JPS5886743A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5886743A JPS5886743A JP56185864A JP18586481A JPS5886743A JP S5886743 A JPS5886743 A JP S5886743A JP 56185864 A JP56185864 A JP 56185864A JP 18586481 A JP18586481 A JP 18586481A JP S5886743 A JPS5886743 A JP S5886743A
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- layer
- substrate
- pellets
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に、−問４極上に半田層を形成し次半４体装−
の’Ｊ ｙｔａ ７ｆ汲に関するものである。
の’Ｊ ｙｔａ ７ｆ汲に関するものである。
半導体ペレットをろう付けによってステムやリードフレ
ームにマクントする場合、溶−半田上にペレツ）２押し
付ける万人では、ｇＩＩＩＫ半田表１編に数比や７ラツ
クスＶ浮き出しによる表面屓がｔｅ成さｎて接信ｔ−４
するので、Ｃルを破壊する之めの操作が必要となって生
産性が悪化する＠そこで、ペレットの哀Ｌ１［ｌ電礪上
に予め半田層ｔ ｔｒａｐ を況しておさ、これｔマク
ント圓に当接した状・誦で半田−を別ｆ＠溶１してマク
ントするペレット予備半田法と称される１犬が考えられ
ている。
ームにマクントする場合、溶−半田上にペレツ）２押し
付ける万人では、ｇＩＩＩＫ半田表１編に数比や７ラツ
クスＶ浮き出しによる表面屓がｔｅ成さｎて接信ｔ−４
するので、Ｃルを破壊する之めの操作が必要となって生
産性が悪化する＠そこで、ペレットの哀Ｌ１［ｌ電礪上
に予め半田層ｔ ｔｒａｐ を況しておさ、これｔマク
ント圓に当接した状・誦で半田−を別ｆ＠溶１してマク
ントするペレット予備半田法と称される１犬が考えられ
ている。
と仁ろが、このようなペレットを得るために分−曲の半
導体クエーハに半田層を形成すると、半田層が軟らかく
且つ比較的厚み勿・目°することに起因して、半導体ク
エーハ會格子状にＸ１Ｕしテヘレットに分離するとき、
切断用のダイシンググレードに目ａまりを生じて切断が
１．１１遜となり易く、また半導体クエーハの表ｕｉ＋
１ｌｌｌから区割−に沿って途中まで！４？を杉１況し
て破断する方法でも半田層部で４Ｒ所面が不揃いとなっ
ていわゆるアベック不良を生じ易い。−万、これ金２４
犬する友めに半辱体りエーハの区割ナベき分Ｉｖ！ｌ−
に沿って半田層の存在しない部分を形成する方決が提呆
されているが、この方決は一面題憾のオー４ｙり金属と
半４体の例えばシリコンとの半田に対する。−九性の差
を利用してシリコン品にｔべ融半田が付行しないように
す０ものである几め、オーミック盆Ｙ４を非常に王政の
多い４真峠刻去で格子状にエツチング除去して／ぐター
ン化する必要゛があり、時間的な損失が大きく、材料面
からもコスト−となる〇 この発明は、上記従来の欠Ｉ：Ｌを改善すること全目的
としており、半導体クエーハの誕ｌ電極側の全面に所定
・・Ｊみの半田層を形成した波、ペレットに区割する。
導体クエーハに半田層を形成すると、半田層が軟らかく
且つ比較的厚み勿・目°することに起因して、半導体ク
エーハ會格子状にＸ１Ｕしテヘレットに分離するとき、
切断用のダイシンググレードに目ａまりを生じて切断が
１．１１遜となり易く、また半導体クエーハの表ｕｉ＋
１ｌｌｌから区割−に沿って途中まで！４？を杉１況し
て破断する方法でも半田層部で４Ｒ所面が不揃いとなっ
ていわゆるアベック不良を生じ易い。−万、これ金２４
犬する友めに半辱体りエーハの区割ナベき分Ｉｖ！ｌ−
に沿って半田層の存在しない部分を形成する方決が提呆
されているが、この方決は一面題憾のオー４ｙり金属と
半４体の例えばシリコンとの半田に対する。−九性の差
を利用してシリコン品にｔべ融半田が付行しないように
す０ものである几め、オーミック盆Ｙ４を非常に王政の
多い４真峠刻去で格子状にエツチング除去して／ぐター
ン化する必要゛があり、時間的な損失が大きく、材料面
からもコスト−となる〇 この発明は、上記従来の欠Ｉ：Ｌを改善すること全目的
としており、半導体クエーハの誕ｌ電極側の全面に所定
・・Ｊみの半田層を形成した波、ペレットに区割する。
１ｖ！１子状パターンに唱って半田ｍｔ溶融させると共
に、この石−した半田を吸引除去することにより、格子
状に轟面′−蝋ｔ−露出させ、この後上記透出した成Ｕ
ｋＪ−極から半導体クエーハを切断してペレットに分−
することｔ待機とする半導体装−の製造方法に保る〇以
下、この発明の方法を図面によって説明すれば、筐ず、
第７図で示すように半導体クエーハｆｉｌＯ娯面側のオ
ーミック金Ｔｌ４−からなるＩＩ＆面４極（２１の表面
に、Ｐｆｒ定）４みて半田層（３］を形成する。図中（
４）は区割すべ！ペレット単位を示し、このペレット単
位（４）はそれぞれ目的とする半導体素子単位を含んで
おり、ま友ペレット単位（４）の区割線（５）は格子状
パターンとなっている。次に、上記半田層（３）ｔ−区
割線（５）に沿って所定幅で溶融させ、直後に溶融半田
を吸引除去し、第一図で示すように表面′４極（２１表
面をｉｈ子状に４出させる・その後、上記格子状パター
ンの４出した邊面電極から′＠矢に準じて切断し、第３
図で示すようなペレット単位（４）に分離する〇上述の
ように半田層１３）全格子状パターンで溶融除去する手
段は葎々存在するが、待にだ融手段と吸引除去手吹とが
一体化された装置の便用が好適であり、以下その笑ＩＩ
例全図面に従って説明する。
に、この石−した半田を吸引除去することにより、格子
状に轟面′−蝋ｔ−露出させ、この後上記透出した成Ｕ
ｋＪ−極から半導体クエーハを切断してペレットに分−
することｔ待機とする半導体装−の製造方法に保る〇以
下、この発明の方法を図面によって説明すれば、筐ず、
第７図で示すように半導体クエーハｆｉｌＯ娯面側のオ
ーミック金Ｔｌ４−からなるＩＩ＆面４極（２１の表面
に、Ｐｆｒ定）４みて半田層（３］を形成する。図中（
４）は区割すべ！ペレット単位を示し、このペレット単
位（４）はそれぞれ目的とする半導体素子単位を含んで
おり、ま友ペレット単位（４）の区割線（５）は格子状
パターンとなっている。次に、上記半田層（３）ｔ−区
割線（５）に沿って所定幅で溶融させ、直後に溶融半田
を吸引除去し、第一図で示すように表面′４極（２１表
面をｉｈ子状に４出させる・その後、上記格子状パター
ンの４出した邊面電極から′＠矢に準じて切断し、第３
図で示すようなペレット単位（４）に分離する〇上述の
ように半田層１３）全格子状パターンで溶融除去する手
段は葎々存在するが、待にだ融手段と吸引除去手吹とが
一体化された装置の便用が好適であり、以下その笑ＩＩ
例全図面に従って説明する。
逼り図は半田層（３）の溶１戚にレーザ光を利用する例
である。図において、（６）はレーデ発生装置（図示幡
）のレーデ光照射口であり、（７）は半１１］゛ｍ ｉ
ｌ＋上で所定・鴎と、ｔΦよつに礒ったレーデ光金示す
。このレーデ光照射口（６）先−Ｖこは通例な石英また
は〃゛ラス杉成さルたｊ１ｆＩＡ杉の吸引α（８）が装
着されている。この吸引管（８）は枝管（８ａ）でドレ
ーンタンク付きの吸引ポンプ（図示略）とチューブ（９
）ｋ介して４繍しており、また先端のレーデ光（７）の
黒革に一致する位置に半田吸引口（８ｂ）２備えている
。この装置ｉ！を夏用する場合、レーデ光（７）の照′
１４点が半４体りエー／％１１１の格子状パターンの区
ｉｌｌ ｌｉＭ ｔｉ）に沿うようにレーデ発生装置１
側もしくは半４体りエーハＩｌｌ ｔ−滅せたインデッ
クステーブル（図示略）ラボ幼させ、半！Ｂ層ｆａｔ
ｔ−レーザ光（７）で溶、ａさせつつ半田吸引口（８ｂ
）より溶融半田を吸引除去する。
である。図において、（６）はレーデ発生装置（図示幡
）のレーデ光照射口であり、（７）は半１１］゛ｍ ｉ
ｌ＋上で所定・鴎と、ｔΦよつに礒ったレーデ光金示す
。このレーデ光照射口（６）先−Ｖこは通例な石英また
は〃゛ラス杉成さルたｊ１ｆＩＡ杉の吸引α（８）が装
着されている。この吸引管（８）は枝管（８ａ）でドレ
ーンタンク付きの吸引ポンプ（図示略）とチューブ（９
）ｋ介して４繍しており、また先端のレーデ光（７）の
黒革に一致する位置に半田吸引口（８ｂ）２備えている
。この装置ｉ！を夏用する場合、レーデ光（７）の照′
１４点が半４体りエー／％１１１の格子状パターンの区
ｉｌｌ ｌｉＭ ｔｉ）に沿うようにレーデ発生装置１
側もしくは半４体りエーハＩｌｌ ｔ−滅せたインデッ
クステーブル（図示略）ラボ幼させ、半！Ｂ層ｆａｔ
ｔ−レーザ光（７）で溶、ａさせつつ半田吸引口（８ｂ
）より溶融半田を吸引除去する。
＠ｊ図で示すズ施例は、半田ｄ ｉ３１の溶融にヒータ
を利用するものである。ａｊ図において、１１０１は’
ｌａ＠ （ＩＯＩＬ）が尖り九形状金有する半田とて形
ヒータであり、先端（１０亀）に開口（ｌｏｔ）） １
備え、先４（１０ａ）との接触で生じただ融半田を開口
（ｌｏｔ））からヒータＨＯＩ内部に設けられた通路（
１０ａ ）とこれに連結するチューブ（ロ）全通して吸
引除去するよ′うに構成されている。ｇ融点の移−１は
、＠１１１１ａｌ４にヒータＵυもしくは半導体クエー
ハ１１１のステージ（図示略）ｔ−動作して行なう。
を利用するものである。ａｊ図において、１１０１は’
ｌａ＠ （ＩＯＩＬ）が尖り九形状金有する半田とて形
ヒータであり、先端（１０亀）に開口（ｌｏｔ）） １
備え、先４（１０ａ）との接触で生じただ融半田を開口
（ｌｏｔ））からヒータＨＯＩ内部に設けられた通路（
１０ａ ）とこれに連結するチューブ（ロ）全通して吸
引除去するよ′うに構成されている。ｇ融点の移−１は
、＠１１１１ａｌ４にヒータＵυもしくは半導体クエー
ハ１１１のステージ（図示略）ｔ−動作して行なう。
第５図で示す実施例は、第５図の例と同様にヒータを利
用するものであるが、ヒータ＋１２１は格子状パター２
ンの区割線（５）の／ラインに引当する部分の半田層（
３）を一時に溶融するように横長の先端（１２ａ）全存
しており、溶融半田は同様に先端（１２ａ）に形成され
たスリット状開口（］、２ｔ）） ｊり内部のＡＷＩ（
１２０）とチューブｎｓ２通して吸引除去される。
用するものであるが、ヒータ＋１２１は格子状パター２
ンの区割線（５）の／ラインに引当する部分の半田層（
３）を一時に溶融するように横長の先端（１２ａ）全存
しており、溶融半田は同様に先端（１２ａ）に形成され
たスリット状開口（］、２ｔ）） ｊり内部のＡＷＩ（
１２０）とチューブｎｓ２通して吸引除去される。
なお、この発明において、溶１１１！ＩＩ除去する半田
層（３３の４は半導体装櫂の設計によって決まるが、通
常５０〜６００μの１ｌｌｉ！囲である口重上のように
、この発明の方法によれば、半４体りエーハの嬌面電極
側に形成した半田層ｔペレットに区割する格子状パター
ンに沿って極めて容易に除去できるため、半導体クエー
ハヲペレットに分−する祿、グイシンググレードに１１
りを生じたり、破断でアベックイ遺、を生じることがな
く、分離が非常にｄ）Ａとなり、その結果として裏面に
半田層全形成した半導体装置をｄＭｉかつ安価に提供で
きる。
層（３３の４は半導体装櫂の設計によって決まるが、通
常５０〜６００μの１ｌｌｉ！囲である口重上のように
、この発明の方法によれば、半４体りエーハの嬌面電極
側に形成した半田層ｔペレットに区割する格子状パター
ンに沿って極めて容易に除去できるため、半導体クエー
ハヲペレットに分−する祿、グイシンググレードに１１
りを生じたり、破断でアベックイ遺、を生じることがな
く、分離が非常にｄ）Ａとなり、その結果として裏面に
半田層全形成した半導体装置をｄＭｉかつ安価に提供で
きる。
石／図乃至１２６３凶はこの発明の半導体％瀘の製造方
法を工程順に示し、第７図Ｆｉ裏面全面に半田層を形成
した牛４体りエーハの断ｒＴＪ図、第２図は区Ｉ！ｌｌ
線に沿って半田層ｒａｍ除去した半導体クエーハの断面
図、１ｇ３図は半導体クエーハより分噛し之ペレットの
断面図であＱ、％グ図乃至第６図はいずれもこの発明の
実施例における半田層の溶融除去工部を示す斜視図であ
る１１）・・半導体クエーハ、（２）・・戚面電極、（
１１・・半田層、（４）・・ベレット単位、（！Ｉ）・
・格子状パターンの区割線。 第１図 県−２図 薯３ 闇
法を工程順に示し、第７図Ｆｉ裏面全面に半田層を形成
した牛４体りエーハの断ｒＴＪ図、第２図は区Ｉ！ｌｌ
線に沿って半田層ｒａｍ除去した半導体クエーハの断面
図、１ｇ３図は半導体クエーハより分噛し之ペレットの
断面図であＱ、％グ図乃至第６図はいずれもこの発明の
実施例における半田層の溶融除去工部を示す斜視図であ
る１１）・・半導体クエーハ、（２）・・戚面電極、（
１１・・半田層、（４）・・ベレット単位、（！Ｉ）・
・格子状パターンの区割線。 第１図 県−２図 薯３ 闇
Claims (1)
- １１） 多数の＾子ｔ＋Ｖ成した半導体クエー／〜の
に而゛４へ１側の全面に所定メ４みの半ｔｌｌ ）ｍ
ｋ形成した後、ペレットに区割する慢す子状パターンに
沿って半［ローｔＰｆｒ疋ｅ−で６融させると共に、こ
のｒｄ、ａシた半１＋Ｊ ｉ吸引除去して格子状に躾−
一−ｔｋｌｉ露出させ、この便上記４出した一面゛４極
面から半導体クエーハＣ切断してペレットに分−するこ
とケ待頭とする半導体装置の製造万汲０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185864A JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185864A JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886743A true JPS5886743A (ja) | 1983-05-24 |
| JPH0218584B2 JPH0218584B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=16178212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185864A Granted JPS5886743A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5886743A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514099B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법 |
| KR100543368B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 설비 |
| JP2010182901A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017176A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-22 |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56185864A patent/JPS5886743A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017176A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-22 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514099B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2005-11-25 | 삼성전자주식회사 | 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법 |
| KR100543368B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 설비 |
| JP2010182901A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218584B2 (ja) | 1990-04-26 |
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