JPS5867016A - Manufacture of thin film - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a thin film with high orientation, by a method wherein the film is formed by eliminating atoms that do not incident in the vertical direction agaist a substrate. The method is related to the dry process such as the sputtering, the vacuum deposition and the ion plating processes. CONSTITUTION:RF diode sputtering device is used to form film, and it is fully baked. Before starting of sputtering, the vacuum degree in a belljar must be made less than 5.0X10<-7> Torr. A mask made of stainless steel is attached on the front surface of a substrate. Film is formed for each mask Fig (d), (e) and (f) show-the masks eliminating the atoms that incidents in the inclined direction. H-cut mask is used to form film on the atoms that incident in the vertical direction against the subtrate. The length of a pipe 4 is in order of (d), (e), (f). The angle between the center P of the substrate 3 and the upper edge of the pipe 4, that is potential angle alpha from the substrate center becomes 30 deg. for (d),40 deg. for (e), and 60 deg. for (f). The film made by using the masks is I0002/d larger than the one made without using the masks, and its crystallizability as well as the orientation in the C axis direction is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は向い結晶の配向性を有する薄膜の作製方法に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a thin film having oriented crystal orientation.

今日向い結晶配向性を有する薄膜作製技術の確立か強く
望１ｔしている。尚配向性薄膜を応用する例としてはＣ
ｏ−Ｒｕ　、　Ｃｏ−Ｃｒ　ｈｃｐ＃ｇ造膜においてＣ
軸配回膜７用いる尚Ｗｉ：８＊密度用垂直記録媒坏、塾
らにはＺｎＵ　、　ＣｄＳ　、　ＡＬＮなどのＣ軸配向
性ｍを用いる表面弾性波素子などかめけられる。Today, there is a strong hope that a technology for producing thin films with oriented crystal orientation will be established. An example of applying an oriented thin film is C.
o-Ru, Co-Cr hcp#g C in film formation
In addition, perpendicular recording media for Wi:8* density using the axis alignment film 7, surface acoustic wave elements using C-axis orientation m such as ZnU, CdS, ALN, etc. can be used.

磁性薄膜にふ・いて垂直磁化状態を実現するには、膜面
垂直方向の巣万性＠場（ＨＫ　）全最大反磁場（４πＭ
ｓ　）よりも大きくする必資がめる。従って、ｙｉｓの
尚いＣＯ盆オリ用して垂直磁化状態ケ実現するためには
、（１）合雀化にエクＭｓｆ低下δせ、反蝮楊會減少さ
せる。（２）ｈｃｐ相Ｃ＠を基板に対して垂直方向に鋭
く配同芒ぜＨＫ會できる限り大きくするこ従来型ｉｈ磁
化状態を示すＣｏ系合金薄膜はＲＦスパッタ法、真空蒸
宥法により作製さＣたＧｏ−’Ｒｕ膜およびＣｏ−Ｃｒ
膜が報告されている。（Ｓ、Ｈｉｒｏｎ。To achieve a perpendicular magnetization state in a magnetic thin film, the total maximum demagnetizing field (4πM
s). Therefore, in order to realize the perpendicular magnetization state by using the CO basin in yis, (1) the ex-Msf decrease δ and the reciprocal reciprocation must be reduced. (2) The hcp phase C@ is sharply distributed in the direction perpendicular to the substrate, and the HK phase is made as large as possible.The Co-based alloy thin film exhibiting the conventional IH magnetization state is fabricated by RF sputtering and vacuum evaporation. Co-Go-'Ru film and Co-Cr
membrane has been reported. (S. Hiron.

ｅｔ　ａｔ　：　Ｊｐｎ、　Ｊ、　Ａｐｐｌ　、　Ｐｈ
ｙａ、　２０１９８１　Ｌ５７１　、　Ｙ、Ｍａｅｄａ
ｅｔ　ａｔ：　Ｊｐｎ、　Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｂ）’
ｓ、２０　（１９８１）、　Ｌ４６７　）従来検討さｔ
てきた作製方法上用いると、膜形成初期ではＣ＠は基板
に対し鋭く配向できないことが知られている。Ｇｏ−Ｃ
ｒ膜においでは［’０００２］面のロッキングカーブの
半値巾は膜形成初期では大きく、膜形成が進むにつｎて
半値巾が減少する。νＩ」ち、膜形成初期にはＣ軸の分
散は大きくＣ軸配向性は良好ではない。−万、ｃｏ−Ｒ
ｕ膜においては膜形成初期は［１０００：］配向であ９
％膜厚か増加するにつ扛て配向力向が変化し、おる程度
で浮くなめと〔０００１〕配向の膜が得られることが報
告さ扛ている。ｌた、垂直磁化状Ｍを示すＣｏ−Ｒｕ膜
に求いては基板に対し、水平方向および垂直方向の１１
＋　−Ｈカーブは外部ａ場が１４．５　Ｋ（ト）におい
ても飽和せ丁、磁気的にハードな膜でろることも知らｆ
している。（Ｓ、　Ｈｉｒｏｎ。et at: Jpn, J, Appl, Ph
ya, 201981 L571, Y, Maeda
et at: Jpn, J, Appl, Pb)'
s, 20 (1981), L467) previously considered
It is known that C@ cannot be sharply aligned with respect to the substrate in the initial stage of film formation when using the manufacturing method that has been developed. Go-C
In the r film, the half-width of the rocking curve of the ['0002] plane is large at the initial stage of film formation, and as the film formation progresses, the half-width decreases. νI'' In the initial stage of film formation, the C-axis dispersion is large and the C-axis orientation is not good. -Man, co-R
In the U film, the initial stage of film formation is [1000:] orientation 9
It has been reported that as the film thickness increases, the direction of the orientation force changes, and a film with a floating slant and [0001] orientation can be obtained. In addition, for a Co-Ru film exhibiting perpendicular magnetization shape M, it is necessary to
It is also known that the + -H curve is saturated even when the external a field is 14.5 K (g), and that this is true for magnetically hard films.
are doing. (S. Hiron.

ｅｔａｊ：同上）このＣ１１１１配向の不足は合金膜の
塩の低下をもたらし垂直磁化状態実現に対し抑制効果を
もたらすた６ブでなく、保磁力（Ｈａ）の低下をもたら
し、その鮎果浅貿磁化（Ｍｒ）の低下、即ち再生出力の
低下ｔもたらすという欠点ケ有している。etaj: Same as above) This lack of C1111 orientation causes a decrease in the salt content of the alloy film, which has a suppressive effect on realizing the perpendicular magnetization state, but also causes a decrease in coercive force (Ha), resulting in shallow trade magnetization. This method has the disadvantage that it causes a decrease in (Mr), that is, a decrease in reproduction output t.

さらに従来の磁気的にノ・−ドなＣｏ−Ｒｕ膜では、記
録に際しマイナーＭ　−Ｈカーブ勿たどることになり、
この現象も１ｆｃＭｒの低下即ち再生出力の低下金もた
らすという欠点金有している０ 以上述べてきたように、従来の作製法ではＣ軸配向は不
足であり、より配向性を向上させる技術の確立が必懺と
される。Furthermore, with the conventional magnetically noded Co-Ru film, a minor M-H curve is followed during recording.
This phenomenon also has the disadvantage of causing a decrease in 1fcMr, that is, a decrease in the reproduction output.As mentioned above, the C-axis orientation is insufficient in the conventional manufacturing method, and technology has been established to further improve the orientation. is required.

本発明はスパッタリング法、真空蒸看法、およびイオン
グレーティング法尋の乾式法により薄膜全作製する場合
、基板に対し垂直方向からはずｎた方向より入射する原
子を除去しつつ薄膜を形成することを特徴とし、その目
的は従来の作製法に比し、高配向性の薄膜上作製すると
ころにある。The present invention is characterized by forming a thin film while removing atoms incident from a direction deviated from the perpendicular direction to the substrate when the entire thin film is manufactured by a dry method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, or an ion grating method. The purpose of this method is to fabricate a thin film with a higher degree of orientation than conventional fabrication methods.

本発明者勢は鍋配同性膜が要求さｎる垂直磁化媒体に関
して、その作製方法２作製因子について詳細に検討した
。その結果、従来知ら７’してぃた、残留ガスおよびｈ
ｃｐ相以外の他相（ｆｅｅ、テトラゴナル相）の析出、
堆積速度等の作製因子以外に、入射原子の基板に対する
入射角度が膜の配向性に著しい効果を与えることが判っ
た。入射原子の基板に対する入射角度が基板平行成分を
多く有する場合、Ｃ軸配向は限外され％　　［０００１
）面だけではなく、〔１０１０〕面、　（ｘｏｉｇ面も
基板に平行に析出し、膜のＣ軸配向性は著しく低下し、
膜面垂直方向の結晶磁気異方性が低下すること全観測し
た。一方、入射角度が基板平行成分を多く有する入射原
子全除去し、基板に対し垂直成分を主体とする入射原子
により、ＩＩを作製する場合では、従来得らｔしていた
膜よりも著しくＣ軸配向性が向上し、烏い結晶磁気異方
性を有することが分った。このように、基板に対し垂直
方向からはず扛た方向よジ入射する原子を除去する遮蔽
物を基板の前面に設置することにより、膜のＣ軸配向性
は者しく向上する。The inventors of the present invention have conducted a detailed study on two manufacturing factors regarding a perpendicular magnetization medium that requires a pan-isolated film. As a result, residual gas and h
Precipitation of phases other than the cp phase (fee, tetragonal phase),
In addition to fabrication factors such as deposition rate, it has been found that the angle of incidence of the incident atoms with respect to the substrate has a significant effect on the orientation of the film. When the angle of incidence of incident atoms on the substrate has many components parallel to the substrate, the C-axis orientation is limited and % [0001
) plane, but also [1010] plane and (xoig plane) are deposited parallel to the substrate, and the C-axis orientation of the film is significantly reduced.
It was observed that the magnetocrystalline anisotropy in the direction perpendicular to the film surface decreased. On the other hand, when forming II by removing all of the incident atoms whose incident angle has many components parallel to the substrate and using incident atoms whose main component is perpendicular to the substrate, the C-axis It was found that the orientation was improved and the crystalline magnetic anisotropy was improved. In this way, the C-axis orientation of the film can be clearly improved by providing a shield in front of the substrate to remove atoms incident on the substrate in a direction deviating from the perpendicular direction.

以下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail based on Examples.

〔実施例１〕　膜形成にＲＦダイオードスパンタ装置１
１１１．金用いた。ターゲットとして、直径８３の純コ
バルト円板上にＬ径４日のルテニウムのペレットを設置
し、Ｃｏ−Ｒｕ膜を作製した。ターゲット囲槓中ルテニ
ウムペレットの占める割付ｗ　２７ｘに定めた。基板に
はコーニング社製加×加×０．５調のガラス板金用いた
０スパツタ装置を十分ベーキングし、スハツタ開始前の
ペルジャー内の真空度’ｉ　５．ＯＸ　１Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒ以下にする。スパッタ条件はアルゴン圧１．０　Ｘ　
１０”−２Ｔｏｒｒ　、ターゲットと基板間距離４副、
基板温度２００℃、スパッタパワー密度４Ｗ／−である
。さらに、第１図に示すステンレス製のマスクを基板前
面にと９つけて、各マスクごとに膜形成を行った。第１
図中（ａ）　＝　Ｑ））　、　（ｃ）のマスクは基板垂
直方向の入射原子を除去し、斜め入射原子主体に膜形成
を行うためのマスクであジ、この構造は円板１に脚２會
設けた構造を示しており、脚の長さは（ａ）　、　（ｂ
）　、　（ｃ）へと順次長くなっている０基板の中心Ｐ
から円板の周縁を見る線と基板との間に形成される見込
み角αは（ａ）は３０°、伽）は４５’　、　（ｃ）は
６０’になるように作製さｎている。この（ａ）　、　
（ｂ）　。[Example 1] RF diode spanner device 1 for film formation
111. I spent money. As a target, a ruthenium pellet with an L diameter of 4 days was placed on a pure cobalt disk with a diameter of 83 mm to produce a Co-Ru film. The allocation of the ruthenium pellets in the target surrounding area was determined to be 27x. A sputtering device using a glass sheet metal manufactured by Corning Co., Ltd. with a scale of 0.5 is thoroughly baked, and the degree of vacuum in the Pelger before starting sputtering is 5. OX 1O-7Tor
Make it less than or equal to r. Sputtering conditions are argon pressure 1.0X
10"-2 Torr, 4 sub distances between target and board,
The substrate temperature was 200° C., and the sputtering power density was 4 W/−. Further, stainless steel masks shown in FIG. 1 were attached to the front surface of the substrate, and a film was formed for each mask. 1st
In the figure, the masks shown in (a) = Q)) and (c) are masks for removing incident atoms in the vertical direction of the substrate and forming a film mainly on obliquely incident atoms. The structure has two legs, and the lengths of the legs are (a) and (b).
), the center P of the 0 substrate becomes longer sequentially to (c)
The angle of view α formed between the line viewed from the periphery of the disk and the substrate is 30° in (a), 45' in (a), and 60' in (c). This (a),
(b).

（ｅ）のマスクｔ−■カットマスクと呼ぶ。一方、第１
図中、　（ｄ）　、　（ｅ）　、　（ｆ）のマスクは斜
め入射原子全除去し、基板垂直方向の入射原子主体に膜
形成を行うためのマスクであり、この構造は円板状の台
３上に円筒形のパイプ４を取りつけた構造をしており、
パイプ４の長さは（ｄ）　、　（ｅ）　、　（ｆ）の順
に長くなっている。基板の中心Ｐから基板はこのパイプ
の中におかれるもので、基板の中心Ｐから、パイプの上
縁を見る線と基板との間の角度すなわち基板中心からの
見込み角ａは（ｄ）が３０°、（ｅ）が４５’　、　（
ｆ）が■°になるように作製されている。この（ｃｔ）
　ｐ　（ｅ）、　（ｆ）のマスクｆ：Ｈカットマスクと
呼ぶ。The mask in (e) is called t-■ cut mask. On the other hand, the first
In the figure, the masks (d), (e), and (f) are used to remove all obliquely incident atoms and form a film mainly on the incident atoms in the vertical direction of the substrate. It has a structure in which a cylindrical pipe 4 is attached on top of the pipe 3.
The length of the pipe 4 increases in the order of (d), (e), and (f). The board is placed in this pipe from the center P of the board, and the angle between the board and the line looking at the upper edge of the pipe from the center P of the board, that is, the viewing angle a from the center of the board is (d). 30°, (e) is 45', (
f) is manufactured to be ■°. This (ct)
Mask f of p (e), (f): It is called an H-cut mask.

初めに、■カッ）−ｒスフを用いて作製した膜の特性に
ついて述べる。第２図（イ）に（ａ）のマスクを用いて
作製した膜とマスクを用いないで作製した膜のＸ線回折
パターン（ＣｕＫａ線を用いた。）全示す。マスクを用
いないで作製した膜（ロー参照）では（０００２）回折
線しか存在せず、完全なＣ軸配置口」した膜でおる。し
かし、（ａ）マスクを用いて作製した膜では、　［ｘｏ
ｉｏ）　、　ｃｘｏｉｘ：＋回折縁が紹めら扛、Ｃ軸配
向が著しく低下していることが判る。Ｃ軸配向性の程一
度を評価するため、マスクの見込み角に対するＩ　１０
００　／　Ｉ　０００２　ｋ第３図に示す。この図より
、■カットマスクを用いた場合では、マスクを使用しな
い場合に比し、１１０１０回折線が存在し、Ｃ軸配向性
か低下することが判る。以上が、垂直入射成分を除去し
、斜め入射成分主体に膜形成した結果であり、次に、こ
扛とは逆にＨカットマスクを用い′ｆｃ場合、即ち垂直
成分主体に膜形成さｎた場合について述べる。First, the characteristics of the film produced using ① Ka)-r will be described. FIG. 2(a) shows the complete X-ray diffraction patterns (using CuKa rays) of the film produced using the mask of (a) and the film produced without using the mask. In the film produced without using a mask (see Low), only the (0002) diffraction line exists, and the film has a complete C-axis alignment. However, in the film prepared using (a) mask, [xo
io), cxoix: It can be seen that the + diffraction edges are introduced and the C-axis orientation is significantly reduced. In order to evaluate the degree of C-axis orientation, I 10 with respect to the viewing angle of the mask
00/I 0002 k shown in Figure 3. From this figure, it can be seen that when the cut mask is used, the 11010 diffraction line is present and the C-axis orientation is lower than when no mask is used. The above is the result of removing the vertically incident component and forming a film mainly on the obliquely incident component.Next, in contrast to this method, when using an H-cut mask, the film is formed mainly on the vertically incident component. Let's talk about the case.

Ｒカットマスク（ｄ）　、　（ｅ）　、　（ｆ）　を用
いた作製した膜のＸ線回折パターンには（０００２）回
折線しか認めら扛ず、Ｃ軸配向した膜であることが判っ
た。基板面垂直方向の結晶性を評価するため、単位膜厚
あたりの（０００２）回折ｉｕｔ度を第４図に示す。こ
の図より、Ｈカットマスクを用いて作製された膜は、マ
スクを用いないで作製され九膜に比し、　１０００ｇ／
ｄが大きく、特に見込み角が６０°のマスク（マスクｆ
）を用いて作製さｎた膜では約１０倍も大きな値會有す
ることが判る。このように、Ｈカットマスクを用いて作
製した膜はＣ軸方向の結晶性が同上し。In the X-ray diffraction patterns of the films produced using R-cut masks (d), (e), and (f), only the (0002) diffraction line was observed, indicating that the films were C-axis oriented. In order to evaluate the crystallinity in the direction perpendicular to the substrate surface, the degree of (0002) diffraction iut per unit film thickness is shown in FIG. From this figure, the film produced using the H-cut mask has a lower weight of 1000 g/m compared to the nine films produced without using a mask.
d is large, especially a mask with a viewing angle of 60° (mask f
) is found to have a value about 10 times larger. In this way, the film produced using the H-cut mask has the same crystallinity in the C-axis direction.

Ｃ軸配向性が同上する。Ｃ軸配向性を磁気的性たら評価
するため、膜面垂直方向に測定した残留磁化（Ｍｒ（±
））／膜面平行方向に測定した残留磁化（Ｍｒ（／／）
　）を第５図に示す。The C-axis orientation is the same as above. In order to evaluate the C-axis orientation as a magnetic property, the residual magnetization (Mr (±
))/Residual magnetization measured in the direction parallel to the film surface (Mr(//)
) is shown in Figure 5.

Ｈカットマスクを用いた膜では、Ｍｒ（±）　／　Ｍｒ
（／／）は、マスクを使用しないで作製した膜よりも大
きく、特に６０°−ｒｘり全相いた場合Ｍｒ（±）　／
　Ｍｒ　（、／／）は約２．２倍の同上が紹めらｎた。For the film using H-cut mask, Mr(±)/Mr
(//) is larger than the film prepared without using a mask, especially when all phases are present at 60°-rx, Mr(±)/
Mr (, //) was introduced as above about 2.2 times.

こりようにＨカットマスクを用いると膜面垂直方向の磁
気異方性が向上しており、このことからも、Ｃ軸配向性
が向上していることが分る。When an H-cut mask is used, the magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the film surface is improved, and this also shows that the C-axis orientation is improved.

第６図（イ）にマスクを使用しない場合と、（ロ）に６
０゜マスクを使用して作製しｆｃＭｌｋの膜面垂直方向
に測定し九Ｍ−Ｈループを示す。マスクを使用していな
い膜では、Ｍ−Ｈループは外部ｔＩａ場が１０ＫＯｅで
も飽和していないのに対し、６０’マスクを使用した膜
では約５Ｋ（ト）で飽和している。Figure 6 (a) shows when no mask is used, and (b) shows 6
It was prepared using a 0° mask and measured in the direction perpendicular to the film surface of fcMlk, showing nine M-H loops. In the film without a mask, the M-H loop is not saturated even with an external tIa field of 10 KOe, whereas in the film with a 60′ mask, it is saturated at about 5 K(t).

以上説明してきたように、基板垂直方向に入射する原子
を除去し、斜め入射原子主体に膜形成させると、Ｃ軸配
向性は著しく劣化するのに対し、斜め入射原子全除去し
垂直方向に入射する原子主体に膜形成ちせると、Ｃ軸配
向性が著しく向上する０ 〔実施例２　）　　Ｃｏ−Ｃｒ膜ｆ：ＲＦダイオードス
パッタ法で作製した。スパッタ条件基板は実施例１と同
じである。Ｃｒベレット面積がターゲット全体の面積に
占める割合は加％である。第１図のＨカットマスクを用
いて膜形成全行った。第７図に、Ｍｒ（±）　／　Ｍｒ
（〃）のマスク見込み角依存性を示す。As explained above, if the atoms incident perpendicularly to the substrate are removed and the film is formed mainly by obliquely incident atoms, the C-axis orientation deteriorates significantly, whereas if all obliquely incident atoms are removed and the film is formed mainly by obliquely incident atoms, When the film is formed mainly by atoms, the C-axis orientation is significantly improved. Example 2 Co--Cr film f: Produced by RF diode sputtering method. The sputtering conditions and substrate were the same as in Example 1. The ratio of the area of the Cr pellet to the area of the entire target is %. All film formation was performed using the H-cut mask shown in FIG. In Fig. 7, Mr(±)/Mr
The dependence of (〃) on the mask viewing angle is shown.

Ｃｏ−Ｃｒ膜においても％　Ｃｏ−Ｒｕ膜同様Ｈカット
マスク？用いるとＣ軸配向性が向上するため、マスクを
使用しないで作製した腺に比しＭｒ（±）　／　Ｍｒ（
〃）の向上が認められる。%H cut mask for Co-Cr film as well as Co-Ru film? Since the C-axis orientation improves when using a mask, Mr(±) / Mr(
Improvement in 〃) was observed.

〔実施例３〕　直径８ｃｆＲのディスク基板に膜形成を
行うため第８図に示すマスクを作製した。このマスクは
直径１０ｍの円筒１１の内部に、シ＠シ板１２１１−軸
方向に平行に設けたものである。このマスク全土から見
た場合、内部では１辺が５ｍの正方形になるようにしき
り板νが設けられている。このマスクの厚さが４．５■
及び２．５　ｔｅａの２棟のマスクを使用した。膜形成
にはＲＦタイオードスパッタ装置を用いた。ターゲット
としては、直径１７ｃＩｎの０円板上に直径４■のルテ
ニウムベレットヲ設置し、Ｃｏ−ＲｕＷ！１．を作製し
た。ターゲット面積中ルテニウムペレットの占める割合
に７１’Ｘに定めた。[Example 3] A mask shown in FIG. 8 was prepared in order to form a film on a disk substrate having a diameter of 8 cfR. This mask is provided inside a cylinder 11 with a diameter of 10 m, parallel to the axial direction of the shingle plate 1211. When viewed from the entire surface of this mask, a partition plate ν is provided so that the inside of the mask forms a square with one side of 5 m. The thickness of this mask is 4.5cm
and 2.5 tea masks were used. An RF diode sputtering device was used for film formation. As a target, a ruthenium pellet with a diameter of 4 cm was set on a 0 disc with a diameter of 17 cIn, and Co-RuW! 1. was created. The proportion of ruthenium pellets in the target area was set at 71'X.

基板には、直径８備、厚さ０．２ｃｎ１．表面をアルマ
イト化（アルマイト層２μｍ＞したＡｔ基板金用いた。The substrate has a diameter of 8 mm and a thickness of 0.2 cm. An At substrate gold whose surface was anodized (an alumite layer of 2 μm thick) was used.

スパッタ装置を十分ベーキングし、スパッタ開始前のペ
ルジャー内の真空度’ｋ　５．ＯＸ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒ
以下にする。スパッタ条件はアルゴン圧１．０Ｘ１０”
−２Ｔｏｒｒ。Thoroughly bake the sputtering equipment and check the degree of vacuum in the Pelger before starting sputtering. 5. OX 1O-7Torr
Do the following. Sputtering conditions are argon pressure 1.0 x 10"
-2 Torr.

ターゲットと基板間圧１ｗ１５　ｃｍ　、基板温度１５
０　℃。Pressure between target and substrate 1w15 cm, substrate temperature 15
0℃.

スパッタパワー密度２Ｗ／ｃＩＩである。The sputtering power density was 2 W/cII.

基板、マスク、ターゲットとも平行かっ、基板。The substrate, mask, and target are parallel to each other.

マスク、ターゲットと中心が１直線上にならぶように配
置した。さらに、マスクと基板間距離全１圏とした。第
９図に、Ｍｒ（±）　／　Ｍｒ（ｙｙ）のマスク厚さ依
存性を示す。この因から分るように、マスクを用いない
場合に比し、マスク金柑いて作製した膜では、　Ｍｒ（
１）　／　Ｍｒ　（／／）に向上が認められ、この場合
でも膜のＣ軸配向性が向上していることが分る。尚前記
の遮蔽物において、管の長さの２乗が、しきυ板により
分割さｎた部分の、分割面積の平均値の１１５００がら
２００倍であることが好ましい。The mask and target were placed so that their centers were aligned in a straight line. Furthermore, the distance between the mask and the board was set to one circle. FIG. 9 shows the mask thickness dependence of Mr(±)/Mr(yy). As can be seen from this factor, compared to the case where no mask is used, the film prepared using the masked kumquat has a lower Mr(
1) An improvement was observed in / Mr (//), indicating that the C-axis orientation of the film was also improved in this case. In the above-mentioned shield, it is preferable that the square of the length of the pipe is 11,500 to 200 times the average value of the divided areas of the parts divided by the υ plates.

〔実施例４〕　基板を１秒間に３°、６°、　１２°回
転させｌがら膜形成全行った。基板回転以外の膜形成条
件は実施例３と全く同じである。この場合も、マスクの
無い場合に比しＭｒ（±）　／　Ｍｒ　（／／）は同上
し、基板を回転しても、マスクによるＣ軸配向性の向上
は認められた。第１０図に基板の回転角６°／　ａｅｃ
で作製した膜のＭｒ（１）　／　Ｍｒ（／／）を示す。[Example 4] All film formation was performed while rotating the substrate by 3°, 6°, and 12° per second. The film forming conditions other than substrate rotation are exactly the same as in Example 3. In this case as well, Mr(±)/Mr(//) was the same as that without the mask, and even when the substrate was rotated, the improvement in C-axis orientation due to the mask was observed. Figure 10 shows the rotation angle of the board 6°/aec
Mr(1)/Mr(//) of the film prepared in is shown.

〔実施例５〕　第１１図（イ）に示す内径６ｍ、長さ２
．５　ｍ及び４．５　ｗｉ、の円筒２１を（ロ）図に示
すように、並行に配列したハテノス状の構造を有するマ
スク２２ヲ作製した。このマスクを用い、実施例３と同
じ条件で膜形成を行った。第ν図にＭｒ　（Ｊ−）　／
　Ｍｒ　（ｔυのマスク厚依存性を示す。このマスクを
使用しても、実施例３同様、Ｃ軸配向性の向上が認めら
れる。さらに、実施例４同様このマスクを用いて基面、
前記の遮蔽物において、管の長さの２乗が、各管の平均
断面積のｖｓｏｏから２００倍であることが好ましい。[Example 5] Inner diameter 6 m, length 2 as shown in Figure 11 (a)
．． A mask 22 having a hateno-like structure in which cylinders 21 of 5 m and 4.5 wi were arranged in parallel as shown in FIG. Using this mask, film formation was performed under the same conditions as in Example 3. In figure ν, Mr (J-) /
The mask thickness dependence of Mr (tυ is shown. Even when this mask is used, the C-axis orientation is improved as in Example 3. Furthermore, as in Example 4, using this mask, the base surface,
In the above-mentioned shield, it is preferable that the square of the length of the tube is 200 times the average cross-sectional area of each tube vsoo.

〔実施例６〕　実施例５で用いた小円筒２１を、マスク
の厚さ方向に対し、６°傾けた、第１３図に示すマスク
２３を作製した。ディスクの直径は１０　ｏｎ　。[Example 6] A mask 23 shown in FIG. 13 was manufactured in which the small cylinder 21 used in Example 5 was tilted at 6 degrees with respect to the thickness direction of the mask. The diameter of the disc is 10 on.

厚さは２．５冒又は４．５　ｍである。このマスクを使
用し、実施例４と同じスパッタ条件で膜作製を行った。The thickness is 2.5 mm or 4.5 m. Using this mask, a film was formed under the same sputtering conditions as in Example 4.

基板回転角は６°／　ｓｅｃである。第１３図に示すよ
うに、基板の回転方向に小円筒が傾くように設定されて
いる。第１４図に、マスクを用いないで作製した膜、実
施例５で使用し７ｃマスクを用いて作製した膜（図中、
直角マスクに対応）、第１２図のマスクを用いて作製し
た膜（図中、＃Ｉ斜マスクに対応）のＭｒ（±）　／　
Ｍｒ（／／）　（−ｖ　スフ厚４．５ｓａｍ）ｋ示す。The substrate rotation angle is 6°/sec. As shown in FIG. 13, the small cylinder is set to be inclined in the direction of rotation of the substrate. Figure 14 shows a film produced without using a mask, and a film produced using a 7c mask used in Example 5 (in the figure,
Mr (±) / of the film produced using the mask shown in FIG.
Mr (//) (-v thickness 4.5 sam)k is shown.

マスクを用いて作製した膜は、マスクを使用しない膜に
比しＭｒ　（±）　、／　Ｍｒ（／／）が大きくＣ軸配
向性が向上している。さらに、マスクを用いた膜でも、
傾斜マスクを用いた膜は直角マスクを用いの方がＣ軸配
向性にはより効果が認められる。なお遮蔽物において仕
切板あるいは中空の管の傾き角は、基板の１秒当りの回
転角の１１５〜５倍とすることが好ｌしい０ 〔実施例７〕　真空蒸着法でＣｏ−Ｃｒ　ｌ［’を作製
した。蒸着前にチャンバーを十分ベーキングし、２、Ｏ
Ｘｌ０−７Ｔｏｒｒ以下にする。真空ポンプにはイオン
ポンプおよびＴｉ　サブリメーションポンプ會使用した
。基板と蒸発源量販ａは１５５ＩでめるＯ加熱方法とし
て′電子ビーム加熱方式を用いた。アーク溶解法により
作製したＣｏ−Ｃｒ　（Ｃｒ　２０　ａｔ％）インゴッ
トを使用した０基板温度は１５０℃、堆積速度は５００
　；　７分にｖ４ｇＭした０基板にはコーニング社製２
０　Ｘ　２０　Ｘ　Ｏ，５ｔｘｍのガラス板を使用した
○マスクとしては第１図に示しｆｃＨカットマスク（ｅ
）　、　（ｆ）　ｋ使用した０第１５図にＭｒ（±）　
／　Ｍｒ（／／）のマスク見込み角依存性を示す。マス
クを用いないで作製した膜に比し、Ｈカットマスクを用
いて作製し７’ＣＭは、スパッタ法程崩着ではないが、
Ｍｒ（±）　／　Ｍｒ（ｔｔ）が大さく、真空蒸着法に
おいてもＨカットマスクは、Ｃ軸配向性を向上させるこ
とが分る。The film produced using a mask has larger Mr (±) and /Mr (//) and improved C-axis orientation compared to a film that does not use a mask. Furthermore, even with a membrane using a mask,
For films using a tilted mask, use of a right-angled mask is more effective in terms of C-axis orientation. In addition, it is preferable that the inclination angle of the partition plate or hollow tube in the shield is 115 to 5 times the rotation angle per second of the substrate. [Example 7] Co-Cr l [ ' was created. Before deposition, thoroughly bake the chamber and
Xl0-7 Torr or less. An ion pump and a Ti sublimation pump were used as vacuum pumps. The substrate and evaporation source mass market a were heated using 155I, and an electron beam heating method was used as the heating method. Using a Co-Cr (Cr 20 at%) ingot produced by arc melting, the substrate temperature was 150°C and the deposition rate was 500°C.
; Corning 2 was used for the 0 board that was v4gM in 7 minutes.
The fcH cut mask (e
), (f) Mr (±) in 0 Figure 15 using k
/ Mr(//) shows mask viewing angle dependence. Compared to the film produced without using a mask, 7'CM produced using an H-cut mask does not suffer from collapse as much as the sputtering process, but
It can be seen that the H-cut mask has a large Mr(±)/Mr(tt) and improves the C-axis orientation even in the vacuum evaporation method.

実施例１，２．７で示したように乾式法で薄膜を形成さ
せる場合、基板に対し垂直方向からはずｎた方向よシ入
射する原子を除去する遮蔽物全基板とターゲットもしく
位蒸発源の間に設置すると薄膜の配向性は著しく向上す
る。一方、逆に垂直入射成分を除去し斜め入射原子を主
体に膜形成させると膜の配向性は著しく劣化する。従っ
て本発明に２いては、膜形成時に斜め入射原子全除去す
ることが、本質的な要件であり、この方法音用いる゛と
膜の配向性は著しく向上する○垂直磁イビ媒体として用
いられるＣｏ−Ｒｕ　、　Ｃｏ−Ｃｒ膜では、本発明を
用いることによ５．Ｃ軸配向性が向上し、膜面垂直方向
の結晶磁気異方性が同上する結果、尚記録密度化が可能
な媒体を作製でさる利点がろる０さらにＣｏ−Ｒｕ膜に
おいては、従来の作製法では外部磁場が１０ＫＯｅでも
Ｍ−Ｈループが飽和しない膜しか作製できない欠点金有
していたが、本発明を用いることによル、外部磁場が５
　Ｋ　Ｏｅでも飽和する膜が作製でき、高記鍮密度化阻
害因子を除去することか可能となった。As shown in Examples 1 and 2.7, when forming a thin film by a dry method, a shield is used to remove atoms incident on the substrate from directions deviating from the perpendicular direction, and a target or an evaporation source is used. When placed between the two, the orientation of the thin film is significantly improved. On the other hand, if the perpendicularly incident component is removed and a film is formed mainly of obliquely incident atoms, the orientation of the film will be significantly degraded. Therefore, in the present invention, it is an essential requirement to remove all obliquely incident atoms during film formation, and when this method is used, the orientation of the film is significantly improved. -Ru, Co-Cr film, by using the present invention, 5. As a result of improved C-axis orientation and improved crystalline magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the film surface, there is a further advantage in producing media that can increase recording density. The manufacturing method had the disadvantage that it could only produce a film in which the M-H loop was not saturated even with an external magnetic field of 10 KOe, but by using the present invention, the external magnetic field could be reduced to 5 KOe.
A film that is saturated even with K Oe could be produced, making it possible to remove high-density inhibiting factors.

実施例３〜７は本発明全磁気ディスク作製を可能とする
ため試みられたものである。再度ここで述べるが、本発
明の要件は斜め入射原子を除去するところにあり、実施
例３〜７で述べた方法はその１例にすき゛ず、斜め入射
原子を除去する遮蔽物を基板とターゲットもしくは蒸発
源の間に設置する方法は、その遮蔽物がいかなる形状を
有していても、本発明にきまｎることは明らかである。Examples 3 to 7 were attempted in order to make it possible to manufacture an all-magnetic disk according to the present invention. As I will state again here, the requirement of the present invention is to remove obliquely incident atoms, and the methods described in Examples 3 to 7 are just one example of this. It is clear that the method of installing the shield between the evaporation sources is applicable to the present invention regardless of the shape of the shield.

又遮蔽物において、軸方向に直角に切った断面形状が円
、角、楕円などの任意の形状をしておシ、かつしきり板
により２つ以上の複数の部分に分割されているもの分用
いることは、すべて本発明に含まれることは明らかであ
る０In addition, for shielding objects, those whose cross-sectional shape when cut at right angles to the axial direction has an arbitrary shape such as a circle, square, or ellipse, and are divided into two or more parts by a cutting board are used. It is clear that all of these are included in the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は基板へ入射する原子の入射方向を制御するマス
クで、　（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は垂直入射成
分を除去するマスクでありｓ　（ｄ）　、（ｅ）　ｔ　
（ｆ）は斜め入射成分を除去するマスク、第２図ｔｒｉ
　Ｃｏ−Ｒｕ　［のＸ線回折）（ターンで、（イ）は第
１図で示したマスク（ａ）　を用いて作製したＣｏ−Ｒ
ｕスノくツタ膜の回折ノ（ターン、（ロ）はマスクを用
いないで作製したＣｏ−Ｒｕスノ（ツタ膜の回折パター
ン、第３図はＶカットマスクを用いた場合のＣｏ−Ｒｕ
スパッタ膜Ｉｘｏｉｏ　／　Ｉ　０００２のマスク見込
み角依存性、第４図はＨカットマスクを用いた場合の単
位膜厚あたりの回折線強度１０００２　／　ｄのマスク
見込み角依存性、第５図はＨカットマスクを用いた場合
のＣｏ−Ｒｕスノくツク膜における垂直方向に対する面
内方向の残留磁化の比のマスク見込み角依存性、第６図
はＣ６−Ｒｕス／：　ツｐ　ｐ　）Ｍ　−Ｈループを示
したもので、（イ）はマスクを用いないで作製し九膜の
Ｍ−Ｈループ、（ロ）は（ｆ）マスクを用いて作製した
膜のＭ−Ｈループ、第７図はＨカットマスクを用いた場
合のＣｏ−Ｃｒスノくツタ膜における垂直方向に対する
面内方向の残留磁化の比のマスク見込み角依存性、第８
図１”を管の中空方向に複数のしきり板を設け、ノ・チ
ノス状の構造を有するマスク、第９図は第８図に示した
マスクを用いた場合のＣｏ−Ｒｕスパッタ膜における垂
直方向に対する面内方向の残留磁化の比のマスク厚さ依
存性、第１０図（１第８図に示したマスクを用い、基板
を１枦・間６反回転した場合のＣｏ−Ｒｕスパッタ膜に
おける垂直方向に対する面内方向の残留磁化の比のマス
ク厚さ依存性、第１Ｌ図Ｇ）はマスクを構成する下学の
管、（ロ）は（イ）のｗを並行配列したマスク、第１２
図は第１１図に示したマスクを用いた場合の、　Ｃｏ−
動スバッタ膜における垂直方向に対する面内方向の残留
磁化の比のマスク厚依存性、第１３図は中空の管を用い
たマスクの他の実施例、第１４図は第１１図および第１
３図で示したマスクを使用したＣｏ−Ｒｕスパッタ膜、
マスクを使用せず作製したＣｏ−Ｒｕスパッタ膜の、垂
直方向に対する面内方向の残留磁化の比、第１５図は、
第１図で示した（ｅ）　、　（ｆ）のマスクを使用した
場合のＣｏ−Ｃｒ蒸層膜における垂直方向に対する面内
方向の残留磁化の比を示す。 １・・・・・・円板、２・・・・・・脚、　１１・・・
・・・円筒、Ｌ・・・・・・しきり板、２１・・・・・
・円筒、２２・・・・・・マスク、２３・・・・・・マ
スク 第１図 （ａ）　　　　　　　（ｂ）　　　　　（ｃ）（ｄ）　
　　　　　　（ｅ）　　　　　（ｆ）第２図 ２ｅ　（、り　　　　　　　　　　２ｅ（７１）第３図 マスクも込み角　（崖） 第６図 第７図 第８１３ＩＯ 第９図 マスク４　　（ｍｍ） 第１０図 マスク４　　　（ｍｍ） 第１１図 （イ）　　　　　　　　　　　　　　　（ロ）第１２図 マスク４　（ｍｍ） 第１３ｙＡ 第１４５Ａ 第１５図 Ｅ込と角（度） 手続補正省（自発〕 昭和５年１２廊２１ 特許庁長官　島　１）春　４１１　　殿１、事件の表示 昭和５６年　特Ｗｌｆ願第１６５６８４号２、発明の名
称 薄膜の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名　称　（４２２）日本電＠砥砧公社 ４、代　　理　　人　　〒１６０ 明細書のｒＩｌ＃許請求の範囲」及び「発明の詳細な説
明」の― ６、補正の内容 別紙のとおり １、　特ｉｌｒ！ｌ−珀氷の軛囲金次のように訂正する
。 １（リ　スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレー
ティング法等の乾式形成法により薄膜を作製する楊脅、
基板に対し垂直方向からは１扛た方向より入射する原子
全除去する遮蔽物を、基板とターケラトもしくに蒸発源
の間ＶＣ設置すること全特徴とする薄膜の製造方法。 （２〕　　膜形Ｉ！Ｘ、時に基板全回転すること全特徴
とする％許請求の範囲第１項記載の薄膜の製造方法。 （３）外形がｉ＋：慧の形状の中空の管のＦＦ３部を、
管の長さ方向に複数のし＠り板を設けたハテノス状の遮
蔽物、あるいに任意の外形を有する中空の管を複数個並
行に配列したハチノス状の遮蔽物を用いること全ｔ？！
ｆ徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜の製造方法
。 （４）管の円部がしさり板により分割された構造含有す
るハチノス状遮蔽物において、管の長さの２乗が、しさ
り板によρ分割さｎｆＣｖｈ分の１分割面積の平均１１
１１の１１５００から２００倍までの値を有する遮蔽物
を設置することｔ−特徴とする特許請求の範囲第１項、
第３項記載の薄膜のＩＲ造方法０ （５）任意の外形を有する中空のＷ？複数個並行に配列
したハテノス状の遮蔽物にふ・いて、管の長さの２乗が
、６管の平均断面積の１１５００から２００倍１での筐
會有する遮蔽物音設置することを特徴とする特許請求の
範囲第１項、第３項記載の薄膜の製造方法。 （６）　管の内Ｓがしきり板により分割された構造を有
するハテノス状の遮蔽物、あるいは中空の管を複数個並
行配列せしめた構造を有するハテノス状の遮蔽物におい
て、しきり板あるいに中空の管が基板自転方向に、基板
垂直方向から基板１秒間あたりの同転角の１１５〜５倍
傾いた構造含有することｔ−特徴とする％欝開求の範囲
第１項、第３項、第４項及び第５項記載の薄膜の製造方
法〇 （７）　　コバルト−ルテニウム、コバルト−クロムを
主成分とするコバルト合金垂直磁気異方性薄膜を作製す
ることを特徴とする特許請求の薄囲第１項乃至第６項記
載の薄膜の製造方法。」２．明細書第３頁第１２行目の
ｒ　ＺｎＬ］　ｊｔ＝　ｌ　ＺｎＯＪと訂正する。 ３、同第８頁第７行目１基板の中心Ｐから」全削除する
０Figure 1 shows a mask that controls the direction of incidence of atoms incident on the substrate, and (a), (b), and (c) are masks that remove vertically incident components; s (d), (e) t
(f) is a mask that removes obliquely incident components;
X-ray diffraction of Co-Ru
(b) is the diffraction pattern of the Co-Ru vine film produced without using a mask.
Mask viewing angle dependence of sputtered film Ixoio/I 0002, Figure 4 shows mask viewing angle dependence of diffraction line intensity 10002/d per unit film thickness when using H-cut mask, Figure 5 shows H-cut mask. Figure 6 shows the mask viewing angle dependence of the ratio of residual magnetization in the in-plane direction to the perpendicular direction in a Co-Ru snow film when using a C6-Ru film. In the diagrams, (a) is the M-H loop of nine films made without using a mask, (b) is the M-H loop of (f) the film made with a mask, and Figure 7 is the H cut. Mask viewing angle dependence of the ratio of residual magnetization in the in-plane direction to the vertical direction in a Co-Cr snow ivy film when using a mask, 8th
Figure 1'' shows a mask with a No-Tinos-like structure provided with multiple partition plates in the hollow direction of the tube, and Figure 9 shows the vertical direction of the Co-Ru sputtered film when using the mask shown in Figure 8. Figure 10: Mask thickness dependence of the ratio of residual magnetization in the in-plane direction to Mask thickness dependence of the ratio of the residual magnetization in the in-plane direction to the direction, Figure 1L G) is the lower tube constituting the mask, (B) is a mask in which w of (A) is arranged in parallel, 12th
The figure shows the Co-
The mask thickness dependence of the ratio of residual magnetization in the in-plane direction to the perpendicular direction in a dynamic spatter film, FIG. 13 shows another example of a mask using a hollow tube, and FIG. 14 shows FIGS.
Co-Ru sputtered film using the mask shown in Figure 3,
Figure 15 shows the ratio of residual magnetization in the in-plane direction to the perpendicular direction of the Co-Ru sputtered film produced without using a mask.
The ratio of residual magnetization in the in-plane direction to the perpendicular direction in the Co--Cr vaporized film when using the masks (e) and (f) shown in FIG. 1 is shown. 1... Disc, 2... Legs, 11...
...Cylinder, L...Shikiri plate, 21...
・Cylinder, 22...Mask, 23...Mask Figure 1 (a) (b) (c) (d)
(e) (f) Fig. 2 2e (,ri 2e (71) Fig. 3 Mask angle (cliff) Fig. 6 Fig. 7 Fig. 813IO Fig. 9 Mask 4 (mm) Fig. 10 Mask 4 (mm ) Figure 11 (a) (b) Figure 12 Mask 4 (mm) Figure 13yA Figure 145A Figure 15 E included and angle (degrees) Ministry of Procedure and Correction (self-motivated) 1930 Corridor 12 21 Commissioner of the Patent Office Shima 1) Spring 411 Lord 1, Indication of the case 1982 Special WLF Application No. 165684 2, Name of the invention Method for producing thin film 3, Relationship with the person making the amendment Patent applicant name (422) Nippon Electric @ Tokina Public Corporation 4 , Agent 〒160 Specification rIl #Claims” and “Detailed Description of the Invention” - 6. Contents of amendments as shown in Attachment 1, Special Ilr!l-Silver ice yoke as follows: Corrected to 1.
A method for manufacturing a thin film, which is characterized in that a shield for removing all atoms incident from a direction perpendicular to the substrate is installed between the substrate and the terkelat or evaporation source. (2) A method for producing a thin film according to claim 1, characterized in that the film shape is I! Department,
Is it possible to use a hatenose-like shield with a plurality of baffles installed in the length direction of the tube, or a hatenose-like shield with a plurality of hollow tubes with arbitrary external shapes arranged in parallel? !
The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the thin film has a f-character. (4) In a structure in which the circular part of the pipe is divided by a sill plate, the square of the length of the pipe is divided by ρ by the sill plates, and the average area divided by nfCvh is 11
Claim 1, characterized in that: installing a shield having a value of 11500 to 200 times 11;
IR manufacturing method of thin film described in Section 3 0 (5) A hollow W having an arbitrary external shape? It is characterized by installing a shielding object having a housing in which the square of the tube length is 11,500 to 200 times the average cross-sectional area of the six tubes, based on a plurality of hateno-shaped shields arranged in parallel. A method for producing a thin film according to claims 1 and 3. (6) In a Hateno-like shielding structure in which the inner S of the tube is divided by a partition plate, or in a Hateno-shaped shielding structure in which a plurality of hollow tubes are arranged in parallel, the partition plate or the hollow The first and third terms of the range of % depression, characterized in that the tube has a structure that is tilted in the direction of substrate rotation from the vertical direction of the substrate by 115 to 5 times the rotation angle per second of the substrate. Method for producing a thin film according to Items 4 and 5 (7) A thin film according to a patent claim, characterized in that a perpendicular magnetic anisotropic thin film of a cobalt alloy whose main components are cobalt-ruthenium and cobalt-chromium is produced. A method for producing a thin film according to items 1 to 6. ”2. It is corrected as r ZnL] jt= l ZnOJ on page 3, line 12 of the specification. 3. From the center P of the 1st board, page 8, line 7, delete all 0

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）　　スパッタリング法、Ｊｉ４空蒸７／ｊｉｆ：
、イオンル−ティング法等の乾式形成法により薄膜全作
製する一合、基板に対し垂直方向からはすｒした方向よ
り入射する原子を除去する遮蔽物音、私版とターゲット
もしくは蒸発源の間に設置することを特徴とする薄膜の
製造方法。(1) Sputtering method, Ji4 air vaporization 7/jif:
, a thin film is entirely fabricated using a dry formation method such as the ion routing method, and a shield is installed between the private plate and the target or evaporation source to remove atoms incident from the direction perpendicular to the substrate. A method for producing a thin film, characterized by: （２）膜形成時に基板ケ回転すること′１に％像とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜の製造方法。(2) The method for manufacturing a thin film according to claim 1, wherein the substrate is rotated during film formation. （３）外形が任意の形状の中空の管の内部を、宮の長さ
方向に収載のしきシ板を設けた７１テノス状の遮蔽物、
あるいは任意の外形を有’ｔゐ申ｒ＆１ｊの１を金複畝
憫並行に配列したハ１ノス状の遮蔽物を用いることγ待
似とする特許請求の範囲第１項目ピ載の薄膜の製造方法
。(3) A 71 tenos-shaped shield, which has a hollow tube with an arbitrary external shape and is provided with a board in the length direction of the shrine;
Alternatively, manufacturing a thin film according to the first item of the claims, which has an arbitrary external shape and uses a shielding member in the shape of a cylindrical shape in which 1 of 1 is arranged in parallel with multiple gold ribs. Method. （４）宮の内部かしさり板により分割さｒＬｆｃ榊怠會
有するハナノス状遮蔽物において、宮の量るり。 ２乗が、しきり板により分割された部分の、分割面積の
平均値の１１５００から２００倍盪での値を有する遮蔽
物を設置することを特徴とする特許請求の範囲第１項、
第３項記載の薄膜の製造方法。(4) In a Hananos-like shield having rLfc Sakaki slack divided by an internal sill plate, the height of the mount is measured. Claim 1, characterized in that a shield is installed whose square value is 11,500 to 200 times the average value of the divided area of the portion divided by the partition plate,
The method for producing a thin film according to item 3. （５）任意の外形を有する中空の管金仮数個並行に配列
したハテノス状の遮蔽物ＶＣおいて、宮の長嘔の２乗が
１各管の平均断面極り１１５００カーら２００倍までの
ｋｋ有する遮蔽物全敗にすることｔ特徴とする付肝詞氷
の範囲第１項、第３狽記載の薄膜のａ選方法。(5) In a Hateno-like shield VC in which mantissas of hollow tubes with arbitrary external shapes are arranged in parallel, the square of Miya's Naga-O is 1. A method for selecting a thin film as described in paragraphs 1 and 3 above, characterized in that it completely defeats all shielding objects. （６）管の内部がしきり板により分割された構造會有す
るハチノス状の遮蔽物、わるいは中空の管を複数個並行
配列セしめた構造會有するハナノス状の遮蔽物に２いて
、シ＠ジ板めるいは中空の管が基板回転方向に、基板垂
ｍｌ゛力向刀・ら基板１秒間あ７ｃ９の回転角の１１５
〜５倍傾いた構造を壱す５ることを特徴とする特許請求
の範囲第１ＪＪ　、第３項、第４項及び第５項記載の薄
膜の製造方法。(6) A cylindrical shield with a structure in which the inside of the tube is divided by a partition plate, or a cylindrical shield with a structure in which multiple hollow tubes are arranged in parallel. The plate plate or hollow tube rotates in the direction of substrate rotation, with a rotation angle of 115 ml for 1 second per 7c9 from the substrate vertically.
The method for manufacturing a thin film according to claims 1, 3, 4, and 5, characterized in that the structure has a structure tilted by a factor of ~5. （７）　　コバルト−ルテニウム、コバルト−クロム會
主成分とするコバルト合金垂直磁気・異方性゛薄膜を作
製すること？特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６
項ＢＧ載の薄膜の製造方法。(7) Is it possible to produce a perpendicular magnetic/anisotropic cobalt alloy thin film with cobalt-ruthenium or cobalt-chromium as the main components? Features Claims 1 to 6
Method for manufacturing the thin film listed in Section BG.