JPS5861655A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS5861655A JPS5861655A JP16060281A JP16060281A JPS5861655A JP S5861655 A JPS5861655 A JP S5861655A JP 16060281 A JP16060281 A JP 16060281A JP 16060281 A JP16060281 A JP 16060281A JP S5861655 A JPS5861655 A JP S5861655A
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐圧特性を改善した半導体装置に関する。
従来の半導体装置として、例えば、第1図(イ)、(ロ
)に示すものがあり1例えば、アルミニウムの入力パッ
ド用金属配線−1(パッド部10および配線部20を有
する。以下省略)と、絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのゲート電極(図示せず)k接続される多結晶シリコ
ン層3(所定の抵抗値を有し、入力ゲート保護回路とし
て働く)と。
)に示すものがあり1例えば、アルミニウムの入力パッ
ド用金属配線−1(パッド部10および配線部20を有
する。以下省略)と、絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのゲート電極(図示せず)k接続される多結晶シリコ
ン層3(所定の抵抗値を有し、入力ゲート保護回路とし
て働く)と。
多結晶シリコン層3を絶縁し、金属配線1と多結晶シリ
コン層3を接続するコンタクトホール2を有し東第1の
シリコン酸化膜層4と、多結晶シリコン層3とシリコン
基板5を絶縁する第2のシリコン酸化膜層6″f有して
いる。
コン層3を接続するコンタクトホール2を有し東第1の
シリコン酸化膜層4と、多結晶シリコン層3とシリコン
基板5を絶縁する第2のシリコン酸化膜層6″f有して
いる。
以上の構成において、金属配線lから多結晶シリコン層
3を介して電界効果トランジスタのゲート電極rゲート
電圧を印加することによってドレイン電流を制御するこ
とができる。
3を介して電界効果トランジスタのゲート電極rゲート
電圧を印加することによってドレイン電流を制御するこ
とができる。
しかし、従来の半導体装置にあっては、第1のシリコン
酸化膜層4が多結晶シリコン層3の、終端部で段状にな
っているため、金属配線lは裏面にエッヂ部aを有して
形成せざるを得なかった。また、従来パッド部は矩形状
に形成されエッヂ部すを有するように蒸着されている。
酸化膜層4が多結晶シリコン層3の、終端部で段状にな
っているため、金属配線lは裏面にエッヂ部aを有して
形成せざるを得なかった。また、従来パッド部は矩形状
に形成されエッヂ部すを有するように蒸着されている。
そのため1例えば、該半導体装置が車両に搭載された場
合、例えば、配電器のオン、オフ操作の電流変化によっ
て誘導される400〜500ボルトの高周波サージが金
属配ls1に入力すると該エッチ部a、blc電界が集
中して第1および第2のシリコン酸化膜層4.6が絶縁
破壊を生じる恐れがある。
合、例えば、配電器のオン、オフ操作の電流変化によっ
て誘導される400〜500ボルトの高周波サージが金
属配ls1に入力すると該エッチ部a、blc電界が集
中して第1および第2のシリコン酸化膜層4.6が絶縁
破壊を生じる恐れがある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり入力パッド
用金属配線が高周波サージを入力゛しても第1、II2
のシリコン酸化膜すなわち酸化膜絶縁層が絶縁破壊を生
じないように耐圧特性を改善するため、多結晶シリコン
層等の抵抗層を前記金属配線の周縁輪郭線を含む範囲に
延ばすことにより入力パッド用金属配線に電界が集中す
るエッヂ部を形成しないよう圧した半導体装置を提供す
るものである。
用金属配線が高周波サージを入力゛しても第1、II2
のシリコン酸化膜すなわち酸化膜絶縁層が絶縁破壊を生
じないように耐圧特性を改善するため、多結晶シリコン
層等の抵抗層を前記金属配線の周縁輪郭線を含む範囲に
延ばすことにより入力パッド用金属配線に電界が集中す
るエッヂ部を形成しないよう圧した半導体装置を提供す
るものである。
以下本発明による半導体装置を詳細に説明する。
第2図s)、 tp)、 rうは本発明の第1よや第3
の実施例を示しているが、第1図(イ)、仲)と同一の
部分は同一の引用数字で示しているので重複する説明は
省略する。
の実施例を示しているが、第1図(イ)、仲)と同一の
部分は同一の引用数字で示しているので重複する説明は
省略する。
第2図(へ)は本発明の第1の実施例を示し14.多結
晶シリプン層3を金属配線lの周縁を含むよう図中配線
五の左端の下まで延ばすことによって金属配線lの裏面
に基板5に対向するエッチ部を形成しないようにした本
のである。第2図←)は本発明の第2の実施例を示し、
方形の金属配線1(配線部20を有しない)の四すみを
円弧にして平面形状においてもエッヂ部を形成しないよ
うにしたものであり、第2図Oは本発明の第3の実施例
を示し、金属配線l(配線部20を有しない)を円形和
してエッヂ部を形成しないよ・うKしたものである(第
2、第3の実施例では、四角のエッチ部を有した金属配
線のものに比して20チ耐圧を向上することができた)
。
晶シリプン層3を金属配線lの周縁を含むよう図中配線
五の左端の下まで延ばすことによって金属配線lの裏面
に基板5に対向するエッチ部を形成しないようにした本
のである。第2図←)は本発明の第2の実施例を示し、
方形の金属配線1(配線部20を有しない)の四すみを
円弧にして平面形状においてもエッヂ部を形成しないよ
うにしたものであり、第2図Oは本発明の第3の実施例
を示し、金属配線l(配線部20を有しない)を円形和
してエッヂ部を形成しないよ・うKしたものである(第
2、第3の実施例では、四角のエッチ部を有した金属配
線のものに比して20チ耐圧を向上することができた)
。
以上説明した通り1本発明による半導体装置によれば、
入出力パッド用金属配線に電界が集中するエッチ部を形
成しないようにしたため。
入出力パッド用金属配線に電界が集中するエッチ部を形
成しないようにしたため。
耐圧特性を改善して入出力パッド用金属配線が高周波サ
ージを入力しても酸化膜絶縁層が絶縁破壊を生じないよ
うにすることができる。
ージを入力しても酸化膜絶縁層が絶縁破壊を生じないよ
うにすることができる。
第1図(へ)、(ロ)は従来の半導体装置を示し、(へ
)は平面図、(→はけ)におけるA−A断面図。第2図
(へ)、←)、f)は本発明の第1より第3の実施例を
示す説明図。 符号の説明 1・・・入力パッド用金属配線 10・・・パント部
20・・・配線部 2・・・コンタクトホール
3・・・多結晶シリコン層(抵抗層) 4 、6−−・シリコン酸化膜層(酸化膜絶縁層)5・
・・基板 特許出願人 8産自動車株式会社 j H’、’e已
゛ 代理人 弁理士 松 厚 伸 之 ° :・・代理人
弁理士 平 1)忠 雄
)は平面図、(→はけ)におけるA−A断面図。第2図
(へ)、←)、f)は本発明の第1より第3の実施例を
示す説明図。 符号の説明 1・・・入力パッド用金属配線 10・・・パント部
20・・・配線部 2・・・コンタクトホール
3・・・多結晶シリコン層(抵抗層) 4 、6−−・シリコン酸化膜層(酸化膜絶縁層)5・
・・基板 特許出願人 8産自動車株式会社 j H’、’e已
゛ 代理人 弁理士 松 厚 伸 之 ° :・・代理人
弁理士 平 1)忠 雄
Claims (2)
- (1)酸化膜絶縁層を介して配置された抵抗層と、入力
パッド用金属配線を該酸化膜絶縁層のコンタクトホール
を介して接続した半導体装置において、 前記抵抗層が、少くとも前記入力パッド用金属配線の周
縁輪郭線を含む範囲にわたって延びている構成を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - (2)前記入力パッド用金属配線が、角部を有しない輪
郭線によって形成されている特許請求の範囲の第1項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16060281A JPS5861655A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16060281A JPS5861655A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5861655A true JPS5861655A (ja) | 1983-04-12 |
JPS64824B2 JPS64824B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=15718484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16060281A Granted JPS5861655A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5861655A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61170048A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63142666A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH02216870A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ |
JP2010509108A (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-25 | コロン グロテック,インコーポレイテッド | 発熱ファブリックおよびその製造方法 |
US10734745B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-08-04 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP16060281A patent/JPS5861655A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61170048A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63142666A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH02216870A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ |
JP2010509108A (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-25 | コロン グロテック,インコーポレイテッド | 発熱ファブリックおよびその製造方法 |
US10734745B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-08-04 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Connector |
US11309651B2 (en) | 2015-12-25 | 2022-04-19 | Autonetworks Technologies, Ltd | Connector with a housing and a terminal having a conductive case, a conductive member in the case and a coil spring biasing the conductive member toward a meeting terminal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS64824B2 (ja) | 1989-01-09 |
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