JPS5894019A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPS5894019A JPS5894019A JP57155298A JP15529882A JPS5894019A JP S5894019 A JPS5894019 A JP S5894019A JP 57155298 A JP57155298 A JP 57155298A JP 15529882 A JP15529882 A JP 15529882A JP S5894019 A JPS5894019 A JP S5894019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- circuit
- current
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の分野〕
本発明は、半導体集積回路に関するものであり、特に温
度変化によっては影響されない安定した基準電圧を提供
する回路に関するものである。
度変化によっては影響されない安定した基準電圧を提供
する回路に関するものである。
安定した基準電圧を提供する回路、特に、ツェナー・ダ
イオード、即ちアバランシェ・ブレークダウン・ダイオ
ードを組込んだ、高電圧源で用いられる回路は、良く知
られている。低電圧源では、例えばシリコンのバンド・
ギャップ電圧に対して温度補正されたダイオードが、低
い安定した基準電圧を提供するために、用いられてきた
。
イオード、即ちアバランシェ・ブレークダウン・ダイオ
ードを組込んだ、高電圧源で用いられる回路は、良く知
られている。低電圧源では、例えばシリコンのバンド・
ギャップ電圧に対して温度補正されたダイオードが、低
い安定した基準電圧を提供するために、用いられてきた
。
Ａ Ｓｉｍｐｌｅ Ｔｈｒｅｅ−Ｔｅｒｍｉｎａｌ Ｉ
ＣＢａｎｄｇａｐＲｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓ、 ｂｙ
Ａ、Ｐ、 Ｂｒｏｋａｙ Ｉ Ｅ Ｅ ＥＪｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ５ｏｌｉｄ−８ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔ
ｓ、 Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９７４、Ｖｏｌ、５Ｃ−９、
ｐｐ、３８８−３９３の論文には、一方のトランジスタ
のエミッタが、電流ミラー負荷で感知するコレクタ電流
を用いた他方のトランジスタのエミッタよりも、より大
きく作られている、２つのトランジスタ回路が開示され
ている。スタート手段を提供するために、電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ ）が、このノぐイボーラ回路に提供
されている。
ＣＢａｎｄｇａｐＲｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓ、 ｂｙ
Ａ、Ｐ、 Ｂｒｏｋａｙ Ｉ Ｅ Ｅ ＥＪｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ５ｏｌｉｄ−８ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔ
ｓ、 Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９７４、Ｖｏｌ、５Ｃ−９、
ｐｐ、３８８−３９３の論文には、一方のトランジスタ
のエミッタが、電流ミラー負荷で感知するコレクタ電流
を用いた他方のトランジスタのエミッタよりも、より大
きく作られている、２つのトランジスタ回路が開示され
ている。スタート手段を提供するために、電界効果トラ
ンジスタ（ＦＥＴ ）が、このノぐイボーラ回路に提供
されている。
米国特許第４０８５３５９号は、前記論文に開示された
ものと類似する、バンド・ギャップ電圧基準回路を開示
しているが、しかし、さらに第１及び第２のダイオード
を含むスタート回路と、正の電圧源端子と接地との間に
直列に配置された抵抗体と、直列回路のある地点に接続
された入力及び基準回路のアンプに接続された出力を有
するバイポーラ・トランジスタとを提供している。
ものと類似する、バンド・ギャップ電圧基準回路を開示
しているが、しかし、さらに第１及び第２のダイオード
を含むスタート回路と、正の電圧源端子と接地との間に
直列に配置された抵抗体と、直列回路のある地点に接続
された入力及び基準回路のアンプに接続された出力を有
するバイポーラ・トランジスタとを提供している。
米国特許第４０９１３２１号は、シリコンのバンド・ギ
ャップ電圧よりも小さく規定された出力電圧を提供する
基準回路を開示している。この回路では、種々の電流レ
ベルで動作する２つのトランジスタのベース・エミッタ
電圧降下の差電圧が、正の温度係数を有する抵抗体間に
現われ、そして電流源がこの回路では使用されている。
ャップ電圧よりも小さく規定された出力電圧を提供する
基準回路を開示している。この回路では、種々の電流レ
ベルで動作する２つのトランジスタのベース・エミッタ
電圧降下の差電圧が、正の温度係数を有する抵抗体間に
現われ、そして電流源がこの回路では使用されている。
本発明は、低い負の基準電圧を提供する改良された回路
を提供することである。
を提供することである。
本発明の他の目的は、固定された又はゼロの温度係数を
有する改良さ相た低い負の基準電圧発生回路をζ供する
事である。
有する改良さ相た低い負の基準電圧発生回路をζ供する
事である。
さらに、本発明の他の目的は、簡単々負のバンド・ギャ
ヅプ調整回路を提供することである。
ヅプ調整回路を提供することである。
また、本発明の他の目的は、温度又は電源の変化にかか
わらず、より正の端子に対して安定した正確な電圧を生
じる、小さなサイズの基準回路を提供することである。
わらず、より正の端子に対して安定した正確な電圧を生
じる、小さなサイズの基準回路を提供することである。
本発明の教示するところによると、電流ミラー回路が結
合された第１及び第２のトランジスタを有する相互コン
ダクタンスのアンプを含むバンド・ギャップ調整器（ｂ
ａｎｄ ｇａｐ ｒｅｇｕｌａｔｏｒ ）が提供される
。負のフィードバック回路が、アンプ及び電流ミラー回
路間の共通地点から、第１及び第２のトランジスタのエ
ミッタに結合されている。
合された第１及び第２のトランジスタを有する相互コン
ダクタンスのアンプを含むバンド・ギャップ調整器（ｂ
ａｎｄ ｇａｐ ｒｅｇｕｌａｔｏｒ ）が提供される
。負のフィードバック回路が、アンプ及び電流ミラー回
路間の共通地点から、第１及び第２のトランジスタのエ
ミッタに結合されている。
本発明の前記の及びその他の目的、特徴、並びに利点は
、添付図面に示された、本発明の好実施例についての以
下のより特定した説明から明らかに表るであろう。
、添付図面に示された、本発明の好実施例についての以
下のより特定した説明から明らかに表るであろう。
添付図の回路をより詳細に参照するに、以下のものを含
む、本発明のバンド・ギャップ調整器の好実施例が示さ
れている。即ち、ＮＰＮ型の第１及び第２のバイポーラ
・トランジスタＴ１及びＴ２、並びに第１及び第２の抵
抗体Ｒ１及びＲ２を有する相互コンダクタンス・アンプ
とＰＮＰ型の第３のバイポーラ・トランジスタＴ３、第
１のダイオードＤ１、並びに第３及び第４の抵抗体Ｒ６
及びＲ４を有する電流ミラー回路と、ＮＰＮ型の第４の
バイポーラ・トランジスタＴ４、第２のダイオードＤ２
、並びに、例えば−５ボルトに等しい負の電圧端子−■
に接続された、矢印により示されている電流源を有する
負のフィードバック回路とを含む。抵抗体Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３及びＲ４の値は、各々３００．１８００．１００及
び１００Ωに等しい。トランジスタＴ１対Ｔ２のエミッ
タ領域の比は、これらの抵抗体の値については、４に等
しく、一方、電流ミラー比は、１対１である。
む、本発明のバンド・ギャップ調整器の好実施例が示さ
れている。即ち、ＮＰＮ型の第１及び第２のバイポーラ
・トランジスタＴ１及びＴ２、並びに第１及び第２の抵
抗体Ｒ１及びＲ２を有する相互コンダクタンス・アンプ
とＰＮＰ型の第３のバイポーラ・トランジスタＴ３、第
１のダイオードＤ１、並びに第３及び第４の抵抗体Ｒ６
及びＲ４を有する電流ミラー回路と、ＮＰＮ型の第４の
バイポーラ・トランジスタＴ４、第２のダイオードＤ２
、並びに、例えば−５ボルトに等しい負の電圧端子−■
に接続された、矢印により示されている電流源を有する
負のフィードバック回路とを含む。抵抗体Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３及びＲ４の値は、各々３００．１８００．１００及
び１００Ωに等しい。トランジスタＴ１対Ｔ２のエミッ
タ領域の比は、これらの抵抗体の値については、４に等
しく、一方、電流ミラー比は、１対１である。
トランジスタＴ１及びＴ２のベースは、相互接続され、
トランジスタＴ２のエミッタは、第２の抵抗体Ｒ２及び
電流源を通って負の電圧端子−Ｖに接続されている、一
方、トランジスタＴ１のエミッタは、直列に配置された
第１及び第２の抵抗体Ｒ１及びＲ２並びに電流源を通っ
て負の電圧端子−■に接続されている。第３の抵抗体Ｒ
３の一方の端は、第２トランジスタＴ２のベースと、第
１のダイオードＤＩ？通して接地のような基準電位の地
点とに接続されている。一方、第３の抵抗体Ｒ３の他方
の端は、第２トランジスタＴ２のコレクタに接続されて
いる。ＰＮＰ ）ランジスタＴ６のコレクタは、第１ト
ランジスタＴ１のコレクタに接続され、ベースは、第２
トランジスタＴ２のコレクタに接続され、一方エミッタ
は、第４の抵抗体Ｒ４を通って基準電位の地点に接続さ
れている。第４トランジスタＴ４のコレクタは、基準電
位の地点に接続され、ベースは、第１トランジスタＴ１
のコレクタに接続され、エミッタは、第２ダイオードＤ
２及び電流源を通って負の電圧端子−■に接続されてい
る。出力端子は、第４トランジスタＴ４のエミッタに提
供されている。
トランジスタＴ２のエミッタは、第２の抵抗体Ｒ２及び
電流源を通って負の電圧端子−Ｖに接続されている、一
方、トランジスタＴ１のエミッタは、直列に配置された
第１及び第２の抵抗体Ｒ１及びＲ２並びに電流源を通っ
て負の電圧端子−■に接続されている。第３の抵抗体Ｒ
３の一方の端は、第２トランジスタＴ２のベースと、第
１のダイオードＤＩ？通して接地のような基準電位の地
点とに接続されている。一方、第３の抵抗体Ｒ３の他方
の端は、第２トランジスタＴ２のコレクタに接続されて
いる。ＰＮＰ ）ランジスタＴ６のコレクタは、第１ト
ランジスタＴ１のコレクタに接続され、ベースは、第２
トランジスタＴ２のコレクタに接続され、一方エミッタ
は、第４の抵抗体Ｒ４を通って基準電位の地点に接続さ
れている。第４トランジスタＴ４のコレクタは、基準電
位の地点に接続され、ベースは、第１トランジスタＴ１
のコレクタに接続され、エミッタは、第２ダイオードＤ
２及び電流源を通って負の電圧端子−■に接続されてい
る。出力端子は、第４トランジスタＴ４のエミッタに提
供されている。
このバンド・ギャップ調整器では、温度に関しての電圧
変化は、第２トランジスタＴ２のエミッタ・ペース接合
間の電圧変化が第２の抵抗体Ｒ２間の電圧変化に等しく
且つ正反対となるように、回路の値を選択することによ
り補正される。本発明の調整器では、第１及び第２のト
ランジスタＴ１及びＴ２は、同じ電流レベルで動作する
。しかし、第１トランジスタＴ１のベース・エミッタ接
合領域Ｈ１第２）ランジスタＴ２の対応する領域よりも
、４乃至１０倍も太きい。この結果、第１．トランジス
タＴ１は、第２トランジスタＴ２よりも低い電流密度を
有し、それ故に、葛１トランジスタＴ１のベース・エミ
ッタ接合間の電圧降下は、コレクタ電流の所与のレベル
については、第２トランジスタＴ２のものよシも小さい
。エミッタ・ベース接合の温度係数は、それらの電流密
度に逆比例する。従って、第１の抵抗体８１間で生じる
電圧は、第１及び第２のトランジスタＴ１及びＴ２のベ
ース・エミッタ接合の電圧降下の差に等しく、そして正
の温度係数゛を有する。抵抗体Ｒ１を通って流れる電流
は、この電圧差に比例するので、第２の抵抗体Ｒ２間の
電圧降下もまた、この電圧差に比例する。回路パラメー
タを適当に選択することにより、正の温度係数を有する
第２抵抗体Ｒ２間の電圧降下と、負の温度係数を有する
第２トランジスタＴ２間の電圧降下とは、それらの温度
係数が互いに相殺し合って、結果として、ゼロの温度係
数、並びにトランジスタの半導体物質のバンド・ギャッ
プ電圧に実質的に°等しい大きさを有する、出力端子に
おける電圧を生じるように、組合せられ得ることを、理
解されたい。
変化は、第２トランジスタＴ２のエミッタ・ペース接合
間の電圧変化が第２の抵抗体Ｒ２間の電圧変化に等しく
且つ正反対となるように、回路の値を選択することによ
り補正される。本発明の調整器では、第１及び第２のト
ランジスタＴ１及びＴ２は、同じ電流レベルで動作する
。しかし、第１トランジスタＴ１のベース・エミッタ接
合領域Ｈ１第２）ランジスタＴ２の対応する領域よりも
、４乃至１０倍も太きい。この結果、第１．トランジス
タＴ１は、第２トランジスタＴ２よりも低い電流密度を
有し、それ故に、葛１トランジスタＴ１のベース・エミ
ッタ接合間の電圧降下は、コレクタ電流の所与のレベル
については、第２トランジスタＴ２のものよシも小さい
。エミッタ・ベース接合の温度係数は、それらの電流密
度に逆比例する。従って、第１の抵抗体８１間で生じる
電圧は、第１及び第２のトランジスタＴ１及びＴ２のベ
ース・エミッタ接合の電圧降下の差に等しく、そして正
の温度係数゛を有する。抵抗体Ｒ１を通って流れる電流
は、この電圧差に比例するので、第２の抵抗体Ｒ２間の
電圧降下もまた、この電圧差に比例する。回路パラメー
タを適当に選択することにより、正の温度係数を有する
第２抵抗体Ｒ２間の電圧降下と、負の温度係数を有する
第２トランジスタＴ２間の電圧降下とは、それらの温度
係数が互いに相殺し合って、結果として、ゼロの温度係
数、並びにトランジスタの半導体物質のバンド・ギャッ
プ電圧に実質的に°等しい大きさを有する、出力端子に
おける電圧を生じるように、組合せられ得ることを、理
解されたい。
第１トラ、ンジスタＴ１のコレクダに接続された第４ト
ランジスタＴ４のベースと、第１及び第２の抵抗体Ｒ１
及びＲ２を通って第１及び第２のトランジスタＴ１及び
Ｔ２のエミッタに接続された第２のダイオードＤ２の陰
極とにより、先に述べたように正の温度係数を有する第
１及び第２．のトランジスタＴ１及びＴ２のコレクタに
おいて、従つて、また、電流ミラー回路Ｄ１、Ｔ３、Ｒ
３及びＲ４において、電流を一定に維持することになる
、負のフィードバック−パスが提供されていることを、
理解されたい。
ランジスタＴ４のベースと、第１及び第２の抵抗体Ｒ１
及びＲ２を通って第１及び第２のトランジスタＴ１及び
Ｔ２のエミッタに接続された第２のダイオードＤ２の陰
極とにより、先に述べたように正の温度係数を有する第
１及び第２．のトランジスタＴ１及びＴ２のコレクタに
おいて、従つて、また、電流ミラー回路Ｄ１、Ｔ３、Ｒ
３及びＲ４において、電流を一定に維持することになる
、負のフィードバック−パスが提供されていることを、
理解されたい。
もし、第４トランジスタＴ４のベース電流が増加するな
ら、Ｔ４のエミッタ電流もまた増加する。
ら、Ｔ４のエミッタ電流もまた増加する。
電流源は一定の電流を生じるので、第４トランジスタの
エミッタ電流の増加は、第、２抵抗体Ｒ２を通る電流の
対応する減少を生じ、第１及び第２トランジスタＴ１及
°びＴ２に対して利用できる電流を減少させる。即ち、
第１及び第２トランジスタＴ１及びＴ２のコレクタにお
ける電流を減少させる。
エミッタ電流の増加は、第、２抵抗体Ｒ２を通る電流の
対応する減少を生じ、第１及び第２トランジスタＴ１及
°びＴ２に対して利用できる電流を減少させる。即ち、
第１及び第２トランジスタＴ１及びＴ２のコレクタにお
ける電流を減少させる。
両トランジスタＴＩ−及びＴ２中の電流の流れにおいて
減少が存在するのであるが、第２トランジスタＴ２を通
る電流の流れにおいて、より大きな減少が存在する。第
１の抵抗体Ｒ１のために、第、１トランジスタＴ１にお
けるよりも第２トランジスタＴ２における方が、より大
きな電流の変化が存在することになる。この電流変化は
、第３トランジスタＴ３のベースを通って、そして第４
トランジスタＴ４のベースへ反映される。従って、正味
のフィードバックは負であり、そして調整回路は、安定
される。
減少が存在するのであるが、第２トランジスタＴ２を通
る電流の流れにおいて、より大きな減少が存在する。第
１の抵抗体Ｒ１のために、第、１トランジスタＴ１にお
けるよりも第２トランジスタＴ２における方が、より大
きな電流の変化が存在することになる。この電流変化は
、第３トランジスタＴ３のベースを通って、そして第４
トランジスタＴ４のベースへ反映される。従って、正味
のフィードバックは負であり、そして調整回路は、安定
される。
調整された電圧が、前記したようにトランジスタＴ１及
びＴ２のベースと、第２抵抗体Ｒ２及び第２ダイオード
Ｄ・２間の共通地点との間に現われるが、しかし、電流
ミラー回路及びフィードバック回路に各々第１及び第２
のダイオードＤ１及びＤ２ｉ提供することにより、ダイ
オードＤ１及びＤ２間のトラッキング（ｔｒａｃｋｉｎ
ｇ ）のため、出力端子と接地との間に、調整された電
圧がまた生じる。第１及び第２のダイオードＤ１及びＤ
２は他の成分で置換されるが、しかしながら、これらの
成分は、電圧に関して同じ温度係数を有する必要がある
。さらに、第１ダイオードＤ１は、それが第１トランジ
スタＴ２のベースに結合されている限シは、電流ミラー
回路内に配置される必要のガいことは、理解されるべき
である。
びＴ２のベースと、第２抵抗体Ｒ２及び第２ダイオード
Ｄ・２間の共通地点との間に現われるが、しかし、電流
ミラー回路及びフィードバック回路に各々第１及び第２
のダイオードＤ１及びＤ２ｉ提供することにより、ダイ
オードＤ１及びＤ２間のトラッキング（ｔｒａｃｋｉｎ
ｇ ）のため、出力端子と接地との間に、調整された電
圧がまた生じる。第１及び第２のダイオードＤ１及びＤ
２は他の成分で置換されるが、しかしながら、これらの
成分は、電圧に関して同じ温度係数を有する必要がある
。さらに、第１ダイオードＤ１は、それが第１トランジ
スタＴ２のベースに結合されている限シは、電流ミラー
回路内に配置される必要のガいことは、理解されるべき
である。
本発明の回路は、接地に対して規定された小さな負の電
圧を生じ、負の基準電圧を必要とする集積回路で容易に
用いられることに、注意すべきだ。
圧を生じ、負の基準電圧を必要とする集積回路で容易に
用いられることに、注意すべきだ。
出力電圧に独立となるように指定さｆｉた電流源を有す
る場合には、第２抵抗体Ｒ２、トランジスタＴ２及びダ
イオードＤＩ’ｉｚ通る接地までの電流パスにより、調
整器は、パワー・アップ時に自動的にス夛−卜する。
る場合には、第２抵抗体Ｒ２、トランジスタＴ２及びダ
イオードＤＩ’ｉｚ通る接地までの電流パスにより、調
整器は、パワー・アップ時に自動的にス夛−卜する。
先に示したように、電流ミラー回路ＤＩ、Ｔ３、Ｒ３及
びＲ４は、１対１の比を有する相互コンダクタンス・ア
ンプＴ１及びＴ２中へ電流を与えるが、しかしながら、
所望なら、第２トランジスタＴ２のペース・エミッタ接
合及び第２抵抗体Ｒ２の間の等しいがしかし正反対であ
る電圧降下を維持するのに、第１及び第２のトランジス
タＴ１及びＴ２のベース・エミッタ接合のサイズにおけ
る釣り合った変化を有して、第１及び第２のトランジス
タＴ１及びＴ２のコレクタへ、他の割合の電流が供給さ
れ得る。
びＲ４は、１対１の比を有する相互コンダクタンス・ア
ンプＴ１及びＴ２中へ電流を与えるが、しかしながら、
所望なら、第２トランジスタＴ２のペース・エミッタ接
合及び第２抵抗体Ｒ２の間の等しいがしかし正反対であ
る電圧降下を維持するのに、第１及び第２のトランジス
タＴ１及びＴ２のベース・エミッタ接合のサイズにおけ
る釣り合った変化を有して、第１及び第２のトランジス
タＴ１及びＴ２のコレクタへ、他の割合の電流が供給さ
れ得る。
従って、本発明によシ、接地のようなより正の端子に対
して負である、比較的小さく、高度に調整された電圧を
生じる、簡単外バンド・ギャップ調整回路が提供された
ことを理解されたい。本発明の回路は、小さな負の基準
電圧を提供するために、例えば、−５ポルト乃至はそれ
より小さい、減少された電圧を有する負の電源で、容易
に用いられ得る。
して負である、比較的小さく、高度に調整された電圧を
生じる、簡単外バンド・ギャップ調整回路が提供された
ことを理解されたい。本発明の回路は、小さな負の基準
電圧を提供するために、例えば、−５ポルト乃至はそれ
より小さい、減少された電圧を有する負の電源で、容易
に用いられ得る。
【図面の簡単な説明】
添付図は、本発明のバンド・ギャップ調整器の好実施例
を示す回路図である。 出願人 インターｆ−ホル・ビジネス・マシ旨Ｘズ
・コーポレーション代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
を示す回路図である。 出願人 インターｆ−ホル・ビジネス・マシ旨Ｘズ
・コーポレーション代理人 弁理士 岡 １）
次 生（外１名）
Claims (2)
- （１）トランジスタ、抵抗手段並びに負荷回路を有する
相互コンダクタンス・アンプと、前記抵抗手段を介して
前記トランジスタのエミッタに結合された負のフィード
バック回路とを備え、前記負荷回路と前記フィードバッ
ク回路が類似する電圧温度係数のインピーダンスを有し
ていること全特徴とするバンド・ギャップ調整器。 - （２）前記負荷回路が、電流ミラー回路である、特許請
求の範囲第（１）項記載のバンド・ギャップ調整器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/325,889 US4433283A (en) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | Band gap regulator circuit |
| US325889 | 1994-10-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5894019A true JPS5894019A (ja) | 1983-06-04 |
| JPH0421215B2 JPH0421215B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=23269904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155298A Granted JPS5894019A (ja) | 1981-11-30 | 1982-09-08 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4433283A (ja) |
| EP (1) | EP0080620B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5894019A (ja) |
| DE (1) | DE3275491D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146508A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | 定電流源安定化回路 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4686451A (en) * | 1986-10-15 | 1987-08-11 | Triquint Semiconductor, Inc. | GaAs voltage reference generator |
| US4810962A (en) * | 1987-10-23 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Voltage regulator capable of sinking current |
| US4808908A (en) * | 1988-02-16 | 1989-02-28 | Analog Devices, Inc. | Curvature correction of bipolar bandgap references |
| US5149988A (en) * | 1988-12-21 | 1992-09-22 | National Semiconductor Corporation | BICMOS positive supply voltage reference |
| EP0513928B1 (en) * | 1991-05-17 | 1996-08-21 | Rohm Co., Ltd. | Constant voltage circuit |
| DE19937297A1 (de) * | 1999-08-06 | 2001-02-15 | Cognis Deutschland Gmbh | Kosmetische Zubereitungen |
| US6853164B1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-02-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Bandgap reference circuit |
| KR100554979B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기준전압 발생회로 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107619U (ja) * | 1979-01-19 | 1980-07-28 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3887863A (en) * | 1973-11-28 | 1975-06-03 | Analog Devices Inc | Solid-state regulated voltage supply |
| US3947704A (en) * | 1974-12-16 | 1976-03-30 | Signetics | Low resistance microcurrent regulated current source |
| US4085359A (en) * | 1976-02-03 | 1978-04-18 | Rca Corporation | Self-starting amplifier circuit |
| US4091321A (en) * | 1976-12-08 | 1978-05-23 | Motorola Inc. | Low voltage reference |
| JPS56147212A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit for generation of reference voltage |
| US4325017A (en) * | 1980-08-14 | 1982-04-13 | Rca Corporation | Temperature-correction network for extrapolated band-gap voltage reference circuit |
| DE3047685C2 (de) * | 1980-12-18 | 1986-01-16 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Temperaturstabile Spannungsquelle |
| US4352056A (en) * | 1980-12-24 | 1982-09-28 | Motorola, Inc. | Solid-state voltage reference providing a regulated voltage having a high magnitude |
-
1981
- 1981-11-30 US US06/325,889 patent/US4433283A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57155298A patent/JPS5894019A/ja active Granted
- 1982-11-10 EP EP82110348A patent/EP0080620B1/en not_active Expired
- 1982-11-10 DE DE8282110348T patent/DE3275491D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107619U (ja) * | 1979-01-19 | 1980-07-28 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146508A (ja) * | 1984-08-11 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | 定電流源安定化回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0080620A1 (en) | 1983-06-08 |
| DE3275491D1 (en) | 1987-04-02 |
| EP0080620B1 (en) | 1987-02-25 |
| US4433283A (en) | 1984-02-21 |
| JPH0421215B2 (ja) | 1992-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4352056A (en) | Solid-state voltage reference providing a regulated voltage having a high magnitude | |
| US5229711A (en) | Reference voltage generating circuit | |
| JPH0648449B2 (ja) | 高精度バンドギヤツプ電圧基準回路 | |
| US5410241A (en) | Circuit to reduce dropout voltage in a low dropout voltage regulator using a dynamically controlled sat catcher | |
| JP3194604B2 (ja) | バンドギャップ基準回路 | |
| US6294902B1 (en) | Bandgap reference having power supply ripple rejection | |
| US4362985A (en) | Integrated circuit for generating a reference voltage | |
| US4677368A (en) | Precision thermal current source | |
| JP2874992B2 (ja) | 温度補償電圧レギュレータおよび基準回路 | |
| JPS5894019A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| KR950010131B1 (ko) | 열 전류 공급원 및 집적 전압 조절기 | |
| US4485313A (en) | Low-value current source circuit | |
| US4290005A (en) | Compensated reference voltage source | |
| JPH0338607B2 (ja) | ||
| EP0110720B1 (en) | Current mirror circuit | |
| JPH0225561B2 (ja) | ||
| US6570438B2 (en) | Proportional to absolute temperature references with reduced input sensitivity | |
| US7183794B2 (en) | Correction for circuit self-heating | |
| JP3529601B2 (ja) | 定電圧発生回路 | |
| JPH0477329B2 (ja) | ||
| JP2727389B2 (ja) | 温度特性補償回路 | |
| JPH0828627B2 (ja) | 増幅回路 | |
| JP2532900Y2 (ja) | リミッタ回路 | |
| JP3437274B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
| JP3036084B2 (ja) | 定電圧回路 |