JPS5879759A - 複数個の光応答素子を有する装置 - Google Patents
複数個の光応答素子を有する装置Info
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- JPS5879759A JPS5879759A JP57183794A JP18379482A JPS5879759A JP S5879759 A JPS5879759 A JP S5879759A JP 57183794 A JP57183794 A JP 57183794A JP 18379482 A JP18379482 A JP 18379482A JP S5879759 A JPS5879759 A JP S5879759A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各光応答素子に１つの整流素子が直列接続さ
れている、複数個の光応答素子を有する装置に関する。
れている、複数個の光応答素子を有する装置に関する。
多数の光応答素子を有する装置は現在各方面に、例えば
位置センサ、録画装置に使用されている。光応答素子と
して例えば光ダイオード、ホトトランジスタ、光導電セ
ルが用いられ、これらは例えば硫化カドミウム、けい素
、アンチモン化インジウムまたはテルル化カドミウム水
銀のように所望の周波数範囲に適合する材料から成る。
位置センサ、録画装置に使用されている。光応答素子と
して例えば光ダイオード、ホトトランジスタ、光導電セ
ルが用いられ、これらは例えば硫化カドミウム、けい素
、アンチモン化インジウムまたはテルル化カドミウム水
銀のように所望の周波数範囲に適合する材料から成る。
高い空間分解能を得るために非常に多くの光応答素子が
必要である。非常に多くの光応答素子は非常に多くのリ
ード線を必要とする。
必要である。非常に多くの光応答素子は非常に多くのリ
ード線を必要とする。
本発明の課題は、できるだけわずかな数の持続端子を有
する、複数個または多くの光応答素子を有する装置を提
供することである。この課題は、各光応答素子に１つの
整流素子が直列に接続されている、複数個の光応答素子
を有する装置において本発明により次のようにして解決
される。即ち列線と行線とを有する線路マトリクスが設
けられており、第ｍ番目の行線は、第ｍ番目の列線に直
接接続され、他の列線には光応答素子と整流素子との直
列接続をその都度介して接続されてお９１行線または列
線に外部接続端子が設けられている。！た本発明によれ
ば光応答素子と整流素子との直列接続が相互に並列に接
続されている並列接続が設けられており、この並列接続
の一部分で基点が相互に接続されており、並列接続のこ
の部分の他方の基点の間に並列接続が接続されており、
この並列接続において同様に１つの光応答素子と１つの
整流素子との直列接続が相互に並列に接続されている。
する、複数個または多くの光応答素子を有する装置を提
供することである。この課題は、各光応答素子に１つの
整流素子が直列に接続されている、複数個の光応答素子
を有する装置において本発明により次のようにして解決
される。即ち列線と行線とを有する線路マトリクスが設
けられており、第ｍ番目の行線は、第ｍ番目の列線に直
接接続され、他の列線には光応答素子と整流素子との直
列接続をその都度介して接続されてお９１行線または列
線に外部接続端子が設けられている。！た本発明によれ
ば光応答素子と整流素子との直列接続が相互に並列に接
続されている並列接続が設けられており、この並列接続
の一部分で基点が相互に接続されており、並列接続のこ
の部分の他方の基点の間に並列接続が接続されており、
この並列接続において同様に１つの光応答素子と１つの
整流素子との直列接続が相互に並列に接続されている。
以下本発明の実施例につき図を用いて詳しく説明する。
実施例の説明
第１図は本発明の第１の実施例を示し、ここに１２個の
光応答素子Ｅ１〜Ｅ１２１１２個のダイオードＤ１〜Ｄ
１□及び４本のリード線Ｚ１〜ｚ４が設けられている。
光応答素子Ｅ１〜Ｅ１２１１２個のダイオードＤ１〜Ｄ
１□及び４本のリード線Ｚ１〜ｚ４が設けられている。
各素子Ｅに１つのダイオードＤが直列接続されている。
これらの直列接続は所定の方法で相互に接続されまたリ
ード線Ｚ１〜Ｚ４に接−続されている。・これらのダイ
オードＤ、〜Ｄ１□は、各素子の状態を、所定のリード
線組にある電圧を印加することにより検出することがで
きるように設けられている。この電圧はダイオードの順
方向電圧より大きくかつこの順方向電圧の２倍より小さ
くなければならない。ダイオードが例えばけい素から成
ｔ）０．６〜０．７Ｖの順方向電圧を有する場合、印加
電圧は約１ｖになる。
ード線Ｚ１〜Ｚ４に接−続されている。・これらのダイ
オードＤ、〜Ｄ１□は、各素子の状態を、所定のリード
線組にある電圧を印加することにより検出することがで
きるように設けられている。この電圧はダイオードの順
方向電圧より大きくかつこの順方向電圧の２倍より小さ
くなければならない。ダイオードが例えばけい素から成
ｔ）０．６〜０．７Ｖの順方向電圧を有する場合、印加
電圧は約１ｖになる。
第１表はどのリード線の組が各素子に対応しているかを
示す。
示す。
第 １ 表
素子 正のリード線 負のリード線”’ ＋
Ｚ １ ’ ”ｌ ２
Ｅ２ Ｚｌ’ ｚ３３Ｚ
ＩＺ４ Ｅ４ Ｚ ２ ７．３Ｅｓ
Ｚ２ ｚ３６Ｚ２Ｚ４ Ｅ？ Ｚ３ ７．ｌＥ８
Ｚ３ Ｚ２９ｚ３Ｚ４ Ｅ１ｏｚ４Ｚ１ Ｅｏ Ｚ４ ｚ２Ｅ１２
’ −Ｚ４ ’ ｚ３例えば素子
Ｅ８の状態を確認する場合、１■の電圧がリード線の組
Ｚ２．Ｚ３に加えられ、Ｚ３は正でＺ２は負である。そ
の場合この分岐を流れる電流は素子Ｅ８の照明の尺度で
ある。
Ｚ １ ’ ”ｌ ２
Ｅ２ Ｚｌ’ ｚ３３Ｚ
ＩＺ４ Ｅ４ Ｚ ２ ７．３Ｅｓ
Ｚ２ ｚ３６Ｚ２Ｚ４ Ｅ？ Ｚ３ ７．ｌＥ８
Ｚ３ Ｚ２９ｚ３Ｚ４ Ｅ１ｏｚ４Ｚ１ Ｅｏ Ｚ４ ｚ２Ｅ１２
’ −Ｚ４ ’ ｚ３例えば素子
Ｅ８の状態を確認する場合、１■の電圧がリード線の組
Ｚ２．Ｚ３に加えられ、Ｚ３は正でＺ２は負である。そ
の場合この分岐を流れる電流は素子Ｅ８の照明の尺度で
ある。
第１図の装置において４つの列線と４つの行線を有する
線路マトリクスが設けられている。
線路マトリクスが設けられている。
ここで第ｍ番目の行線は第ｍ番目の列線に直接接続され
ており、即ち第１行線は第１列線に。
ており、即ち第１行線は第１列線に。
第２行線は第２列線に、第３行線は第３列線に。
第４行線は第４列線に接続されている。他の列線には第
ｍ番目の行線がその都度光応答素子と整流素子（ダイオ
ード）との直列接続を介して接続されている。第１行線
には他の列線である第２．第３．第４列線が、第２行線
には第１゜第３．第４列線が、第３行線には第１．第２
゜第４列線が、第４行線には第１．第２．第３列線が接
続されている。
ｍ番目の行線がその都度光応答素子と整流素子（ダイオ
ード）との直列接続を介して接続されている。第１行線
には他の列線である第２．第３．第４列線が、第２行線
には第１゜第３．第４列線が、第３行線には第１．第２
゜第４列線が、第４行線には第１．第２．第３列線が接
続されている。
第２図は本発明の第２の実施例を示し、ここでは１０個
の光応答素子Ｅ１〜”＋ｏ、１０個のダイオードＤ、〜
Ｄ、。及び４本のリード線Ｚ１〜Ｚ４が設けられている
。第１の実施例のようにそれぞれ１つの素子と１つのダ
イオードが直列接続されている。この直列接続は所定の
方法で相互に交叉せずにリード線Ｚ１〜ｚ４に接続され
ている。
の光応答素子Ｅ１〜”＋ｏ、１０個のダイオードＤ、〜
Ｄ、。及び４本のリード線Ｚ１〜Ｚ４が設けられている
。第１の実施例のようにそれぞれ１つの素子と１つのダ
イオードが直列接続されている。この直列接続は所定の
方法で相互に交叉せずにリード線Ｚ１〜ｚ４に接続され
ている。
各素子の状態は第１実施例の場合と同じ方法で所定の線
路組に電圧が印加されることにより検出することができ
る。リード線Ｚ、〜ｚ４に対する素子Ｅ１〜Ｅ１０の対
応は第２表に示されている。
路組に電圧が印加されることにより検出することができ
る。リード線Ｚ、〜ｚ４に対する素子Ｅ１〜Ｅ１０の対
応は第２表に示されている。
第 ２ 表
素子 正のリード線 負のリード線Ｅ ＩＺＩ
Ｚ２ Ｅ２ Ｚ２ ＺＩＥ ３
Ｚ２ Ｚ３ ４ｚ３ｚ２ Ｅｓ ’ Ｚｔ Ｚ３Ｂ
４ Ｚｓ ＺＩＥ７
Ｚａ Ｚ４Ｅ８
Ｚ４ Ｚ３Ｅｓ
Ｚｌ、 ” Ｚ４ＥＩＯＺ４
Ｚｌ 例えば素子Ｅ５の状態を検出する場合、１ｖの電圧がリ
ード線の組Ｚ１．Ｚ３に印加され、Ｚｌは正でＺ３は負
である。この分岐を流れる電流は素子Ｅ５の照明の尺度
である。
Ｚ２ Ｅ２ Ｚ２ ＺＩＥ ３
Ｚ２ Ｚ３ ４ｚ３ｚ２ Ｅｓ ’ Ｚｔ Ｚ３Ｂ
４ Ｚｓ ＺＩＥ７
Ｚａ Ｚ４Ｅ８
Ｚ４ Ｚ３Ｅｓ
Ｚｌ、 ” Ｚ４ＥＩＯＺ４
Ｚｌ 例えば素子Ｅ５の状態を検出する場合、１ｖの電圧がリ
ード線の組Ｚ１．Ｚ３に印加され、Ｚｌは正でＺ３は負
である。この分岐を流れる電流は素子Ｅ５の照明の尺度
である。
第２図の実施例においていくつかの直列接続の並列接続
がある。実施例には５つの並列接続がある。各並列接続
は２つの直列接続を有し、この際各直列接続は１つの光
応答素子と１つの整流素子（半導体ダイオード）との縦
続接続から成る。５つの並列接続のうちの３つはそれぞ
れの基点（１，２，３）で相互に接続されている。これ
らの３つの並列接続の他の基点（４゜５．６）の間にそ
れぞれ１つの並列接続が接続されており、この並列接続
もまた光応答素子とダイオードとの２つの直列接続から
成る。
がある。実施例には５つの並列接続がある。各並列接続
は２つの直列接続を有し、この際各直列接続は１つの光
応答素子と１つの整流素子（半導体ダイオード）との縦
続接続から成る。５つの並列接続のうちの３つはそれぞ
れの基点（１，２，３）で相互に接続されている。これ
らの３つの並列接続の他の基点（４゜５．６）の間にそ
れぞれ１つの並列接続が接続されており、この並列接続
もまた光応答素子とダイオードとの２つの直列接続から
成る。
並列接続のダイオードは相互に逆並列に接続されている
。外部接続端子（Ｚ２＋ Ｚ３＋ Ｚ４）は基点４．５
．６に接続され、接続端子Ｚ１は基点１．２，３に接続
されている。
。外部接続端子（Ｚ２＋ Ｚ３＋ Ｚ４）は基点４．５
．６に接続され、接続端子Ｚ１は基点１．２，３に接続
されている。
第１図は光応答素子、ダイオード及びソー１゛線を有し
、各光応答素子に１つのダイオードが直列接続されてい
る本発明による装置の回路図、第２図はいくつかの、直
列接続の並列接続が設けられており、各並列接続が２つ
の直列接続を有し、この時各直列接続が１つの光応答素
子と１つの整流素子との縦続接続から成る本発明の第２
の実施例の回路図を示す。 Ｅ１〜Ｅ１２・・・光応答素子＋１ＤＩ〜Ｄ１２・・・
ダイオード、Ｚ１〜Ｚ４・・・リード線
、各光応答素子に１つのダイオードが直列接続されてい
る本発明による装置の回路図、第２図はいくつかの、直
列接続の並列接続が設けられており、各並列接続が２つ
の直列接続を有し、この時各直列接続が１つの光応答素
子と１つの整流素子との縦続接続から成る本発明の第２
の実施例の回路図を示す。 Ｅ１〜Ｅ１２・・・光応答素子＋１ＤＩ〜Ｄ１２・・・
ダイオード、Ｚ１〜Ｚ４・・・リード線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．１つの整流素子がそれぞれに直列接続されている複
数個の光応答素子を有する装置において１列線と行線を
有する線路マトリクスが設けられており、第ｍ番目の行
線は、第ｍ番目の列線に直接に接続され他の列線には１
つの光応答素子と１つの整流素子との直列接続をその都
度介して一接続されており、外部接続端子が行線または
列線に設けられていることを特徴とする複数個の光応答
素子を有する装置。 ２、光応答素子が光ダイオード、ホトトランジスタまた
は光導電セルである特許請求の範囲第１項記載の複数個
の光応答素子を有する装置。 ３、整流素子が半導体ダイオードである特許請求の範囲
第１項記載の複数個の光応答素子を有する装置。 ４、光応答素子と整流素子が共通の半導体部材の中に設
けられている特許請求の範囲第１項記載の複数個の光応
答素子を有する装置。 ５、ｎ２−ｎ個の素子にｎ本のリード線が設けられてい
る特許請求の範囲第１現記−の複数個の光応答素子を有
する装置。 ６１つの整流素子にそれぞれに光応答素子が直列接続さ
れている。複数個の光応答素子を有する装置において、
光応答素子と整流素子との直列接続が相互に並列に接続
されている並続のこの部分の他方の基点の間に並列接続
が接続されており、この並列接続において同様に１つの
光応答素子と１つの整流素子との直列接続が相互に並列
に接続されていることを特徴とする複数個の光応答素子
を有する装置。 ７、並列接続の整流素子が相互に接続されている特許請
求の範囲第６項記載の複数個の光応答素子を有する装置
。 ８．中間に接続された並列接続が並列接続の整流素子の
接続点の間に接続されている特許請求の範囲第６項記載
の複数個の光応答素子を有する装置。 ９、 中間に接続されているのではない並列接続の両方
の基点が外部接続端子に接続されており、整流素子の接
続点ではない方の基点は共通の接続端子を有する特許請
求の範囲第６項記載の複数個の光応答素子を有する装置
。 １０．４ｎ−６個の素子にｎ本のリード線が設けられて
おり、素子が相互に及びリード線に交叉せずに接続され
ている特許請求の範囲第６項記載の複数個の光応答素子
を有する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31420435 | 1981-10-23 | ||
| DE19813142043 DE3142043A1 (de) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | Anordnung mit mehreren lichtempfindlichen elementen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879759A true JPS5879759A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=6144680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57183794A Pending JPS5879759A (ja) | 1981-10-23 | 1982-10-21 | 複数個の光応答素子を有する装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504740A (ja) |
| JP (1) | JPS5879759A (ja) |
| DE (1) | DE3142043A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4684800A (en) * | 1986-03-14 | 1987-08-04 | Hughes Aircraft Company | Low-noise charge-injection method and apparatus for IR CCD scanning |
| US6126363A (en) * | 1996-09-03 | 2000-10-03 | Installation Systems, Llc | Vibratory plow with improved blade configuration |
| US6097373A (en) * | 1997-10-28 | 2000-08-01 | Invotek Corporation | Laser actuated keyboard system |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3400271A (en) * | 1965-06-01 | 1968-09-03 | Ibm | Scanner employing unilaterally conducting elements and including a circuit for generating a pointed voltage distribution |
| US3593067A (en) * | 1967-08-07 | 1971-07-13 | Honeywell Inc | Semiconductor radiation sensor |
| NL7018169A (ja) * | 1970-03-09 | 1971-09-13 | ||
| US3697760A (en) * | 1971-08-17 | 1972-10-10 | Comp Generale Electricite | Optical-electrical movement detector utilizing staggered rows of photodetectors and logic for determining the location of a luminous spot |
| JPS5237734B2 (ja) * | 1972-06-22 | 1977-09-24 | ||
| US3952324A (en) * | 1973-01-02 | 1976-04-20 | Hughes Aircraft Company | Solar panel mounted blocking diode |
| DE2942777A1 (de) * | 1979-10-23 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Matrix-anordnung bistabiler schaltelemente |
| US4390791A (en) * | 1980-03-31 | 1983-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric transducer |
| JPS5711568A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Reader for original |
-
1981
- 1981-10-23 DE DE19813142043 patent/DE3142043A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-10-21 JP JP57183794A patent/JPS5879759A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-22 US US06/436,025 patent/US4504740A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3142043A1 (de) | 1983-05-05 |
| US4504740A (en) | 1985-03-12 |
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