JPS59111333A - ＳｉＯ領域をＳｉＯ↓２領域に変換してＳｉＯ↓２領を形成する方法 - Google Patents

ＳｉＯ領域をＳｉＯ↓２領域に変換してＳｉＯ↓２領を形成する方法

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JPS59111333A
JPS59111333A JP58149747A JP14974783A JPS59111333A JP S59111333 A JPS59111333 A JP S59111333A JP 58149747 A JP58149747 A JP 58149747A JP 14974783 A JP14974783 A JP 14974783A JP S59111333 A JPS59111333 A JP S59111333A
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サミユエル・エミ−ル・ブラム
カレン・ヒル・ブラウン
ランガスワミ−・スリニバサン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は酸素ガス雰囲気中で２２０ｎｍ以下の波長の紫
外線を照射する事によってＳｉＯをＳｉＯ２に光化学的
に変換する方法に関する。
〔背景技術〕
酸化物絶縁体は、マイクロエレクトロニクス・デバイス
及び実装体を含む多くの応用に用いられている。特にＳ
ｉＯ及びＳｉＯは半導体デバイス技術及びジョセフソン
・デバイス技術等で広く用いられている。ＳｉＯ及びＳ
　ｉＯ２は共に良好な絶縁体であるが、ＳｉＯがその固
有の安定性及び良好な電気的特性によって一般に好まれ
ている。例えばＳ　ＩＯ２はＳｉＯよシも多孔質でなく
、ＳｉＯよシも誘電率が低い。非常に薄い層が使われる
薄膜回路では、キャパシタンスを減少させるために低い
誘電率の重要性はよシ一層増加する。
ＳｉＯ及びＳ　ｉＯ２はエツチングの作用の受は方及び
それらを形成する技術にも相違がある。一般にＳｉＯは
ＨＦを使う時Ｓ　ｉＯ２よりも緩やかにエツチングされ
、またよシ低温で形成する事ができる。特にＳ　ｒ　０
２の良好な膜は４００℃以下の温度では製造できない。
この制限は５０００Ｘ以下の厚さの膜を製造しなければ
ならない時には一層顕著である。しかしながら多くの技
術は、工程の各ステップに必要とされる温度ができるだ
け低いような製造工程を用いる事を好む。特にジョセフ
ソン・トンネル・デバイスを製作するのに使われる工程
は約１００℃を越えない温度を必要とする。
そのような工程では、デバイス及び回路の製造中に使わ
れた温度が約１０ａＯ℃を越えると超伝導材料及悪影響
を受ける。
シリコン・デバイスの処理においても、Ｓ　ｉｏ　２を
形成するためにシリコンを高温で処理する事は、シリコ
ン層に欠陥を生じる可能性があるので望ましくない。そ
のような欠陥は高密度のＬＳＩ回路で特に重要である。
従って付着温度を一般に用いられる約１１］００℃の温
度以下に下げるために、シリコン上に５ＩＯ２を形成す
る他の技術が研究されている。例えばシリコンをプラズ
マ酸化してＳ　ｉ　Ｏ２にするには約５００℃の温度が
必要である。
しかしこの技術はプラズマが下側のシリコン層に欠陥を
誘起する可能性があるという欠点を有する。
シリコン上にＳ　ｒ　０２を付着させるためのもう１つ
の技術は下記の反応に基づく遠紫外線酸化法を用いてい
る。
この方法はその場所に水銀蒸気を必要とし、これはシリ
コン・デバイス技術では望ましくない。
ジョセフソン・テバイス回路を製作するための工程では
、しばしばＳｉＯ絶縁膜が使われる。というのはそれが
約ｔｏｏｃ以下の温度で付着できるからである。しかし
ながらＳｉＯは、ＳｉＯと比較して比較的高い誘電率を
有し且っＳｉＯはＳ　’　０２のようＫは容易にエツチ
ングされないので、望ましい材料ではない。
従って種々の厚さの高品質のＳｉＯ・層ヲ、′低温で付
着する技術を提供する事が望ましい。本発明を実施する
時、ＳｉＯが低温で形成され次に２２０１１ｍ以下の波
長の紫外線を用いて光化学的に８４０　　に変換される
。そのＳｉ０層は、　ＳｉＯに変換するために酸素の存
在下で紫外線を照射される。照射は全面照射でも局所的
な照射でもよい。
従って本発明の主な目的は低温で高品質のＳ　ＩＯ２層
を形成するだめの改良された技術を捉供する事である。
・本発明によれば、約１００℃以下の温度特に室温でＳ
　ｉＯ２層を製造できる。
Ｓ　ｉＯ２を除く他のシリコン酸化物と同様にＳｉＯは
不安定である事が知られている。さらにＳｉＯは自然に
ゆっくりした過程で経年変化してＳ　ｉ　Ｏ２になる小
も知られている。実際ＳｉＯは環境中の自然に住在する
紫外線によシ光化学変化を起こしてＳｊＯになる。
Ｓｌ　Ｏが１：１の化学量論的組成比を有する非常に高
品質のＳｉ０層は（蒸着装置中の１０−８トルの真空の
ような）超高真空を用いて製作する事ができる。そのよ
うなＳｉＯはかなシ安定で、数年間にわたって僅かしか
Ｓ　ｒ　０２に変化しない。もちるん温度を上昇させれ
ば、ｓｊＯのＳｉＯへの熱酸化が急速に進行する。これ
はＳｉＯをＳｉＯに変換するだめの周知の方法である。
しかしこの方法は高い処理温度が必要であるという欠点
がある。
紫外線照射を用いてシリコン酸化膜の吸光度を変化させ
た技術の例はＩ　、　Ｊ　、　Ｈｏｄｇｋｉｎ　ｓｏｎ
外、Ｔｈ１ｎ　　５ｏｌｉｄ　　Ｆｉｌｍｓ、１７．Ｐ
Ｐ　、１８５〜１９．７（１９７３，）に記載されてい
る。その紫外線の波長は２５４　ｎ、ｍであシ、照射中
及び照射後は異なった雰囲気が用いられた。短かい露光
時間の場合、吸収帯は先鋭化しｓ】　ｏ　Ｋ特有の３ ピークの高さが増加した。ＳｉＯに関する吸収は現われ
なかった。しかしながら空気中で長時間露光すると、ｏ
：ｓｉ比は２：１に接近した。これは予期される事であ
る。というのはＳｉＯは比較的不安定で、ＳｉＯに変換
されるからである。この状況における照射はシリコン酸
化物膜のアニーリングに類似している。アニーリングで
は熱処理により孤立したＳｉＯ四面体結合が生じる。こ
の過程は過剰のシリコンを使いはんずので、よシ安定な
形Ｓ　＋　０２が生じる。
ＳｉＯ及びＳ　ｌ　２０３をＳ　１０２　　に短かい時
間で且つ制御された方式で信頼性良く変換する方法を有
する事が好ましい。またそのような変換は未結合のＳｉ
原子を残す事なく完全に行なわれる事が望ましい。
本発明によれば、約１００℃以下の温度でシリコン酸化
物をＳ　ＩＯ２に変換する信頼性ある技術が与えられる
。
本発明によれば、シリコン酸化物をＳ　］　０２に制御
可能に変化させる技術が与えられる。この技術１ｄデバ
イスの他の層を変化させないデバイス製造処理に適合で
きる。
本発明によれば、酸化物の電気特性を変化させるために
、シリコン酸化物特にＳｉＯをＳ　ｉＯ２に変換する技
術が与えられる。
本発明によれば、８１０層の選択された領域において制
御可能に且つ信頼性良くＳ１０をＳ　ｉＯ２に変換する
技術が与えられる。
本発明によれば、マイクロエレクトロニクスのデバイス
及び回路の製造に有用な材料変換技術が与えられる。
本発明によれば、局部的に電気的性質が異なった単一レ
ベルの絶縁層を製造できる方法が与えられる。
本発明によれば、シリコン酸化物をＳ　ｉ　Ｏ２に選択
的に変換する技術が与えられる。
本発明によれば、ジョセフソン・デバイス回路を製作す
るための改良された方法に使用可能な方法が与えられる
。
本発明によれば、類似の材料の２つの層の間にエツチン
グ・ストップが形成できる技術が与えられる。
本発明によれば、Ｓｉ０層を８１０２に変換する技術で
あって、変換がその層の任意の深さ丑で行なわれるもの
が与えられる。
本発明によれば、工程中にエツチング・ストップが形成
された、複数の層から成るマイクロエレクトロニクス構
造体の製造技術が与えられる。
本発明によれば、比Ｓ１：０が本質的に１：２となるよ
うな、Ｓ１０の８１０２への改良された光化学的変換法
が与、えられる。
本発明によればＳｉＯ及び５１０２の薄膜を有するデバ
イスを製造するための改良された技術が与えられる。
〔発明の開示〕
最も広い意味において、本発明は酸素を含む環境中で２
２０　ｎ、ｍ、以下の波長の紫外線で第１の酸化物種を
照射する事によって第１の酸化物種を第２の酸化物種に
変換する方法に係る。よシ具体的には本発明は酸素を含
む環境中で２２０　ｎｍ１以下の波長の紫外線でＳｉＯ
を照射する事によってＳｉＯをＳ　ｉＯ２に変換するだ
めの技術に係る。
照射はパルス照射でも又連続波照射でもよく、ランプ又
はレーザのいずれかによって与える事ができる。一般に
放射中のエネルギー量は非常に低い事があるが、かなシ
の光化学的効果を起こすには充分なエネルギー量のある
事が望ましい。例えばレーザ・パルスを用いた時、少な
くとも約５ｍＪ／ｃｍ２／パルスのエネルギー量が効果
的なＳ　ｉＯ２への変換を与える。
生じる効果は、ＳｉＯが光を吸収して酸素で光化学的に
酸化されＳ　ｒ　０２を形成する光化学的効果で−ある
。環境はこの変換のために酸素を含まなければならず、
これは例えば空気、純酸素又は酸素を含む混合気体であ
る。水分の飽和した空気、蒸気等でも良い。
酸素を含む雰囲気中でこの紫外線照射を繰シ返す事によ
り、任意の深さのＳｉＯをＳ　ｉＯ２に変換できる。
ＳｉＯの表面層はＳ　ｒ　０２に変換されるが、Ｓ　＋
　０２は２００　ｒｒｍ以下の波長に対して透明なので
、それ以上の照射の効果は妨げられない。このようにし
て任意の深さのＳｉＯをＳ　ｒ　０２に変換できる。
５０００Ｘ以上の深さのいくつかの深さについてＳ１０
を全面的にＳ　ｉＯ２に変換した例を後で与える。
〔発明を実施するだめの最良の形態〕
第１図は本発明を実施するのに適した装置を示す。装置
は入力口１２及び出力口１４を含む真空容器１０を含む
。空気、水蒸気、酸素等の気体は矢印１６に示すように
容器１０に導入される。余分の気体及び反応の揮発性副
産物はポンプ１８を使って容器１０からｉ去できる。除
去される揮発性副産物は矢印２０で示されている。
遠紫外線源２２は２２Ｏｎｍ・以下の波長の放射１ ２４を発生させるために使われる。放射２４は窓２６を
通シ容器１０に入る。窓２６は典型的にはスプラシル石
英の窓から出来てお、ｊ２．２２０ｒｒｍ以上の波長の
放射を阻止する。
上記波長域の紫外線源２２はノくルス放射を発生するも
のでも連続波放射を発生するものでもよい。
２つの適当な例は、１ｊ３ｎｍのノ（ルス放射出力を発
生するＡｒＦエクシマ・レーザ及び１８５ｎｍの連続波
出力を発生する低圧水銀灯である。このレーザから得ら
れるエネルギー量は水銀灯から得られるものよりも大き
く、よシ急速にＳｉＯをＳｉＯに変換するために使用で
きる。
これら２つの紫外線源に加えて、本発明の目的のために
２２０　ｎｍ以下の波長域の放射を発生させるためにど
の型の光源又は光学系を用いてもよい。しかしながら高
出力のレーザ光源は一般に、必要な光化学反応を起こす
ための時間という点でより効率的である。
容器１０に入った放射２４は基板３０上の酸化物層２８
に当る。この例では酸化物層２８はＳｉ０層であシ、基
板３０は金属、半導体、絶縁体等を含む任意の材料であ
る。第１図で放射２４は、８１０層２８の選択された領
域を照射するためにマスクろ２を通される。もちろん層
２８の全領域を照射する事も可能である。選択領域の照
射又は全面照射のいずれを使用するかは応用に依存する
。
この短波長の紫外光が酸素の存在下でＳｉＯに当ると、
ＳｉＯが光を吸収し酸素によってＳ　Ｉ　０２に光化学
的に酸化されるような光化学反応が起きる。
この反応が起きるだめにはいくらかの酸素が存在し々け
ればならず、一般に存在する酸素の量が増加すると共に
反応速度及び効率は増加する。酸素は空気、混合気体、
水分の飽和した空気、蒸気及び純酸素等の多くの形で存
在し得る。ＡｒＦレーザ等の高い強度の紫外線源を用い
た時、より高い濃度の酸素が一般に必要である。これは
高い強度の紫外線ビーム中には多数の光子が存在してい
るからである。入射した光子毎に複数の酸素原子が供給
されるならば、ＳｉＯの５１０２への変換は急速に進行
する。
この効果は、表面のＳｉＯの分子が光化学的に５ｊＯ２
に変換される表面効果である。しかじなからＳｉＯ２は
この範囲の波長に対して透明であシ、変換の過程は層２
８の所望の深さまで継続し得る。
ＳｉＯが８１０２へ変換される深さは、照射時間の長さ
に依存する。厚み全体を含めて、層２８の任意の深さま
で変換する事ができる。
先程述べたようにパルス・レーザ光源は一般によシ大き
なエネルギーを与えるので、ＳｉＯを５１０２に変換す
るのに必要な時間の点でよシ効率的である。しかし変換
を起こすために加えられなければならないエネルギーに
はしきい値が存在しないようである。従って多くの工程
で層２８の薄い表面層を効率的に全面変換するために低
圧水銀灯を使う事ができる。集束されたパルス放射を与
えるレーザの利点は、特にかなりの深さのＳｉＯがＳｉ
Ｏに変換されなければならない時に、良好な局所的制御
及び急速な変換が行なわれるように小領域が照射できる
事である。本発明を実施した時、ＳｉＯ膜の品質はＳｉ
Ｏが光化学的に８１０２に変換される速度や様式に影響
しない事が観察された。現在祉での実験において高品質
のＳｉＯは等しく高品質のＳ　＋　０２に変換された。
また、初期のＳｉＯ膜中の痕跡量のＳｉ　　Ｏも同様に
Ｓ　］　０２に変６ 換されるようである。現在の所、この技術が元のＳｉＯ
膜よシも良い性質を持ったＳｉＯ膜の製造に使えるか否
かは知られていない。
ＳｉＯのＳｉＯへの変換は完全な光化学的変換である事
及び膜２８中のＳｉ及びＳｉＯの単に再配置ではない事
が観察された。第２Ａ図、第２Ｂ図及び第６図に示すよ
うに実験的にこの事が確認された。
第２Ａ図及び第２Ｂ図は、酸素の存在下で２２Ｏｎ・ｍ
以下の波長の紫外線で照射された第１の部分及び照射さ
れなかった第２の部分を有するＳｉＯ試料の赤外線透過
特性のグラフである。
第２Ａ図は照射されなかった部分のグラフ、第２Ｂ図は
照射された部分のグラフである。試料はＳｔ上のＳｉ０
層であ勺、Ｓｉ０層の厚さは２７５０Ｘであった。照射
はＡｒＦエクシマ・レーザからの１９３ｎｒｍのレーザ
・パルスヲ用いた。２００個のパルス（各々約１０ｎｓ
ｅｃのパルス幅）が加えられた。
赤外線透過スペクトルは２５ミクロンカラ４０ミクロン
まで調べられた。第２Ａ図と第２Ｂ図との比較卆られか
るように、照射されたＳｊＯ試料が酸化されて５ｉ０２
を生じた事に対応して、透過曲線の谷６４にシフトが生
じている。照射された試料にはＳｉの存在に対応するピ
ークは見られない。従って遊離Ｓ＋及びＳｉＯ（又はＳ
　ｔｏ）を残すような型の、照射された試料内の単なる
原子の再配列は存在しない。その代シに２分子のＳｉＯ
が１分子の酸素と結合して２分子のＳｉＯを生じている
。
ＳｉＯのＳ　ｒ　０２への光化学的変換に関する正確な
機構は現在知られていない。ＳｉＯ及び０２は共に２０
０ｎｍの放射を吸収して励起状態を生じ得る。励起状態
の寿命に依存して、酸素が拡散してＳ　Ｉ’　０２を生
じる充分な時間が存在する。
十 第６図はＨｅ　後方散乱実験の結果を示す。この実験で
、１ｏｏｏＸのＳｉＯがＡｒＦ　レーザによって作られ
た紫外線（１９３ｎｍ、）を空気中で照射された。照射
には２００００回のパルスが用いられ、その各々のパル
ス幅は約１０　ｎ５ｅｃであった。
エネルギーは第２Ａ図及び第２Ｂ図の実験で用いられた
ものと殆んど同じ（１２０ｍＪ／ｃｍ２／パルス）であ
った。
十 第６図で、後方散乱されたＨｅ　　のカウント数が後方
散乱されたＨｅ＋のエネルギーに対して描かれている。
この型の試験ではＨｅ＋イオンがＳｉＯ試料に入射され
試料によって反射され実線の曲線が得られる。試料が紫
外線で照射された後、再びＨｅ＋イオンが試料に入射さ
れ破線の曲線が得られる。ＵＶ照射は空気中でＡｒＦレ
ーザからの１９６ｎ・ｍのパルスを用いて行なわれだ。
ＳｉＯ及びＳｉＯ試料は入射Ｈｅ＋イオンに対して−７
０゜に傾けられた。イオンの入射エネルギーは２３Ｍｅ
Ｖ電荷′は８０　ｐＣであった。
Ｓｉ０層に関する（ＵＶ照射前の）後方散乱曲線は実線
で与えられている。このＳｉＯの１００ｏＸの層の相対
的組成は４９．７　：　５０．３であった。
紫外線パルスによる空気中での照射の後、ＳｉＯはＳｉ
Ｏ２に変換され、後方散乱曲線は破線に示すようにシフ
トした。この変換された層の相対的組成はＳｉ：　Ｏ＝
３５．３　：　６４．７であった。
Ｓ　ｒ　０２が光化学反応の結果として得られるという
事実はそれ自体最終的な答ではない。何らかの遊離Ｓｌ
が存在するか否かを判定するためのよシ進んだ調査が行
なわれた。もし遊離Ｓｔが存在すればそれに対応するエ
イ・ルギーの所に後方散乱曲線に鋭いピークが得られる
であろう。しかしそのようなピークは見つからなかった
。
第６図の結果は空気中でのＵＶ照射にょシ得られた。Ｓ
ｉＯ２への変換を示す同様の結果は酸素を含む他の雰囲
気中でも得られた。
第２Ａ図、第２Ｂ図及び第６図に関して用いた試料にお
いて、基板はＳｉであシ、その上に８１０層が付着又は
成長された。しかし基板は金属でもよい。同じ光化学効
果が生じ、ＳｉＯは光化学的に５１０２に変換されるで
あろう。
ＳｉＯのＳ　ｒ　０２への信頼性ある変換は有用な手法
であり、製造工程及び製品を改善できる。第４Ａ図〜第
４Ｄ図はいわゆるエツチング・ストップを与えるために
この技術を用いた例を示す。エツチング・ストップは上
側の層の除去又はパターニングのために下側の層のエツ
チングを阻止するために用いられる。　　　− より詳細に説明すると、第４Ａ図は基板４０上０８ｉＯ
層３８を示す。層６８は矢印４２に示すように２２０ｎ
ｍ以下の波長の紫外線によシ全面照射が与えられる。こ
の放射は層６８の表面層４４をＳｉＯに変換するだめに
短時間だけ照射される。第４Ｂ図にその結果を示す。
次に他のＳｉ０層４６が、変換されたＳ　ｉＯ２層上に
付着される（第４Ｃ図）。層４６を反応性イオン・エツ
チング（ＲＩＥ）によシバターニング、する事が望まれ
る。ＳｊＯは反応性イオン・エツチングにおいてＣＦ４
ガス・プラズマによって工ツチングできるニジかしなが
らＲＩＥ条件はＳ　＋　０２がＳｉＯよりも遅くエツチ
ングされるように設定できる。従ってＳ　］　０２層４
４は、層４６がパターニングされる時のエツチング・ス
トップとして役立つ。これは第４Ｄ図に、ＳｉＯ層４４
によって与えられたエツチング・ストップで停止したＲ
ＩＥにより除去された層４６の部分４８に示されている
。
エツチング・ストップは、異なった材料のエツチング速
度が異なる事を利用している。多レベル薄膜技術を必要
とするデバイスの製造において、エツチング・ストップ
は非常に有用である。しかしながらエツチング・ストッ
プは普通、異なった組成の層を付着する事によって与え
られる。これは別の蒸着源を必要とする等の付加的な工
程の束縛条件となる。本発明を実施すると、同じ組成の
多数の層を付着し次にそれを異なる組成に変換できる。
高速の信号を伝えるだめの薄膜導体及び伝送線を用いた
回路の製造において、絶縁層の誘電率等の因子は特に重
要になる。第５図で局所領域のキャパシタンスがそれら
の領域の化学種の変換によって調整されている。例えば
層５０は基板５２上にある８４０層である。導体５４は
Ｓｉ０層５０上に付着されなければならない。導体５４
が付着される領域の誘電率従ってキャパシタンスを減少
させるために、酸素環境中で紫外線照射を行なって領域
５６をＳｉＯに変換した。Ｓ　ｉＯ２の誘電率はＳｉＯ
の誘電率よシもずっと小さいので、第５図の構造の信号
伝達能力は強化される。
ＳｉＯに変換された領域５６は第５図では表面領域とし
て示されているが、この領域は層５０の深さ全体を貫い
ていてもよい。
第５図の他の変型において、誘電体層５０の厚さを変化
させ、なおかつ小さなキャパシタンスを得る事もできる
。例えば層５０はかなり厚く形成し、次に導体５４の下
の誘電率を減少させるためにＳｉＯに変換する事ができ
る。ある目的にはより厚い絶縁層が必要とされるかもし
れないが、誘電率は位置によって調整できるので付加的
な厚みの影響は不利ではない。
第６図はジョセフソン効果デバイス及び回路の製造に特
に有用な他の実施例を示す。ここで、８４０層５８は基
板５６上に配置されている。基板５６は絶縁体でも又超
伝導グランドプレーンでもよい。Ｓｉ０層５８の領域６
０はＳｉＯに変換されている。ジョセフソン効果デバイ
ス６２は変換領域６０上に直接形成される。デバイス６
２は典型的にはベース超伝導電極６４、薄いトンネル障
壁６６、及び上部の対向超伝導電極６８から構成される
。
ジョセフソン・デバイス技術において、トンネリング論
理ゲートはＳｉＯよりもＳｉＯ上に配置された時により
良い性能で動作する事が見い出されている。しかしなが
らＳ　＋　０２は約４００℃以下の工程温度では良い品
質が得られない。しかしこのような高い温度は超伝導デ
バイスを製造するために用いられる工程では使用できな
いので、５ＩＯ２は使用されなかった。しかし本発明を
用いればＳ　ｉＯ２を用いてより良い性能のジョセフソ
ン・デバイスを製造する事ができる。
第６図で変換領域６ｏは層５８の浅い領域として示され
ているが、実際は変換領域は完全に層５８を貫いて基板
６ｏに至る事もあシ得る。しかしなから層５８を完全に
貫く変換領域上に形成されたジョセフソン・デバイスの
電気特性は、層５８の表面層だけの変換領域６ｏ上に形
成されたデバイスよシも良いようである。
本発明を実施する時、酸素を含む算囲気の存在下で１つ
の酸化物形（ＳｉＯ）を他のもの（Ｓｉｎ）に変換する
のに２２ｏｎｍＩ以下の波長の紫外線を用いた。主要な
例としてＳｉＯを示しだが、Ｓｉ　　Ｏ２０ をよシ安定なＳｉＯに変換できる事も明らかである。ま
だ、この光化学的変換は１００℃以下の温度で良く働く
が、別の温度でも起き得る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施に適した装置の図、第２Ａ図及び
第２Ｂ図はそれぞれ紫外線照射前及び照射後の８４０層
の赤外線透過特性を示すグラフ、 第３図は紫外線照射の効果を確認するための］後方散乱
実験結果のグラフ、 第、４Ａ図乃至第４Ｄ図は薄膜デバイスの製造二程にお
いてエツチング・ストップを与えるためＣ本発明を応用
した例を示す図、 第５図は８４０層の一部がＳ　ｒ　０２に変換された所
に導体が配置された回路構造を示す図、第６図は８４０
層の一部が８４０　　に変換されだ所に配置されたジョ
セフソン効果デバイスを示で図である。 １８・・ポンプ、２２　・・・遠紫外線源、２４・遠紫
外線、２８・・・・酸化物層、５０・　基板、６２・・
・・マスク。 出願　人　　インター廿うりＵタレ拳ビジネス曖マシー
スズ・コーポレーショ代理人　弁理士　　岡　　　１）
　　次　　　生（外１名） ｅ ＦＩＧ、　ｆ ／

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸素を含む雰囲気中で２２Ｄｎｍ以下の波長を有する紫
    外線によ、！１ｌｌＳｉＯ領域を照射する工程を含む、
    上記ＳｉＯ領域をＳｉＯ領域に変換してＳ　ｉＯ２領域
    を形成する方法。
JP58149747A 1982-12-09 1983-08-18 ＳｉＯ領域をＳｉＯ↓２領域に変換してＳｉＯ↓２領を形成する方法 Pending JPS59111333A (ja)

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CA1225362A (en) 1987-08-11
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EP0126803A2 (en) 1984-12-05

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