JPS59104642A - 集積回路の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路の１永造にｄ３りる６“真食刻工稈
用のマスクのごとき被写体の象の」ン１〜ラストを増強
さｌる方法Ｊりよびぞのための拐料に関りるものである
。

集積回路の製ｊ責にお（〕る写真食刻工稈は、主として
光学的手段によって実施される。回路寸法を縮小し、性
能を改善しかつ歩留りを向上さＵようとりる流れの中で
、各世代の２回路技術に関連して要求される解像度は光
学装置によって達成されてきた。最近、没影式写真食刻
装置の解像度は聞１］数や波長に関りる実際上の制約が
もたらり物理的限界に近イ・Ｊさ始め（−いる。写″真
食刻技術は史（ご進歩するしのと予想されるにｌよ、固
有のレンズ解１’４度の１１、す的４１向上は望めない
。光学技１・陶によってｊヱ成しｊ：ｌる最小の細部用
法を更に小さくりるためには、ソＪ′真良刻■稈の伺か
別の因子を変化さけて一層の改善を図ることが必要であ
る。一層の改善か可能４１領域の１つとし゛Ｃホ１〜レ
ジメ１〜操イ′１かある。各小１〜レジストは、以後の
加工のために１史用し１コ１するバクーンを牛み出−り
ためにある１旦合の大川＝ｊン］〜ラス１〜か必要Ｃ゛
あるとい−う特徴をイ＋Ｊる。

コ（７）　Ｊ、つ％最小のＪ！Ｉｉ要照明］ン１−ラス
１〜は小１−レシス１への］ン１〜ラス］〜閾値と呼ば
れる。重板の性質、所要のバクーン厚さおよびホトレジ
ス１〜の才ぷ端形状にもよるか、従来使用されてきたポ
ジ型の１１＼１〜レジメ１〜は８５〜９０％の］ンＩ〜
ラスト間（Ｌｉをイ」している。現在、はとんどの生産
は９０％以上のコントラス１−の下で行われＣいる。と
ころで、像のコントラス１〜は像中の空間周波数の増大
に伴って低下することから兄Ｃ１小１ヘレジス１−のコ
ントラスｌ−閾値が低下りれば一定の光学装置を用いて
達成し得る解像度は向上することになる。

さＣ本発明は、小１〜レジメ１〜操作においＣ使用され
る空中像の」ン１ヘラス］・か小１〜レジストへの大川
に先立つＣ増強されるようなホ１〜レジメ１〜操作に関
するｂのＣ゛ある。

本発明の目的の１つは、小１ヘレジス１〜中に使用可能
４ζ像を生み出Ｊために必９な最小コン１−ラス１〜を
低下さけることにある。

ま／、：、新規な光１１）１色可能な化合物Ｊ”ｉ　Ｊ
、ひ物質を提供りることも本発明の目的の１つＣ゛ある
。

ある実施の５と；様に従っ−ＣＡ発明を述べれば、第１
の１？さおよび所定の−Ｊノン１ヘラスＩ−小１−レジ
スト層が用意される。また、不透明Ｊ３よび透明領域を
イ１りる被写体またはマスクが用意される。かかる被写
体を通し一ＣパＩ定波艮の光を投射ＪることにＪ、す、
ホ１〜レジス１〜の所定の一１ン１〜うス１〜１・゛幻
１１白Ｊ、り小さいコン１〜ラスＩ〜を１）つＩこン皮
′Ｌ１′（４−の（Ａ；が〕ｊ＼１〜レジス１一層上に
形成される。被写体とホ；〜レジスｈ　Ｉｆｊとの間に
は、光脱色性化合物を含有Ｊる光１１ｔＪ　（ｕ　ｉＪ
能な物質層がホトレジスト層の表面に隣接しＣ配置１１
′される。かかる光ＩＢＪ　（Ｕ性化合物は上記波長の
光に幻し感受性をもしＣいて、非１［（１色状態にＪ３
りるでれの吸光係数／分子Ｉｉ比はｐ／け・ＣＴＩＩ単
位ｒＩＬつより大きい。また、非脱色状態におりる吸光
係数と１ｊ；２色状態にお（］る吸光係数との比も１０
より人心い。被写体を通しＣ上記波長ａ３よび所定強）
艮の光を光１１；２色ＩｊＪ能な物ｌＩ′Ｉｉ層上に一
定時間ノごり投ｑ・ｊ・ＪれｉＪ、入用した上記波長の
光の１１１に正比例した光１１；１色可能４１物′ｉ１
層の）℃学部１長の低下か生じる。その結果、光１悦邑
司１１ヒな物ｒ′を層にＪ、って透過される像の積分」
ン１−ラス１〜はそれによって）Δ過される光ゴと共に
増加し、最大値に達し、それから減少りる。光）１１１
色司能な物質層のパラメータは、積分ニ１ントラス１〜
の最大値がボ１ヘレジス１〜層のＪす１定の−ｊントラ
ス１〜閾値より大きくなるよ゛うに設定される。また、
ホトレジスト層の感瓜Ｊ５よび〃さは、光１ｊ）１色可
能な物質層によって透過される所定範囲内の光量がホト
レジスト層を完全に感光させかつ透過像中の小１−レジ
メ１へ層の所定の］ントラス１〜閥１ｉ１′Ｉまり人き
い積分」ン１〜ラストか得られるように設定される。被
写体を通して上記波長の光を投口」りる口、１間は、光
１１；（色可能な物質層を通して上記所定範囲内の光、
％ｆか透過されるのに十分なものとりる。光ＩＢ２　（
！２ｉｉＪ能な物質層を除去した後、ボｉ〜レシス１−
眉を現像すれば、被写体の低＝１ン１〜ラス１〜像に比
べて二１ン［−シス１−の増強されたパターンかホトレ
ジスト層中に生み出される。

本発明はまた、３００〜４５０　ｎｍの範囲内に吸収（
４！人を１．１つだ光脱色可能層を形成し召る回転注型
可能な混合物にし関りる。かかる混合物は（Ａ）１００
Φω部の石は溶剤、（Ｂ）１〜３０重ω部好ましくは５
〜１５重帛部の不活性４１１合体結合剤、Ｊ５よび（Ｃ
）１〜３０重屯部好ましくは５〜１５Φ量部のアリール
ニトロンから成るものひある。

本発明に固イｉ　＜＋−，Ｇのと信じられる新規な特徴
は、前ｉ１ｊ　’ＢＪ　ｉ＋’ｌ晶求の範囲中に詳細に
述べられ−Ｃいる１゜とは調え、本発明の４１４成や実
施ノ）法並びにその他Ｑ月二１的や利点は、添付の図面
を参照しながら以下の説明を読むことによって最も良く
理解できょう。

現（Ｊのところ、写真食刻操作の大部分はマスクの空中
像を用い（小ｌ・レジストを感光ざぜる投影技１（すに
Ｊ、っ（実施されている。低コン１〜ラス１〜の空中象
の場合、ンスクの暗い領域にヌ」応する像部分（”もか
なりの強Ｉ哀を有りる。コン１〜ラス１−が低下づるの
に伴い、昭い領域と明るい領域との識別は益々ＩＮ　！
ｉ″＋１に４ｆる１、本発明に従えは゛、小１−レジス
ト）Ｊ入用Ｊる沖のコントラス１〜を増強し、それによ
っＣかかる識別を容易にりるｈ仏が］；を供される。

このＪ、うな］ントラスト増強は、最初は相対的に不透
明Ｃあるが一疋の光量の照用後には相対的に透明どなる
光ｌｌ５１色可能な物質の使用に基づくものＣある。理
想化された）ｌ；２色可能層の光透過率を第１図に小Ｊ
。かかる層にマスクの空中像が入射した場合、１１（２
色−＋ｊｌ　ｒｉｌ；層のうらＣ゛最高強度に暴露８れ
た部分が先Ｊ“完１ゝに１［；（色されるー／ｊ、最低
の強度に暴露された部分はそれよりも近れて脱色される
。

このような１；（色過稈の１１１移を第２Ａ〜２Ｆ図に
示す。第２Ａ図は、０％の透過率１１を与える不透明領
域Ｊ′３にび１００％の透過率１２を与える開放または
透明領域から成るマスクのごとき被写体の相対透過率を
小している。１ｏは入用光の強度、■は透過光の強度、
そしでヒｂは層の脱色を引起こりために必要な光量であ
る。第２Ｂ図は、たとえばホトレジスト層の感光用とし
く役立つ空中像を生み出Ｊ−ための光学的投影装置内に
マスクを配置した場合に１１１られる空中像の相夕・１
強度を位置の関数としてプＬ１ツ１〜したグラフ１３を
示している。

なＪ３、使用覆る尤の波長Ｊ５よびマスクの各領域のＮ
法は図示のごどさ」ン１〜ラストをノコえるようなもの
であると仮足りる。Ｉ　ｍ　ａχは像の最大強風、そし
て１．。ｉ　１１は像の最小強度である。第２ｃ図は理
想化された光１１５２色可能な物ｖｉ層１５のＷ「面を
示しＣいる。第２Ｄ図は、第１４／）　１１５点にＪ３
りる層１５）の脱色状態を点線１６によって表わしｌこ
しのである。第２Ｌ図は、それより後の時点にＪ＞　４
−Ｊる層１巳）のＩＩｉ色状態を熱線１７にＪ、って表
わした−しのぐある。第２１−図は、感光が終了しＣ１
１ｉ’ａ色が停止した１１，１にＪ３りるｋ＜ｉ　１５
のｌ］ｆ２　（’ｘ状態を点線１ε３　ａ３よひ１９に
、」、つＣ表わしたものである。第２に図に該当りるｌ
＋、’Ｊ点にＪ３いて感光が停止された揚台、ｌＬｉ１
５の透過率（よ九のマスクの透過率に相当Ｊる。

このｊ、う４「物１′ＩＣ゛通常の小トレジス１〜Ｉ（
？ｌを被覆りれは、１！７られる複合物はホ１〜レジス
ト層のみの−」ンＩヘーノス１〜閥１＋ｉｉ　Ｊ、すｂ
低いコンＩ〜ラスｌ〜ｌＪ′Ａｌｆ＋を右し１’Ａるの
である。これが可能となるのは、ホ１〜レシス１−０〕
感度か一１分に高＜ｌ悦（！２１＋：Ｊ間に比べ知かい
ｌ＋、’１間℃・感光される場合である。かかる光＋１
ｉ２　ｅ　ｉｌ能４１物！１層は、水１：ｒ、；的に見
れば、小トレジスｌ−ｈ・′１−１．にｄ＞い（直接に
形成されたマスクを成ＪものＣある。このＪ、うな肖接
形成ンスクの真の効果は、ホ１−レジメ（一層・＼の入
射時における］ン１〜ラス１へを空中像の−」ン１〜ラ
ス１〜よりも増大させることにある。

（ナブミクロンの写真食刻操作に３・］シてコントラス
１〜増強技術を適用り゛るに際しＵ　＋、１、」ン１〜
ラス１−増強層それ自体に関しく幾つかの物理的Ｊ５よ
ぴ化学的制約が存イ１．！Ｊる。−ツなわら、」ン１〜
ラスト増強層は薄いと同口″ｆに光学ｉ開度が高くなけ
れ（Ｊならない。厚さに制約があるのは、高Ｗ（像度の
光学装置の焦点深度か小さいためである。このため、Ｉ
Ｉ、′さは約１ミクロン以下の範囲に制限される１、＝
１ン］−ラスト増強層は光学Ω反が高＜　’、Ｎ　Ｉｔ
：）れはならないから、Ｋ・１の光化学成分は強い吸光
性（！−有Ｊ−ることか必要である。脱色後におりる光
透過率は光化学（１成物の吸光性によって決定されるか
ら、光化学生成物は親分子Ｊ：すＯＪかに小さい吸光係
数をイ」シ（いなりればなら４１い。

ところで、吸光係数は次式に、」：っＣ定義される１゜
式中、八は吸光度すは光路長（ｃｍ）、そしてＣは濃度
（ｍｏｆ／ｆりである。また、吸光度は次式によっ（定
義される。

式中、１（）は入用光の強度、ぞし−Ｕ　Ｉ　１．Ｌ透
過光の強度ひある。物質の吸光係数εは、式（１）中の
パラメータへ、１１　によびＣを決定することによっ“
Ｃ求められる。パラメータＡは式（２）から求められる
。先づ゛、既知重量の物質を既知容積の溶剤に溶解づる
ことによっＣｉ８液中の物質の濃度Ｃを求める。この洛
１ｋ　’Ｍ既既知私法セルに注入しＣから分光光度１．
１の光路内に配置し、そしＣ既知強度１０の光をヒルＩ
Ｊへ〇・１さける。次いひ、セルからの透過光の強度を
測定り゛る。同様に、溶剤のみを同じ既知寸法の別のセ
ルに注入してから分光光度１．１の光路内に配置し、そ
して既知強度Ｉ。の光をセルに入射さける。次いで、ヒ
ルからの透過光の強度を測定づる。溶剤のみの強度測定
結果は、ヒルおよび溶剤による吸収に関し−Ｃ透過強度
Ｉを補正するために使用される。こうして得られた入射
強度１ｏＪ５よび透過強度１の値を式（２）中に代入れ
り゛れば吸光度へが求められる。光路長すはセルの既知
寸法から求められる。こ−うしく１１４られたｂ　、　
ＣＪ３．、ｌ；ヒＡのＭｉを式（１）中に代入れり−れ
ば、この物質の吸光係数が求められるのである。なお、
物質の吸光係数の測定ｌノ法は、）７メリ力合衆１１二
ｌ−ヨーク州二１−：１−り市の小−ルト・ラインバー
１〜・アンド・ウィンス１〜ンネｌ：　（１−１ｏｌｄ
　、　Ｉ犬１ｎｅｌ＋ａｒｔ　＆　　ＷｉｎｓＬｏｎ、
　　Ｉ’ｎｃ、　）から発行されたタクンス・エイ・ス
クーグおＪ、ひドリル１〜・、ｌム・つＬス１へ叫）　
０（ＩｔＪ！ａｓ　　ｌ＼、　３　’ｋｏｏｇ　　＆　
　ｌ）　０１ｌａｌｄｆｖｌ　、　Ｗｅｓｔ　）　’ｔ
ζ［フトンダメンクルズ・オブ・アプリティック・クミ
ス１−リ（Ｆ　ｕｎｔｌａｍｃｎｔａｌｓ　ｏｆ、Ａ、
＋＋ａｌｙｔｉｃ　Ｃｌ＋ｃｍｉｓｔｒｙ）　、１第２
　ｒＪｉ（１９６９年）の６４４〜６；］２貞にも記載
されＣいる。

再び話をわ“＋’ｌ’Ｊれぽ、所酋の露光時間増加をな
るべく少なくづるため、脱色反応の量子収量はできるだ
け高くな（）ればならない。また、小１−レジスト層は
回転被覆技術にょっＣ設置ろ１されるのが凹通であるか
ら、＝１ン１〜レスト増強層も同様な方法によつ−Ｃ設
置でされば好都合Ｃある。なお、光１ｊ；２色可能／ｉ
物質を浴ｙＩ？号る溶剤はホトレジスト層に適合したし
のｒ：なりればならない。史にまた、回転被彷によつＣ
光ｑ′的１’−＋　’ｊ！ｉの良好な」ン１〜ラスト僧
強ｈ”ｊを形成りることか可能で／ｉ：（）ればならな
い。

最後に、これらの光脱色可能な物質が働く波長範囲は光
学的投影装置が動作り゛る波長範囲と同じでな【ノれば
ならイ「い、、多くのウェーハ直接処理用装買は４０５
　ｔｏ＋＋まｆ＝　ＬＪ　４３６　ｎｍ（Ｄ　波長テｉ
ｌ’ＪＪ　作”Ｊ’　？、＞。

ここ（は、ノアメリ力合衆国カリ小ルニア州マウンアン
ヒｌ−山１す［（［のＡ−ゾｊ−イメＩ−リクス社（０
＋＋Ｌｉｍｃｔｒｉｘ　Ｃｏ　、　）から人手しｊ！ｌ
るＡゾディメトリクス１０：１１）ＳＷ装百にＪ３いＣ
使用りるために４０　：）ｎｍの波長か）８ばれた。こ
れらの制約を考１なしながら光１１ｉＪ　（！ｖ司能な
物質の検索が？ｊわれた。１．“ｊに、：３００〜４５
っ０１１１ｎの波長範囲内に吸収極大をイ］する点に’
ｒｊ　ＩＪ　Ｌ　’Ｃ光）１；２色可能な物質が検索さ
れた。

また、コンミルラス１〜増強層中においＣ使用Ｊるのに
適した光１１夕２色可能な物質の評価に際して使用する
ため、脱色過程のモデルが考案された。かかるモデルの
パラメータは次の第１表に小り通りである。

第１表 部　　説明 εＡ　　　　非脱色分子の吸光係数 εｔ＋　　　　　ＩＢＪ芭分子の吸光係故盃　　　　　
１ｊ；１邑反応の量子収量Ｎｏ　　　　　非１１１２色
分子の初！１１１密瓜１ｏ　　　　コントラスｌ−増強
層に入射りる光子の未密瓜 ［０コン１−ラスト増強ｈ・）の７１．″さ＋１．　　
　　　ＩＩＩＪ色されたｌビｊの１１１（折率１１ｓコ
ントラスト増強層を設置した カラス基鈑の屈折率 上記の分析結末および１１１３色過程のモデルに基づき
・、物質のパラメータに関Ｊる３つの基準が設定された
が、それらは次の第２表に示づ通つぐある。

第　　２　　表 ｔｌｉ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　Ｉ＋自（１）ε／分子ｔ＾　　
　　　＞　１００　Ｊ　／　９・印（２）φ　　　　〉
０．２ （３）非１［；２色ｎ５の　　　　　＞３０ε／ＩＢ１
邑時のε 第１の基１１（は光学温度の高いフィルムの要求に基づ
くものＣ・、木質的にはコントラスト増強層中にＪ３　
Ｃｌる吸収中心の充填密１哀に関係し−Ｃいる。第２の
り準は、非１１；（鎖状態から１１５２色状態へので凸
るだ（ノ急速な転移の四本に基づ゛くものである。なお
、）グ■定の量子収量が適格か否かはある程度まで第１
の７．％　ｉｌ！’、に関１糸りる１、な１！″なら、
第１の阜卑、の改バｔによっＣ第２のり県の不足を補償
りることがＣきるからＣある。第３の基準は、脱色後の
１ン１−ラス１−増強層の透明性の要求に基づくもので
ある。

これらの基準の使用により、先ず、光脱色可能な物質の
検索をｈっだ。

適当４に光１ｊ；１色性化合物の選択に当つＣは、１１
；（色過稈のモデルにＪ５りる評価を行うと共に、層状
の化合物を試験Ｊることによって光の強瓜を一定に保っ
た場合の相対透過率を時間または光量の関数として求め
た。相異なる脱色機構に基づいた１１１２色特性を示−
り各種の光１１１２色性化合物を評価したどころ、光異
性化による光＋ｊ＋Ｘ色性化合物が特に適当であると判
明した。それらの化合物の−）ら、式％式％） で表わされるアリールニトロン類が特に好適であるど判
明した。式（１）中、／は式（＋＜３）ａ−Ｑ　−Ｒ’
−または［く５−で表わされる１価の基、／−μ式−Ｒ
’　　（Ｘ　）　ｂＣｉ＜ワｃｓ　セルＩ　ｌ１ｌｂ（
７）Ｊ４、−としτＩＲ１Ｒ’　、Ｆ＜２ｊ’ｊよひＲ
３は水素原子、Ｃ（１〜８〉アルキル基、Ｃ（１・−８
）置換アルキル基、Ｃ（６〜１３）アリール炭化水累阜
Ｊ＞よひＣ（６〜１３　）　１’：ｉ挽アリール炭化水
系阜から成るＢＹより選ばれた１価の基ぐある。Ｑは１
：、Ｃ−、Ｌ＋ｒｒ、ｏ、ｓａ＞よびＮから成るｆｉＹ
　Ｊ、り選ばれた１価、２価または３価の原子であり、
そしてａは０．１または２の値・を石りる。Ｒ４はＣ（
６〜１３　）　　ｉ’リール炭化水素基またはＣ（６へ
・１３　）　１ｉｆｆ換アリール炭化水累基Ｃある。Ｒ
５は０．ＮＪ＞Ｊ：びＳの中から選ばれた１　１［！、
１以上の１京ｆを含む置換または非置換のＣ（６〜２０
）芳香族複素環式化合物から成るＪｉＹより選ふことが
でさる。Ｒ６はＣ（６〜２０）芳香族炭化水素基であり
、またＸはハロゲン原子、シアノ基、アルキルカル小ニ
ル見、Ｃ（１〜８）アルキル基、Ｃ（１〜８）置換アル
キル塁、Ｃ（Ｇへ・ｉ　３　＞アリール炭化水素）、ｔ
、０（６〜１３）ｉｆｆｉｌ’力ｉ１リール炭化水索基
おＪ、ぴアル」キシカルホール基から成る４’ｌよりｊ
ハは゛れる−６の’Ｃ１）か０、］、２または３の値を
取るのに応じてこれらのＪ、ｔは汀０のｆｉ１合せ゛Ｃ
使使用ることかＣさる。ｎは０．１．２．３または４の
値を石りる。

１−記の化合物は、ｌｊ・ウベンーウアイル（１−ｌ　
ｏｕｂｃ＋＋−Ｗｅｙｌ　＞　ＳＬ＋ｉ　Ｉメｌ−−ア
ン・デル・Ａル刀−ニツシ」−ン・ヘミ−（Ｍｃｔｈｏ
ｄｅｎ　ｄｃｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｌｌａｎ　　Ｃｈｅ
ｎ＋ｉｃ　）　」第１０巻第４部（１９（５８年〉の３
１５〜４１６真Ｊ、たは［ケミカル・レビコーーズ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｃｗｓ）　Ｊ第１　（６／１
）巻中のジ１７ン・ヘイマーおよびアンソニー・マカル
ソ（Ｊ　ａｎｌｌａｍｃｒ　　＆　　Ａｎｔｂｏｎｙ　
　Ｉｖｌａｃａｌｕｓｏ　）　習にｌ−ロンズ（Ｎ　１
ｔｒｏｎｅｓ　）　Ｊの４７６〜４８３頁に記載のごと
き方法に従っＣ調整Ｊ−ることができる。

写真食刻操作にＪ３いで使用される光学装置の特定の要
求条件に適合りるよう、様々な冒換阜を持った各種のア
リール環系を組立でることができる。

かかるアリールニ１〜ロン類は２〜ｂＸ１０４ｊ！／ｍ
ｏｌ−ｃｏ＋の吸光係数をイ］し、かつ０．１〜０．５
の範囲内の量子収量をもつＴ−１１ｉ２色される。

４０５　ｎｍでの投影が可能なつ１−ハ直接処理用）ム
１ｉ′−，＋の場合には、一般式 （式中、１）はＯｊ、／、−は１の値を有Ｊ−る）ひ表
わされる二１〜［１ン顆か特に有用であることが判明し
た。

この種のｐ−ジアルキルアミノアリールニ１〜ｌン類の
中には、Ｉことえば式 ′Ｃ表わされるｊ、う４ｃ複素環式化合物も○まれる。

式（１）のアリールニ１−Ｌ」ン類を金石する光１ｊ）
１色ｉ＋Ｊ能な物に’ｉ　ｋグを形成Ｊるための回転注
型可能な混合物の調整に役立つ適当な結合剤として（よ
、酢酸ビニル重合体（ｌｉ単重合体３よび共重合体）や
それの部分鹸化物〈たとえばポリ酢酸ビニル）、スヂレ
ンまたはそれの誘導体の共重合体、アクリル酸Ｊ、たは
メタクリル酸エステルの単重合体や共重合体、アレター
ル樹脂、アクリロニ１〜リル・ブタジェン共重合体、エ
チルセル１−スやその他の炭化水素可溶性ヒルロースニ
ーテルハ１、プロピオン酸はルｌ」−スやその他の炭化
水素可溶性セルロースエステル類、ボリク〔１０ブレン
、ボリコニチレンＡキシドおよびポリビニルビＵリドン
が挙げられる。

式（Ｉ）のアリールニドロン類をＧ石°弓る光）ｌ；２
色可能な物質層を形成りるための回転Ｔ上型可能な混合
物の調整に役立つ適当な溶剤としＣは、芳香族炭化水素
（たとえばトルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロ
１」ベンゼンなど）またはそれと脂肪族炭化水素（たと
えばシクＬ１ヘキサンなど）どの混合物、ハ［」グン化
脂肪ｈＸ化合物（たとえば１−リクロロ１ブーレン、メ
チルクロロホルムなど）、アルコール類（たとえばプロ
パツール、ブタノールなど）が挙げられる。

式（Ｉｔ）中におい（１＜３がＣｆ−１３ＧＨｚ−であ
りかつ１）がＯで゛あるようなジアリールニトロンは特
に好適であること／Ｊ（判明しＩこ。α−（４−ジエヂ
ルアミノフ１ニル）−Ｎ−フェニルニド［アンと呼ばれ
るこの二１〜［１ンは、４０５　ｎｍの波長の光を？Ｊ
Ｅ、’、　＜吸収し、しかしｎＥ］じ波長にａ５いで高
い効率−Ｃ１１１２色される。かかるｌ；セ色は、この
化合物が単分子環化を受り６図キリ−シリジンになる結
果とし−Ｃ起こるものである。このニド［１ンは比較的
小さ０皆１（１を承り溶剤（たとえばトルエン、」−チ
ルベン〔ンなど）に極めて溶解し易く、そしＣポリスチ
レン、ポリ（ヒｌ；’　ＩＪ　４−シ上チルメタクリレ
ート）、ポリ−α−メチルスチレン、ポリ（メチルメク
クリレ−１〜）、不すビニルビ目リドン、ヒニルピリシ
ン・スチレン」ξ重合体お、Ｊ：びアリルアルコール・
スチレン几重合１小のどとき各４ΦのΦ合体と共に昌添
加吊の−１・’Ｃ’　１．、！好＜ｋフィルムを形成り
−る。α−（／′Ｉ−ジー１チルノノミノフ土ニル）　
−Ｊｌ−フ」＝ニルー　Ｉ−Ｕｌ　’／　４ま４０　り
　＋＋ｍにおい−（１３０ｊ！　／　”ｉｔ　・ＣＴＩ
Ｉの１ｙ＆光派故／分子ζ１（比をイ）している。口の
化合物がら」ン１ヘラスト増強層を形成りるため、先ず
、ｂ（車量）％の割合（α−（４−ジエチルｊ／ミノフ
１ニル）−Ｎ−フェニルニ１〜ロンおよび５（Ｉ量）％
の割合（スチレン・アリルアルコール共千合体結合剤を
ｌ−ル１ンに溶解しｌ、：。こうしＣ’１′、？られた
溶液を用いＣカラス阜扱が２５　Ｑ　ＴｌＩｎの厚さに
回転被−ｍされ／、１゜かかる試ス゛３１の相タ、４込
過・キーを４０５ｎｔｎＣ試験したところ、第３図に示
されるような相対透過率一時間特性を右りることか判明
した。

脱色過程のモデルを防用り−ることにより、第３図のコ
ントラス１〜増強Ｎ？ｉに関りる一１ン１〜ラスＩ−の
改善度が露光旧聞の関数としくＪｇ’＞された。その１
こめには、所定パターン中の２つの代表点におＶＪる１
ｌｆｆｉ色の度合を計算寸ればよい。この例Ｃ゛は、線
ａ３　Ｊ：び間隙から成る格子パターンの最大１１ｆＩ
　ａ３　Ｊ、ひ最小値に相当りる２つの入射強度か選ば
れた。これら２つの強度レベルに対応りる＝１ン１〜ラ
スｌ−Ｃは、次のＪ、うな二１ンｌ〜ラストの定義式か
ら弁用りることがＣぎる。

１［ｊ（色過程のモデルの使用により、最大レベルｄ３
よび最小レベル（こＪ５ける透過強度が人ＱＪ光量の関
数とし−で求められる。これらの１０から、ｙ１時二二
１ントラス１〜Ｊ３よび積分コントラス１−を人０１光
吊の関数とし仁、；１粋Ｊ８Ｓとができる。第４図は、
上記のごとき試別に３０％−１ントラスＩ〜のパターン
を入用さけた場合に関りる測定結果および計い結果を表
ね！１１絹のグラフを承りｂのである１、グラフ２１は
、相対最大レベルにＪ５ける相対透過率をジュール単位
の入射光量の関数とし−Ｃ示している。グラフ２２は、
相３４　Ｊｉａ小レベルにＪ＞　Ｉｊる相対透過率をへ
〇’ｌ光昂の関数どして示している。グラフ２３は、式
（３）を用いＣグラフ２１Ｊ３よび２２から求められ７
ｃ＠Ｉｔ；）　二」ン１−ラストを入射光量の関数とし
て示しＣいる。グラフ２４は、Ｉ　ｍ　ａ　ｘ　Ｊ＞よ
びＩｍ＋。の閾１１−７１＋１ｉの代りに積分１１１１
を用い０式（３３）からｊくめられ！ζＴｒｉ分コント
シコントラス１でいる。

１１１２色はＩｕＪ的過稈（゛あるから、透過光に由来
りる二１ン１〜ラス１−シまた光量の関数となる。次の
第５図には、対応りるテークを透過光量の関数とし−Ｃ
ブＩ」ツトシた−１＞、ｉ石川なグラフが示されている
。これらのグラフを用いれば、〕ン１〜ラス１〜増強の
稈１哀をコントラスト増強層と共に使用Ｊべき小トレジ
ス１〜層の感を艮の関数としＣ計ｌ１ｌｌｌりることか
可能となる。グラフ２６は、相対最大しｌ＼ルにおける
相対透過率を透過光量の関数としく示している。

グラ゛ノ２７は、相対最小レベルにＪ３りる相対透過率
を透過光量の関数として示し−（いる。グラフ２８は、
式（３）を用いてグラフ２６Ｊ３よび２７から求められ
た瞬ＩＩ￥コントラスｌ−を透過光量の関数としＣ示し
Ｃいる。グラフ２９）は、ｌ　ｍ　ａ　ｘ　Ｊ３よび１
ｆｆｌｉｎの積分値を用いて式（３）から求められた積
分コン１〜ラス１−を透過光１ｉ；の関数として、トし
Ｃいる。

次に、かかるコン１−ラス１ル増強層を利用−りるため
の方法を説明し、それからその方法によって得られた結
果をコントラス１〜増強１ビｊの使用なしに同じ条件下
で得られた結果と比較りる。以下の説明は、適当なＩＢ
（秋上に小１〜レジメ１〜のパターンを形成りる方法の
諸工稈を図解りる第６Ａ〜６［図に関連して１′Ｊう。

第６Ａ図は、基］ｋ３１十に適当な小１〜レジメ［〜の
に（ｊ３２を設置したところを示している。適当な小１
〜レジメ１〜としＣは、たとえば′、アメリカ含衆田ン
リチューレッツ州二コーｌ〜ン山所在のシブレー・カン
パニー　（Ｓ　Ｉ）ｉｐｌｅｙ　　Ｃｏｍｐａｌｌｙ）
から人手可能なシブシー１４００シリーズのポジ型ホト
レジストが挙げられる。ががるポジ型車１〜レジス１〜
は、ノボラックｔＥＪ脂またはポリ（ビニルフェノール
）、ジアゾナノ１ヘギノン土ステルｄメ小ひ溶剤（たと
えばｕロソルブアＵチー１へやキシレン）から成ってい
る。液状の小１〜レジストを）１１仮のν（面上に配置
しくから回転することに′まり、所望厚さのｈ’４か形
成される。この／１司〜レシス１〜ｋｉｊを加熱しく溶
剤を除去した後、小１〜レジスト層の表面」−に−１ン
トラス１へ増強層３３が設置される。」ン１−ラス１〜
増強層３３は、１〜ルー１ン溶剤中に５　（ｉ［＃Ｔ、
　）％のスチレン・アリルアルコール几重合体結合剤（
１３Ｊ、び５（重量）％のα−（１１−ジエチルアミツ
ノＪニル）−Ｎ−フェニルニド上１ンを溶解した浴１１
ｋから成っＣいる。この溶液をホ１−レシス１一層３２
の表面上に配置してから回転し、次いＣ加熱して溶剤を
除去りることににす、第６１３図に示されるような所望
１ソさの層３３が形成される。こうして得られた構造物
か、第６Ｃ図に示されるごとく、照０」を表わＪ矢印３
７の下ノ）の照り＝Ｉ領ＩｆＡ３５　Ｊ＞よひ非照射領
域３６から成る光のパターンに拭露される。かかる操作
は、小１〜レジスト層が感受性を示しかつホトレジスト
層が完全に感光りるｊ；うな光Ｕｉ１範囲内にｄ５い（
、−１ン１〜ラストの増強された像を生み出づ゛のに十
分な時間にわたっＣ？−Ｊわれる。その後、第６Ｄ図に
小きれるごとく、ホトレジスト層には影ｎ１を及ばター
ことなしに」ン１〜ラメ１〜増強層を除去りる適当な！
、１ｊ離溶剤くたとえはトリクＬＩ　ＩＩ上ヂレン）を
用いＣ：Ｊン１〜ラス１〜増強層３３が除去される。次
いでホ１〜レシス１へ層の感光部分を除去ツれば、第６
Ｅ図に２１＼されるごとく、非感光部分または不完全感
光部分３８．３９　Ｊ−３よび４０が残ることになる。

一本発明に従いコントラスト増強層と小１〜レジスト層
との複合物に関して得られる二ｊントラス］・間（１０
向−にを実ｉｉ＋［−！Ｉるため、α−（４−ジ」チル
ノ′ミノフェニル）−Ｎ−フェニル−トロンとスチレン
・）７リルアルー１−ル共ｊ１３合体とから成る上記の
光１ｊ；１色可能な物質をシプレー１４００シリーズの
ポジ型ホトレジストど共に用いＣ各種のパターンが形成
された。、すなわら、第１のシリ：」ンウ〕−−ハを厚
さ１．６ミクＵンのホトレジストのみで被覆した一ノ）
、第２のシリコンウェーハを厚さ１．６ミク［１ンのホ
トレジスト層Ｊ＞よび厚さ０．２５ミク１−１ンの光１
１；（色可能な物質層で被４７　Ｌ、た。次いＣ′、幅
２ミクｌ］ンの不透明線、幅２ミクロンの透明間隙、幅
０．８ミクｌ−１ンの不透ＩｐＪ線および幅０．８ミク
１」ンの透明間隙から成る被写体をＡブチン１〜リクス
１０　：　１投影装置により４０５　ｎｍの波長の光て
投が二した。一定範囲の光量を用いることにより、小１
〜レジスト１凶のみをイ１ＪるウェーハのホＩ〜レジメ
１へ層中に視故のパターンが投影され、またホ１〜レシ
ス＋−ｈγｉ　ｄ３　Ｊ：び」ン１〜ラスト増強層を右
りるウェーハのホトレジスト層中にも複数のパターンが
投影された。各々のつ１−ハのホトレジス１〜石を現像
したところ、ホトレジスト層中に形成されｌこ線ａ３　
Ｊ、び間隙から成る９故のパターンがｉ’ｃｊられた。

ホトレジスト層と基数との界面にｔ１５い−Ｕ　０８ミ
クＯンの間隙を生じる最小光量の使用により小トレジメ
１〜層のみをイｊする・ウェーハにＪ３いて得られたパ
ターンが、小トレジスＩ一層と基板との界聞にｄ３いて
０．８ミクロンの間隙を生じる最小光量の使用によりホ
トレジスト層ａ５よびコントラス１〜増強層を右りるつ
１−ハにＪ３いて得られＩＣパターンと比較された。ホ
トレジスト層のみを有り−るウェーハ並びに小１〜レジ
スト層およびコントラスト増強囮を右づるウェーハのい
ずれに関しても、幅２．０ミク［１ンの線ＪメＪ、び幅
２．０ミク［１ンの間隙はほぼ適正であった。ホ１〜レ
ジメ１〜口のみをイｊりる「シェーバにａ３い°Ｃは、
ホ１〜レジス１−Ｖ１中に幅０．８ミクロンの間隙を生
じる光量を用いた場合に幅０．８ミクロンの線は概し−
（過度に露光された。しかるに、小１〜レジストＩ’ｉ
　Ｊ＞よびコン（〜ラス１へ増強層を右りるウェーハに
Ｊ３いては、小１〜レジスト層中に幅０．８ミクロンの
間隙を生じる光量を用いた場合に幅０．８ミクＬ１ンの
線は適度に露光され、そしでホトレジスト病中に幅０．
８ミク［−１ンの線を生じた。史にまた、コン１〜ラス
１〜の増強を受りたパターンの側壁はほぼ重心Ｃあった
。

なＪ５、二１ン１−ラスト増強層を伴わない小１〜レジ
メ１−１（！ｊ中に１！）られだパターンの品質が劣る
のは、Ａノ”トメ１−リクス投影装置から得られる空中
像中の空間周波数がｊ’ｌ”Ｉ　＜　、そのために空中
像のコントラストが低いからである。

上記には１、′ｊ定のポジ型車１ヘレジス１〜に関連し
Ｃ本発明が記載されたが、その他のポジ型車トレジス１
〜Ｊ３よひネガ型ホ１〜レシス１〜し使用可能である。

また、上記の実／Ａ＋　Ｉり１にＪ５いでは特定のｊゾ
さの小トレジスト層Ｊ３Ｊ、（Ｊ”Ｆ定の厚さの］ン１
〜ラス１〜増強層か使用されたか、その他のＪ′；）さ
の小トレジスト層および」ン１−ラス１〜増強層し使用
可能であることは召−うまｅｂ（イい。なお、１１＼ト
レジメ１へ眉は約３ミクロン以下の厚さをイ」りること
がりｒよしく、また−Ｊン］ヘラスト増強溜は約１ミク
ロン以下の！“７１さをイ」りることが好ましい。

上記の］ン１へラスト地強層の組成中には光１１；（色
性化合物ＪｊＪ、ひ結合剤が等しい重ω比率ぐ使用され
たが、所望ならばその他の比率で使用り゛ることも可能
である。

上記においては小１〜レジメ１−が二１ン１へラスト閾
値と呼ばれる特性を右すると述べたが、この特性は小ト
レジス１へそれ自体ばかりで゛なく小１〜レジメ］−の
使用条件（たとえば使用りる基板の独類やそれの反射性
）に−シ１７＼存りることに留怠すベさである。

光脱色性化合物に関しＣは非１ｊ１（色状態におりる吸
光係数／分子量比が約１００Ｊ、り大きくかつ非！ｊ；
（色状態におりる吸光係数と１１）１色状態にａ３りる
吸光係数との比が約３０より大きいことか好ましいと述
ｌ〈だが、これらの比の値か約１０ＣあっＣしｚ３足リ
すき結果が得られるはずである。

上記にｄ３いＣは中分子環化に見づ＜　４Ｃ＋定の種類
の光＋１１２　（ｕ性化合物（リ’＜ｃわちアリールニ
ドに］ン力′１）が使用されたが、単分子ｌマｉ化Ｊ３
よσその他の１１）２色機構（たとえば光解裂）に阜つ
く別種の光脱色性化合物ら本発明に従っ−Ｃ使用司能で
あることは色うまでしない。

次の第３表に小される上記のごどさα−（４−ジニＬチ
ルアミツノＪニル）−Ｎ−７１ニルニド［１ンを調製り
るｌ、：め、１８．５＞　（０，１モル）のｐ−ジー１
．デルアミノベンズアルデヒドと１１　、　／＋９（０
，１モル）の新鮮なフェニル上１〜Ｕキシルアミンとの
縮合を１１０ｍの無水」−タノール中において室温で１
８時間にわたり実施した。溶媒を蒸発さけＣ寄られた赤
色の油状物を１〜ル土ン／わ曲」−−チルから２回再結
晶したところ、１０３〜１０５）Ｃのｊ、ｉ’ｒ！　＋
：、ｉを不」りる１３．０’；＃　（０，Ｏｂ七ルの上
記二ｌ−ロンかＩＩｔられた。分析用試料を史に再結晶
したどころ、１．＋’！！　＋：、ｉは１１０〜１１２
°Ｃによ（″」二　界　し　１．：。

第３表中に４３Ｌ〕こ、３００〜４５）０１１０１０波
、ｌた範囲内に吸収（４！人を右りるその他の二１−　
ｕン顆も小され（いる。第３表中では、λ、。ａＸ（１
１１ｎ）はノノメー１−ルｌＪｉ　（ｊンの吸収極大の
位置を表わし、ε「１１８χは（１１１人吸収の波長に
Ｊ３りる吸光係数を表わし、またｎ叩は摂氏劇！ｌｉ　
（ｍの融点を表わす。

これらの二１・１１ン汀１ｂ、上記の二１・１」ンの場
合と同じく、適当なアルデヒドとフェニルヒドロ−１−
ジルアミンとを４４Ａ性溶剤中にｄ５いＣ縮合ざぜるこ
とにＪ、っ−Ｃ調製された１゜ このＪ二Ｉ］以下余白 本６Ｅ明のＩノ法にｄ３いでは、光１１１２色可能な物
質層はホトレジメｈ　ＩＰ、ｉ上において直接に形成さ
れたマスクを成しＣいる。かかる複合構造物の形成は幾
つかの利点を自している。光１１１２色可能な物質層は
小１〜レジスト層の表面形状に従うから、光）脱色可能
な物質層Ｊ＞よび小１〜レジスト層の表面の高い地点間
に空隙が形成されることが回避８れる。２つの層を別個
の支持１１１＼上に形成し′Ｃから接触さけた場合には
そのような空隙が生じるはずである３、かかる空隙は小
１ヘレシスト層中に形成される像の解像度にとっＣ）へ
め（イ］害であっ−Ｃ，特に形成８Ｊｌ＼さ″細部の＼
Ｊ法が故ミクＩ」ン稈度である場合Ａｌ）投影装置の焦
点孫１長か故ミクロン′Ｃ−ある場合に１、Ｌそれがと
しい。まｌζ、光１１シ（色町ｆｉｌな物貿紅１を小ト
レシスＩ一層に接触さけてから引離した場合には、−）
’ノの層の断片が他力の層に伺ｍＬ、そのために小トレ
シス１〜層が損われる危険性がある。

不発明の詳細な説明に際してはコントラス１へ増強層が
ホ１〜レジスト層に接触しＣ配置されると述へたが、所
望ならば、たとえばその揚に形成されだ中性物質の薄い
介在層によっＣコントラスト増強層をホトレシス１へ層
から隔離することしできる。

以上、特定の実施例に関連して不発明を記載したが、た
とえば上記のごとき変形や変更を加え得ることは当業者
にとって自明であろう。それ故、前記特許請求の範囲が
本発明の精神Ｊ＞よび範囲から逸脱しない限りはそのｊ
；うな変形実施例の全てを包括りるよ・うに危図されて
いることを理解Ｊべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は理想化された脱色可能層の相対透過率をそれの
入射面への大剣光量の関数としく示したグラフ、第２八
〜２１：図は不発明にａ３いて使用される１１１１色過
程の推移を説明するの（こ役立つ略図、第３１図は特定
の大川光量に暴露されＩこ特定のコン１−ラス１−増強
層の相対透過率を時間の関数としで示したグラフ、第４
図は３０％］ン１−ラストの像１、に関Ｊ゛る最大レベ
ルＪ５よびｍ小レベルの透過率並びにそれによっ−ＣＰ
ノられる瞬ＩＪ：′ｌ］ン１−ラス１−Ｊ３よび積分コ
ン１〜ラス１〜を人射光最の関数として示した１組のグ
ラフ、第５図は第４図のグラフに関りる相対透過率を透
過光量の関数とし−Ｃ表わした１絹のグラフ、そしＣ第
６Ａ〜６Ｅ図は本発明の一実ｋｒ　ＺＪ法におりる相次
ぐ諸工程を承り（１１１造物Ｑ月功而図で・ある。 図中、３１１よ基板、３２は小１〜レジス１〜ｌＸ；ｊ
、３３うは」ン（−シス１〜１１′１強層、３５４よ照
ＣＩＪ領域、３６は非照用領１戊、でしＵ３８．３９お
Ｊ、ひ４０は小１〜レシス］〜層の銭留部分を表ねり−
９９・“Ｊム’ｆ　ｉｔ！　！ｆａｒ！人じネラル・土
しク１〜リック・カンバーイ代理人　（７６３０）　　
生　？ｒイ　１１み　ニｌｖＺワ３ ｊ〃ｒ４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の］ン（〜ラスト閾値を有するホトレジスト層
   が感受性を示づ所定波長の光の使用によって前記所定の
   コントラスト閾値より小さい」ン１へラス１〜を持った
   不透明および透明領域を右Ｊ−る被ζ゛体の投影像を形
   成する際に前記投影像のコン１〜ラス１〜を増強さけた
   パターンを前記ホ１−レジスト日中に生み出す方法にお
   いて、（Ａ）第１のｊ？さを右−りる前記ホ１〜レジス
   １〜層を用意し、（Ｂ）前記被写体を用意し、（Ｃ）前
   記所定波長の光に対して感受性を示し、非）ＩＳ２色状
   態にａ３ける吸光係数７介子量比がβ／２・■単位で約
   １０より大きく、かつ非脱色状態にＪ３ける吸光係数と
   ＩＢＪ色状態におりる吸光係数との比が約１０より大ぎ
   いような光１８２色性化合物を含右する第２の厚さの光
   脱色司能な物質層を前記被７１体と前記ホトレジスト層
   との間にかつ前記ホトレジスｉ〜層の表面に隣接して配
   置し、（Ｄ）前記被写体を通して前記所定波長および一
   ゛定強度の晃を前記光脱色可能な物質層上に一定時間だ
   け投射ずれば前記光脱色可能な物質層はそれに入射した
   前記所定波長の光の量に正比例した光学濃度の低下を示
   すから、前記光１１１２色可能な物質層によつＣ透過さ
   れる前記被写体の俄の積分コントラス１〜はそれによっ
   て透過される光量と共に増加し、最大値に達し、それか
   ら減少するが、積分コントラストの前記最大値は前記所
   定の＝１ン］〜ラス１へ閾値より大ぎくなるように設定
   され、また前記ホトレジスト層の感度および前記第１の
   厚さの値は前記光脱色可能な物質層によって透過される
   Ｆ９１定範囲内の光量が前記小１〜レジスト層を完全に
   感光させかつ透過像中に前記所定のコン１〜ラス１〜閥
   値より大きい（６分コントラス１−が得られるように設
   定された条件下において、前記光脱色可能な物質層を通
   し′Ｃ前記所定範囲内の前記光量が透過されるのに十分
   な時間にわたり前記被写体を通し−Ｃ前記所定波長の光
   を投射し、次いで（０）前記光脱色可能な物質層を除去
   して前記１１−１〜レジスト層を現＠りる結果、前記被
   写体の低コントラス１〜像に比べＣコントラストの増強
   されＩＣノ＜ターンが前記小トレジスト層中に得られる
   ことを特徴とするｈ法。 ２、前記光脱色性化合物の非脱色状態における吸光係数
   ／分子量比が約、１００より大きく、力＼つ前記光脱色
   性化合物の非脱色状態にｄ３りる吸光係数と脱色状態に
   Ｊ′３りる吸光係数との比か約３０より大きい１’Ｊ　
   ｎ’１品求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記光脱色性化合物がアリールニ１ヘロン系化合物
   中から選ばれた化合物である特許′［請求の９ね間第１
   １！！記載の方法。 ４、前記）′リールニ１〜［１ン系化合物かα−（４−
   ジ土チル７ミノフエニル）−Ｎ−フェニルニｌ−［１ン
   でありかつ前ｔ、己所定波艮か約４０５　ｎｍである特
   許請求の範囲第３項記載の方法。 ５、前記光脱色可能な物ｖｆ層が前記ホ１〜レジスト層
   に接触している特許請求の範囲第１項記載の１ｊ法。 ６、前記ホト−ジス１一層の厚さが約３ミクロン以下で
   ありかつ前記光ｌｉｔ：色可能な物質層の厚さが約１ミ
   クロン以下である特許請求の範囲第５項記載のｈ法。 ７、（Ａ＞所定波長帯の光源を用意し、（Ｂ）前記所定
   波長帯の光に対して感受性のある感光性物質を右する第
   １の厚さの感光性物質層を用意し、（Ｃ）透明部分およ
   び不透明部分を右づるフィルムを前記光源と前記感光性
   物質層との間に配置し、（Ｄ）人身・１シた前記所定波
   長帯の光の量に応じて前記所定波長帯の光の吸収量が減
   少する特性を持った第２の厚さの光脱色可能な物質層を
   前記フィルムと前記感光性物質層との間に配置し、次い
   Ｃ（Ｅ）前記光１ｉｔ）色可能な物質層の感度および前
   記第２の厚さの値は前記光１］ｆ２色可能な物質層によ
   って透過される像のコン１へラストがそれにＪ、って透
   過される前記所定波長帯の光の量と共に増大ターるよう
   に設定され、かつ前記感光性物￥’ｊ層の前記所定波長
   帯にａハノる感度および前記第１の厚さの（「１は前記
   光１１１２色可能な物質層によって透過される所定範囲
   内の光端が前記感光性物質層を感光ざｌるように設定さ
   れた条件下にＪ３いＣ１前記光脱色ｉｉＪ能な物質ｈ９
   を通して前記感光性物質層に前記所定範囲内の光１１が
   伝達されるのに十分な１１１間にわたり前記光源から１
   １ａ記フイルムを通して前記光１ｊ）（色ＴｉＪＤピな
   物質層Ｊ３　Ｊ、び前記感光性物質層に一定強疫の光を
   段用りる諸工程から成ることを特徴とり゛る、感光性物
   質層中に二」ントラストの増強された像を形成りる方法
   。 ８、前記感光性物質層を現像Ｊ−ることによって前記感
   光性物質層中に＝１ントラストの増強された像を形成り
   る」ニ稈か包含される特９Ｔ　ａｌ’ｌ求の範囲第７３
   ｆ４記載のｈ法。 ９、前記感光付物′ｉＨがホ１〜レジスト拐Ｆｌ　′Ｃ
   −ある特；ｉｌ１品求０範囲第７項記載の方法。 １０、非ＩＢ２　（！２状態におりる吸光係数／分子量
   比が１！／牙・ＣＴＩ単１イｌ′Ｃ゛約１０より大きく
   かつ非ｎｓｓ色状態にｄ３りる吸光係数とｌ１ｌ）色状
   態にａ３りる吸光係数との比か約１０より大きいような
   光）１ン２色性化合物を前記光１悦色ｊり能な物質層が
   ９石“りる特許ム７．求の範囲第９　］ｊＩ記載のｈ法
   。 １１、前記光１１１２　色性化合物の非１ｊ；２色状態
   におりる吸光係数／分子量比が約１００より大きく、か
   つ前記光１ｊ；１色性化合物の非ＩＢＪ　色状態におけ
   る吸光係数と脱色状態にＪ５りる吸光係数との比か約３
   ０より大きい特許請求の範囲第１０］Ｊ’ｍ記載のｈ法
   。 １２、（Ａ）様々な強痕の部分を４：ｉす゛る所定波長
   帯の光の空中像を発生させ、（Ｂ）前記所定波長帯の光
   に対して感受性のあるＧ光付物￥五を右りる第１の厚さ
   の感光性物質層を用怠し、（Ｃ）入射した前記所定波長
   帯の光の量に応じて前記所定波長帯の光の吸収量が減少
   する特性を持った第２の厚さの光脱色可能な物質層を１
   １１ｊ記空中像と前記感光性物質層との間に配置し、次
   いぐ（Ｄ＞前記光１バ２色可能な物質層の感度ｄ５よび
   前記第２の厚さの値は１）θ配光１ｊ；（色可能な物質
   層にＪ、って透過される像の］ン］−ラストがくれによ
   っＵｌｉ過される前記所定波長帯の光の昂と共に増大づ
   るように設定され、かつ前記感光性物質層の前記所定波
   長帯にＪ３りる感度Ｊ３よひ前記第１の厚さの値は前記
   光ＩＢ、：色可能な物質層にＪ、つ−Ｕｉ過される所定
   範囲内の光量か前記感光性物質層を感光させるように設
   定されに条イ′１下に、ｊ３いて、前記光１１１Ｊ　邑
   可（ｊ”ｅ　’ｃｊ物質層を通しＣ前記感光性物質層に
   前記所定範囲内の光量か伝達されるのに十分な時間にわ
   たり前記空中像からの光を前記光；１）１色可能な物質
   層Ｊ＞　Ｊ、ひ前１□Ｃ感光性物ｌｌ″ｉ層に段用りる
   諸工稈から成ることを特徴どりる、感光性物質層中にコ
   ントラストの増強された像を形成りる方法。 １３、所定波長帯の光の空中（象を用いＣ感光性物質層
   ■層中に像を形成りる方法にＪ３いＣ１前記空中像と前
   記感光性物ｖ）１層との間にコントラスト増強層か配置
   され、かつ前記」ン１−ラス１〜増強層ｄ３よび前記感
   光性物質層かいずれも前記Ｊす［定波長帯の光に対して
   感受性をもすることを特徴とりる方法。 １４、前記コントラスト増強層はそれに入用した前記）
   すｉ定波（（帯の光の量に応じ−Ｃ前記所定波長帯の光
   の吸収量か減少する特性を有し、前記コン１〜ラス１−
   増強１１′１の感度および厚８は前記＝１ントラスｌ−
   増強層によつ−（透過される像のコン１へラストがそれ
   によって透過される前記所定波長帯の光の蚤と共に増大
   Ｊ−るように設定され、かつ前記感光性物質層の前記所
   定波長帯に、４５りる感度は前記コン１−ラス１ル増強
   層にＪ、って透過される所定範囲内の光量が前記感光性
   物￥′ｉ屑を感光させるように設定される特許！１請求
   の範囲第１３１１Ｊ記載の方法。 １５、前記コントラスト増強層が前記感光性物質層の表
   面に隣接している特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １６、前記］ン１〜ラスト増強層が光）ｊ；１色可能な
   物質層である特ｒＦ　ｎｉ’＋求の範囲第１３項記載の
   方法。 １７、前記感光４！Ｉ物質層がホ１−レジメ１〜層であ
   る特許請求の範囲第１５）項記載のｌ〕払。 １８、前記光１１；２色可能な物質層が前記ｌす１定波
   長帯の光に対して感受性を有する光ＩＢ２色性化合物を
   含有する１、ｉ訂品求の範囲第１６１１″Ｊ記載の方法
   。 １つ、前記光脱色性化合物がアリールニトロンである特
   許請求の範囲第１８］口記載のｈ払。 ２０、前記光１８２色性化合物がα−（４−ジエチルア
   ミノフェニル）−Ｎ−フェニルニトロンである特許ｉｊ
   ’ｊ求の１１む間第１９ＪＯ記載のノ）法。 ２１、前記光ｊ１）２色性化合物の非脱色状態にＪ３り
   る吸光係数／分子吊比が１！／？ｊ・Ｃｍ甲位で約１０
   まり人さい特Ｂｒ（請求の範囲第１８項記載の方法。 ２２、前記光＋ｊ＋Ｘ色１１１化合物の非１１５１！邑
   状態におりる吸光１糸故と１ｊ（（鎖状態にＪ５ける吸
   光係数との比が約１０Ｊ、り人さいｑ、＋ｊｌｉ′１請
   求の範囲第２１１１記載の／Ｊ法。 ２３、前記）ｌリールニトロンの非１ｊ；２色状態にａ
   ３【ノる吸光１糸数／分子量比がｐ／７・ｃｍ　４１ｉ
   位で約１０より人キく、かつ前記アリールニトロンの非
   １１；（鎖状態にＪ５　ＬＪる吸光係数と＋＋ｂ色状態
   にＪ＞　４Ｊる吸光係数との比か約１０まり人ぎい特許
   請求の範囲第１　９　］）１　記屯にのノ゛ｊンノー。 ２／１．非１ｊ（１色状態にａハブる吸光係数７介子量
   比か約１０ｐ／ｌ−σより大きくがっ非１１；１邑状態
   にＪ５りる吸光係数ど１ｊ（２色状態にａ３りる吸光係
   数との比が約１０より大きいアリールニトロン系の化合
   物中から選ばれた化合物を含有づることを特徴Ｊる光１
   １）（色ｉｉＪ能１９０ ２５、結合剤を含有りる特許＋ｊｌ’！求の範囲第２４
   １０記載の光脱色可能層。 ２６、（Ａ＞１００重量部（Ｄ　ａ’　ｕＭ溶剤、（Ｂ
   ）１〜３０重量部の不活性な右（幾重合体結合剤、およ
   び（Ｃ）１〜３０重最部のアリールニトロンが　・ら成
   ることを特徴どりる、３００〜４５０　ｎｍの範囲内に
   吸収極大を持った光１ｊ；（色可能層を形成し１４？る
   回転注型可能な混合物。 ２７、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−フェ
   ニルニトロン、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−
   Ｎ−（４−クロし」）１ニル）ニド［、−１ン、α−（
   ７Ｉ−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−（３，４−シク
   ロｌ」フェニル）ニド１−１ン、α−（４−ジエチルツ
   ノミノフェニル）−Ｎ−（４−１１−キシカルボニルフ
   ェニル）二１〜１−１ン、α−（４−ジエチルアミノフ
   ニル）−Ｎ−（４−アセチルフェニル）ニトロン、α−
   （９−ユｃ１リジニル）−Ｎ−フェニルニトロン、α−
   （９−１０リジニル）−Ｎ−（４−クロロフェニル）ニ
   トロン、α−（４−ジメチルアミノフェニル）−Ｎ−（
   ４−シアノツー１ニル）ニトロン、α−（４−メ１〜キ
   シフＩニル）−Ｎ−（４−シアノフコ−ニル）ニド１」
   ン、α−Ｌ２−（１−）１ニルブ［Ｉベニル）１−Ｎ−
   フ」。ニルニド］」ンＪ５よびα−［２−＜１，１−シ
   フ」−ル１アール）＞Ｎ−７−［−ルニ１〜１１ンから
   成るｌ！ＹＪ、すｊハぽれることを特徴とツる、Ｊつ０
   ０〜４５０　ｎｍの範囲内に吸収極大を持ったアリール
   ニｌ−１丁１ン。 ２８、化合物（ｘ−（４−ジ土チルアミノフーＩ−ル）
   −Ｎ−フ１−ルニトロン。 ２ミ）、化合物（χ−（４−シ土チルアミノフ［−ル）
   −Ｎ−（／ｉ−り（」ロフ」ニル）二１−Ｌ」ン。 ３０、化合物ｔｘ−（／ｌ−シ］−チルアミノフ」−ル
   ）−Ｎ−（３，／Ｉ−ジク１」１」）上ニル）二１−１
   １ン。 ３１、化合物ｔｘ−（４−シＪチルアミノフにニル）−
   １’、Ｉ−＜４−１１ヘキシカル小二ルフ」ニル）−１
   −ｕン。 ３２、化合物α−（４−ジ工チルアミノフ」−ニル）−
   Ｎ−（４−アヒチルフ」−ニル）二１〜０ン。 ３３、化合物α−（９−１１」リシニル）−Ｎ−フェニ
   ルニド１］ン。 ３４、化合物α−（９−ユロリジニル）−Ｎ−〈４−ク
   ロ１」フＬニル）二１〜【−１ン。 ３５、化合物α−（４−ジメチル７ミノフエニル）−Ｎ
   −（’ｌｌ−シアノツーニル）−ｌ−ｒ−＋ン。 ３６、化合物α−（４−メ１−１ジフェニル）−Ｎ−（
   ４−シアツノＩ−ル）二１−１１ン。 ３７、化合物α−１２−（１−７１ニルプロペニルｍ１
   −Ｎ−フェニルニド１１ン。 ３８、化合物α−１２−（１，１−ジフェニル１ラニル
   ）］−Ｎ−フ」−ニルニ１〜［１ン。