JPS5885631A - Switching circuit - Google Patents

Switching circuit

Info

Publication number
JPS5885631A
JPS5885631A JP56184052A JP18405281A JPS5885631A JP S5885631 A JPS5885631 A JP S5885631A JP 56184052 A JP56184052 A JP 56184052A JP 18405281 A JP18405281 A JP 18405281A JP S5885631 A JPS5885631 A JP S5885631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
load
switching
trq1
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56184052A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH043130B2 (en
Inventor
Susumu Sueyoshi
末吉 進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp, Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Corp
Priority to JP56184052A priority Critical patent/JPS5885631A/en
Publication of JPS5885631A publication Critical patent/JPS5885631A/en
Publication of JPH043130B2 publication Critical patent/JPH043130B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce an electric power loss of a switching circuit, by differentiating the terminal voltage of a load, turning on a transistor by its differential waveform, and short-circuiting the base and the emitter of a switching transistor for driving a load. CONSTITUTION:Between a terminal of a load 1 and a reference electric power supply, a differentiating circuit consisting of a capacitor C2 and resistance R3 is provided, a differential waveform (c) from this circuit becomes a base input (d) of a transistor TRQ2 through a resistance R4 and capacitor C3, and the TRQ2 short-circuits the base and the emitter of a switching TRQ1 for driving the load 1. During a period t1-t3, a driving pulse (a) is applied to the base of the TRQ1, and the TRQ1 is turned on, but since the waveform (c) is in a negative level, the TRQ2 remains off. When the pulse (a) disappears, load terminal voltage (b) starts to rise to a high level, and the waveform (c) is varied to a high level. The TRQ2 turns on at the time t4, the base waveform (d) is clamped by the base-emitter voltage VBE2, simultaneously, base stored charge of the TRQ1 is discharged instantaneously through the TRQ2, and a collector loss PC of the TRQ1 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスイッチング回路に関し、特“にバイポーラト
ランジスタ素子を用いたスイッチング回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a switching circuit, and particularly to a switching circuit using bipolar transistor elements.

所肇負荷をオンオフ駆動するためのスイッチング回路に
は、バイポーラトランジスタ素子をスイッチング素子と
して用いるものがあり、第1図はその基本的回路を示し
ている。リレー若しくはモータ等の誘導性負荷1をトラ
ンジスタQ1によりオンオフ駆動する回路例であり、第
2図(α)に示す如く時刻tl乃至t3の期間駆動パル
スがトランジスタQ1のベースへ印加されたとする。そ
の間トランジスタQ1はオンとなり飽和状態となる。時
刻t3において駆動パルスが消失しても、周知の如くバ
イポーラ素子におけるベース蓄積キャリヤのためにトラ
ンジスタQ1のオンからオフへの遷移が著く遅延する。
Some switching circuits for turning on and off a load use a bipolar transistor element as a switching element, and FIG. 1 shows the basic circuit thereof. This is an example of a circuit in which an inductive load 1 such as a relay or a motor is turned on and off by a transistor Q1, and it is assumed that a driving pulse is applied to the base of the transistor Q1 during a period from time tl to t3 as shown in FIG. 2 (α). During this time, transistor Q1 is turned on and becomes saturated. Even if the drive pulse disappears at time t3, the transition from on to off of transistor Q1 is significantly delayed due to the base accumulated carriers in the bipolar device, as is well known.

その結果、第2図(b)に示すようにトランジスタQ、
のVCE(コレクタ・エミッタ間電圧)及びIC(コレ
クタ電流)は変化し、トランジスタQ1におけるコレク
タ損失PCは同図(C)のように変化する。
As a result, as shown in FIG. 2(b), the transistor Q,
VCE (collector-emitter voltage) and IC (collector current) change, and the collector loss PC in transistor Q1 changes as shown in FIG.

尚、t1〜t2の期間はトランジスタQ、のディレィタ
イム、ライズタイムによる遅れを示し、t3〜t4の期
間及びt4〜t、の期間はそれぞれベース蓄積効果によ
るストレージタイム及びフォールタイムによる遅れを示
している。
Note that the period from t1 to t2 indicates the delay due to the delay time and rise time of the transistor Q, and the period from t3 to t4 and the period from t4 to t indicate the delay due to the storage time and fall time due to the base accumulation effect, respectively. There is.

この図(C)から判るようにトランジスタのストレージ
タイムに起因するコレクタ損失PCが著しく増大し、オ
ンオフを頻繁に繰返す場合にはトランジスタによる損失
が無視できないばかりか、トランジスタの発熱を招来し
てその放熱をも考慮しなければならない。
As can be seen from this figure (C), the collector loss PC due to the storage time of the transistor increases significantly, and when the transistor is turned on and off frequently, the loss due to the transistor cannot be ignored, and it also causes the transistor to generate heat and dissipate the heat. must also be taken into account.

そこで、トランジスタQ、のベース・エミ・フタ間に低
抵抗It、を設けてベース蓄積キャリヤを放電しやすく
する方法があるが、それだけトランジスタのベース駆動
力を犬とする必要があり好ましくない0 第3図は、スイッチングされるべき負荷1として、チョ
ークインプット型の整流平滑回路を用いた場合の例であ
り、L、及びC1が平滑用コイル及びコンデンサを示し
%Dがフライホイールダイオードである。そして、この
直流平滑出力V。が音響機器における電力増幅器(九と
して示され、ている)の電源等として用いられるもので
ある。そのために、当該電力増幅器の増幅出力レベルに
応・じたノくルス幅を有するPWM信号2によりスイッ
チ/グトランジスタQ、t−オンオフせしめ直流電圧+
■cをデョッパーするいわゆるチョヴパー型の品N電源
の場合である。こうすることにより、電力増幅器の出力
信号レベルに応じた電圧レベルを有する直流電圧光が発
生され、これが電力増幅器の電圧源として用いられるこ
とにより、電力増幅用トランジスタのPCヲ減少せしめ
て高効率のパワーアンプが実現されるものである。
Therefore, there is a method to make it easier to discharge the base accumulated carriers by providing a low resistance It between the base, emitter, and lid of the transistor Q, but this requires the base driving force of the transistor to be as strong as possible, which is undesirable. FIG. 3 shows an example in which a choke input type rectifying and smoothing circuit is used as the load 1 to be switched, where L and C1 represent a smoothing coil and a capacitor, and %D represents a flywheel diode. And this DC smoothed output V. is used as a power source for power amplifiers (indicated by number 9) in audio equipment. For this purpose, a PWM signal 2 having a Norms width corresponding to the amplified output level of the power amplifier is used to turn on and off the switching transistor Q and the DC voltage +
■This is the case of a so-called chopper type product N power supply that drains c. By doing this, a DC voltage light having a voltage level corresponding to the output signal level of the power amplifier is generated, and by using this as a voltage source of the power amplifier, the PC of the power amplification transistor is reduced and high efficiency is achieved. A power amplifier is realized.

しかしながら、この回路においても第1,2図で述べた
と同様にスイッチング素子Q1によるPCが無視できず
、そのために抵抗に、を小としてもPWM駆動源2の駆
動能力を増大する必要が生じるものである。
However, in this circuit as well, as described in FIGS. 1 and 2, the PC caused by the switching element Q1 cannot be ignored, and therefore, even if the resistance is small, it is necessary to increase the driving capacity of the PWM drive source 2. be.

本発明の目的は極めて簡単な構成でかつ効果的にスイッ
チングトランジスタのオフ遷移動作を向上せしめた低損
失のスイ・ソチング回路を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a low-loss switching circuit which has an extremely simple configuration and effectively improves the off-transition operation of a switching transistor.

本発明によるスイッチング回路は、負荷端子電圧の微分
状波形を儒分手段により得て、この微分状波形により別
に設けたトランジスタを駆動してスイッチングトランジ
スタのベース・エミッタ間を短絡するようにしたもので
ある。
The switching circuit according to the present invention obtains a differential waveform of the load terminal voltage using a differential means, and uses this differential waveform to drive a separately provided transistor to short-circuit between the base and emitter of the switching transistor. be.

以下に図面によって本発明を説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.

第4図は本発明の実施例の回路図であり、第1図と同等
部分は同一符号により示されている。負荷lの端子電圧
(A)の変化を検出すべく、負荷lの端子(トランジス
タQ、のコレクタ出力端子)と基準電源との間にコンデ
ンサC2及び抵抗R8よりなる微分回路が設けら7れて
いる。コンデンサC2と抵抗R3との接続点における微
分波形(C1が抵抗R4及びコンテンサCs’fr介し
てトランジスタQ2のベース入力(cL)となっている
。この上ランジスタQ2はスイッチングトランジスタQ
、のベース・エミッタ間を短絡するように設けられてい
る。尚、抵抗R3は短絡用トランジスタQ2のベース蓄
積電荷を放電するためのものであって低抵抗とされる。
FIG. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and parts equivalent to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In order to detect changes in the terminal voltage (A) of load l, a differentiating circuit consisting of a capacitor C2 and a resistor R8 is provided between the terminal of load l (collector output terminal of transistor Q) and the reference power supply. There is. Differential waveform at the connection point between capacitor C2 and resistor R3 (C1 is the base input (cL) of transistor Q2 via resistor R4 and capacitor Cs'fr. Furthermore, transistor Q2 is connected to switching transistor Q
is provided to short-circuit the base and emitter of the . Note that the resistor R3 is for discharging the base accumulated charge of the short-circuiting transistor Q2, and has a low resistance.

第5図は第4図の回路の動作波形図・であり、(α)〜
(d)は第4図の回路の各部信号(al〜(d)の波形
を夫々示している。トランジスタQ、のベースに”期間
1゜〜t3の開駆動パルス(α)が印加された場合、ス
イッチングトランジスタQ1はオンとなるがオフからオ
ン遷移時には従来の回路と同様な動作をなす。この時、
微分回路の微分波形(C)は負レベルであるから短絡用
トランジスタQ2はオフのま\である。
Figure 5 is an operating waveform diagram of the circuit in Figure 4, and (α) ~
(d) shows the waveforms of the various signals (al to (d)) of the circuit in FIG. , the switching transistor Q1 is turned on, but when it transitions from off to on, it operates like a conventional circuit.At this time,
Since the differential waveform (C) of the differential circuit is at a negative level, the shorting transistor Q2 remains off.

時刻t、にて駆動パルス(α)が消失すると、負荷端子
電圧(b)は低レベルから高レベルへ上昇し始める。
When the drive pulse (α) disappears at time t, the load terminal voltage (b) begins to rise from a low level to a high level.

従って、微分出力(C)は高レベルへ変化する。これが
トランジスタQ2のベース駆動人力となっているから、
トランジスタQ2は時刻t4にてオンとなりそのベース
波形は(d)のように■BE2(トランジスタQ2のベ
ース・エミッタ間電圧)に゛クラ/プされる。
Therefore, the differential output (C) changes to a high level. This is the power that drives the base of transistor Q2, so
Transistor Q2 turns on at time t4, and its base waveform is collapsed to BE2 (base-emitter voltage of transistor Q2) as shown in (d).

同時にトランジスタQ、のペース蓄積電荷がこのオン状
態のトランジスタQ2を介して瞬時に放電されるからい
わゆるストレージタイムは従来に比し太幅に改善される
。第5図(e)にスイッチングトランジスタQ、の■。
At the same time, the charge accumulated in the transistor Q is instantaneously discharged through the transistor Q2 in the on state, so that the so-called storage time is greatly improved compared to the conventional case. Figure 5(e) shows the switching transistor Q.

。及びICの変化の状態を示し、(イ)にPCを示して
いる。すなわち、第1図の従来例に比し、スイッチング
特性が良好となると共にトランジスタによるコレクタ損
失も小となジ発熱の問題も解決される。
. and shows changes in the IC, and (a) shows the PC. That is, compared to the conventional example shown in FIG. 1, the switching characteristics are improved, the collector loss due to the transistor is small, and the problem of heat generation is solved.

第6図は本発明の他の実施例の回路図であり、第3図及
び第4図と同等部分は同一符号により示されている。す
なわち、本例においてはチョッパー型のW■電源回路に
本発明を適用した場合が示されている。この例でも、短
絡用トランジスタQ2が、トランジスタQ1のオフ時に
導通するから、トランジスタQ1のオフ動作が早急にな
されて、スイッチング素子Q、のPcを著しく小とする
ことができる。従って、高効率電力増幅器の電源回路に
用いて好適となるが、これに限定されるものではない。
FIG. 6 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, in which parts equivalent to those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals. That is, this example shows a case where the present invention is applied to a chopper type W2 power supply circuit. In this example as well, since the shorting transistor Q2 is conductive when the transistor Q1 is turned off, the transistor Q1 is quickly turned off, and the Pc of the switching element Q can be significantly reduced. Therefore, it is suitable for use in a power supply circuit of a high-efficiency power amplifier, but is not limited thereto.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のスイッチング回路の1例を示す回路図、
第2図は第1図の回路の特性を示す図、第3図は従来の
スイッチング回路の他の例を示す回路図、第4図は本発
明の一実施例の回路図、第5図は第4図の回路の各部動
作波形図、第6図は本発明の他の実施例の回路図である
。・。 主要部分の符号の説明 1・・・負荷 Ql・・・スイッチングトランジスタ Q2・・・短絡用トランジスタ C2・・・微分用コンデンサ R3・・・微分用抵抗出
願人 パイオニア株式会社 代理人  弁理士 藤村元 彦 尾、閾         尾2図 毛4図 第、5図 【
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a conventional switching circuit.
FIG. 2 is a diagram showing the characteristics of the circuit in FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing another example of a conventional switching circuit, FIG. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is an operational waveform diagram of each part of the circuit, and FIG. 6 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention.・. Explanation of symbols for main parts 1...Load Ql...Switching transistor Q2...Short-circuiting transistor C2...Differential capacitor R3...Differential resistor Applicant Pioneer Co., Ltd. Agent Patent attorney Hikoo Fujimura Hajime , Threshold Tail 2 Fig. 4 Fig. 5 [

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)所定負荷をオンオフ駆動するスイッチング回路で
あって、前記負荷をスイッチングするためのスイッチン
グトランジスタと、前記負荷の端子電圧の微分波形を導
出する手段と、この微分波形によりオンオフ駆動され前
記スイッチングトランジスタのベース−エミッタ間を短
絡する如く設けられた短絡用トランジスタとを含むこと
を特徴とするスイッチング回路。
(1) A switching circuit that drives a predetermined load on and off, including a switching transistor for switching the load, means for deriving a differential waveform of a terminal voltage of the load, and a switching transistor that is driven on and off by the differential waveform. 1. A switching circuit comprising: a short-circuiting transistor provided to short-circuit between the base and emitter of the switching circuit.
(2)前記所定負荷は誘導性であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のスイッチング回路0
(2) The switching circuit 0 according to claim 1, wherein the predetermined load is inductive.
JP56184052A 1981-11-17 1981-11-17 Switching circuit Granted JPS5885631A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56184052A JPS5885631A (en) 1981-11-17 1981-11-17 Switching circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56184052A JPS5885631A (en) 1981-11-17 1981-11-17 Switching circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5885631A true JPS5885631A (en) 1983-05-23
JPH043130B2 JPH043130B2 (en) 1992-01-22

Family

ID=16146527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56184052A Granted JPS5885631A (en) 1981-11-17 1981-11-17 Switching circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5885631A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059629U (en) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 Switching transistor circuit
JPH01296813A (en) * 1988-05-25 1989-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching powder source device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634230A (en) * 1979-08-29 1981-04-06 Fujitsu Ltd Logical operation circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634230A (en) * 1979-08-29 1981-04-06 Fujitsu Ltd Logical operation circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059629U (en) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 Switching transistor circuit
JPH01296813A (en) * 1988-05-25 1989-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Switching powder source device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH043130B2 (en) 1992-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7368972B2 (en) Power transistor control device
US4359649A (en) Monolithically integrable squarewave pulse generator
US6198637B1 (en) Switching power supply circuit
US3986052A (en) Power switching control circuit with enhanced turn-off drive
JPS5885631A (en) Switching circuit
JP2638625B2 (en) MOS-FET gate drive circuit
US4572969A (en) Low power loss snubber for switching power transistors
US4393316A (en) Transistor drive circuit
JP3397456B2 (en) DC-DC converter
JPH11220877A (en) Switching power-supply apparatus
JPS6259551B2 (en)
JP2564054Y2 (en) Switching power supply
JPS626576Y2 (en)
JP3273744B2 (en) Switching element drive circuit
JP2687289B2 (en) DC-DC converter
JP2522386B2 (en) Transistor base drive circuit
JPS5820549B2 (en) switching regulator
US3953747A (en) AC wave switching circuit using at least one switching transistor
JP3008029U (en) Turn-off time improvement circuit
SU1709483A1 (en) Transistor inverter
JP2911767B2 (en) Switching element drive circuit
JPS631592Y2 (en)
JPS5822581A (en) Self-excited converter circuit
JPH05191969A (en) Driving circuit for power mosfet in voltage type ac/dc converter
JPS58151878A (en) Converting circuit for direct current