JPS5887746A - イオン注入装置における入射ビ−ム量測定値補正方法 - Google Patents
イオン注入装置における入射ビ−ム量測定値補正方法Info
- Publication number
- JPS5887746A JPS5887746A JP18478081A JP18478081A JPS5887746A JP S5887746 A JPS5887746 A JP S5887746A JP 18478081 A JP18478081 A JP 18478081A JP 18478081 A JP18478081 A JP 18478081A JP S5887746 A JPS5887746 A JP S5887746A
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- JP
- Japan
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- vacuum
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- measured
- degree
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入装置に用いられるイオンビーム電流
測定装置において、ビーム中のイオンとビームラインに
残留しているガス分子との衝突によって発生した中性粒
子ビームあるいは２価以上のイオンビームに起因したド
ーズ量測定誤差を補正することを目的とした入射ビーム
電流量測定値補正方式である。
測定装置において、ビーム中のイオンとビームラインに
残留しているガス分子との衝突によって発生した中性粒
子ビームあるいは２価以上のイオンビームに起因したド
ーズ量測定誤差を補正することを目的とした入射ビーム
電流量測定値補正方式である。
イオン注入装置にかけるドーズ量測定方式は従来から７
アラデーカツプに入射するイオンビームの電流量を測定
する方式が一般的である。しかしこの方法によると、イ
オンビームがアナライザマグネットを出てターゲットウ
ェハに到達するまでの間に、残留ガス分子とビーム中の
イオンの間の電荷交換で生じた中性粒子ビーム、゛ある
いは２価以上のイオンビーム量は正しく測定されない。
アラデーカツプに入射するイオンビームの電流量を測定
する方式が一般的である。しかしこの方法によると、イ
オンビームがアナライザマグネットを出てターゲットウ
ェハに到達するまでの間に、残留ガス分子とビーム中の
イオンの間の電荷交換で生じた中性粒子ビーム、゛ある
いは２価以上のイオンビーム量は正しく測定されない。
したがりて、４しビームライン部の真空度が十分でない
とドーズ量測定筐には前述の異種粒子ビーム量の分だけ
誤差が含まれることになる。このような測定誤差は、最
近広く使われるようになったプロセスチャンバ大気開放
型のメカニカルスキャン方式１ンドステーシ嘗ンを持つ
−た装置で特に顕著に現われる。この型式の装置では５
ウエハ交換のために一注入サイクルごとにビーム検出フ
ァラデーを含むエンドステージ曹／内部を大気にさらさ
ねばならないため、この部分からのアウトガスが他の型
式の゛装置よりも多いためである。このような型式の装
置の中でも、特に回転ディスクによるビームチ璽ツビン
グ方式のビーム測定系を持ったものテハ、ビーム検出フ
ァラデーへのビーム照射時間が全注入時間に較べて極端
に短かく、ファラデ一部分からのアウトガスが不安定に
長時開先ずる結果、各注入パッチ間でのドーズ量測定値
は大きなバラツキを示す。
とドーズ量測定筐には前述の異種粒子ビーム量の分だけ
誤差が含まれることになる。このような測定誤差は、最
近広く使われるようになったプロセスチャンバ大気開放
型のメカニカルスキャン方式１ンドステーシ嘗ンを持つ
−た装置で特に顕著に現われる。この型式の装置では５
ウエハ交換のために一注入サイクルごとにビーム検出フ
ァラデーを含むエンドステージ曹／内部を大気にさらさ
ねばならないため、この部分からのアウトガスが他の型
式の゛装置よりも多いためである。このような型式の装
置の中でも、特に回転ディスクによるビームチ璽ツビン
グ方式のビーム測定系を持ったものテハ、ビーム検出フ
ァラデーへのビーム照射時間が全注入時間に較べて極端
に短かく、ファラデ一部分からのアウトガスが不安定に
長時開先ずる結果、各注入パッチ間でのドーズ量測定値
は大きなバラツキを示す。
本発明はこの欠点を解決するために、ビームライン部ま
たはビーム検出ファラデー近傍の真空度を測定し、その
測定値をもとにしてファラデーカップで測定され九ビー
ム電流ｆ［Ｋ補正演算を施すことにより、この測定誤差
を減少させるようにしたものである。
たはビーム検出ファラデー近傍の真空度を測定し、その
測定値をもとにしてファラデーカップで測定され九ビー
ム電流ｆ［Ｋ補正演算を施すことにより、この測定誤差
を減少させるようにしたものである。
以下、本発明実施例について、ピームチ、ラビング方式
の測定系の場合を例にとシ図面を用いて説明する。
の測定系の場合を例にとシ図面を用いて説明する。
第１図において、イオンビーム１はウエノＳ２を搭載し
た回転ディスク３に設けられたスリット４によりチｌツ
ビングされ、ファラデーカップ５に入射する。入射の際
、ファラデー５よりアウトガスが生じ、ファラデー５の
内部の真空度が悪化する。その丸め、この部分で発生す
る中性粒子並びに２価以上の荷電を持ったイオンビーム
が増加し測定誤差となる。中性粒子並びに２価以上のイ
オンビーム量は、真空度の悪化に比例して増加するので
、この補正のために真空計６をファラデ一部分に設置し
、その真空度測定値によシビーム電流計７の測定値に補
正を加える。最も簡単なモデルによれば、残留ガス分子
との電荷交換による中性粒子並びに二価以上のイオンビ
ームが発生する場合に次式が成立する。
た回転ディスク３に設けられたスリット４によりチｌツ
ビングされ、ファラデーカップ５に入射する。入射の際
、ファラデー５よりアウトガスが生じ、ファラデー５の
内部の真空度が悪化する。その丸め、この部分で発生す
る中性粒子並びに２価以上の荷電を持ったイオンビーム
が増加し測定誤差となる。中性粒子並びに２価以上のイ
オンビーム量は、真空度の悪化に比例して増加するので
、この補正のために真空計６をファラデ一部分に設置し
、その真空度測定値によシビーム電流計７の測定値に補
正を加える。最も簡単なモデルによれば、残留ガス分子
との電荷交換による中性粒子並びに二価以上のイオンビ
ームが発生する場合に次式が成立する。
Ｉ％ −ＩＭ／ （１−Ｃ−Ｐ ）
ここで、Ｉｔ；真のビーム３１．ＩＭ； ビーム電流
針によ量測定されたビーム量、Ｐ；真空度（圧力）、Ｃ
；補正係数、である。
針によ量測定されたビーム量、Ｐ；真空度（圧力）、Ｃ
；補正係数、である。
したがって、ファラデーカップによ量測定されたビーム
電流ＩＭと真空針によって測定された真空度Ｐをもとに
して、例えば第２図に示すような構成で上式に示した演
算を行なうことにより、真のビーム量Ｉｔを知ることが
で舞る。エンドステージ曹ンの構成が大気開放型でなく
、７アラデーカツプからのアウトガス量が測定誤差を生
ずる支配的要因でない場合には、ターゲット近傍あるい
はビームライン部の真空度を測定して上記の補正を同様
に施すことにより、測定ビーム量をより真の籠に近づけ
ることができる。
電流ＩＭと真空針によって測定された真空度Ｐをもとに
して、例えば第２図に示すような構成で上式に示した演
算を行なうことにより、真のビーム量Ｉｔを知ることが
で舞る。エンドステージ曹ンの構成が大気開放型でなく
、７アラデーカツプからのアウトガス量が測定誤差を生
ずる支配的要因でない場合には、ターゲット近傍あるい
はビームライン部の真空度を測定して上記の補正を同様
に施すことにより、測定ビーム量をより真の籠に近づけ
ることができる。
以上のとおシ１本発明を使用することによ）、従来の方
式だけでは避けられなかった中性粒子ビームあるいＦｉ
２価以上の荷電を持りたイオンビームによるドーズ量測
定誤差を減少せしめ、各バ。
式だけでは避けられなかった中性粒子ビームあるいＦｉ
２価以上の荷電を持りたイオンビームによるドーズ量測
定誤差を減少せしめ、各バ。
チ間でのドーズ量のばらつきを抑えることかで龜る。
第１図は本発明による入射ビーム量測定値補正方式の一
実施列のブロック図、第２図は測定ビーム電流ＩＭに補
正演算を施す回路の一例を示すブロック図である。 なお図において、１・・・・・・イオンビーム、２・・
、・・。 ウェハ、３・・・・・・回転ディスク、４・・・・・・
ビームチ璽ッピングスリット、５・・・・・・ファラデ
ーカップ、６・・・・・・真空計、７・・・・・・ビー
ム電流針、ＩＭ・・・・・・６１ｊ定ビーム電流値、１
１・・・・・・乗算器、１２・・・・・・減算器。 １３・・・・・・除算器、Ｉｔ・・・・・・補正された
ビーム量、Ｐ・・・・・・真空度、Ｃ・・・・・・補正
係数、である。 第 ／ 図 Ｃ・Δん ／／ 第 ？凶
実施列のブロック図、第２図は測定ビーム電流ＩＭに補
正演算を施す回路の一例を示すブロック図である。 なお図において、１・・・・・・イオンビーム、２・・
、・・。 ウェハ、３・・・・・・回転ディスク、４・・・・・・
ビームチ璽ッピングスリット、５・・・・・・ファラデ
ーカップ、６・・・・・・真空計、７・・・・・・ビー
ム電流針、ＩＭ・・・・・・６１ｊ定ビーム電流値、１
１・・・・・・乗算器、１２・・・・・・減算器。 １３・・・・・・除算器、Ｉｔ・・・・・・補正された
ビーム量、Ｐ・・・・・・真空度、Ｃ・・・・・・補正
係数、である。 第 ／ 図 Ｃ・Δん ／／ 第 ？凶
Claims (1)
- イオン注入装置の入射ビーム量測定籠補正方法において
、ビーム電流測定装置のビーム電流測定用７アラデーカ
ツプ近傍またはビームラインの真空度を測定し、その測
定値を感とにして測定ビーム電流１直を補正することを
特徴とした入射ビームｔｌ１１１定籠補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18478081A JPS5887746A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | イオン注入装置における入射ビ−ム量測定値補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18478081A JPS5887746A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | イオン注入装置における入射ビ−ム量測定値補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887746A true JPS5887746A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16159166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18478081A Pending JPS5887746A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | イオン注入装置における入射ビ−ム量測定値補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887746A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093748A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Matsushita Electronics Corp | イオンビ−ム補正装置 |
| JPS6116456A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-24 | イートン コーポレーシヨン | イオン照射制御方法および装置 |
| US4904902A (en) * | 1987-04-16 | 1990-02-27 | Sumitomo Eaton Nova Corporation | Ion implanting system |
| JP2023504619A (ja) * | 2019-12-06 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトレジストでコーティングされた基板の注入中の予想線量変化を決定し修正するための技法 |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP18478081A patent/JPS5887746A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093748A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Matsushita Electronics Corp | イオンビ−ム補正装置 |
| JPS6116456A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-24 | イートン コーポレーシヨン | イオン照射制御方法および装置 |
| US4904902A (en) * | 1987-04-16 | 1990-02-27 | Sumitomo Eaton Nova Corporation | Ion implanting system |
| JP2023504619A (ja) * | 2019-12-06 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトレジストでコーティングされた基板の注入中の予想線量変化を決定し修正するための技法 |
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