JPS5898995A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5898995A JPS5898995A JP56197831A JP19783181A JPS5898995A JP S5898995 A JPS5898995 A JP S5898995A JP 56197831 A JP56197831 A JP 56197831A JP 19783181 A JP19783181 A JP 19783181A JP S5898995 A JPS5898995 A JP S5898995A
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- stem
- laser element
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光半導体装置に関し、とくに牛導体レーザー素
子の搭載位置の精度改良およびコストの低減に関する。
子の搭載位置の精度改良およびコストの低減に関する。
従来、ｆｔ、牛導体装置としては、ガえば金属（コパー
、鉄等）とガラスの封止体からなるステムのベース上に
放熱体を搭載し、この放熱体上に発光素子、例えば牛導
体レーザー素子を搭載後、キャップ封入を行なうといり
た構造になっている。かかる構造によれば、ステ五ベー
スに搭載する放熱体（例えば銅ブロック）を別に準備し
、これをＡｇ−Ｃｎロー材などでベースにロー付せねば
ならず、Ｃｎ材を用いれば熱放散には効果があるものの
、部品数が増えてコスト高になる。ｔた、ロー付作業の
関係上位置精度にもバラツキが大きく、品質低下を招い
ていた。言うまでもなく、牛導体レーザー素子の位置は
、Ｘ、Ｙ、Ｚ３方向について厳しい精度が必要とされて
お夛、かかる製造方法および構造では十分な品質が得ら
れず、改善が迫られていた。
、鉄等）とガラスの封止体からなるステムのベース上に
放熱体を搭載し、この放熱体上に発光素子、例えば牛導
体レーザー素子を搭載後、キャップ封入を行なうといり
た構造になっている。かかる構造によれば、ステ五ベー
スに搭載する放熱体（例えば銅ブロック）を別に準備し
、これをＡｇ−Ｃｎロー材などでベースにロー付せねば
ならず、Ｃｎ材を用いれば熱放散には効果があるものの
、部品数が増えてコスト高になる。ｔた、ロー付作業の
関係上位置精度にもバラツキが大きく、品質低下を招い
ていた。言うまでもなく、牛導体レーザー素子の位置は
、Ｘ、Ｙ、Ｚ３方向について厳しい精度が必要とされて
お夛、かかる製造方法および構造では十分な品質が得ら
れず、改善が迫られていた。
本発明の目的は、かかる不具合を解決するための安価で
且つ簡単な構造の元手導体装置を提供しようとすること
にある。
且つ簡単な構造の元手導体装置を提供しようとすること
にある。
本発明によれば、電極引出用リードを絶縁ガラスを介し
て支持してなるステムペースを放熱部と一体で構成し、
−万頂部に開口部を有し、開口部には透明ガラスが接着
されてなる金属キャップとがキャップの７ランジの箇所
でステムペースと気密的に封止された元手導体装置が得
られる。ここでステムペースは、その外周部を基準とし
た、プレス加工あるいは鍛造加工等の方法による放熱部
となるべき凸部を有し、この凸部に牛導体レーザー素子
等の発光素子を搭載すればステ五ペース外周を基準にし
た位置精度の向上が図れるという特徴が得られる。
て支持してなるステムペースを放熱部と一体で構成し、
−万頂部に開口部を有し、開口部には透明ガラスが接着
されてなる金属キャップとがキャップの７ランジの箇所
でステムペースと気密的に封止された元手導体装置が得
られる。ここでステムペースは、その外周部を基準とし
た、プレス加工あるいは鍛造加工等の方法による放熱部
となるべき凸部を有し、この凸部に牛導体レーザー素子
等の発光素子を搭載すればステ五ペース外周を基準にし
た位置精度の向上が図れるという特徴が得られる。
以下図面に従って説明する。
第１図は従来の例えばレーザーダイオードの構造を示し
た一実施例である。鉄あるいはその合金よシなるステム
ペース１およびリード３とがガラス２を介して気密且つ
絶縁的ＫＩ１５１１されてなる金属ケース４の上に、放
熱体５を搭載し放熱体５の側面にレーザー素子６をグイ
ボンディング１．更に素子６とリード３０間を金層のよ
うな細１１７を介してワイヤボンディングした後透明ガ
ラス９を開口部に１ＩＷＬ九キヤツプ８を抵抗溶接等に
よ多金属ケース４に封止した構造となっている。放熱体
５は、熱放散を高めるためＫＭえば銅あるいはその合金
からなシ、ロー材１０を介してステ五ペース１上の所定
の位置に固層されているが、放熱体の寸法誤差、ロー性
用治具の寸法誤差等が累積して必ずしも満足できる位置
精度ではなかった。
た一実施例である。鉄あるいはその合金よシなるステム
ペース１およびリード３とがガラス２を介して気密且つ
絶縁的ＫＩ１５１１されてなる金属ケース４の上に、放
熱体５を搭載し放熱体５の側面にレーザー素子６をグイ
ボンディング１．更に素子６とリード３０間を金層のよ
うな細１１７を介してワイヤボンディングした後透明ガ
ラス９を開口部に１ＩＷＬ九キヤツプ８を抵抗溶接等に
よ多金属ケース４に封止した構造となっている。放熱体
５は、熱放散を高めるためＫＭえば銅あるいはその合金
からなシ、ロー材１０を介してステ五ペース１上の所定
の位置に固層されているが、放熱体の寸法誤差、ロー性
用治具の寸法誤差等が累積して必ずしも満足できる位置
精度ではなかった。
かかる不具合を容易且つ安価な方法で改善した一実施例
を第２図に示す。ガえば鉄あるいはその合金よシなるス
テムペース１１は電極引出用り一ド１３をガラス１２を
介して気密且つ絶縁的に保持してお如、リード１３は細
１１１７を介してレーザー素子１６の電極と接続されて
いる。レーザー素子が搭載されている放熱体１５は扇形
の凸起を＆してステムペース１１と一体に構成されてい
るが、これは、プレス加工あるいは冷間鍛造加工等によ
シ答易に成形可能であ）、且つ寸法精度の方もステムペ
ース１１の外周を基準としその中央にレーザー素子１６
が位置するよう、放熱体１５を成形することができる。
を第２図に示す。ガえば鉄あるいはその合金よシなるス
テムペース１１は電極引出用り一ド１３をガラス１２を
介して気密且つ絶縁的に保持してお如、リード１３は細
１１１７を介してレーザー素子１６の電極と接続されて
いる。レーザー素子が搭載されている放熱体１５は扇形
の凸起を＆してステムペース１１と一体に構成されてい
るが、これは、プレス加工あるいは冷間鍛造加工等によ
シ答易に成形可能であ）、且つ寸法精度の方もステムペ
ース１１の外周を基準としその中央にレーザー素子１６
が位置するよう、放熱体１５を成形することができる。
即ち、扇形放熱部１５のレーザー素子搭載面１５−１は
、素手１６と同じ巾でペース１１の上面から立ち上がら
せばよく、その位置は素子１６がペース１１の外周の中
央になるように予め設定すればよい、これによ６．ｘ。
、素手１６と同じ巾でペース１１の上面から立ち上がら
せばよく、その位置は素子１６がペース１１の外周の中
央になるように予め設定すればよい、これによ６．ｘ。
Ｙ両方向の位置が決ｔｂ、更にＺ軸方向の位置は、素子
１６の一端を放熱体１５０頂面１５−２に合わせれば一
定の位置を決めることができる。ｔた、放熱体１５の側
面１５−３は、熱放散の関係から、素子装着面１５−１
と約４５° の角度をもりて成形されるのが望ましく、
実験では、ペース・放熱体の材質が鉄であっても、十分
放熱効果を有することが分かった０次に透明ガラスを備
えた金属キャップ（図示せず）をステムペース１１上に
溶接すれば、よい。
１６の一端を放熱体１５０頂面１５−２に合わせれば一
定の位置を決めることができる。ｔた、放熱体１５の側
面１５−３は、熱放散の関係から、素子装着面１５−１
と約４５° の角度をもりて成形されるのが望ましく、
実験では、ペース・放熱体の材質が鉄であっても、十分
放熱効果を有することが分かった０次に透明ガラスを備
えた金属キャップ（図示せず）をステムペース１１上に
溶接すれば、よい。
かかるステムペースを用いれば、材質は鉄でも特性上何
ら遜色なく、放熱体等の成形も容易であるため従来品に
比べて極めて安価なステムとして使用できるばかシでな
く、プレス等の精密加工であるため高い寸法精度が得ら
れ従ってレーザー素子の位置精度も従来以上に高い元手
導体装置を得ることができる。以上、発光素子を例に挙
げて説明したが、受光素子にも本願が適用されうろこと
はいうまでもない。
ら遜色なく、放熱体等の成形も容易であるため従来品に
比べて極めて安価なステムとして使用できるばかシでな
く、プレス等の精密加工であるため高い寸法精度が得ら
れ従ってレーザー素子の位置精度も従来以上に高い元手
導体装置を得ることができる。以上、発光素子を例に挙
げて説明したが、受光素子にも本願が適用されうろこと
はいうまでもない。
第１図は従来の元手導体装置の実施例、第２図は本発明
による一実１１ａ例を示す。 １１・・・・・・ステムペース、１５・・・・・・放熱
部、１６・・・・・・元素子。
による一実１１ａ例を示す。 １１・・・・・・ステムペース、１５・・・・・・放熱
部、１６・・・・・・元素子。
Claims (1)
- 発光素子からの電極引出リードをガラスを介して気密且
つ絶縁的に支持したステ五ベース、該ステ五ペース面上
に放熱体を有し、前記放熱体の側面に元素子をｌ［した
光半導体装置において、放熱体はステ五ベースと一体に
構成され且つ前記光素子がＨＮさるべき面は前記元素子
の幅とはぼ同一幅の平面部をもってステ五ベース面から
ほぼ垂直に立ち上がシ、放熱体の頂面の高さに前記元素
子の上辺の位置をほぼ一致させ、前記元素子の側辺は前
記放熱体平面部の側辺にｔｌぼ一致させることによシ元
素子の位置がステムベース外周の中央になるように放熱
体を設けたことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197831A JPS5898995A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197831A JPS5898995A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898995A true JPS5898995A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16381063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197831A Pending JPS5898995A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898995A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041066U (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置 |
| JPS60123037A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | ダイ・ボンディング装置 |
| WO2006075544A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Rohm Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US7109523B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-09-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410846U (ja) * | 1977-06-25 | 1979-01-24 | ||
| JPS557364B2 (ja) * | 1972-03-02 | 1980-02-25 | ||
| JPS566494A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Philips Nv | Semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197831A patent/JPS5898995A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS557364B2 (ja) * | 1972-03-02 | 1980-02-25 | ||
| JPS5410846U (ja) * | 1977-06-25 | 1979-01-24 | ||
| JPS566494A (en) * | 1979-06-26 | 1981-01-23 | Philips Nv | Semiconductor laser device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041066U (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置 |
| JPS60123037A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | ダイ・ボンディング装置 |
| JPH0472395B2 (ja) * | 1983-12-08 | 1992-11-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| US7109523B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-09-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package for optical semiconductor device |
| WO2006075544A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Rohm Co., Ltd. | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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