JPS5886743A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5886743A JPS5886743A JP56185864A JP18586481A JPS5886743A JP S5886743 A JPS5886743 A JP S5886743A JP 56185864 A JP56185864 A JP 56185864A JP 18586481 A JP18586481 A JP 18586481A JP S5886743 A JPS5886743 A JP S5886743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- layer
- substrate
- pellets
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に、−問4極上に半田層を形成し次半4体装−
の’J yta 7f汲に関するものである。
の’J yta 7f汲に関するものである。
半導体ペレットをろう付けによってステムやリードフレ
ームにマクントする場合、溶−半田上にペレツ)2押し
付ける万人では、gIIIK半田表1編に数比や7ラツ
クスV浮き出しによる表面屓がte成さnて接信t−4
するので、Cルを破壊する之めの操作が必要となって生
産性が悪化する@そこで、ペレットの哀L1[l電礪上
に予め半田層t trap を況しておさ、これtマク
ント圓に当接した状・誦で半田−を別f@溶1してマク
ントするペレット予備半田法と称される1犬が考えられ
ている。
ームにマクントする場合、溶−半田上にペレツ)2押し
付ける万人では、gIIIK半田表1編に数比や7ラツ
クスV浮き出しによる表面屓がte成さnて接信t−4
するので、Cルを破壊する之めの操作が必要となって生
産性が悪化する@そこで、ペレットの哀L1[l電礪上
に予め半田層t trap を況しておさ、これtマク
ント圓に当接した状・誦で半田−を別f@溶1してマク
ントするペレット予備半田法と称される1犬が考えられ
ている。
と仁ろが、このようなペレットを得るために分−曲の半
導体クエーハに半田層を形成すると、半田層が軟らかく
且つ比較的厚み勿・目°することに起因して、半導体ク
エーハ會格子状にX1Uしテヘレットに分離するとき、
切断用のダイシンググレードに目aまりを生じて切断が
1.11遜となり易く、また半導体クエーハの表ui+
1lllから区割−に沿って途中まで!4?を杉1況し
て破断する方法でも半田層部で4R所面が不揃いとなっ
ていわゆるアベック不良を生じ易い。−万、これ金24
犬する友めに半辱体りエーハの区割ナベき分Iv!l−
に沿って半田層の存在しない部分を形成する方決が提呆
されているが、この方決は一面題憾のオー4yり金属と
半4体の例えばシリコンとの半田に対する。−九性の差
を利用してシリコン品にtべ融半田が付行しないように
す0ものである几め、オーミック盆Y4を非常に王政の
多い4真峠刻去で格子状にエツチング除去して/ぐター
ン化する必要゛があり、時間的な損失が大きく、材料面
からもコスト−となる〇 この発明は、上記従来の欠I:Lを改善すること全目的
としており、半導体クエーハの誕l電極側の全面に所定
・・Jみの半田層を形成した波、ペレットに区割する。
導体クエーハに半田層を形成すると、半田層が軟らかく
且つ比較的厚み勿・目°することに起因して、半導体ク
エーハ會格子状にX1Uしテヘレットに分離するとき、
切断用のダイシンググレードに目aまりを生じて切断が
1.11遜となり易く、また半導体クエーハの表ui+
1lllから区割−に沿って途中まで!4?を杉1況し
て破断する方法でも半田層部で4R所面が不揃いとなっ
ていわゆるアベック不良を生じ易い。−万、これ金24
犬する友めに半辱体りエーハの区割ナベき分Iv!l−
に沿って半田層の存在しない部分を形成する方決が提呆
されているが、この方決は一面題憾のオー4yり金属と
半4体の例えばシリコンとの半田に対する。−九性の差
を利用してシリコン品にtべ融半田が付行しないように
す0ものである几め、オーミック盆Y4を非常に王政の
多い4真峠刻去で格子状にエツチング除去して/ぐター
ン化する必要゛があり、時間的な損失が大きく、材料面
からもコスト−となる〇 この発明は、上記従来の欠I:Lを改善すること全目的
としており、半導体クエーハの誕l電極側の全面に所定
・・Jみの半田層を形成した波、ペレットに区割する。
1v!1子状パターンに唱って半田mt溶融させると共
に、この石−した半田を吸引除去することにより、格子
状に轟面′−蝋t−露出させ、この後上記透出した成U
kJ−極から半導体クエーハを切断してペレットに分−
することt待機とする半導体装−の製造方法に保る〇以
下、この発明の方法を図面によって説明すれば、筐ず、
第7図で示すように半導体クエーハfilO娯面側のオ
ーミック金Tl4−からなるII&面4極(21の表面
に、Pfr定)4みて半田層(3]を形成する。図中(
4)は区割すべ!ペレット単位を示し、このペレット単
位(4)はそれぞれ目的とする半導体素子単位を含んで
おり、ま友ペレット単位(4)の区割線(5)は格子状
パターンとなっている。次に、上記半田層(3)t−区
割線(5)に沿って所定幅で溶融させ、直後に溶融半田
を吸引除去し、第一図で示すように表面′4極(21表
面をih子状に4出させる・その後、上記格子状パター
ンの4出した邊面電極から′@矢に準じて切断し、第3
図で示すようなペレット単位(4)に分離する〇上述の
ように半田層13)全格子状パターンで溶融除去する手
段は葎々存在するが、待にだ融手段と吸引除去手吹とが
一体化された装置の便用が好適であり、以下その笑II
例全図面に従って説明する。
に、この石−した半田を吸引除去することにより、格子
状に轟面′−蝋t−露出させ、この後上記透出した成U
kJ−極から半導体クエーハを切断してペレットに分−
することt待機とする半導体装−の製造方法に保る〇以
下、この発明の方法を図面によって説明すれば、筐ず、
第7図で示すように半導体クエーハfilO娯面側のオ
ーミック金Tl4−からなるII&面4極(21の表面
に、Pfr定)4みて半田層(3]を形成する。図中(
4)は区割すべ!ペレット単位を示し、このペレット単
位(4)はそれぞれ目的とする半導体素子単位を含んで
おり、ま友ペレット単位(4)の区割線(5)は格子状
パターンとなっている。次に、上記半田層(3)t−区
割線(5)に沿って所定幅で溶融させ、直後に溶融半田
を吸引除去し、第一図で示すように表面′4極(21表
面をih子状に4出させる・その後、上記格子状パター
ンの4出した邊面電極から′@矢に準じて切断し、第3
図で示すようなペレット単位(4)に分離する〇上述の
ように半田層13)全格子状パターンで溶融除去する手
段は葎々存在するが、待にだ融手段と吸引除去手吹とが
一体化された装置の便用が好適であり、以下その笑II
例全図面に従って説明する。
逼り図は半田層(3)の溶1戚にレーザ光を利用する例
である。図において、(6)はレーデ発生装置(図示幡
)のレーデ光照射口であり、(7)は半11]゛m i
l+上で所定・鴎と、tΦよつに礒ったレーデ光金示す
。このレーデ光照射口(6)先−Vこは通例な石英また
は〃゛ラス杉成さルたj1fIA杉の吸引α(8)が装
着されている。この吸引管(8)は枝管(8a)でドレ
ーンタンク付きの吸引ポンプ(図示略)とチューブ(9
)k介して4繍しており、また先端のレーデ光(7)の
黒革に一致する位置に半田吸引口(8b)2備えている
。この装置i!を夏用する場合、レーデ光(7)の照′
14点が半4体りエー/%111の格子状パターンの区
ill liM ti)に沿うようにレーデ発生装置1
側もしくは半4体りエーハIll t−滅せたインデッ
クステーブル(図示略)ラボ幼させ、半!B層fat
t−レーザ光(7)で溶、aさせつつ半田吸引口(8b
)より溶融半田を吸引除去する。
である。図において、(6)はレーデ発生装置(図示幡
)のレーデ光照射口であり、(7)は半11]゛m i
l+上で所定・鴎と、tΦよつに礒ったレーデ光金示す
。このレーデ光照射口(6)先−Vこは通例な石英また
は〃゛ラス杉成さルたj1fIA杉の吸引α(8)が装
着されている。この吸引管(8)は枝管(8a)でドレ
ーンタンク付きの吸引ポンプ(図示略)とチューブ(9
)k介して4繍しており、また先端のレーデ光(7)の
黒革に一致する位置に半田吸引口(8b)2備えている
。この装置i!を夏用する場合、レーデ光(7)の照′
14点が半4体りエー/%111の格子状パターンの区
ill liM ti)に沿うようにレーデ発生装置1
側もしくは半4体りエーハIll t−滅せたインデッ
クステーブル(図示略)ラボ幼させ、半!B層fat
t−レーザ光(7)で溶、aさせつつ半田吸引口(8b
)より溶融半田を吸引除去する。
@j図で示すズ施例は、半田d i31の溶融にヒータ
を利用するものである。aj図において、1101は’
la@ (IOIL)が尖り九形状金有する半田とて形
ヒータであり、先端(10亀)に開口(lot)) 1
備え、先4(10a)との接触で生じただ融半田を開口
(lot))からヒータHOI内部に設けられた通路(
10a )とこれに連結するチューブ(ロ)全通して吸
引除去するよ′うに構成されている。g融点の移−1は
、@1111al4にヒータUυもしくは半導体クエー
ハ111のステージ(図示略)t−動作して行なう。
を利用するものである。aj図において、1101は’
la@ (IOIL)が尖り九形状金有する半田とて形
ヒータであり、先端(10亀)に開口(lot)) 1
備え、先4(10a)との接触で生じただ融半田を開口
(lot))からヒータHOI内部に設けられた通路(
10a )とこれに連結するチューブ(ロ)全通して吸
引除去するよ′うに構成されている。g融点の移−1は
、@1111al4にヒータUυもしくは半導体クエー
ハ111のステージ(図示略)t−動作して行なう。
第5図で示す実施例は、第5図の例と同様にヒータを利
用するものであるが、ヒータ+121は格子状パター2
ンの区割線(5)の/ラインに引当する部分の半田層(
3)を一時に溶融するように横長の先端(12a)全存
しており、溶融半田は同様に先端(12a)に形成され
たスリット状開口(]、2t)) jり内部のAWI(
120)とチューブns2通して吸引除去される。
用するものであるが、ヒータ+121は格子状パター2
ンの区割線(5)の/ラインに引当する部分の半田層(
3)を一時に溶融するように横長の先端(12a)全存
しており、溶融半田は同様に先端(12a)に形成され
たスリット状開口(]、2t)) jり内部のAWI(
120)とチューブns2通して吸引除去される。
なお、この発明において、溶111!II除去する半田
層(33の4は半導体装櫂の設計によって決まるが、通
常50〜600μの1lli!囲である口重上のように
、この発明の方法によれば、半4体りエーハの嬌面電極
側に形成した半田層tペレットに区割する格子状パター
ンに沿って極めて容易に除去できるため、半導体クエー
ハヲペレットに分−する祿、グイシンググレードに11
りを生じたり、破断でアベックイ遺、を生じることがな
く、分離が非常にd)Aとなり、その結果として裏面に
半田層全形成した半導体装置をdMiかつ安価に提供で
きる。
層(33の4は半導体装櫂の設計によって決まるが、通
常50〜600μの1lli!囲である口重上のように
、この発明の方法によれば、半4体りエーハの嬌面電極
側に形成した半田層tペレットに区割する格子状パター
ンに沿って極めて容易に除去できるため、半導体クエー
ハヲペレットに分−する祿、グイシンググレードに11
りを生じたり、破断でアベックイ遺、を生じることがな
く、分離が非常にd)Aとなり、その結果として裏面に
半田層全形成した半導体装置をdMiかつ安価に提供で
きる。
石/図乃至1263凶はこの発明の半導体%瀘の製造方
法を工程順に示し、第7図Fi裏面全面に半田層を形成
した牛4体りエーハの断rTJ図、第2図は区I!ll
線に沿って半田層ram除去した半導体クエーハの断面
図、1g3図は半導体クエーハより分噛し之ペレットの
断面図であQ、%グ図乃至第6図はいずれもこの発明の
実施例における半田層の溶融除去工部を示す斜視図であ
る11)・・半導体クエーハ、(2)・・戚面電極、(
11・・半田層、(4)・・ベレット単位、(!I)・
・格子状パターンの区割線。 第1図 県−2図 薯3 闇
法を工程順に示し、第7図Fi裏面全面に半田層を形成
した牛4体りエーハの断rTJ図、第2図は区I!ll
線に沿って半田層ram除去した半導体クエーハの断面
図、1g3図は半導体クエーハより分噛し之ペレットの
断面図であQ、%グ図乃至第6図はいずれもこの発明の
実施例における半田層の溶融除去工部を示す斜視図であ
る11)・・半導体クエーハ、(2)・・戚面電極、(
11・・半田層、(4)・・ベレット単位、(!I)・
・格子状パターンの区割線。 第1図 県−2図 薯3 闇
Claims (1)
- 11) 多数の^子t+V成した半導体クエー/〜の
に而゛4へ1側の全面に所定メ4みの半tll )m
k形成した後、ペレットに区割する慢す子状パターンに
沿って半[ローtPfr疋e−で6融させると共に、こ
のrd、aシた半1+J i吸引除去して格子状に躾−
一−tkli露出させ、この便上記4出した一面゛4極
面から半導体クエーハC切断してペレットに分−するこ
とケ待頭とする半導体装置の製造万汲0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56185864A JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56185864A JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5886743A true JPS5886743A (ja) | 1983-05-24 |
JPH0218584B2 JPH0218584B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=16178212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56185864A Granted JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5886743A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100514099B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법 |
KR100543368B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 설비 |
JP2010182901A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5017176A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-22 |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56185864A patent/JPS5886743A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5017176A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-22 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100514099B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법 |
KR100543368B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 설비 |
JP2010182901A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0218584B2 (ja) | 1990-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112008001389B4 (de) | Schneidbearbeitungsverfahren | |
DE102012212315A1 (de) | Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers für eine optische Einrichtung | |
EP2612372B1 (de) | Leuchtdiodenchip | |
JPH07120646B2 (ja) | メサ型半導体ペレットの製造方法 | |
DE102007051823A1 (de) | Sensor für eine physikalische Grösse und Verfahren zur Fertigung des Sensors | |
DE7022778U (de) | Verbindung fuer ein halbleiterplaettchen | |
DE3438980A1 (de) | Halterung zum stuetzen eines werkstuecks | |
JP2008042143A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
DE102007027199A1 (de) | Licht emittierende Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP1592070B1 (de) | Strahlungsemittierendes und/oder -empfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur strukturierten Aufbringung eines Kontakts auf einen Halbleiterkörper | |
DE10040448A1 (de) | Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung | |
JPS5886743A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
DE102006035485B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE102006032488B4 (de) | Verfahren zur Bearbeitung von Wafern | |
JPS63261851A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
DE112018003840T5 (de) | Schichtelement-herstellungsverfahren | |
DE112018002039T5 (de) | Werkstückvereinzelungsverfahren und halbleiterchip | |
DE10301245A1 (de) | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger | |
US11430758B2 (en) | Creating 3D features through selective laser annealing and/or laser ablation | |
CN107442947A (zh) | 分割工具和分割工具的使用方法 | |
DE1514288C3 (de) | Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers an einer Trägerplatte | |
JPS5864037A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
DE112018002045T5 (de) | Werkstückvereinzelungsverfahren | |
JPH0767613B2 (ja) | はんだの吸取治具 | |
US3434828A (en) | Gold alloy for attaching a lead to a semiconductor body |