JPS59104127A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59104127A JPS59104127A JP57213416A JP21341682A JPS59104127A JP S59104127 A JPS59104127 A JP S59104127A JP 57213416 A JP57213416 A JP 57213416A JP 21341682 A JP21341682 A JP 21341682A JP S59104127 A JPS59104127 A JP S59104127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- sensitivity
- fine pattern
- energy
- irradiation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
トの＃細パターン形成法に２げる感度向上方法に関する
ものである。
ものである。
第１図に，従来の微細パターン形成法を示す。（４）で
レジスト溶成をシリコン，ならびにガラス等の基板Ｑ）
上にスビンフータを用いて，回転塗布し，つづい−ｃｏ
ｇ科を加熱乾そう（ブリベーク） Ｌ’１：、溶媒を完
全に除去Ｌ’Ｃ。
レジスト溶成をシリコン，ならびにガラス等の基板Ｑ）
上にスビンフータを用いて，回転塗布し，つづい−ｃｏ
ｇ科を加熱乾そう（ブリベーク） Ｌ’１：、溶媒を完
全に除去Ｌ’Ｃ。
レジスト被膜（１）を形成する。 （Ｂｌで該被膜上に
高エネルギ娠已）を照射して，微細パターンを描画する
。ついで。
高エネルギ娠已）を照射して，微細パターンを描画する
。ついで。
Ｃ）で現ｉ’ＪＬ Ｋを用いて，没せき，あるいは、ス
プレー法により，現象処理を行い，微細パターンを形成
する。
プレー法により，現象処理を行い，微細パターンを形成
する。
該ポジ形しジストは，高エネルギ線が照射され，低分子
値化された部分と，篩ヱネルギ線が照射されていない本
来の高分子抵部分における溶媒に対する溶解速度差を利
用した現像処理を行い，微細パターンが形成される。
値化された部分と，篩ヱネルギ線が照射されていない本
来の高分子抵部分における溶媒に対する溶解速度差を利
用した現像処理を行い，微細パターンが形成される。
したがって、該ポジ形しジストの感度を同上させる方法
として，現像条件を強くする方法がある。Ｌかし，この
方法は，現像条件が強すぎると，残すべき，高エネルギ
線未照射部が溶解，はくり、変形をおこすので，大幅な
感度向上は不可能である。
として，現像条件を強くする方法がある。Ｌかし，この
方法は，現像条件が強すぎると，残すべき，高エネルギ
線未照射部が溶解，はくり、変形をおこすので，大幅な
感度向上は不可能である。
最も高い感度を有する高エネルギ線用ポジ形レジストで
ある，構造式中で表わされるＦＢＭレジスト，ならびに
。
ある，構造式中で表わされるＦＢＭレジスト，ならびに
。
構造式叩で表わされるＦＢＭとグリシジルメタクリレー
トとの共電合体レジストについては，現像条件の最適化
をはかることにより 電子線感度０．４μＣ ／ｃｔ／
ｌ 、 Ｘ Ｗ感度（Ｍ＠−Ｌ線，波長＝５．４ Ａ
） ３ ５ｍＪ／一が得られている。
トとの共電合体レジストについては，現像条件の最適化
をはかることにより 電子線感度０．４μＣ ／ｃｔ／
ｌ 、 Ｘ Ｗ感度（Ｍ＠−Ｌ線，波長＝５．４ Ａ
） ３ ５ｍＪ／一が得られている。
該レジストでも現像条件を強くする方法では，これ以上
の高感度化は不可能である。
の高感度化は不可能である。
ＣＨ。
÷ｃＨｔ − Ｃ一升ｎ（１）
Ｃ＝Ｏ
■
ＣＨ＊ ＣＦ ｔ ＣＨＦＣＦ ＊
′ｉｌ′Ｈ・ ７Ｈ・
本発明は、ＦＢＭレジスト、ならびにＦＢＭとグリシジ
ルメタクリレートとの共重合体レジストの高エネルギ線
感度を高めることを目的として、高エネルギ線照射後。
ルメタクリレートとの共重合体レジストの高エネルギ線
感度を高めることを目的として、高エネルギ線照射後。
現像工程…■に熱処理することによりパターン精度を低
下させることなく容易に高感度化が達成されるものであ
る。
下させることなく容易に高感度化が達成されるものであ
る。
高感度化は、高エネルギ線リングラフィな用いた大容量
、高密度デバイスの製作において、高生産性、低価格化
をはかる上でＢ（要な技術である。
、高密度デバイスの製作において、高生産性、低価格化
をはかる上でＢ（要な技術である。
第２図は１本発明方法によるパターン形成工程を示した
ものである。（４）で、該レジスト溶液をスビノコータ
を用いて、基板（２）上にコーティングし、ついで、加
熱乾そうによって溶媒を完全に蒸発させることによって
、レジスト被膜（１）を形成する。ついで、 （Ｂ）で
は、該レジスト被膜上に高エネルギ縁（３）を照射して
、パターンを描ｒＪＩ７Ｌ 。
ものである。（４）で、該レジスト溶液をスビノコータ
を用いて、基板（２）上にコーティングし、ついで、加
熱乾そうによって溶媒を完全に蒸発させることによって
、レジスト被膜（１）を形成する。ついで、 （Ｂ）で
は、該レジスト被膜上に高エネルギ縁（３）を照射して
、パターンを描ｒＪＩ７Ｌ 。
ついで該試料を加熱処理（インターベーク）する（Ｃ１
゜ついで、現１家液を用いて、潰せき、あるいは、スフ
レ−法により現像を行うことにより微細パターンを形成
する（Ｄｌパターンの描画に用いる。商エネルギ線とし
ては、電子線、軟Ｘ線、遠紫外線（波長、２００〜３０
０ｎｍ）を用いることができる。
゜ついで、現１家液を用いて、潰せき、あるいは、スフ
レ−法により現像を行うことにより微細パターンを形成
する（Ｄｌパターンの描画に用いる。商エネルギ線とし
ては、電子線、軟Ｘ線、遠紫外線（波長、２００〜３０
０ｎｍ）を用いることができる。
現像液としては、ＦＢＭ、ならびにＦＢＭとグリ／ジル
メタクリレートとの共■合体レジストからなるレジスト
被膜において、高エネルギ縁の照射により、低分子膨化
された部分と、高エネルギ線が照射されていない１本来
の高分子址部分における。それらの溶解速度がいちじる
しく異なる溶剤が用いられる。これらの溶剤として。
メタクリレートとの共■合体レジストからなるレジスト
被膜において、高エネルギ縁の照射により、低分子膨化
された部分と、高エネルギ線が照射されていない１本来
の高分子址部分における。それらの溶解速度がいちじる
しく異なる溶剤が用いられる。これらの溶剤として。
好ましいのは、メチルイソプチルゲトン（ＭｉＢＫ）、
とインソロパノール（ＩＰＡ）を主成分とする混合液で
ある。
とインソロパノール（ＩＰＡ）を主成分とする混合液で
ある。
現像温度、混合比は未照射部のレジストが溶解、変形。
はくりＬないように適宜定めればよい。
最後に、該試料を乾そうすることにより所望のパターン
が得られる。
が得られる。
本発明は、従来法にインターベータ工程が追加されてい
る点に特徴がある。このインターベータの作用について
説明する。
る点に特徴がある。このインターベータの作用について
説明する。
該レジストは高エネルギ線照射により低分子址に分解す
るが、一部には切断された直後に再結合により、完全釦
分解乙ないものが存在する。Ｌかし、再結合部分は熱的
に不安定であり、加熱することにより１分子切断が完全
に達成される。本発明のインターベーク工程を行う着眼
点は、この再結合を熱的に完全に切断し、高エネルギ線
照射による反応を最大限利用することにより、感度を向
上させることにある。
るが、一部には切断された直後に再結合により、完全釦
分解乙ないものが存在する。Ｌかし、再結合部分は熱的
に不安定であり、加熱することにより１分子切断が完全
に達成される。本発明のインターベーク工程を行う着眼
点は、この再結合を熱的に完全に切断し、高エネルギ線
照射による反応を最大限利用することにより、感度を向
上させることにある。
実施例１
ＦＢＭとグリシジルメタクリレートとの共重合体レジス
ト全シリコンウェハ上にスピンコーティング法にヨＩ）
塗布し、ついで２００℃の温度で、６０分間、加熱して
溶剤を蒸発させ、その後、常温にまで冷却して、レジス
ト被膜を形成する。つぎに、電子線描画装置を用いて、
該レジスト被膜上に電子線を加速電圧２０ ＫＶ、
照射量は０．１μＣ／−から３μＣ／−までの範囲で、
４０ステツプ露光する。ついで、該レジストの電子線感
度を高めるために、１００℃、３０分、大気雰囲気中で
該試料を加熱処理（インターベーク）する。つぎＩＣ，
メチルイングチルクトン（ＭＩ ＢＫ ）とイソプロパ
ツール（ＩＰＡ）混合液（混合比＝ １．２５／Ｉ Ｄ
Ｏ）を用いて、液温を２２．５℃と一定に保ち、２分間
現像する。ついで、イソソーパノール液で１分間、つづ
いてｎ−ブタノール液で２分間リンスする。
ト全シリコンウェハ上にスピンコーティング法にヨＩ）
塗布し、ついで２００℃の温度で、６０分間、加熱して
溶剤を蒸発させ、その後、常温にまで冷却して、レジス
ト被膜を形成する。つぎに、電子線描画装置を用いて、
該レジスト被膜上に電子線を加速電圧２０ ＫＶ、
照射量は０．１μＣ／−から３μＣ／−までの範囲で、
４０ステツプ露光する。ついで、該レジストの電子線感
度を高めるために、１００℃、３０分、大気雰囲気中で
該試料を加熱処理（インターベーク）する。つぎＩＣ，
メチルイングチルクトン（ＭＩ ＢＫ ）とイソプロパ
ツール（ＩＰＡ）混合液（混合比＝ １．２５／Ｉ Ｄ
Ｏ）を用いて、液温を２２．５℃と一定に保ち、２分間
現像する。ついで、イソソーパノール液で１分間、つづ
いてｎ−ブタノール液で２分間リンスする。
最後に窒素ガス、あるいは空気を吹きつけて、該試料を
乾そうする。乾そう後の該試料の現像されたレジスト膜
厚をクリステツソ等の膜厚測定器を使用してＭＩ定する
。
乾そうする。乾そう後の該試料の現像されたレジスト膜
厚をクリステツソ等の膜厚測定器を使用してＭＩ定する
。
第３図に′電子線感度を表わす、ｉ！子線照財欺と現像
されたレジスト膜厚との関係を示す。第３図１曲線４に
示すごと（、従来のインターベークをしない方法では、
ｇ子線感度は０．＜ＳμＣ／−であるが、同図１曲線５
に不す本発明のインターベータを実施した電子線感度は
、 ０．２４μＣ／Ｄ１１と約２．５倍感度が向上する
ことを示している。
されたレジスト膜厚との関係を示す。第３図１曲線４に
示すごと（、従来のインターベークをしない方法では、
ｇ子線感度は０．＜ＳμＣ／−であるが、同図１曲線５
に不す本発明のインターベータを実施した電子線感度は
、 ０．２４μＣ／Ｄ１１と約２．５倍感度が向上する
ことを示している。
実施例２
実施例１とは、レジストと現像液混合比が異なり、他は
同様な工程である。レジストはＦＢＭを使用し、シリコ
ンウェハ上にシジスト塗布し、２００℃、６０分の加熱
処理（ソリベーク）、電子線露光、１００℃、５０分の
加熱処理（インターベーク）を実施し、つづいて現像処
理して＃細パターンを形成する。現像液はＭＩＢＫとＩ
ＰＡ の混合比が１：１５０の混合液を使用する。現像
処理方法は実施例１と同様である。 第４図は、ＦＢＭ
レジストの電子線感度特性を示したものである。第４図
３曲線４に示すごとくインターベークしない従来法の試
料の′電子線感度は０．９８μＣＩｃｄｌである。同図
１曲線５に示す本発明のインターベークを実施した試料
の電を線感度は肌６μＣＡｔ１ｌで、インターベークし
たことによりＦＢＭレジストの電子線感度が向上するこ
とを示している。
同様な工程である。レジストはＦＢＭを使用し、シリコ
ンウェハ上にシジスト塗布し、２００℃、６０分の加熱
処理（ソリベーク）、電子線露光、１００℃、５０分の
加熱処理（インターベーク）を実施し、つづいて現像処
理して＃細パターンを形成する。現像液はＭＩＢＫとＩ
ＰＡ の混合比が１：１５０の混合液を使用する。現像
処理方法は実施例１と同様である。 第４図は、ＦＢＭ
レジストの電子線感度特性を示したものである。第４図
３曲線４に示すごとくインターベークしない従来法の試
料の′電子線感度は０．９８μＣＩｃｄｌである。同図
１曲線５に示す本発明のインターベークを実施した試料
の電を線感度は肌６μＣＡｔ１ｌで、インターベークし
たことによりＦＢＭレジストの電子線感度が向上するこ
とを示している。
実施例３
高エネルギ線として、軟Ｘ線を使用しても、１！子線と
同様な効果が得られる。 実施例１と同じ方法で、シリ
コン基板上に、ＦＢＭとグリシジルメタクリレートの共
重合体レジストを形成する。ついで、該レジスト被膜上
に、軟Ｘ線源として、モリブデンターゲット（波長：５
．４Ｘ）を使用して、高エネルギ線を照射する。このと
きの入力電圧は１７ ＫＶ、電流は８３０ｍＡである。
同様な効果が得られる。 実施例１と同じ方法で、シリ
コン基板上に、ＦＢＭとグリシジルメタクリレートの共
重合体レジストを形成する。ついで、該レジスト被膜上
に、軟Ｘ線源として、モリブデンターゲット（波長：５
．４Ｘ）を使用して、高エネルギ線を照射する。このと
きの入力電圧は１７ ＫＶ、電流は８３０ｍＡである。
照射エネルギは、シャッタを使用して、照射時間を変え
ることによりコントロールする。軟Ｘ線照射後のインタ
ーベーク、現像方法は実施例１と同様に行う。インター
ベータしない場合には、０．７μｍのレジスト膜厚を除
去する。照射時間は２分（照射エネルギｓ ５５ ｍ
Ｊ ／ｃＡ ）である。一方。
ることによりコントロールする。軟Ｘ線照射後のインタ
ーベーク、現像方法は実施例１と同様に行う。インター
ベータしない場合には、０．７μｍのレジスト膜厚を除
去する。照射時間は２分（照射エネルギｓ ５５ ｍ
Ｊ ／ｃＡ ）である。一方。
インターベークした場合の照射時間は５０秒（照射エネ
ルギ； 、１４ｍＪＡｙｒＪ）と照射時間１照射エネル
ギは小さくなり、感度が向上することを示している。レ
ジスト感度の高感度化は、Ｘ線出力が小さく、生産性の
低いＸ線露光において、特に効果が大きい。
ルギ； 、１４ｍＪＡｙｒＪ）と照射時間１照射エネル
ギは小さくなり、感度が向上することを示している。レ
ジスト感度の高感度化は、Ｘ線出力が小さく、生産性の
低いＸ線露光において、特に効果が大きい。
実施例４
ＦＢＭレジストに軟Ｘ線（波長；５．４ｔ）を照射した
場合にも、実施例６と同様なインターベークの効果が３
）る。軟Ｘ線照射方法は、実施例３と同様に行ない、現
像方法は実施例２と同じ方法で行う。インターベークし
ない場合の、０．７μｍのレジストを除去する照射エネ
ルギは６０ｍＪ／ｃｙ／１である。一方、インターベー
タした場合には。
場合にも、実施例６と同様なインターベークの効果が３
）る。軟Ｘ線照射方法は、実施例３と同様に行ない、現
像方法は実施例２と同じ方法で行う。インターベークし
ない場合の、０．７μｍのレジストを除去する照射エネ
ルギは６０ｍＪ／ｃｙ／１である。一方、インターベー
タした場合には。
照射エネルギは３７ ｍ Ｊ／ｃｄと小さくなり、感度
が同上することを示している。
が同上することを示している。
実施例５
高エネルギ線として、遠紫外線（波長；２００〜３００
ｎｍ）を使用した場合にも、インターベークの効果があ
る。
ｎｍ）を使用した場合にも、インターベークの効果があ
る。
連票外線源には、３０Ｗの重水素ランプを使用して、２
８Ｍレジスト被膜上に高エネルギ線を照射する。レジス
ト塗布、ソリベーク、インターベーク、現数法は実施例
２と同じ方法である。インターベータしない場合には。
８Ｍレジスト被膜上に高エネルギ線を照射する。レジス
ト塗布、ソリベーク、インターベーク、現数法は実施例
２と同じ方法である。インターベータしない場合には。
０．７μｍのレジストを除去するのに要する。重水素ラ
ンプの照射エネルキは１００ｍＪ／ｃ＋＋！である。
一方、インターベークを実施した場合の照射エネルギは
６０ｍＪ／−と小さくなって套り、感度が向上すること
を示している。
ンプの照射エネルキは１００ｍＪ／ｃ＋＋！である。
一方、インターベークを実施した場合の照射エネルギは
６０ｍＪ／−と小さくなって套り、感度が向上すること
を示している。
以上説明したように、ＦＢＭレジスト、ＦＢＭとグリシ
ジルメタクリレートとの共重合体レジストを用いて。
ジルメタクリレートとの共重合体レジストを用いて。
微細パターンを形成する方法において、露光と現像処理
これと同じ作用を示す高エネルギ線用ポジ形レジストに
ついても、同様な効果のあることが容易に類推される。
これと同じ作用を示す高エネルギ線用ポジ形レジストに
ついても、同様な効果のあることが容易に類推される。
電子線、Ｘ線感度の高感度化は、大容拭、高密度デバイ
スの製作において最もＪ「要な生産性の向上をはかれる
利点がある。
スの製作において最もＪ「要な生産性の向上をはかれる
利点がある。
第１図は従来法による微細パターン形成工程図、第２図
は本発明による微細パターン形成工程図である。第３図
はＦＢＭとグリシジルメタクリレートとの共重合体レジ
ストの電子線感度特性図、第４図はＦＢＭレジストの電
子線感度特性図である。 １・・・レジスト ２川基板 ３・・・Ｕエネルギ
線４ ・・・インターベークなＬ５．・・・インタ−ベ
ークあり（９１−１２１ 第３詔 ｃ子線しゑ＠置き（７） 猶ｌ１図 手続補正４（自発提出） 昭和５８年３月ノ？日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １ 事件の表示 特願昭５７−２１３４１、 発明の基部 微細パターン形成方法 ３補正をする省 事件との関係 待ｄ′Ｆ出顧人 東基部千代田区内辛町１丁目１番６号 （４２２） 日本亀信′祇砧公社 ４代理人 ５補正の対酸 「第３図はインターベークｍｌｆと電子弾感度との関係
を示した図である。インターベータ温度が１００°０．
１５０°Ｃ２２００°０と高くなる釦したがって感度も
高くなっている。 しかし、温度が１５０°Ｃ以上になると、２μＣ／１１
ｎ と低い電子線ドーズ量で、１！子線が照射され、
除去されるべき領域のレジストが残る。いわゆるネガ反
転がおこる。」（２）同第６頁第４行、第５行、第９頁
第１２行「第３図」を「第４図」に訂正する。 （３）同第６貴第１８行、第１９行、第９頁第１４行「
第４図」を「第５図」に訂正する。 （４）同第９負第１２行「−一肛相図である。」の次に
次の文を挿入する。 ［第６図はインターベーク温度と電子線感度との関係図
である。」 （５）図面 別紙のとおり 以上 笛Ｉｇ ０ ５０ ｔｏｏ ｌダ０
２００インターベークシ乱２ハ（（υ 竿３図 第４図 隼ぢ釦
は本発明による微細パターン形成工程図である。第３図
はＦＢＭとグリシジルメタクリレートとの共重合体レジ
ストの電子線感度特性図、第４図はＦＢＭレジストの電
子線感度特性図である。 １・・・レジスト ２川基板 ３・・・Ｕエネルギ
線４ ・・・インターベークなＬ５．・・・インタ−ベ
ークあり（９１−１２１ 第３詔 ｃ子線しゑ＠置き（７） 猶ｌ１図 手続補正４（自発提出） 昭和５８年３月ノ？日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １ 事件の表示 特願昭５７−２１３４１、 発明の基部 微細パターン形成方法 ３補正をする省 事件との関係 待ｄ′Ｆ出顧人 東基部千代田区内辛町１丁目１番６号 （４２２） 日本亀信′祇砧公社 ４代理人 ５補正の対酸 「第３図はインターベークｍｌｆと電子弾感度との関係
を示した図である。インターベータ温度が１００°０．
１５０°Ｃ２２００°０と高くなる釦したがって感度も
高くなっている。 しかし、温度が１５０°Ｃ以上になると、２μＣ／１１
ｎ と低い電子線ドーズ量で、１！子線が照射され、
除去されるべき領域のレジストが残る。いわゆるネガ反
転がおこる。」（２）同第６頁第４行、第５行、第９頁
第１２行「第３図」を「第４図」に訂正する。 （３）同第６貴第１８行、第１９行、第９頁第１４行「
第４図」を「第５図」に訂正する。 （４）同第９負第１２行「−一肛相図である。」の次に
次の文を挿入する。 ［第６図はインターベーク温度と電子線感度との関係図
である。」 （５）図面 別紙のとおり 以上 笛Ｉｇ ０ ５０ ｔｏｏ ｌダ０
２００インターベークシ乱２ハ（（υ 竿３図 第４図 隼ぢ釦
Claims (1)
- 高エネルギ線すングラフィ用ポジ形レジストの微細パタ
ーン形成法において、高エネルギ界照射工程と現像工程
の中間に熱処理工程（インターベータ）を実施すること
を特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213416A JPS59104127A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213416A JPS59104127A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104127A true JPS59104127A (ja) | 1984-06-15 |
Family
ID=16638861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57213416A Pending JPS59104127A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104127A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189632A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| EP0307596A2 (de) * | 1987-09-15 | 1989-03-22 | Schering Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Leiternetzwerken |
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| US9717631B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-08-01 | Oakley, Inc. | Eyewear having multiple ventilation states |
| US10156734B2 (en) | 2015-12-08 | 2018-12-18 | Oakley, Inc. | Eyewear traction devices and methods |
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| US10925772B2 (en) | 2013-03-07 | 2021-02-23 | Oakley, Inc. | Regeneratable anti-fogging element for goggle |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP57213416A patent/JPS59104127A/ja active Pending
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