってコレ
クタおよびエミッタ用の結線ヲ施し、（θ）引続いて、
上記素子、結線、および素子が取付けられた部分のリー
ドフレームを樹脂で被覆し・ （ｆ）最終的に上記リードフレームにおける相互に連な
る部分を切除して、 Ｏｕ合金リード材を有する半導体
とする５以上（ａ）〜（ｆ）の主要工程によって製造さ
れている。
クタおよびエミッタ用の結線ヲ施し、（θ）引続いて、
上記素子、結線、および素子が取付けられた部分のリー
ドフレームを樹脂で被覆し・ （ｆ）最終的に上記リードフレームにおける相互に連な
る部分を切除して、 Ｏｕ合金リード材を有する半導体
とする５以上（ａ）〜（ｆ）の主要工程によって製造さ
れている。
したがって、半導体のリード拐となる上記リード素材に
は、良好なメッキ性とプレス打抜き性、半導体素子の約
３５０〜５００℃での熱圧着に際して熱歪および熱軟化
が生じ−ない耐熱性、良好な放熱性と導電性、半導体の
輸送あるいは電気機器への組込みに際して破損が生じな
い耐繰り返し曲げ性などが要求されること［なる。
は、良好なメッキ性とプレス打抜き性、半導体素子の約
３５０〜５００℃での熱圧着に際して熱歪および熱軟化
が生じ−ない耐熱性、良好な放熱性と導電性、半導体の
輸送あるいは電気機器への組込みに際して破損が生じな
い耐繰り返し曲げ性などが要求されること［なる。
従来、これらの要求を満足すべく開発された半導体用リ
ード相としては、Ｏｕ−Ｓｎ系合金やＣ！ｕ −Ｆｅ系
合金が提案されているが、これらのＣｕ合金は、メッキ
性、プレス打抜き性、放熱性、耐繰り返し曲げ性、およ
び導電性にすぐれているものの、耐熱性に劣るため、上
記（ｃ）工程における３５０〜５００℃の温度範囲内で
の半導体素子の熱圧着時、特に前記温度範囲の高温側で
の熱圧着に際して熱軟化および熱歪音生じ易いものであ
った。
ード相としては、Ｏｕ−Ｓｎ系合金やＣ！ｕ −Ｆｅ系
合金が提案されているが、これらのＣｕ合金は、メッキ
性、プレス打抜き性、放熱性、耐繰り返し曲げ性、およ
び導電性にすぐれているものの、耐熱性に劣るため、上
記（ｃ）工程における３５０〜５００℃の温度範囲内で
の半導体素子の熱圧着時、特に前記温度範囲の高温側で
の熱圧着に際して熱軟化および熱歪音生じ易いものであ
った。
そこで１本発明者等は、上述のような観点から、従来リ
ード相のもつすぐれた特性、特に導電性を損なうことな
く、これにすぐれた耐熱性を付与すべく研究を行なった
結果、Ｆｅ ： ０．１０〜０３０％。
ード相のもつすぐれた特性、特に導電性を損なうことな
く、これにすぐれた耐熱性を付与すべく研究を行なった
結果、Ｆｅ ： ０．１０〜０３０％。
Ｐ ： ０．０３〜０．０８ ％、 Ｚｒ： ０．００
５〜０．１０％全含有し、残シがＣｕと不可避不純物と
からなる組成（以上重量係、以下係はすべて重量％を意
味する）を有するＣｕ合金は半導体用リード拐に要求さ
れるすべての特性、すなわちすぐれたメッキ性。
５〜０．１０％全含有し、残シがＣｕと不可避不純物と
からなる組成（以上重量係、以下係はすべて重量％を意
味する）を有するＣｕ合金は半導体用リード拐に要求さ
れるすべての特性、すなわちすぐれたメッキ性。
プレス打抜き性、放熱性、耐繰り返し曲げ性、および導
電性を有し、さらにすぐれた耐熱性を具備するという知
見を得たのである。
電性を有し、さらにすぐれた耐熱性を具備するという知
見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、以下に成分組成範囲全上記の通”シに限定した理由
を説明する。
て、以下に成分組成範囲全上記の通”シに限定した理由
を説明する。
（ａ） Ｆｅ
Ｆｅ成分にはり一ド拐の耐熱性と強度を改善する作用が
あるが、その含有量が０．１０％未満では前記作用に所
望の効果が得られず、一方０．３０ ％ ’ｚ越えて含
有させると導電性が劣化するようになることから、その
含有量を０．１０−０．３０１’と定めた。
あるが、その含有量が０．１０％未満では前記作用に所
望の効果が得られず、一方０．３０ ％ ’ｚ越えて含
有させると導電性が劣化するようになることから、その
含有量を０．１０−０．３０１’と定めた。
（ｂ） ｐ
Ｐ成分にはＦｅと鉄りん化物を形成してリード材の耐熱
性と導電率と強度とを向上させる作用があるが、その含
有量が０．０３％未満では、相対的に鉄シん化物の生成
が少なく、前記作用に所望の向上効果が得られず、一方
０．０８１ ｉ越えて含有させると、鉄りん化物を形成
するＦｅとの相対含有量において、余剰のＰがＣｕ素地
中に固溶してリード拐の導電性が低下するようになるこ
とから、その含有量を０．０３〜０．０８％と定めた。
性と導電率と強度とを向上させる作用があるが、その含
有量が０．０３％未満では、相対的に鉄シん化物の生成
が少なく、前記作用に所望の向上効果が得られず、一方
０．０８１ ｉ越えて含有させると、鉄りん化物を形成
するＦｅとの相対含有量において、余剰のＰがＣｕ素地
中に固溶してリード拐の導電性が低下するようになるこ
とから、その含有量を０．０３〜０．０８％と定めた。
（ｃ） Ｚｒ
Ｚｒはリード材の耐熱性を改善するために含有されるが
、その含有量が０．００５１未満では所望の耐熱性改善
効果を得ることができず、一方０．１０係を越えて含有
させると、導電性が低下するようになることから、その
含有量１ｏ、ｏｏｓ〜０１０係と定めた。
、その含有量が０．００５１未満では所望の耐熱性改善
効果を得ることができず、一方０．１０係を越えて含有
させると、導電性が低下するようになることから、その
含有量１ｏ、ｏｏｓ〜０１０係と定めた。
ナオ、この発明の半導体用リード拐において、最大限の
鉄りん化物の生成を可能とし、もって安定的にすぐれた
導電性を確保するためには、Ｆｅ（＠／Ｐ＠）の含有比
を３５〜５．５にするのが望ましい。
鉄りん化物の生成を可能とし、もって安定的にすぐれた
導電性を確保するためには、Ｆｅ（＠／Ｐ＠）の含有比
を３５〜５．５にするのが望ましい。
これはＦｅ （％） ／ Ｐ （％）の含有比が３．５
未満でも、５．５を越えても、鉄りん化物形成に際して
、ＦｅとＰの相対バランスがくずれ、余剰のＦｅｆ）る
いはＰがＣｕ素地中に固溶するようＫなってリード相の
導電性に低下傾向が現われるようになるという理由によ
るものである。
未満でも、５．５を越えても、鉄りん化物形成に際して
、ＦｅとＰの相対バランスがくずれ、余剰のＦｅｆ）る
いはＰがＣｕ素地中に固溶するようＫなってリード相の
導電性に低下傾向が現われるようになるという理由によ
るものである。
つぎに、この発明の半導体用リード拐を実施例により比
較例と対比しながら説明する。
較例と対比しながら説明する。
実施例
低周波溝型溶解炉を用い、それぞれ第１表に示される成
分組成をもったＣｕ合金を溶製し、半連続鋳造法により
鋳造して厚さ１５０ｍｍＸ幅４００ｗ＋１×長さ１４０
０ｍｍの寸法をもった鋳塊とし、ついでこの鋳塊に８５
０℃の温度で熱間圧延を施して板厚１０＋ｎ＋ｎの熱延
板とした後、水冷し、前記熱延板の上下面を各０．２
ｍｍづつ面側し、引続いて冷間圧延工程によシ焼鈍と圧
延を繰り返し仕上圧延率３０ヂで板厚０．２５ｔａｍと
し、厳終的にこれを４１０〜５８５℃に６０分間保持後
、空冷の熱処理を施して平均結晶粒度ｉ０．０１０ｍｍ
に調整することによって本発明リード拐用板材１〜５お
よび比較リード材用板材１〜３をそれぞれ製造した。な
お、比較リード材用板材１〜３は、構成成分のうちのい
ずれかの成分含有量（第１表に※印を付したもの）がこ
の発明の範囲から外れた組成をもつものである。
分組成をもったＣｕ合金を溶製し、半連続鋳造法により
鋳造して厚さ１５０ｍｍＸ幅４００ｗ＋１×長さ１４０
０ｍｍの寸法をもった鋳塊とし、ついでこの鋳塊に８５
０℃の温度で熱間圧延を施して板厚１０＋ｎ＋ｎの熱延
板とした後、水冷し、前記熱延板の上下面を各０．２
ｍｍづつ面側し、引続いて冷間圧延工程によシ焼鈍と圧
延を繰り返し仕上圧延率３０ヂで板厚０．２５ｔａｍと
し、厳終的にこれを４１０〜５８５℃に６０分間保持後
、空冷の熱処理を施して平均結晶粒度ｉ０．０１０ｍｍ
に調整することによって本発明リード拐用板材１〜５お
よび比較リード材用板材１〜３をそれぞれ製造した。な
お、比較リード材用板材１〜３は、構成成分のうちのい
ずれかの成分含有量（第１表に※印を付したもの）がこ
の発明の範囲から外れた組成をもつものである。
ついで、この結果得られた本発明リード利用板材１〜５
および比較リード利用仮相１〜３について、引張強さ、
耐力、伸び、導電力、および軟化温度をそれぞれ測定し
た。この測定結果を第１表に合わせて示した。
および比較リード利用仮相１〜３について、引張強さ、
耐力、伸び、導電力、および軟化温度をそれぞれ測定し
た。この測定結果を第１表に合わせて示した。
第１表に示されるように、本発明リード材用板材１〜５
は、いずれも半導体用リード拐に要求される特性を兼ね
備え、特に導電性および耐熱性のすぐれたものであるの
に対して、Ｐの含有量がこの発明の範囲から低い方に外
れ、かつＺｒｆ含有しない比較リード椙用板材１におい
ては、導電性および耐熱性とも劣ったものになっており
、またＰおよびＺｒの含有量がそれぞれこの発明の範囲
を外れて多い比較リード材用仮相２．３ではすぐれた面
Ｊ熱性を示すものの、導電率が低く、この種の半導体用
リード材に要求される９０％ｌＡＣ３以上の導電率を有
さないものである。
は、いずれも半導体用リード拐に要求される特性を兼ね
備え、特に導電性および耐熱性のすぐれたものであるの
に対して、Ｐの含有量がこの発明の範囲から低い方に外
れ、かつＺｒｆ含有しない比較リード椙用板材１におい
ては、導電性および耐熱性とも劣ったものになっており
、またＰおよびＺｒの含有量がそれぞれこの発明の範囲
を外れて多い比較リード材用仮相２．３ではすぐれた面
Ｊ熱性を示すものの、導電率が低く、この種の半導体用
リード材に要求される９０％ｌＡＣ３以上の導電率を有
さないものである。
均上のように、この発明の半導体用リード材は、導電率
：９０％ｌＡＣ３以上のすぐれた導電性、並びに半導体
素子の熱圧着に際して、熱歪や熱軟化の発生を完全に回
避することのできるｔぐれた耐熱性を兼ね備え、かつそ
の他半導体用リード材に要求される特性をすべて具備し
ているのである。
：９０％ｌＡＣ３以上のすぐれた導電性、並びに半導体
素子の熱圧着に際して、熱歪や熱軟化の発生を完全に回
避することのできるｔぐれた耐熱性を兼ね備え、かつそ
の他半導体用リード材に要求される特性をすべて具備し
ているのである。
出願人６．玉川機械金属株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｆｅ： ０．１０〜０．３０％、 Ｐ ： ０．０３〜
０．０８％。 Ｚｒ： ０．００５〜０．１０ ’Ｉｙを含有し、残り
がｃｕと不可避不純物からなる組成Ｃ以上重量係）を有
することを特徴とする半導体用リード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12091582A JPS5911659A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体用リ−ド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12091582A JPS5911659A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体用リ−ド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911659A true JPS5911659A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14798138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12091582A Pending JPS5911659A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 半導体用リ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104717A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-21 | Nkk Corp | 成形性に優れたフェライト系ステンレス鋼板の製造方法 |
| JPH03219055A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-09-26 | Nippon Steel Corp | 耐食性の優れたエンジン排ガス系材料用ステンレス鋼 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157554A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Tamagawa Kikai Kinzoku Kk | Lead material with excellent heat resistance and conductivity for semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12091582A patent/JPS5911659A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157554A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Tamagawa Kikai Kinzoku Kk | Lead material with excellent heat resistance and conductivity for semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104717A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-21 | Nkk Corp | 成形性に優れたフェライト系ステンレス鋼板の製造方法 |
| JPH03219055A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-09-26 | Nippon Steel Corp | 耐食性の優れたエンジン排ガス系材料用ステンレス鋼 |
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