JPS5882585A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS5882585A JPS5882585A JP18050981A JP18050981A JPS5882585A JP S5882585 A JPS5882585 A JP S5882585A JP 18050981 A JP18050981 A JP 18050981A JP 18050981 A JP18050981 A JP 18050981A JP S5882585 A JPS5882585 A JP S5882585A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は見振横モードを制御した半導体レーザの製造方
法に関する。
法に関する。
半導体レーザの性能を向上する上で発振横モードを制御
することは注入電流−光出力のＴ［線性會良くシ、又光
ファイバとの結合効率を高めるなどの意味において重要
であることが知らｎている。
することは注入電流−光出力のＴ［線性會良くシ、又光
ファイバとの結合効率を高めるなどの意味において重要
であることが知らｎている。
発振横モードを制御するためには、一般に活性層の発振
領域での有効屈折率が周囲に比較し大きくなる様な屈折
率ステップｔ−導入することにより。
領域での有効屈折率が周囲に比較し大きくなる様な屈折
率ステップｔ−導入することにより。
光導波領域を形成することが必要である。屈折率ステッ
プを導入する方法としてはＴ Ｊ Ｂ （’ｌ’ｒａｎ
ｓ −ｙｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ
）レーザの様に、拡散により、活性層に、キャリア濃度
のステップを形成する方法もあるが、＃１とんどは、活
性層そのものの形状を変形させる。もしくは活性層近傍
の半導体層の形状を変形させる方法が用いらｎており。
プを導入する方法としてはＴ Ｊ Ｂ （’ｌ’ｒａｎ
ｓ −ｙｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ
）レーザの様に、拡散により、活性層に、キャリア濃度
のステップを形成する方法もあるが、＃１とんどは、活
性層そのものの形状を変形させる。もしくは活性層近傍
の半導体層の形状を変形させる方法が用いらｎており。
Ｃｂ Ｐ （Ｃｈａｎｎｅｌｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ
Ｐｌａｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レーザ、 Ｐ ＣＷ
（）’１ａｎｏ Ｃｏｎｖｅｘ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
） ｖ−ザ。
Ｐｌａｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）レーザ、 Ｐ ＣＷ
（）’１ａｎｏ Ｃｏｎｖｅｘ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
） ｖ−ザ。
Ｂ Ｈ（Ｂｕｒｉｅｄ ）ｉｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ ） ｖ−ザ等が作製されている。こｎらの構造の
レーザを作製する場合には、半導体基板に、凹凸形状を
形成し、その上に、複数の半導体層をエピタキシャル成
長している。この時基板が高温中に長時間さらさｎるこ
とによる熱ダメージ層を除去しないと、七〇がそのまま
成長結晶中に残留さｎる恐れがあハ素子の信頼性の面に
於て不安が残る。従ってエピタキシャル成長直前に基板
表面の熱ダメージ層や基板表面上に付着する汚１ｒＬｔ
−取り除くため、メルトバックすることは重装である。
ｒｅ ） ｖ−ザ等が作製されている。こｎらの構造の
レーザを作製する場合には、半導体基板に、凹凸形状を
形成し、その上に、複数の半導体層をエピタキシャル成
長している。この時基板が高温中に長時間さらさｎるこ
とによる熱ダメージ層を除去しないと、七〇がそのまま
成長結晶中に残留さｎる恐れがあハ素子の信頼性の面に
於て不安が残る。従ってエピタキシャル成長直前に基板
表面の熱ダメージ層や基板表面上に付着する汚１ｒＬｔ
−取り除くため、メルトバックすることは重装である。
しかしながら凹凸形状は半纏体レーザの横モードを制御
するためにμｍ単位の鞘度での形状が必要であシ、エピ
タキシャル成長直前にメルトバックすることは基板形状
會大きく変形させるためほとんど不可能であったー。
するためにμｍ単位の鞘度での形状が必要であシ、エピ
タキシャル成長直前にメルトバックすることは基板形状
會大きく変形させるためほとんど不可能であったー。
本発明は、凹凸形状を有する半導体基板をメルトバック
し、初期形状とは異なった所望の凹凸形状を有する半導
体基板管形成した上でエピタキシャル成長し半導体レー
ｆを作製する方法を提供するものである。
し、初期形状とは異なった所望の凹凸形状を有する半導
体基板管形成した上でエピタキシャル成長し半導体レー
ｆを作製する方法を提供するものである。
本発明によれば表面に少なくとも１個の凸領域が形成さ
れた半導体基板を、メルトパ、りにより凸領域に対応す
る部分を凹部としその両側を凸部とする凹凸領域を有す
るメルトバック基板を形成する工程と、メルトバック基
板の凹凸領域の少なくとも一部に活性層の一部で６る光
導波路領域を形成する工程とを含むことｔ特徴とする半
導体レーザの製造方法が得られる。
れた半導体基板を、メルトパ、りにより凸領域に対応す
る部分を凹部としその両側を凸部とする凹凸領域を有す
るメルトバック基板を形成する工程と、メルトバック基
板の凹凸領域の少なくとも一部に活性層の一部で６る光
導波路領域を形成する工程とを含むことｔ特徴とする半
導体レーザの製造方法が得られる。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。実施例に入
る前に本発明の基礎となるメルトバック方法を説明する
。
る前に本発明の基礎となるメルトバック方法を説明する
。
液相エピタキシャル成長で扛、半導体基板上に多層膜を
成長させる場合に、半導体基板を高温雰囲気中に保持し
ておくことにより生じる熱ダメージｊ−１あるいは半導
体基板表面の汚れ等を払拭するために、未飽和溶液を用
いて半導体基板表面を数μｍから数ｌＯμｍの深さでメ
ルトバックすることが多い。半導体基板表面が平坦な場
合は、全体ははげ等厚にメルトバックされるが基板表内
に凹凸が形成されている場合は、メルトバックの様子が
異なってくる。第１図（ａ）は（００１）ＩｎＰ基板の
上に〈１１Ｏ〉方向と平向な上部幅３μｍ＋深さ４μｍ
のメサストライプ１０’ｅ形成したメサ基板１の断面を
示している。このメサ基板１を６３０°ＣでＰが未飽和
に溶は込んだＩｎ溶液でメルトバ。
成長させる場合に、半導体基板を高温雰囲気中に保持し
ておくことにより生じる熱ダメージｊ−１あるいは半導
体基板表面の汚れ等を払拭するために、未飽和溶液を用
いて半導体基板表面を数μｍから数ｌＯμｍの深さでメ
ルトバックすることが多い。半導体基板表面が平坦な場
合は、全体ははげ等厚にメルトバックされるが基板表内
に凹凸が形成されている場合は、メルトバックの様子が
異なってくる。第１図（ａ）は（００１）ＩｎＰ基板の
上に〈１１Ｏ〉方向と平向な上部幅３μｍ＋深さ４μｍ
のメサストライプ１０’ｅ形成したメサ基板１の断面を
示している。このメサ基板１を６３０°ＣでＰが未飽和
に溶は込んだＩｎ溶液でメルトバ。
りする。１．溶液の飽和点を６２５°Ｃに設定し。
未飽和度ｔ−５°Ｃと比較的小さくするとメサ基板は比
較的ゆっくりした速度でメルトバックさｎる。
較的ゆっくりした速度でメルトバックさｎる。
第１図（ｂ）は、４分伺メルトバックしたメルトバック
メサ基板２の断面を示している。、もとのメサストライ
プｌＯの位置に対応して、底面部０幅３μｍの溝１１が
形成さｎ１両脇に上部幅５μｆｆｌ＋高さ５μｍのメサ
ストライプ１２＊１３が形成さｎている。纒１１の底面
部と平坦部とＢ＃Ｘぼ同じ高さにある。また平坦部とメ
サ側面とのなす角度θ社約５４１１であり、メサ側面に
はｈ （１１１）面が形成さｎている。第１図（Ｊｌ）
に示すメサ基板１をメルトバックして第１０（ｂ）に示
すメルトバックメサ基板２が形成さｎる理由は次の様に
考えることができる。即ち、溶液が湾曲して接触し、接
触する面積割合の高いメサストライプｌＯの部分が最も
速くメルトバ、りされる。メルトバックさｎたｌｎＰ
１４溶液中に溶は込みメサストライプ１００周辺でのＩ
ｎ溶液中のＰの未飽和度を低くする。
メサ基板２の断面を示している。、もとのメサストライ
プｌＯの位置に対応して、底面部０幅３μｍの溝１１が
形成さｎ１両脇に上部幅５μｆｆｌ＋高さ５μｍのメサ
ストライプ１２＊１３が形成さｎている。纒１１の底面
部と平坦部とＢ＃Ｘぼ同じ高さにある。また平坦部とメ
サ側面とのなす角度θ社約５４１１であり、メサ側面に
はｈ （１１１）面が形成さｎている。第１図（Ｊｌ）
に示すメサ基板１をメルトバックして第１０（ｂ）に示
すメルトバックメサ基板２が形成さｎる理由は次の様に
考えることができる。即ち、溶液が湾曲して接触し、接
触する面積割合の高いメサストライプｌＯの部分が最も
速くメルトバ、りされる。メルトバックさｎたｌｎＰ
１４溶液中に溶は込みメサストライプ１００周辺でのＩ
ｎ溶液中のＰの未飽和度を低くする。
従って、 ｌｆｉ溶液中にＰのＩＩＩ＆分布が形成さｎ
ることになり適切なメルトバック時間を選ぶことにより
第１図（ｂ）に示す形状が得らｎることになり。
ることになり適切なメルトバック時間を選ぶことにより
第１図（ｂ）に示す形状が得らｎることになり。
ｔｆｃメサ側面が（ｔｌｘ）ｌｉｔであることは、化学
エツチングの場合と同様に、閃亜鉛鉱製構造結晶で原子
間結合の強い面が露出したものと思わｎる。
エツチングの場合と同様に、閃亜鉛鉱製構造結晶で原子
間結合の強い面が露出したものと思わｎる。
第２図（ａ）ｔｉ、第１図（（転）と−じ＜ （００１
）ＩｎＰ基板の上に（１１０＞方向と平行に上部幅３μ
ｍ。
）ＩｎＰ基板の上に（１１０＞方向と平行に上部幅３μ
ｍ。
深さ４μｍの２本のメサストライプ１４．１５が中間に
底部幅３＃ｍの溝１６ｔ−挾んで形成されたメサ基板３
の断面図である。第１図の場合と同じ条件でメルトバッ
クすると、第２図（ｂ）に示す様に第１図（ａ）のメサ
基板形状に対応し、中央に上部幅３μｍのメサストライ
プ１７とその両側に上部幅５μｍのメサストライプ１８
＊１９が、底部幅３μｍの溝２０．２１ｔ−介して形成
さｎたメルトバックメサ基板４が得らｎる。
底部幅３＃ｍの溝１６ｔ−挾んで形成されたメサ基板３
の断面図である。第１図の場合と同じ条件でメルトバッ
クすると、第２図（ｂ）に示す様に第１図（ａ）のメサ
基板形状に対応し、中央に上部幅３μｍのメサストライ
プ１７とその両側に上部幅５μｍのメサストライプ１８
＊１９が、底部幅３μｍの溝２０．２１ｔ−介して形成
さｎたメルトバックメサ基板４が得らｎる。
以上の様にメサ基板をメルトバックすることによハ初期
形状とは異なったメルトバックメサ基板を得ることがで
き、メルトバックメサ基板のメサ幅等の寸法は初期のメ
サ基板の寸法で制御することができる。
形状とは異なったメルトバックメサ基板を得ることがで
き、メルトバックメサ基板のメサ幅等の寸法は初期のメ
サ基板の寸法で制御することができる。
次に、第１図、第２図を用いて示したメルトバック方法
を用いて、半導体レーザを作製する本発明の実施例を示
す；第３図は１本発明の第１０冥施例による半導体レー
ザの断面図でおる。第１図（ｂ）に示したメルトバック
メサ基板２の上に、ｎ形ｌｎｐ バッファ層３０（平坦
部での厚さ０．５μｍ）−ノンドープＩＨＧ３Ａｇ、Ｐ
活性層３１（％光波長１．３μ叱 平坦部での厚さ０．
１μｍ）ｓｐ形ｌｎｐクラッド層３２（平坦部での厚さ
３μｍ）およびｎ彰ＩｎＧａＡ、Ｐキャラプ層３３（発
光波長にして、１．２μｍ相当組成、厚さ１μｍ＞ｔｙ
ａ次液相エピタキシャル成長している。ｎ形１ｎｐバ、
ファ層３０豐ノンドープ１ｆｌＧｌＡ、Ｐ活性層３１は
メサストライプ１２１１３により平坦部の領域と溝１１
上の、ｎ形ｉｎＰ’バッファ層分離領域３０１ｇ活性層
光導波路領域３１ａとに分離して成長される。ｐ＠金属
電極４０を正、ｎ側金属電極４１を負とするバイアス電
圧を印加すると、１１流ａＺｎの選択拡散領域５０（幅
５μｍ）を通じ活性層光導波路領域３１１１に注入さｎ
て発光再結合する。シー９％振の閾値電流は６０１１１
Ａで、横モードの安定性が良く光出力は２０ｍＷ程度ま
で注入電流に対し直線的に増大した。
を用いて、半導体レーザを作製する本発明の実施例を示
す；第３図は１本発明の第１０冥施例による半導体レー
ザの断面図でおる。第１図（ｂ）に示したメルトバック
メサ基板２の上に、ｎ形ｌｎｐ バッファ層３０（平坦
部での厚さ０．５μｍ）−ノンドープＩＨＧ３Ａｇ、Ｐ
活性層３１（％光波長１．３μ叱 平坦部での厚さ０．
１μｍ）ｓｐ形ｌｎｐクラッド層３２（平坦部での厚さ
３μｍ）およびｎ彰ＩｎＧａＡ、Ｐキャラプ層３３（発
光波長にして、１．２μｍ相当組成、厚さ１μｍ＞ｔｙ
ａ次液相エピタキシャル成長している。ｎ形１ｎｐバ、
ファ層３０豐ノンドープ１ｆｌＧｌＡ、Ｐ活性層３１は
メサストライプ１２１１３により平坦部の領域と溝１１
上の、ｎ形ｉｎＰ’バッファ層分離領域３０１ｇ活性層
光導波路領域３１ａとに分離して成長される。ｐ＠金属
電極４０を正、ｎ側金属電極４１を負とするバイアス電
圧を印加すると、１１流ａＺｎの選択拡散領域５０（幅
５μｍ）を通じ活性層光導波路領域３１１１に注入さｎ
て発光再結合する。シー９％振の閾値電流は６０１１１
Ａで、横モードの安定性が良く光出力は２０ｍＷ程度ま
で注入電流に対し直線的に増大した。
次に第４図を用いて第３図の半導体レーザの製造方法を
示す。Ｍ ４ 回（Ｉｔ’ｓ （００１） ｎ形ＩｎＰ
基板１００上に輻３μｍの７オトレジスト膜のストライ
７６０ｔ−形成した状態を示しており、この基板を凝度
０．４％のＢｒ−メタノール溶液で旅さ４μｍまでエツ
チングした状態が第４図（ｂ）であ）、フォトレジスト
膜を剥離して第４図（Ｃ）に示すメサ基板ｌが得ら牡る
。次に結晶成長を行う。成長開始温度は６３０°Ｃで、
最初未飽和度５℃の溶液で４分間メルトバックし第４図
（ｄ）Ｋ示すメルトバックメサ基板２を形成し、その後
連続して、多層膜を成長する。ｎ形１ｎｌ’バッファ層
３０ ＊ １ｎＧ２Ａ３Ｐ活性層３１は、ｌｎＰの多結
晶が過剰に仕込まｎて浴は切らず溶液中に浮んでいる所
謂２相浴液から成長する。過飽相反が低いため平坦部と
メサストライプ１１（！：１３とに秋筐２′した領域が
分離して成長し、活性膚光纒波路３１ａが形成される。
示す。Ｍ ４ 回（Ｉｔ’ｓ （００１） ｎ形ＩｎＰ
基板１００上に輻３μｍの７オトレジスト膜のストライ
７６０ｔ−形成した状態を示しており、この基板を凝度
０．４％のＢｒ−メタノール溶液で旅さ４μｍまでエツ
チングした状態が第４図（ｂ）であ）、フォトレジスト
膜を剥離して第４図（Ｃ）に示すメサ基板ｌが得ら牡る
。次に結晶成長を行う。成長開始温度は６３０°Ｃで、
最初未飽和度５℃の溶液で４分間メルトバックし第４図
（ｄ）Ｋ示すメルトバックメサ基板２を形成し、その後
連続して、多層膜を成長する。ｎ形１ｎｌ’バッファ層
３０ ＊ １ｎＧ２Ａ３Ｐ活性層３１は、ｌｎＰの多結
晶が過剰に仕込まｎて浴は切らず溶液中に浮んでいる所
謂２相浴液から成長する。過飽相反が低いため平坦部と
メサストライプ１１（！：１３とに秋筐２′した領域が
分離して成長し、活性膚光纒波路３１ａが形成される。
次のｐ形ｌｎＰり２ツド１＃ｌｌ３２．及びｎ形ｌｎＰ
キャップ層３３は過飽オロ度１０°Ｃの准溶全用い、全
体を覆い尽して成長する。この成長形状ｔ−Ｍ４図（ｅ
）に示す。以後のＺｎの選択拡散領域５０の形成、Ａｕ
−Ｚｎ ｋ用いたｐｌＪｌ金属電極４０． Ａｕ−（ｊ
ｅ−Ｎｉ ｋ用いたｎ側金属電極４１の形成はその他の
１ｎＵａ−ＡｓＰ半導体レーザと同様であり、最後に伸
開して第４図（ｆ）に示す半導体レーザチップを得る。
キャップ層３３は過飽オロ度１０°Ｃの准溶全用い、全
体を覆い尽して成長する。この成長形状ｔ−Ｍ４図（ｅ
）に示す。以後のＺｎの選択拡散領域５０の形成、Ａｕ
−Ｚｎ ｋ用いたｐｌＪｌ金属電極４０． Ａｕ−（ｊ
ｅ−Ｎｉ ｋ用いたｎ側金属電極４１の形成はその他の
１ｎＵａ−ＡｓＰ半導体レーザと同様であり、最後に伸
開して第４図（ｆ）に示す半導体レーザチップを得る。
以上の製造プロセス、％に結晶成長プロセスで、成長開
始直前に、高温に保持していたメサ基板１をメルトバッ
クし、新しい１ｎＰＯ面全露出し、又メサ側面は＜１１
１＞面と定まった面が露出するため次のｎ形１ｎｌ’バ
ッファ層３０からの多層膜の成長の際の濡ｎが良く、成
長の再現性は良好であった。
始直前に、高温に保持していたメサ基板１をメルトバッ
クし、新しい１ｎＰＯ面全露出し、又メサ側面は＜１１
１＞面と定まった面が露出するため次のｎ形１ｎｌ’バ
ッファ層３０からの多層膜の成長の際の濡ｎが良く、成
長の再現性は良好であった。
ｗＪ５図は本発明による第２の実施例の半導体レーザの
断面図である。第２図（ｂ）で示したメルトバックメサ
基板４の上にノンドープ１ｎＧａＡｓ）’活性層３１（
Ｍ光波長１．３ｎｍ−平坦部の厚さ０．３μｍ）ｓｐ形
１ｎＰクラッド層３２（平坦部での厚さ３μｍ）ｓｎ形
１ｎＧａＡ、Ｉ’キャップ層３３（平坦部での厚さ１μ
ｍ）を連続成長する。ｐ形ｌｎＰクラッド層３２とｎ形
ＩＨＧ１ＡＢＰキャップ層３３の成長は第３図に示す第
１の実施例の場合と同じ条件でめるが。
断面図である。第２図（ｂ）で示したメルトバックメサ
基板４の上にノンドープ１ｎＧａＡｓ）’活性層３１（
Ｍ光波長１．３ｎｍ−平坦部の厚さ０．３μｍ）ｓｐ形
１ｎＰクラッド層３２（平坦部での厚さ３μｍ）ｓｎ形
１ｎＧａＡ、Ｉ’キャップ層３３（平坦部での厚さ１μ
ｍ）を連続成長する。ｐ形ｌｎＰクラッド層３２とｎ形
ＩＨＧ１ＡＢＰキャップ層３３の成長は第３図に示す第
１の実施例の場合と同じ条件でめるが。
ノンドープ１ｎＧａＡｓＰ活性層３４の成長に関しては
、過飽和度５°ｃｏ溶液から成長することにょシメサス
トライプ１７＊１８＊１９の上にも０．２μｍの厚さで
積層させている。第５図に示した半導体レーザＯ先導波
路領域となるの鉱上部Ｚｎの選択拡散領域を設けた。中
央のメサストライプ１７の上のノンドープ１ｎＧａＡｓ
Ｐ活性層の領域３１ｂである。兄振電流閾値は６０ｍＡ
であり、第１の実施例と同様な特性を示した。
、過飽和度５°ｃｏ溶液から成長することにょシメサス
トライプ１７＊１８＊１９の上にも０．２μｍの厚さで
積層させている。第５図に示した半導体レーザＯ先導波
路領域となるの鉱上部Ｚｎの選択拡散領域を設けた。中
央のメサストライプ１７の上のノンドープ１ｎＧａＡｓ
Ｐ活性層の領域３１ｂである。兄振電流閾値は６０ｍＡ
であり、第１の実施例と同様な特性を示した。
以上の２つの実施例を用いて示した様に５本発明の特徴
であるメルトバック法を用いて形成したメサストライプ
に挾まｒした＃（り部分、もしくはメサストライプの上
部に活性層光導波路領域を形成した半導体レーザを作製
することができる。上記実施例でｄｌｎｌ’ｌｎｌ用い
ているが、 Ｇ、ＡｌＡＳ等の他の直接遍移型の閂−■
族化合物半導体材料を用いることも可能でおる。
であるメルトバック法を用いて形成したメサストライプ
に挾まｒした＃（り部分、もしくはメサストライプの上
部に活性層光導波路領域を形成した半導体レーザを作製
することができる。上記実施例でｄｌｎｌ’ｌｎｌ用い
ているが、 Ｇ、ＡｌＡＳ等の他の直接遍移型の閂−■
族化合物半導体材料を用いることも可能でおる。
最後に不発明の特徴全列記すると、基板をメルトバック
し、基板状面の熱ダメージ層を払拭した後成長するため
の城長の再現性が良好なこと、累子の信！３４性が高い
こと等でしる。
し、基板状面の熱ダメージ層を払拭した後成長するため
の城長の再現性が良好なこと、累子の信！３４性が高い
こと等でしる。
第１図（ａ） ｔ （ｂ）及び第２ （Ｗ（ａ） ＊
ｔｂＪｈ本発明の基礎となるメルトバック方法を示すた
めＯメサ基板の断面図でめＬ第３図は本発明の第１の実
施例°の半導体レーザの断面図、第４図（ａ）から（０
は第３図に示す半導体レーザの製造方法を示す図ｂｉｇ
５図は不発明の第２の実施例の半導体レーザの断佃図を
示している。 図中、１＊２・・・・・・メサ基板、３ｔ４・・・・・
・ｌおよび２に対応するメルトパックメサ基板ｈ １
０＋１４＋１５・・・・・・化学エツチングによｐ形成
さｎたメサ基板ｌおよび３上のメサストライプ、１２ｓ
１３ｓ１７＋１８ｔ１９・・・・・・メルトバックによ
り形成さｒＬ’ｃメサストライプ、１６・・・−・メサ
基板２上の溝、１ｉｔ２０ ｔ ２１・・・・・・メル
トバックにより形成さｎた溝。 ３０・・・・・・ｎ形１ｎＰバ、７ア層、３１・・・・
・・ノンドープ１ｎＧａＡｓＰ活性層、３２・・・・・
・ｐ彫工ｎＰクラッドｆＷＩ、 ３３・−・−・ｎ形Ｉ
ｎ（、＋、Ａ、Ｐキｆｆ２ブＪｉｌｉ、３１ｍおよび３
１ｂ・・・・・・ノンドープＩｎＧａＡｓ）’活性層光
導波路が分離して成長した活性層光導波路領域。 ４０・・・・・・ｐ＠金＾電極、４１−・・・・・ｎ＠
金属電極、５０・・・・・・Ｚｎの選択拡散領域、６０
・・・・・・フォトレジスト編のストライプでるる。 隼 １ 図 （α） ＃３ 図 年Ｓ図 手続補３．．正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１８０５
０９号２、発明の名称 半導体レーザの製造方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ６、補正の対象 図面の第４図 Ｉ 補正の内容 第４図の図番を記載した図面を提出します。
ｔｂＪｈ本発明の基礎となるメルトバック方法を示すた
めＯメサ基板の断面図でめＬ第３図は本発明の第１の実
施例°の半導体レーザの断面図、第４図（ａ）から（０
は第３図に示す半導体レーザの製造方法を示す図ｂｉｇ
５図は不発明の第２の実施例の半導体レーザの断佃図を
示している。 図中、１＊２・・・・・・メサ基板、３ｔ４・・・・・
・ｌおよび２に対応するメルトパックメサ基板ｈ １
０＋１４＋１５・・・・・・化学エツチングによｐ形成
さｎたメサ基板ｌおよび３上のメサストライプ、１２ｓ
１３ｓ１７＋１８ｔ１９・・・・・・メルトバックによ
り形成さｒＬ’ｃメサストライプ、１６・・・−・メサ
基板２上の溝、１ｉｔ２０ ｔ ２１・・・・・・メル
トバックにより形成さｎた溝。 ３０・・・・・・ｎ形１ｎＰバ、７ア層、３１・・・・
・・ノンドープ１ｎＧａＡｓＰ活性層、３２・・・・・
・ｐ彫工ｎＰクラッドｆＷＩ、 ３３・−・−・ｎ形Ｉ
ｎ（、＋、Ａ、Ｐキｆｆ２ブＪｉｌｉ、３１ｍおよび３
１ｂ・・・・・・ノンドープＩｎＧａＡｓ）’活性層光
導波路が分離して成長した活性層光導波路領域。 ４０・・・・・・ｐ＠金＾電極、４１−・・・・・ｎ＠
金属電極、５０・・・・・・Ｚｎの選択拡散領域、６０
・・・・・・フォトレジスト編のストライプでるる。 隼 １ 図 （α） ＃３ 図 年Ｓ図 手続補３．．正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１８０５
０９号２、発明の名称 半導体レーザの製造方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ６、補正の対象 図面の第４図 Ｉ 補正の内容 第４図の図番を記載した図面を提出します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次曲に少なくとも１個の凸領域が形成さ扛た半導体
基板を、メルトバックにより前記凸領域に対応する部分
を四部とし、その両側を凸部とする凹凸領域を有するメ
ルトバック基板を形成する工程と、前記メルトバック基
板の前記凹凸領域の少なくとも一部に活性層の一部であ
る光導波路領域を形成する工程とを含むことを特徴とす
る半導体レーザの製造方法。 ２、前記光導彼路顎域が前記メルトバック基板の凹凸領
域の四部の内部にあ名ことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザの製造方法。 ３、前記光尋波路頒城が前記メルトバック基板の凹凸領
域の凸部の上部にあるこｋを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザの製造方法。 ζ 前記半導体基板が（１００）もしくはその近傍の表
面を有するＩｎＰ基板であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18050981A JPS5882585A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18050981A JPS5882585A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882585A true JPS5882585A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16084484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18050981A Pending JPS5882585A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102086A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6386594A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
| US9618147B2 (en) | 2011-01-22 | 2017-04-11 | Norma Germany Gmbh | Connecting assembly and method for producing a connecting assembly |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP18050981A patent/JPS5882585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102086A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6386594A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
| US9618147B2 (en) | 2011-01-22 | 2017-04-11 | Norma Germany Gmbh | Connecting assembly and method for producing a connecting assembly |
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