JPS59103451U - 半導体沸騰冷却装置 - Google Patents
半導体沸騰冷却装置Info
- Publication number
- JPS59103451U JPS59103451U JP19613882U JP19613882U JPS59103451U JP S59103451 U JPS59103451 U JP S59103451U JP 19613882 U JP19613882 U JP 19613882U JP 19613882 U JP19613882 U JP 19613882U JP S59103451 U JPS59103451 U JP S59103451U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- cooling device
- boiling cooling
- sealed container
- end plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は半導体沸騰冷却装置の構成の一例を示す斜視図
、第２図は密封容器の内部の構造の一例を示す側面図、
第３図はサイリスタのスナバ回路、第４図はＧＴＯのス
ナバ回路、第５図は本考案の沸騰冷却装置の一実施例に
よる密封容器および半導体スタックの構造を示す正面図
、第６図は第５図の側面図、第７図および第８図は本考
案の沸騰冷却装置の他の実施例による密封容器の内部の
構 □造を示す側面図、第９図は第８図の正面図である
。 １、 ４１． ５１． ６１・・曲密封容器、２・・・
・・・気相管、３・・・・・・気相ヘッダ、４・・・・
・・凝縮管、５・・・・・・液相ヘッダ、６・・・・・
・液相管、１１・・間半導体素子、１２・・・・・・冷
却片、１３・・・・・・締付棒、１４． ４２゜５２．
６２・・・・・・平鏡板、１５・・・・・・主気密端子
、１６・・・・・・補助気密端子、１７・・・・・・凝
縮性冷媒、１７ａ・・・・・・冷媒蒸気流、１１０・・
・・・・半導体スタック、２１・・・・・・サイリスタ
、２２．３３・・・・・・抵抗、２３．３４・・・・・
・コンデンサ、３１・・・・・・ＧＴｏ。 ３２・・・・・・ダイオード、２２０・・・・・・サイ
リスタのスナバ回路、３２０・・・・・・ＧＴＯのスナ
バ回路。 為７図 ノ １ 葛３ｍ ６１ β。
、第２図は密封容器の内部の構造の一例を示す側面図、
第３図はサイリスタのスナバ回路、第４図はＧＴＯのス
ナバ回路、第５図は本考案の沸騰冷却装置の一実施例に
よる密封容器および半導体スタックの構造を示す正面図
、第６図は第５図の側面図、第７図および第８図は本考
案の沸騰冷却装置の他の実施例による密封容器の内部の
構 □造を示す側面図、第９図は第８図の正面図である
。 １、 ４１． ５１． ６１・・曲密封容器、２・・・
・・・気相管、３・・・・・・気相ヘッダ、４・・・・
・・凝縮管、５・・・・・・液相ヘッダ、６・・・・・
・液相管、１１・・間半導体素子、１２・・・・・・冷
却片、１３・・・・・・締付棒、１４． ４２゜５２．
６２・・・・・・平鏡板、１５・・・・・・主気密端子
、１６・・・・・・補助気密端子、１７・・・・・・凝
縮性冷媒、１７ａ・・・・・・冷媒蒸気流、１１０・・
・・・・半導体スタック、２１・・・・・・サイリスタ
、２２．３３・・・・・・抵抗、２３．３４・・・・・
・コンデンサ、３１・・・・・・ＧＴｏ。 ３２・・・・・・ダイオード、２２０・・・・・・サイ
リスタのスナバ回路、３２０・・・・・・ＧＴＯのスナ
バ回路。 為７図 ノ １ 葛３ｍ ６１ β。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 複数個の半導体素子と冷却片を一軸一体に圧接積層
してなる半導体スタックの少くとも一組を凝縮性冷媒中
に浸漬し収納する密封容器および凝縮器により密封凝縮
冷却系を構成し、該密封容器に気密絶縁端子を複数個具
備する半導体沸騰冷却装置において、密封容器のふた体
を平板状鏡板とし該平板状鏡板の面に前記半導体スタッ
クの締付加圧軸の中心が平行となる方向に半導体スタッ
クを配置したことを特徴とする半導体沸騰冷却装置。 ２ 半導体スタックがＧＴＯ（ゲートターンオフサイリ
スタ）を含むことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第１項記載の半導体沸騰冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19613882U JPS59103451U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体沸騰冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19613882U JPS59103451U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体沸騰冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103451U true JPS59103451U (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=30420973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19613882U Pending JPS59103451U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体沸騰冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103451U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544075A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor cooling unit |
| JPS57170558A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | Boiling cooling type semiconductor device |
| JPS5818350B2 (ja) * | 1977-05-03 | 1983-04-12 | ジエイムズ・ハ−デイ・アンド・カンパニ−・プロプライエタリ−・リミテツド | 石綿セメント積層スラブ製造方法 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP19613882U patent/JPS59103451U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818350B2 (ja) * | 1977-05-03 | 1983-04-12 | ジエイムズ・ハ−デイ・アンド・カンパニ−・プロプライエタリ−・リミテツド | 石綿セメント積層スラブ製造方法 |
| JPS544075A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor cooling unit |
| JPS57170558A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | Boiling cooling type semiconductor device |
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