JPS59108340A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置Info
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- JPS59108340A JPS59108340A JP57218553A JP21855382A JPS59108340A JP S59108340 A JPS59108340 A JP S59108340A JP 57218553 A JP57218553 A JP 57218553A JP 21855382 A JP21855382 A JP 21855382A JP S59108340 A JPS59108340 A JP S59108340A
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- Japan
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- electrode
- substrate
- layer
- metallic layer
- rectifying devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は小型でしかも放熱効率の商い自動車用半導体整
流装置として適Ｔる半導体整流装置ｆ：関する。
流装置として適Ｔる半導体整流装置ｆ：関する。
一般（：自動車等の車両には、バッテリーを充電Ｔるた
めの発電機が塔載されているーこの発電機は一般Ｃ：三
相交流用のものが使用されるため、この発電機で発生し
た三相交流は第１１Ｊに示すような整流ｌＰ！Ｊ路によ
Ｉ］三相全汲整流される。
めの発電機が塔載されているーこの発電機は一般Ｃ：三
相交流用のものが使用されるため、この発電機で発生し
た三相交流は第１１Ｊに示すような整流ｌＰ！Ｊ路によ
Ｉ］三相全汲整流される。
即ち第１図において１〜３はそれぞれ三相交流発電機の
コイルであ１＋、それらの各一端は共通接続される０ま
だ６個のダイオード４ａｍａｂ。
コイルであ１＋、それらの各一端は共通接続される０ま
だ６個のダイオード４ａｍａｂ。
５ａ１５ｂ１６ａ、６ｂは各コイル１〜３ Ｃ発生する
交流電圧を全波整流するためのものであＩ】、３個のダ
イオード４ｍ、５ａｍ６ａのカソード共通接続点はバッ
テリー７の正極側に、また３個のダイオード１ｂ、５ｂ
、６ｂのアノード共通接続点は上記バッテリー７の負極
側にそれぞれ接続されている６″ｆ、たダイオ−ｆ６ｍ
。
交流電圧を全波整流するためのものであＩ】、３個のダ
イオード４ｍ、５ａｍ６ａのカソード共通接続点はバッ
テリー７の正極側に、また３個のダイオード１ｂ、５ｂ
、６ｂのアノード共通接続点は上記バッテリー７の負極
側にそれぞれ接続されている６″ｆ、たダイオ−ｆ６ｍ
。
５ ａ ｅ ４ ａのアノードとダイオード６ｂ、５ｂ
。
。
４ｂのアノードはそれぞれコイル１．３．２の他端に接
続され、これによ１３バツテリー７の充電が行なわれる
− 第２（９）は上記発電機の半導体整流装置取付部の断面
構造を示Ｔｏ図において１１はケース。
続され、これによ１３バツテリー７の充電が行なわれる
− 第２（９）は上記発電機の半導体整流装置取付部の断面
構造を示Ｔｏ図において１１はケース。
１２ｍ、１２ｂは半導体整流装置であるＤこの整流装置
１２ｍ、Ｉ２ｂはケース１１円のスペースＩ：設けられ
、的紀６個のダイオード４１〜６８＊４ｂ〜６ｂが配設
された主！−２つの放熱電極板Ｚ、９．１４からなる一
体化された従来の半導体整流装置であり１例えば第３図
ないし第５図のように構成されているー即ち第３図、第
４図はそれぞれ異った面の平面因であ１１．第５因はＳ
３図のａ −ａ’線≦：沿う断面図である。図において
１Ｂ、１９．２０は放熱電極板ｌ３１Ｚ４と対向Ｔるよ
う区−設けられた電極導出板。
１２ｍ、Ｉ２ｂはケース１１円のスペースＩ：設けられ
、的紀６個のダイオード４１〜６８＊４ｂ〜６ｂが配設
された主！−２つの放熱電極板Ｚ、９．１４からなる一
体化された従来の半導体整流装置であり１例えば第３図
ないし第５図のように構成されているー即ち第３図、第
４図はそれぞれ異った面の平面因であ１１．第５因はＳ
３図のａ −ａ’線≦：沿う断面図である。図において
１Ｂ、１９．２０は放熱電極板ｌ３１Ｚ４と対向Ｔるよ
う区−設けられた電極導出板。
２１は絶縁性部材、２２．２３は各放熱電極板ｒｓ、ｒ
ａそれぞれに３個所ずつ設けられる凹部であＩＩ、これ
ら各凹部２２．２３Ｉニダイオード４ａ〜６８１４ｂ〜
６ｂが配設される。また２４ｍ＊２４ｂ、２４ｃは電極
導出板１８〜２０に設けられる入力端子であり、この各
入力端子２４ａ ｍ２４ｂ、２４ｃＩ：コイル１〜３そ
れぞれの一端が接続される６ ２５．２６は直流電圧の
出力端子であり、バッテリー７の正極側及び負極側に接
続される。絶猷性部材２１は凹部２ ； 、 ２３ Ｃ
配設されたダイオードを放熱電極板及び電極導出板の間
に封止すると共に、これら′ｆ：電気的に絶縁するよう
にモールド成型されるＤ 上記のようなＩＩＩ成をＨする従来の半導体整流装置は
、その形状が平面的に広がったものとなり１例えば５０
ｄ’ｌ＋’占める大きさとなＩＪ、ｆ：た重量も１３３
ｇと電いものになってしまう。このためこの装置をケー
スＩＩ内に設ける発電機自体も形状及び重量が大きなも
のになってしまう欠点があるｎまた第２図ｇ二示す如く
発電機壁ｒｘには、負極側放熱板１４’９１直付けＴる
ため。
ａそれぞれに３個所ずつ設けられる凹部であＩＩ、これ
ら各凹部２２．２３Ｉニダイオード４ａ〜６８１４ｂ〜
６ｂが配設される。また２４ｍ＊２４ｂ、２４ｃは電極
導出板１８〜２０に設けられる入力端子であり、この各
入力端子２４ａ ｍ２４ｂ、２４ｃＩ：コイル１〜３そ
れぞれの一端が接続される６ ２５．２６は直流電圧の
出力端子であり、バッテリー７の正極側及び負極側に接
続される。絶猷性部材２１は凹部２ ； 、 ２３ Ｃ
配設されたダイオードを放熱電極板及び電極導出板の間
に封止すると共に、これら′ｆ：電気的に絶縁するよう
にモールド成型されるＤ 上記のようなＩＩＩ成をＨする従来の半導体整流装置は
、その形状が平面的に広がったものとなり１例えば５０
ｄ’ｌ＋’占める大きさとなＩＪ、ｆ：た重量も１３３
ｇと電いものになってしまう。このためこの装置をケー
スＩＩ内に設ける発電機自体も形状及び重量が大きなも
のになってしまう欠点があるｎまた第２図ｇ二示す如く
発電機壁ｒｘには、負極側放熱板１４’９１直付けＴる
ため。
発電機への放熱エニより温度上昇を押えることかできる
が、正極側放熱板Ｉ３は絶縁物Ｉ５を介しての放熱のた
め、ダイオード４ ａ ｈ ５ ｍ ＋ ６ｍの温度上
昇が大きくなる欠点がある・ このような事情から０次のような小型、軽量で優れた冷
却性能を有丁半導体整流装置が開発された・即ちこの装
置は、第６因Ｉ：示すようにその一万面側が発電機のケ
ース１Ｋに密着固定される例えば銅からなる基板３Ｉの
他方面に。
が、正極側放熱板Ｉ３は絶縁物Ｉ５を介しての放熱のた
め、ダイオード４ ａ ｈ ５ ｍ ＋ ６ｍの温度上
昇が大きくなる欠点がある・ このような事情から０次のような小型、軽量で優れた冷
却性能を有丁半導体整流装置が開発された・即ちこの装
置は、第６因Ｉ：示すようにその一万面側が発電機のケ
ース１Ｋに密着固定される例えば銅からなる基板３Ｉの
他方面に。
ガラスエポキシ或いはポリイミド等の絶縁性硝３−
脂部材３２を介して銅からなる層３３を熱田看し、基板
３１上に、アノードが下向きとなるようにダイオード３
４′Ｉｋろう付は固定し６層３３上Ｉ：、カソードが下
向きとなるようにダイオード３５をろう付は固定し、ダ
イオード３４のカソード３５のアノードとｔ両極板３６
１：よって接続し、この２個のダイオード３４．３５と
電適板３６からなる組み合わせを３組形成し、これら３
つの各電極板３６に発電機コイル１〜３それぞれの一端
を接続するようにしたものであるＯ このような装置では基板３Ｉを負極側０層３３を正極側
とＴるＩｍｍ比圧得られ、形状及び重量も比較的小さく
、シかも基板３１が発電機のケースに密看固定されるた
めに放熱効果も比較的高い。しかしながら銅からなる層
３３をガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁性樹脂部材
３２を介して基板３１１：熱圧肴しているため、熱抵抗
を下げることには限界があり、この結果上記ダイオ−Ｆ
３４．３５間では１０℃以上もの温４− １差が生じることがあった。
３１上に、アノードが下向きとなるようにダイオード３
４′Ｉｋろう付は固定し６層３３上Ｉ：、カソードが下
向きとなるようにダイオード３５をろう付は固定し、ダ
イオード３４のカソード３５のアノードとｔ両極板３６
１：よって接続し、この２個のダイオード３４．３５と
電適板３６からなる組み合わせを３組形成し、これら３
つの各電極板３６に発電機コイル１〜３それぞれの一端
を接続するようにしたものであるＯ このような装置では基板３Ｉを負極側０層３３を正極側
とＴるＩｍｍ比圧得られ、形状及び重量も比較的小さく
、シかも基板３１が発電機のケースに密看固定されるた
めに放熱効果も比較的高い。しかしながら銅からなる層
３３をガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁性樹脂部材
３２を介して基板３１１：熱圧肴しているため、熱抵抗
を下げることには限界があり、この結果上記ダイオ−Ｆ
３４．３５間では１０℃以上もの温４− １差が生じることがあった。
本発明は上記実情Ｉ：鑑みてなされたもので。
小型、軽量で放熱効果が高く、また発熱量の少ない半導
体整流装置を提供しようとするものである。
体整流装置を提供しようとするものである。
本発明は上記目的を達成するため、放熱基板に溶射絶縁
物層、溶射金ｗ１１層をこの順に形成し。
物層、溶射金ｗ１１層をこの順に形成し。
その上に各整流素子を接続同定すると共Ｃ：これら整流
素子間距離の中間から導電電極な取り出Ｔようにしたも
のである。
素子間距離の中間から導電電極な取り出Ｔようにしたも
のである。
以下肉面を参照して本発明の一実施例を説明Ｔる・本発
明Ｉ：よる半導体整流装置は、まず第７図Ｉ：示Ｔよう
に四隅にねじによる取付孔４１〜４４が設けられた厚み
が例えば２Ｍのアルミニウムからなる基板４５の表面Ｗ
、ｆＩｌえはサンドブラスト処理によって粗面化する。
明Ｉ：よる半導体整流装置は、まず第７図Ｉ：示Ｔよう
に四隅にねじによる取付孔４１〜４４が設けられた厚み
が例えば２Ｍのアルミニウムからなる基板４５の表面Ｗ
、ｆＩｌえはサンドブラスト処理によって粗面化する。
なおこのサンドブラスト処理は、その後形成される層の
密看強度を太さく左右するため、七の条件は慎重≦：数
設定る必要があり、ここでは七の表面粗さは１０〜２０
μ削二股定Ｔる。次に粗面化された基板４５０表面！−
アルミナ（Ａ Ｌ、 （Ｊ−Ｙ選択的にプラズマ溶射し
て５〔）〜１５０μｍ０ｙｊ−みの絶縁物層４６を形成
するｏ ７Ｊ！、Ｃ絶縁物層４６及び基板４５の表面に
銅を選択的ｌ：プラズマ俗射して５０〜１５０μｍ の
厚みの金属１１４１．４８゜４９を形成することによ１
）、電、極を兼ねた放熱基板５Ｉが得られる０こＯ）際
溶射絶縁物層４６上の溶射金属層４７は溶射絶縁物層４
６よ−】小面積である。なお金属層４２〜４９の形成！
：は。
密看強度を太さく左右するため、七の条件は慎重≦：数
設定る必要があり、ここでは七の表面粗さは１０〜２０
μ削二股定Ｔる。次に粗面化された基板４５０表面！−
アルミナ（Ａ Ｌ、 （Ｊ−Ｙ選択的にプラズマ溶射し
て５〔）〜１５０μｍ０ｙｊ−みの絶縁物層４６を形成
するｏ ７Ｊ！、Ｃ絶縁物層４６及び基板４５の表面に
銅を選択的ｌ：プラズマ俗射して５０〜１５０μｍ の
厚みの金属１１４１．４８゜４９を形成することによ１
）、電、極を兼ねた放熱基板５Ｉが得られる０こＯ）際
溶射絶縁物層４６上の溶射金属層４７は溶射絶縁物層４
６よ−】小面積である。なお金属層４２〜４９の形成！
：は。
プラズマ溶射以外晶；アーク溶射、フレーム済射で行な
うこともできる。
うこともできる。
次に放熱基板５１の金属層４８上Ｉｎ ３個のダイオー
ド素子５２，５３．５４それぞれの７ノードン、絶縁物
層４６０表面に形成された金属層４７上に３個Ｏ〕ダイ
オード５５，５６．５７０）カソードをそれぞれろう付
は固定Ｔるとともも：、金属胎４７上！−棒状軍極５８
０〕一端ｔろう付は固定するーこの際棒状電＃Ｉｆｉ５
Ｂの電極取會】出し位置は、整流素子５５〜５７間の距
離の中間１例えば整流素子５５．６６間の中間としであ
る自一方、溶射金属層４９上にはキャパシタ用グランド
端子５０ｆ設ける◎また隣り合ったダイオード素子Ｓ２
のカソードとダイオード素子５５のアノードを、Ｌ字型
娶なした電極板５９の水平部分にろう付は固定すること
１：より接続し、これと同様Ｉ：隣＋１合ったダイオー
ド素子５３のカソードとダイオード素子５６のアノード
を、Ｌ字形をなした電極板６０の水平部分にろう付は固
定することによ１１接続し、Ｖ４り合ったダイオード素
子５４のカソードとダイオード素子５７のアノードとを
、Ｌ字型をなした電極板６Ｉの水平部分にろう付は内定
することにより接続して整流回路を形成する◎なお８Ｔ
はｍ１図のステータ端子となる部分である０次に第８図
に示す如く棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉを機械的
な外力から保護するために、アルミニウム或いは合成樹
脂からなるカバ７− −６２を基板５ＩＩ：樹脂部材で加熱圧ＭＩ−よＩ】固
定する―このとき棒状電極５８及び電極板５９．６０．
６１の垂直部分それぞれの一部はカバー６２から出た状
態になる。更に棒状電極５８に一端が半田付は固定され
る平板電極６３及びステータ端子８Ｔに一端が半田付は
固定される平板電極６４を並設一体化したプラスチック
モールド部品６５を、ケース６２上（二設け。
ド素子５２，５３．５４それぞれの７ノードン、絶縁物
層４６０表面に形成された金属層４７上に３個Ｏ〕ダイ
オード５５，５６．５７０）カソードをそれぞれろう付
は固定Ｔるとともも：、金属胎４７上！−棒状軍極５８
０〕一端ｔろう付は固定するーこの際棒状電＃Ｉｆｉ５
Ｂの電極取會】出し位置は、整流素子５５〜５７間の距
離の中間１例えば整流素子５５．６６間の中間としであ
る自一方、溶射金属層４９上にはキャパシタ用グランド
端子５０ｆ設ける◎また隣り合ったダイオード素子Ｓ２
のカソードとダイオード素子５５のアノードを、Ｌ字型
娶なした電極板５９の水平部分にろう付は固定すること
１：より接続し、これと同様Ｉ：隣＋１合ったダイオー
ド素子５３のカソードとダイオード素子５６のアノード
を、Ｌ字形をなした電極板６０の水平部分にろう付は固
定することによ１１接続し、Ｖ４り合ったダイオード素
子５４のカソードとダイオード素子５７のアノードとを
、Ｌ字型をなした電極板６Ｉの水平部分にろう付は内定
することにより接続して整流回路を形成する◎なお８Ｔ
はｍ１図のステータ端子となる部分である０次に第８図
に示す如く棒状電極５８及び電極板５９〜６Ｉを機械的
な外力から保護するために、アルミニウム或いは合成樹
脂からなるカバ７− −６２を基板５ＩＩ：樹脂部材で加熱圧ＭＩ−よＩ】固
定する―このとき棒状電極５８及び電極板５９．６０．
６１の垂直部分それぞれの一部はカバー６２から出た状
態になる。更に棒状電極５８に一端が半田付は固定され
る平板電極６３及びステータ端子８Ｔに一端が半田付は
固定される平板電極６４を並設一体化したプラスチック
モールド部品６５を、ケース６２上（二設け。
棒状電極５８及び電極板５９〜６１の垂直部分が入るモ
ールド部品の孔は絶縁性の樹脂部材６６によって埋めら
れ、気密封止が行なわれて半導体整流装置が完成する。
ールド部品の孔は絶縁性の樹脂部材６６によって埋めら
れ、気密封止が行なわれて半導体整流装置が完成する。
このような装置は、基板４５が直接発電機のケースＩＩ
の内側或いは外側Ｉ：密看固疋され。
の内側或いは外側Ｉ：密看固疋され。
電極板５９〜６Ｉの垂直部分がコイル！、２゜３それぞ
れの一端に接続され、また基板４５を負極側、棒状電、
極５８を正極側とする直流電圧が得られる０ 上記のようＣ二溶射市極構造として１発電機へ取１）付
けるための取壷１付は面積は２４ａ／４．また８− そのＷｍも４４ｇと小型、軽量にすることができる。し
かも基板４５が発１ｆｒ機のケースに密看固足されると
共に絶縁物層４６及び金属層４７〜４９は溶射によって
形成するため、放熱効果は高いものとなって熱抵抗を低
くすることかでき１例えば６．４℃μのものが得られた
口また金属層４２上に固定されたダイオード素子５５〜
５７と金属層４７〜４９上Ｉ：固定されたダイオ−１’
累子５２〜５４との間の温度差は５℃以下となることが
確認されているｐまた棒状電極（導電型％）５Ｂをダイ
オード素子ｓｓ、ｓｒ間の中間Ｉ：設けたため、棒状電
極５８とダイオード素子５５．５６．５１との間の距離
が小となってこれら距離間の゛ギ気抵抗が小とな１３
、溶射金属層４７の発熱が小となって各ダイオード素子
の温度が低く押えられ、これら各ダイオード素子の信頼
性が同上するものである０なお本発明は上記実施例に限
定されるものではなく１例えば基板４５をアルミニウム
以外Ｃ。
れの一端に接続され、また基板４５を負極側、棒状電、
極５８を正極側とする直流電圧が得られる０ 上記のようＣ二溶射市極構造として１発電機へ取１）付
けるための取壷１付は面積は２４ａ／４．また８− そのＷｍも４４ｇと小型、軽量にすることができる。し
かも基板４５が発１ｆｒ機のケースに密看固足されると
共に絶縁物層４６及び金属層４７〜４９は溶射によって
形成するため、放熱効果は高いものとなって熱抵抗を低
くすることかでき１例えば６．４℃μのものが得られた
口また金属層４２上に固定されたダイオード素子５５〜
５７と金属層４７〜４９上Ｉ：固定されたダイオ−１’
累子５２〜５４との間の温度差は５℃以下となることが
確認されているｐまた棒状電極（導電型％）５Ｂをダイ
オード素子ｓｓ、ｓｒ間の中間Ｉ：設けたため、棒状電
極５８とダイオード素子５５．５６．５１との間の距離
が小となってこれら距離間の゛ギ気抵抗が小とな１３
、溶射金属層４７の発熱が小となって各ダイオード素子
の温度が低く押えられ、これら各ダイオード素子の信頼
性が同上するものである０なお本発明は上記実施例に限
定されるものではなく１例えば基板４５をアルミニウム
以外Ｃ。
鉄、銅等で構成してもよく、ｆ、た溶射による金展層４
７〜４９も銅の他Ｉ：ニッケル等が使用可能であ％Ｊ、
溶射時の溶射距離、溶射電圧、電流等の溶射条件は、溶
射する金属の種類に応じて適宜設定するのが望ましい・
また整流菓子、導電電極間の配置も、実施例のみでなく
例えは第９因のように配置してもよい− 〔発明の効果〕 以上説明した如く本発明Ｉ：よれば、放熱基板に溶射絶
縁層、溶射金属層を形成し、その上に異極性の整流素子
を接続固足するようＣニした（／Ｊで、小型、軽憧で放
熱効果を高くてることができ、また整流素子間距離の中
間から導゛市電極を収り出丁ようにしたため、溶射金属
層の発熱量が少なく、従って整流素子の信頼性を高める
ことができる半導体整流装置が提供でとるものである０
７〜４９も銅の他Ｉ：ニッケル等が使用可能であ％Ｊ、
溶射時の溶射距離、溶射電圧、電流等の溶射条件は、溶
射する金属の種類に応じて適宜設定するのが望ましい・
また整流菓子、導電電極間の配置も、実施例のみでなく
例えは第９因のように配置してもよい− 〔発明の効果〕 以上説明した如く本発明Ｉ：よれば、放熱基板に溶射絶
縁層、溶射金属層を形成し、その上に異極性の整流素子
を接続固足するようＣニした（／Ｊで、小型、軽憧で放
熱効果を高くてることができ、また整流素子間距離の中
間から導゛市電極を収り出丁ようにしたため、溶射金属
層の発熱量が少なく、従って整流素子の信頼性を高める
ことができる半導体整流装置が提供でとるものである０
第１因は整流回路図、第２図は発電機内の一部概略病成
因、第３図ないし第５図は従来の半導体整流装置な示す
もので、第３図、第４図はそれぞれ平［１］′１図、第
５因はその一部断面因、第６因はこの発明の過程の途中
で開発された半導体整流装置の側面図、第７図、第８因
はそれぞれ本発明の一実施例を示す斜視図、＠９因は本
発明の他の実施例の要部な示す平面図である。 ４５・・・基板、４６・・・溶射絶＃ｉＩ物層、４７〜
４９・・・溶射金属層、５２〜５７・・・ダイオード素
子。 ５８・・・棒状電極（導′Ｍ市極）。 出−人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦 第２図 第３図 第１図 第５図
因、第３図ないし第５図は従来の半導体整流装置な示す
もので、第３図、第４図はそれぞれ平［１］′１図、第
５因はその一部断面因、第６因はこの発明の過程の途中
で開発された半導体整流装置の側面図、第７図、第８因
はそれぞれ本発明の一実施例を示す斜視図、＠９因は本
発明の他の実施例の要部な示す平面図である。 ４５・・・基板、４６・・・溶射絶＃ｉＩ物層、４７〜
４９・・・溶射金属層、５２〜５７・・・ダイオード素
子。 ５８・・・棒状電極（導′Ｍ市極）。 出−人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦 第２図 第３図 第１図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放熱基板の一万面側に送板的に形成される溶射絶縁層の
表面に選択的に溶射金属層を形成し。 この溶射金属層の表面に複数の半導体整流素子の一万極
側を接続固定し、これら整流素子間距離の中間から導゛
覗雨極を収り出τことを特徴とＴる半導体整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218553A JPS59108340A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218553A JPS59108340A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108340A true JPS59108340A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16721737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218553A Pending JPS59108340A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017368A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Valeo Equipements Electriques Moteur | Module de composants electroniques de puissance et procede d'assemblage d'un tel module |
| US6958557B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-10-25 | Denso Corporation | Vehicle ac generator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746662A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-17 | Toshiba Corp | Semiconductor rectifier |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57218553A patent/JPS59108340A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746662A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-17 | Toshiba Corp | Semiconductor rectifier |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6958557B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-10-25 | Denso Corporation | Vehicle ac generator |
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| US6897558B2 (en) | 2001-08-17 | 2005-05-24 | Valeo Equipements Electriques Moteur | Power electronic component module and method for assembling same |
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