JPS5860584A - 高分子圧電体の製造方法 - Google Patents
高分子圧電体の製造方法Info
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- JPS5860584A JPS5860584A JP56158189A JP15818981A JPS5860584A JP S5860584 A JPS5860584 A JP S5860584A JP 56158189 A JP56158189 A JP 56158189A JP 15818981 A JP15818981 A JP 15818981A JP S5860584 A JPS5860584 A JP S5860584A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/098—Forming organic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子圧電体の製造方法に関する。
更に詳しくは、フッ化ビニリデン(VDF)と三フッ化
エチレン(Tr F E)との共重合体1:P(VDF
/Tr E’ E))を用いて、厚み圧電効果の大きい
、また、比較的低いポーリング電圧でも所望の厚み圧−
効果を有する高分子圧電体を得ることができる高分子圧
電体の製造方法に関する。
エチレン(Tr F E)との共重合体1:P(VDF
/Tr E’ E))を用いて、厚み圧電効果の大きい
、また、比較的低いポーリング電圧でも所望の厚み圧−
効果を有する高分子圧電体を得ることができる高分子圧
電体の製造方法に関する。
P (V D F / Tr F K )をポーリング
処理して6ら分子圧電体を製造することはすでに知ら第
1て(・る。
処理して6ら分子圧電体を製造することはすでに知ら第
1て(・る。
また1本発明者等は、先に、この高分:f−rLE′亀
体の圧電効果の内容を検討した結果、VDTとT+ B
’ Eとの組成比により、横圧電効果(aS+ )とS
=みΣ「・、L効果(KtまたはaSX )との程度に
それぞれ別々の変化があり、d31の値は、VD?=5
()〜55七ノ1チにおいて大きくなる傾向を示すのに
対し K+の値は、VD F、、−70〜80モル係に
おし1て大きくなる傾向を示すという知見を得ている。
体の圧電効果の内容を検討した結果、VDTとT+ B
’ Eとの組成比により、横圧電効果(aS+ )とS
=みΣ「・、L効果(KtまたはaSX )との程度に
それぞれ別々の変化があり、d31の値は、VD?=5
()〜55七ノ1チにおいて大きくなる傾向を示すのに
対し K+の値は、VD F、、−70〜80モル係に
おし1て大きくなる傾向を示すという知見を得ている。
こ才[りの関係を、横軸にVDIi’組成比(モ)v%
)、縦東11しこeL3+並びにKtの値をとって第1
図に示す。まンk。
)、縦東11しこeL3+並びにKtの値をとって第1
図に示す。まンk。
この共重合体のD S C(Differential
ScanningCalorimetry )あるい
はD T A (DifferentjalTherm
al Analysis )による吸発熱曲線には、溶
融を示す吸熱カーブ(温度Tm’C)以外に、該融′侭
よりも低温側に2強誘電・常誘電相転移を示す吸熱カー
ブ(温度Tm’c) ’ ” ” −−−間の
温度で熱処理した後あるいは該熱処理をしなからポーリ
ング処理すると、厚み圧電効果を示す′1L重機械結合
定数Ktめ値が、はぼ0.6前後に達する高分子圧電体
が得られる場合があるという知見をイUている。
ScanningCalorimetry )あるい
はD T A (DifferentjalTherm
al Analysis )による吸発熱曲線には、溶
融を示す吸熱カーブ(温度Tm’C)以外に、該融′侭
よりも低温側に2強誘電・常誘電相転移を示す吸熱カー
ブ(温度Tm’c) ’ ” ” −−−間の
温度で熱処理した後あるいは該熱処理をしなからポーリ
ング処理すると、厚み圧電効果を示す′1L重機械結合
定数Ktめ値が、はぼ0.6前後に達する高分子圧電体
が得られる場合があるという知見をイUている。
しかるに、その後更に検討を進めた結果、P(、V D
F / Tr F E )のVDFの組成比が、約8
0モル係を越え、更には、約83モルチを越えると。
F / Tr F E )のVDFの組成比が、約8
0モル係を越え、更には、約83モルチを越えると。
ポーリング電圧を著しく高くしないと、あるいは。
尚<シても1期待したような厚み圧電効果を示すKtO
値が得られない場合があることか判明した。
値が得られない場合があることか判明した。
本発明の目的二
本発明は、上述の期待したような厚み圧電効果が得られ
ない場合の問題点を解決することを目的としなされたも
のである。
ない場合の問題点を解決することを目的としなされたも
のである。
本発明の構成:
VDF65−95モル%とTrFE35−5モルチとの
共重合体またはこれを主体とした重合体からなる成形物
を、加圧下で、処理温度T (°O)が強誘電・常誘電
相転移を意味する吸熱カーブを示す温度T′mぐC)と
溶融を意味する吸熱カーブを示す温度TmCC)との間
の温度に選択されだ熱処理を行なった後、あるいは、該
熱処理をしながら、ポーリング処理してなる高分子圧電
体の製造方法。
共重合体またはこれを主体とした重合体からなる成形物
を、加圧下で、処理温度T (°O)が強誘電・常誘電
相転移を意味する吸熱カーブを示す温度T′mぐC)と
溶融を意味する吸熱カーブを示す温度TmCC)との間
の温度に選択されだ熱処理を行なった後、あるいは、該
熱処理をしながら、ポーリング処理してなる高分子圧電
体の製造方法。
本発明に云うT’並びにTmは、使用する加圧川内下に
得たDTA曲線から求められる。
得たDTA曲線から求められる。
本発明に云う加圧下の熱処理は、成形物を加圧下で加熱
、熱処理する場合に1通常よく用いられる高圧セル装置
で行なうことができ、加圧圧力の程度は、好ましくはI
Kbar以上、より好ましくは2Kbar以−Eである
。
、熱処理する場合に1通常よく用いられる高圧セル装置
で行なうことができ、加圧圧力の程度は、好ましくはI
Kbar以上、より好ましくは2Kbar以−Eである
。
本発明に云うポーリング処理は、従来よく知られている
圧電体製造のために用いられるポーリング処理装置9手
段でなすことができる。
圧電体製造のために用いられるポーリング処理装置9手
段でなすことができる。
本発明の効果:
VDF組成比が65〜95モル係のP (V D F/
TrFE)成形物を用いて、従来法の場合に比べて。
TrFE)成形物を用いて、従来法の場合に比べて。
同程度あるいは、はるかに大きい厚み圧電効果を示す高
分子圧電体を、より低いポーリング電圧下で、製造する
ことができるようになったこと1.1t、;。
分子圧電体を、より低いポーリング電圧下で、製造する
ことができるようになったこと1.1t、;。
ひに、特にVDF組成比が、約80モル係以上のP (
V D F / Tr F E )について、従来、良
好な厚み圧電効果が得られない場合があるという問題点
を解決したことに本発明の主たる効果がある0次に9本
発明を、具体的実施例並びに比較実施例を用いて、更に
説明する。
V D F / Tr F E )について、従来、良
好な厚み圧電効果が得られない場合があるという問題点
を解決したことに本発明の主たる効果がある0次に9本
発明を、具体的実施例並びに比較実施例を用いて、更に
説明する。
VD ’Fm51.比カ、 74モル%、 79モル%
、および、82モル係であるP (VD F/ TrF
E)のそれぞれを、15〜20 wt%のDMFとし
、真空中でキャストし約24時間その状態に保持し;6
0〜100μmの厚さを有するフィルム状成形物を得た
。次いで、これらを、オープン中100℃。
、および、82モル係であるP (VD F/ TrF
E)のそれぞれを、15〜20 wt%のDMFとし
、真空中でキャストし約24時間その状態に保持し;6
0〜100μmの厚さを有するフィルム状成形物を得た
。次いで、これらを、オープン中100℃。
′5〜4時間乾燥し、溶媒を十分に取シ除いた。
79モル係動物、延伸効果を見るため、一部を。
80°Cで4〜5倍に延伸した。
加圧処理は、高圧セルを用いて、所望の圧力Pに試料を
加圧設定後、所定の温度に加熱し、所定の熱処理時間に
放置した後、冷却した。このときの昇・降温速度は、約
5〜10℃/rninとした。室温に冷却後、加圧力P
を取り除き、試料を高圧セルから取り出しだ。
加圧設定後、所定の温度に加熱し、所定の熱処理時間に
放置した後、冷却した。このときの昇・降温速度は、約
5〜10℃/rninとした。室温に冷却後、加圧力P
を取り除き、試料を高圧セルから取り出しだ。
ここに得られた試料の両面に、 AI!電極を蒸着法に
よって形成し、ポーリング温度100〜120°C。
よって形成し、ポーリング温度100〜120°C。
ポーリング電圧250〜50[1kV/■、ポーリング
時間約60分でポーリング処理を行なった。
時間約60分でポーリング処理を行なった。
厚み圧電効果を判定するだめの電気機械結合定数Kt:
(d、、 J、Appl、 Phys、 47.99
7 (1976)記載の手法に従って、試料に、高周波
電圧(1〜50MHz )を印加し、共振点付近での電
気アドミッタンスを解析することにより求めた。また、
横圧電効果を示すds+の1直は、東洋側蓋(株)製V
ibrOTl −■を用いて、110H2で、試料面に
生じた電荷hkと試料断面での応力との測定から求めた
。
(d、、 J、Appl、 Phys、 47.99
7 (1976)記載の手法に従って、試料に、高周波
電圧(1〜50MHz )を印加し、共振点付近での電
気アドミッタンスを解析することにより求めた。また、
横圧電効果を示すds+の1直は、東洋側蓋(株)製V
ibrOTl −■を用いて、110H2で、試料面に
生じた電荷hkと試料断面での応力との測定から求めた
。
(A) VD F/TrF E = 79/21共重
合体の場合の詳細: 表1に、この試料(いづれも未延伸)を、従来法、すな
わち、常圧下で熱処理したものと9本発明に係る方法、
すなわち、加圧下で熱処理したものとをポ−リング温度
した場合の各条件とその結果得られた高分子圧電体の圧
電効果の測定結果を小ず0 \ なお表1中のポーリング処理における温度は100 °
c 、時間は50分である。また、C込は厚み方向の弾
性率である。
合体の場合の詳細: 表1に、この試料(いづれも未延伸)を、従来法、すな
わち、常圧下で熱処理したものと9本発明に係る方法、
すなわち、加圧下で熱処理したものとをポ−リング温度
した場合の各条件とその結果得られた高分子圧電体の圧
電効果の測定結果を小ず0 \ なお表1中のポーリング処理における温度は100 °
c 、時間は50分である。また、C込は厚み方向の弾
性率である。
表1が示すように、常圧で処理した試料の場合(Nos
、i、2)は、ポーリング電圧が257 kV/anで
は、 Ktが0.14と余り大きくなく 、 576
kv7a11で、029となる。常圧で処理した試料の
場合。
、i、2)は、ポーリング電圧が257 kV/anで
は、 Ktが0.14と余り大きくなく 、 576
kv7a11で、029となる。常圧で処理した試料の
場合。
KtO値が03程度のものを得るには、ポーリング電圧
を約400 kV/an以上にする必要がある。高圧で
処理した試料の場合(NO8,3〜7)、この際の熱処
理温度が Tm 、!: Tmとの間の温度に設定され
ていわば(Nos、4,6.7)、ポーリング電圧が約
250 kV/―でKtの値が約0.27以上のものが
得られるのである。この電圧約250 kV/cmは、
同じ05程度のKtを有する常圧処理の場合に必要な」
−3,5とを比べると、加圧処理圧力が同じでも、熱処
理温度が、 T’mとTmとの間という条件を満足して
いないと、 KtO値は減少する傾向にあることが分か
る。この傾向は9表1には示してないが、3K bar
の場合でも同様であった。加圧下の熱処理時間とKtと
の関係をみると、試料Noe、4.6の60分と7分と
で、Ktに余り差がないことが明らかであり、所望のK
tを得るには9時間よりも、圧力と温度との方が重要で
あることが分かる。なお。
を約400 kV/an以上にする必要がある。高圧で
処理した試料の場合(NO8,3〜7)、この際の熱処
理温度が Tm 、!: Tmとの間の温度に設定され
ていわば(Nos、4,6.7)、ポーリング電圧が約
250 kV/―でKtの値が約0.27以上のものが
得られるのである。この電圧約250 kV/cmは、
同じ05程度のKtを有する常圧処理の場合に必要な」
−3,5とを比べると、加圧処理圧力が同じでも、熱処
理温度が、 T’mとTmとの間という条件を満足して
いないと、 KtO値は減少する傾向にあることが分か
る。この傾向は9表1には示してないが、3K bar
の場合でも同様であった。加圧下の熱処理時間とKtと
の関係をみると、試料Noe、4.6の60分と7分と
で、Ktに余り差がないことが明らかであり、所望のK
tを得るには9時間よりも、圧力と温度との方が重要で
あることが分かる。なお。
試料N006から、高圧処理のd3+の値は、 6.6
PC/Nで、この値は、常圧処理のds+の値とほぼ同
程度であることが分かる。このことにより、加圧処理は
。
PC/Nで、この値は、常圧処理のds+の値とほぼ同
程度であることが分かる。このことにより、加圧処理は
。
圧電効果のうち、横圧電効果(13+の改善よりも、L
ソみ圧電効果Ktの改善(より低いポーリング電f1−
での処理を可能にすること)に顕著な効果を奏している
ことが分かる。
ソみ圧電効果Ktの改善(より低いポーリング電f1−
での処理を可能にすること)に顕著な効果を奏している
ことが分かる。
次に、圧力Pと熱処理温度Tとの関係をみるために、高
圧下でのDTAをとり、 TmとTmの圧力依存性を調
べた。この結果を、横軸に圧力P (Kbar)。
圧下でのDTAをとり、 TmとTmの圧力依存性を調
べた。この結果を、横軸に圧力P (Kbar)。
縦軸に温度(℃)をとって示しだのが第2図である。
第2図から、 Tmは、 40〜50 ’O/°K
barで、Pと共に上昇することが分かる。また、 T
+rのPによる」−昇率は、 Tmの場合より低いため
、加圧圧力の増友とともに両者の温度差△T = Tm
−Tmが増していることが認められる。
barで、Pと共に上昇することが分かる。また、 T
+rのPによる」−昇率は、 Tmの場合より低いため
、加圧圧力の増友とともに両者の温度差△T = Tm
−Tmが増していることが認められる。
第6図は、加圧圧力、熱処理温度、Ktとの関係を/ド
す一例で、加圧圧力が2 Kbarと3 Kbarとの
場合が示されている。熱処理時間は、共に30分。
す一例で、加圧圧力が2 Kbarと3 Kbarとの
場合が示されている。熱処理時間は、共に30分。
ポーリングはi bar (常圧)下で100°c、−
250kv/−,30分で行なった。第6図中の点線は
。
250kv/−,30分で行なった。第6図中の点線は
。
同じポーリング条件での常圧処理物の場合の平均的なK
tO値を示す。ポーリング条件が同じであるならば、高
圧処理物の方が、はるかに大きいKt。
tO値を示す。ポーリング条件が同じであるならば、高
圧処理物の方が、はるかに大きいKt。
の値を呈するものが得られることが明らかである。
゛また。熱処理温度Tとの関係では、第2図に示す給米
と合わせると+Tl1l<T<TmとすることがKtを
増大せしめるのに有効であることが分かる。このことは
、高圧下で相転移黒餡以上で熱処理することにより、常
圧の場合よりも、成形物の高結晶化かなされ、結晶粒サ
イズの増加等が有効に生じ。
と合わせると+Tl1l<T<TmとすることがKtを
増大せしめるのに有効であることが分かる。このことは
、高圧下で相転移黒餡以上で熱処理することにより、常
圧の場合よりも、成形物の高結晶化かなされ、結晶粒サ
イズの増加等が有効に生じ。
より低いポーリング電圧でも分極配向が進むことによる
ものではないかと推測される。なお、△T−Tm −T
mは、加圧圧力Pと共に増加するため、Pが2 Kba
r 、 ろKbarとなるに従い、熱処理条I′[)
選択がより有利になることも明らかである。
ものではないかと推測される。なお、△T−Tm −T
mは、加圧圧力Pと共に増加するため、Pが2 Kba
r 、 ろKbarとなるに従い、熱処理条I′[)
選択がより有利になることも明らかである。
ここで、加圧圧力Pをさらに4 Kbar、 5 Kb
arと増しだ場合、DTAからは、△T = Tm −
Tmは大きくなり、結晶化はさらに進行するものと推定
される。しかし、ポーリングに際し200 kV/cy
n以トの耐電圧が必要という前提に立つと、処理温度約
280’c、10分以上での加圧熱処理では、試料の熱
分解が激しくなり、得られた成形物の耐電1」−は著し
く低下し、前述の所定耐電圧を満足できるものではなく
なる。この点から、ポーリング可能な成形物を得る条件
として、熱処理温度の上限は。
arと増しだ場合、DTAからは、△T = Tm −
Tmは大きくなり、結晶化はさらに進行するものと推定
される。しかし、ポーリングに際し200 kV/cy
n以トの耐電圧が必要という前提に立つと、処理温度約
280’c、10分以上での加圧熱処理では、試料の熱
分解が激しくなり、得られた成形物の耐電1」−は著し
く低下し、前述の所定耐電圧を満足できるものではなく
なる。この点から、ポーリング可能な成形物を得る条件
として、熱処理温度の上限は。
約280℃といえる。 この限界を、第2図に点線で示
しておく。
しておく。
次に9表2に、VDF組成組成比7朋
の延伸処理されたものの高圧処理とKtとの関係を示す
。延伸は,温度80°C2倍率4〜5倍でなされ,ポー
リング条件は,前述の未延伸の場合と同じである。延伸
物も未延伸物の場合と同様に T,l,。
。延伸は,温度80°C2倍率4〜5倍でなされ,ポー
リング条件は,前述の未延伸の場合と同じである。延伸
物も未延伸物の場合と同様に T,l,。
( T ( Tmによる高圧結晶化処理により結晶化が
進み( c’isがほぼ1 1 x 1 07 N/m
2) 、ポーリング電圧的2 5 Q kV/cr+で
, Ktが0.6程度のものが得られることか分かる。
進み( c’isがほぼ1 1 x 1 07 N/m
2) 、ポーリング電圧的2 5 Q kV/cr+で
, Ktが0.6程度のものが得られることか分かる。
\
\
゛\
(B) V D F / Tr F E = 82
/ 18共重合体の場合の詳細: 第4図(a) 、 (1))は、横軸に温度、縦軸に吸
発熱の人きさをとって示した圧力2Kbar下での、溶
媒キャストによる成形物と溶融結晶化による成形物との
DTAである。前者は、TInとTmの2つのピー、り
(間にある発熱は残留溶媒による影響と考えらtする)
を呈し、後者は、T5Tm以外にもう一つのピークTm
を呈するが、このTmは、加圧圧力Pの増大によって、
Tmから分離して現われたものであると推定される。
/ 18共重合体の場合の詳細: 第4図(a) 、 (1))は、横軸に温度、縦軸に吸
発熱の人きさをとって示した圧力2Kbar下での、溶
媒キャストによる成形物と溶融結晶化による成形物との
DTAである。前者は、TInとTmの2つのピー、り
(間にある発熱は残留溶媒による影響と考えらtする)
を呈し、後者は、T5Tm以外にもう一つのピークTm
を呈するが、このTmは、加圧圧力Pの増大によって、
Tmから分離して現われたものであると推定される。
第5図は、溶媒(D M F)キャスト物、第6図は、
溶融結晶化物それぞれの場合の加圧圧力PとTm、 T
m(T;)との関係を、横軸に加圧圧力p (Kbar
)。
溶融結晶化物それぞれの場合の加圧圧力PとTm、 T
m(T;)との関係を、横軸に加圧圧力p (Kbar
)。
縦軸に温度(°C)をとって示したダイヤグラムである
。加圧圧力Pの増大と共に、△T=Tm−Tmは大きく
なり、溶融結晶化物では、約2 Kbar以上で。
。加圧圧力Pの増大と共に、△T=Tm−Tmは大きく
なり、溶融結晶化物では、約2 Kbar以上で。
TInとT′mとは完全に分離してくることが分かる。
表6は、常圧並びに高圧下での熱処理条件と圧電効果と
の関係を示すもので、第7図は、加圧圧力P カ2 K
bar 、 ろKbar、熱処理時ill 30分での
熱処理温度TとKtとの関係を示すものである。なお、
試料は全て未延伸である。ポー1ノング条f4=は。
の関係を示すもので、第7図は、加圧圧力P カ2 K
bar 、 ろKbar、熱処理時ill 30分での
熱処理温度TとKtとの関係を示すものである。なお、
試料は全て未延伸である。ポー1ノング条f4=は。
100’c、30分、約250 kV/an f アル
。
。
イ1
第7図における点線は、常圧処理したものをポーリング
した場合にお8得られ吉Ktの値の概略Hを示す。この
程度の値では、実用−L有効なlL7みE電効果を有す
るものとはいえない。
した場合にお8得られ吉Ktの値の概略Hを示す。この
程度の値では、実用−L有効なlL7みE電効果を有す
るものとはいえない。
第5.6図並びに第7図及び表6から、この用却の共重
合体のあるものは、高圧処理によってはじめてTm (
T (TmO熱処理が可能となり、未延沖物で大きい圧
電効果(Ktが約0.1以−ヒ)か得らhることが分か
る。なお、この場合の共重合体も。
合体のあるものは、高圧処理によってはじめてTm (
T (TmO熱処理が可能となり、未延沖物で大きい圧
電効果(Ktが約0.1以−ヒ)か得らhることが分か
る。なお、この場合の共重合体も。
−ト述(1:) V D F = 79 モル% (7
)場合同様、280°Cを越えると熱分解が激しくなっ
た。
)場合同様、280°Cを越えると熱分解が激しくなっ
た。
(C) VD F/TrF E = 74/ 26共
重合体の場合の詳細: この共重合体は、常圧下の熱処理で、熱処理7晶度Tを
Tm < T < Tmに選択することにより、かつ。
重合体の場合の詳細: この共重合体は、常圧下の熱処理で、熱処理7晶度Tを
Tm < T < Tmに選択することにより、かつ。
ポーリング条件を選択することにより、 Ktか03以
上の高分子圧電体となすことができるか、ポーリング電
圧を400〜500kV/anあるいはそれ以上に設定
することが必要な場合があり、ポーリング電圧が250
kV/、程度では、 Ktが0.1稈度のものにしか
ならない場合がある。表4および横軸に熱処理温度T
(’C) 、縦軸にKtをとって第8図に。
上の高分子圧電体となすことができるか、ポーリング電
圧を400〜500kV/anあるいはそれ以上に設定
することが必要な場合があり、ポーリング電圧が250
kV/、程度では、 Ktが0.1稈度のものにしか
ならない場合がある。表4および横軸に熱処理温度T
(’C) 、縦軸にKtをとって第8図に。
各々の処理条件と圧電効果との関係を示す。加圧処理の
ものについては、VDF=79モル係の場合と同様、加
圧圧力Pの増大により、△T = Tm −Tmが大き
くなり、熱処理条件の選択幅が拡大され。
ものについては、VDF=79モル係の場合と同様、加
圧圧力Pの増大により、△T = Tm −Tmが大き
くなり、熱処理条件の選択幅が拡大され。
製造条件の選択が楽になる上、ポーリング電圧も。
沌圧処理の場合に比べて半分程度の電圧でKtが約0、
3に達する高分子圧電体の製造が可能となることか分か
る。なお、加圧熱処理時間は60分、ポーリング条件は
、100℃、60分とした。
3に達する高分子圧電体の製造が可能となることか分か
る。なお、加圧熱処理時間は60分、ポーリング条件は
、100℃、60分とした。
以1−に本発明に係る高分子圧電体の製造方法の実施例
を説明したが、斯様にして得られた高分子11−重体は
、電気・機械変換素子として、あるいは。
を説明したが、斯様にして得られた高分子11−重体は
、電気・機械変換素子として、あるいは。
この圧電体が同時に有する焦電的作用効果を利用する素
子として用いることができ、また、特にKtO値が0.
2以」−9好ましくは0.25以上、更に特に好捷しく
ば0.6以上のものは、従来の無機圧電体に替えである
いはポリフッ化ビニリデンからなる圧電体に替えて、生
体とのマツチングよく、得られる像の分解能が向上する
超音波受発信素子として、生体の超音波診断器の構成要
素に好ましく用いられる。
子として用いることができ、また、特にKtO値が0.
2以」−9好ましくは0.25以上、更に特に好捷しく
ば0.6以上のものは、従来の無機圧電体に替えである
いはポリフッ化ビニリデンからなる圧電体に替えて、生
体とのマツチングよく、得られる像の分解能が向上する
超音波受発信素子として、生体の超音波診断器の構成要
素に好ましく用いられる。
第1図は、VDFの組成比とKtおよびd31の値との
関係を説明するグラフ、第2図は、VDF=79モル係
の場合の加圧圧力とrr脅およびTmとの関係を説明す
るグラフ、第6図は、VDF、−79モル係の場合の熱
処理温度とKtとの関係を示すグラフ、第4図(a)、
(t))は、VDF=82モル係の場合のDTA曲線を
示す図、第5,6図、VDF=82モル係の場合の加圧
圧力とTmおよびT Illとの関係を説明するグラフ
、第7図は、VDF=82モルチの場合の熱処理温度と
Ktとの関係を小すグラフ、第8図は VD F=74
モルチの場合の熱処理温度とKtと1係を示すグラフで
ある。
関係を説明するグラフ、第2図は、VDF=79モル係
の場合の加圧圧力とrr脅およびTmとの関係を説明す
るグラフ、第6図は、VDF、−79モル係の場合の熱
処理温度とKtとの関係を示すグラフ、第4図(a)、
(t))は、VDF=82モル係の場合のDTA曲線を
示す図、第5,6図、VDF=82モル係の場合の加圧
圧力とTmおよびT Illとの関係を説明するグラフ
、第7図は、VDF=82モルチの場合の熱処理温度と
Ktとの関係を小すグラフ、第8図は VD F=74
モルチの場合の熱処理温度とKtと1係を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フッ化ビニリチン65〜95モルチト三フッ化エチレン
65〜5モルチとの共重合体またはこれを上体とした重
合体からなる成形物を、加圧下で。 処理温度T (’0)が強誘電・常誘電相転移を意味す
る吸熱カーブを示す温度TJO)と溶融を意味する吸熱
カーブを示す温度’rm CO)との間の温度に選択さ
ねだ熱処理を行なった後、あるいは、該熱処理をしなか
ら、ポーリング処理してなる高分子圧電体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56158189A JPS5860584A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 高分子圧電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56158189A JPS5860584A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 高分子圧電体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5860584A true JPS5860584A (ja) | 1983-04-11 |
JPS6318869B2 JPS6318869B2 (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=15666206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56158189A Granted JPS5860584A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 高分子圧電体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5860584A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010016291A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、その作製方法、それを用いた超音波振動子、超音波探触子および超音波画像検出装置 |
WO2010029783A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、有機圧電体膜、超音波振動子、その製造方法、超音波探触子、及び超音波医用画像診断装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102385408B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2022-04-13 | 주식회사 잇츠한불 | 강유전성 및 압전성을 가지는 화장료 조성물 |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56158189A patent/JPS5860584A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010016291A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、その作製方法、それを用いた超音波振動子、超音波探触子および超音波画像検出装置 |
JPWO2010016291A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2012-01-19 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、その作製方法、それを用いた超音波振動子、超音波探触子および超音波画像検出装置 |
WO2010029783A1 (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 有機圧電材料、有機圧電体膜、超音波振動子、その製造方法、超音波探触子、及び超音波医用画像診断装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6318869B2 (ja) | 1988-04-20 |
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