JPS5855313A - クロルスルホン酸の製造方法 - Google Patents
クロルスルホン酸の製造方法Info
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- JPS5855313A JPS5855313A JP15468081A JP15468081A JPS5855313A JP S5855313 A JPS5855313 A JP S5855313A JP 15468081 A JP15468081 A JP 15468081A JP 15468081 A JP15468081 A JP 15468081A JP S5855313 A JPS5855313 A JP S5855313A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はクロルスルホン酸の製造方法、特に安定化無水
硫atスルホン化剤とするクロルスルホン酸の製造方法
に関する。
硫atスルホン化剤とするクロルスルホン酸の製造方法
に関する。
ロルスルホン酸は、従来、発煙硫酸を加熱蒸発せしめて
得られる無水硫酸(80m)ガスと、塩化水素(11o
t )ガスとをガス−ガスで反応せしめることによシ製
造されている。本反応は下記反応式によp進行する。
得られる無水硫酸(80m)ガスと、塩化水素(11o
t )ガスとをガス−ガスで反応せしめることによシ製
造されている。本反応は下記反応式によp進行する。
Bog +1101 →8010t01該製造方法にお
いては、発燻硫@を加熱蒸発せしめて803ガスを発生
せしめる際に、sOs中に硫酸(H*80a ) iス
トが混入し製品の純縦を低下せしめる欠点を有しておシ
、この欠点を改良する方法として反応で生成したガス状
のクロルスルホン酸を一端液化せしめた後、再蒸発およ
び再凝縮せしめて高純度のクロルスルホノ酸を製造する
方法(特公昭51−10840号)が提案されている。
いては、発燻硫@を加熱蒸発せしめて803ガスを発生
せしめる際に、sOs中に硫酸(H*80a ) iス
トが混入し製品の純縦を低下せしめる欠点を有しておシ
、この欠点を改良する方法として反応で生成したガス状
のクロルスルホン酸を一端液化せしめた後、再蒸発およ
び再凝縮せしめて高純度のクロルスルホノ酸を製造する
方法(特公昭51−10840号)が提案されている。
しかしながら、鋏方法は、発mil酸の加熱、生成りロ
ルスルホン酸の再蒸発等、多大な加熱エネルギーを必要
とする欠陥を有している。反応で生成するクロルスルホ
ン酸中に硫酸が混入されない方法として、重合防止剤を
添加せしめて安定化した安定化無水硫酸(商品名=サル
ファン等)t−加熱蒸発せしめて得られるsOSガスと
104ガス管反応せしめてクロルスルホン酸を製造する
方法が実施されている。しかしながら、該方法におりて
も反応が発熱反応であり、冷却エネルギーを必要とする
にもかかわらず、SO,ガスを加熱によって発生させな
ければならない欠陥を有しており、また803ガスを蒸
発によって発生させるため、安定化無水硫酸の原単位が
悪く、さらに反応温度が170℃と厳しい条件である欠
陥がある。この欠点を改良するため、液状の安定化無水
硫酸とBOtガスとを直接反応せしめる方法が考えられ
るが、この方法においては反応が爆発的に進行する危険
性がある丸め実施できなかった。
ルスルホン酸の再蒸発等、多大な加熱エネルギーを必要
とする欠陥を有している。反応で生成するクロルスルホ
ン酸中に硫酸が混入されない方法として、重合防止剤を
添加せしめて安定化した安定化無水硫酸(商品名=サル
ファン等)t−加熱蒸発せしめて得られるsOSガスと
104ガス管反応せしめてクロルスルホン酸を製造する
方法が実施されている。しかしながら、該方法におりて
も反応が発熱反応であり、冷却エネルギーを必要とする
にもかかわらず、SO,ガスを加熱によって発生させな
ければならない欠陥を有しており、また803ガスを蒸
発によって発生させるため、安定化無水硫酸の原単位が
悪く、さらに反応温度が170℃と厳しい条件である欠
陥がある。この欠点を改良するため、液状の安定化無水
硫酸とBOtガスとを直接反応せしめる方法が考えられ
るが、この方法においては反応が爆発的に進行する危険
性がある丸め実施できなかった。
本発明者等は、液状の安定化無水硫酸を使用するクロル
スルホ/酸の製造方法を鋭意研究の結果、安定化無水硫
酸をクロルスルホン酸に溶解せしめた溶液にHCtガス
を吹込むことによシ、温和な条件で効率よくクロルスル
ホン酸が得うれることを見出し本発明を完成した。
スルホ/酸の製造方法を鋭意研究の結果、安定化無水硫
酸をクロルスルホン酸に溶解せしめた溶液にHCtガス
を吹込むことによシ、温和な条件で効率よくクロルスル
ホン酸が得うれることを見出し本発明を完成した。
本発明は、エネルギー消費量の小さい、高純度の製品の
得られるクロルスルホン酸の製造方法を提供することを
目的とする。
得られるクロルスルホン酸の製造方法を提供することを
目的とする。
本発明は、液状の安定化無水硫酸をクロルスルホン酸に
溶解せしめた溶液と、塩化水素ガスとを接触せしめるこ
とを特徴とするクロルスルホ/酸の製造方法である。
溶解せしめた溶液と、塩化水素ガスとを接触せしめるこ
とを特徴とするクロルスルホ/酸の製造方法である。
本発明において、安定化無水硫酸とは、重合防止剤を添
加せしめて安定化した無水硫酸であシ、そのものはクロ
ルスルホン酸に任意の割合で溶解する。安定化無水硫酸
を溶解せしめるクロルスルホン酸は通常反応で生成する
クロルスルホン酸を使用する。一方塩化水素ガスは、合
成塩化水素ガス、回収塩化水素ガスのいずれをも使用し
得るが、純度が90%以上あり、かつ、水分ができるだ
け少ないものを使用するのが好ましい。反応系内の水分
は、無水硫酸と反応するか、またはクロルスルホン酸を
加水分解オしめて硫酸(H,804)を容易に生成し、
製品の純度氷 を低下せしめると共に収率の低下を招栗するので好まし
くない。合成塩化水素ガスを使用する場合には、反応排
ガス中に尿素ガスが含まれるので、充分な安全″対策を
講する必要がある。回収塩化水素ガスを使用する場合に
は、無水硫酸またはクロルスルホン酸により容易にスル
ホン化されるIE−pたはクロルスルホン化される不純
物を含有する回収塩化水素ガス整容は好ましくない。
加せしめて安定化した無水硫酸であシ、そのものはクロ
ルスルホン酸に任意の割合で溶解する。安定化無水硫酸
を溶解せしめるクロルスルホン酸は通常反応で生成する
クロルスルホン酸を使用する。一方塩化水素ガスは、合
成塩化水素ガス、回収塩化水素ガスのいずれをも使用し
得るが、純度が90%以上あり、かつ、水分ができるだ
け少ないものを使用するのが好ましい。反応系内の水分
は、無水硫酸と反応するか、またはクロルスルホン酸を
加水分解オしめて硫酸(H,804)を容易に生成し、
製品の純度氷 を低下せしめると共に収率の低下を招栗するので好まし
くない。合成塩化水素ガスを使用する場合には、反応排
ガス中に尿素ガスが含まれるので、充分な安全″対策を
講する必要がある。回収塩化水素ガスを使用する場合に
は、無水硫酸またはクロルスルホン酸により容易にスル
ホン化されるIE−pたはクロルスルホン化される不純
物を含有する回収塩化水素ガス整容は好ましくない。
本発明において、安定化無水硫酸をクロルスルホ/酸に
溶解せしめた溶液と、塩化水素ガスとを接触せしめる方
法は、該溶′wi、VC塩化水素ガスを吹込むか、また
は該溶液と塩化水素ガスとt−4流または並流接触せし
めることによって行う。しかしながら、無水硫酸と塩化
水素ガスとの反応は大きな反応熱(発熱)を伴うので、
反応熱を除去し易い槽式の反応装置を用いるのが好まし
く、塔式反応装置を用い向流または並流接触せしめる場
合には反応熱を除去し易い装置九とえばぬれ壁塔勢を用
いるのが好ましい。本反応は、反応熱を除去せしめなが
ら行うため、45℃〜100℃の温度で温和に進行し、
クロルスルホン酸を生成する。通常、15℃以下に冷却
せ麗 しめて除銀した合成塩化水素ガスを用いた場合、M[9
81以上のクロルスルホン酸が得られ、また、水分を殆
んど含まない精製塩化水素ガスを用い九場合純度99.
54以上の高純度のクロルスルホン酸が得られる。生成
したクロルスルホ/酸中の不純物は、安定化無水硫酸に
添加されている微量に含まれている安定化剤および、水
との反応で生成する硫酸であり、通常、クロルスルホン
@を用いる反応において問題となることはない。これら
の不純物が問題となる場合には蒸留勢の操作により精製
し、より高純度のクロルスルホン酸とすることができる
。
溶解せしめた溶液と、塩化水素ガスとを接触せしめる方
法は、該溶′wi、VC塩化水素ガスを吹込むか、また
は該溶液と塩化水素ガスとt−4流または並流接触せし
めることによって行う。しかしながら、無水硫酸と塩化
水素ガスとの反応は大きな反応熱(発熱)を伴うので、
反応熱を除去し易い槽式の反応装置を用いるのが好まし
く、塔式反応装置を用い向流または並流接触せしめる場
合には反応熱を除去し易い装置九とえばぬれ壁塔勢を用
いるのが好ましい。本反応は、反応熱を除去せしめなが
ら行うため、45℃〜100℃の温度で温和に進行し、
クロルスルホン酸を生成する。通常、15℃以下に冷却
せ麗 しめて除銀した合成塩化水素ガスを用いた場合、M[9
81以上のクロルスルホン酸が得られ、また、水分を殆
んど含まない精製塩化水素ガスを用い九場合純度99.
54以上の高純度のクロルスルホン酸が得られる。生成
したクロルスルホ/酸中の不純物は、安定化無水硫酸に
添加されている微量に含まれている安定化剤および、水
との反応で生成する硫酸であり、通常、クロルスルホン
@を用いる反応において問題となることはない。これら
の不純物が問題となる場合には蒸留勢の操作により精製
し、より高純度のクロルスルホン酸とすることができる
。
以下、第1図に示す本発明の一実施態様を示すフローシ
ートに基き、本発明の詳細な説明する。
ートに基き、本発明の詳細な説明する。
第1図において、ム:安定化無水硫酸、B:塩化水素ガ
ス、C:クロルスルホノ酸、およびD:排ガスを表し、
またlニー次反応檜、2:吸収塔、3:二次反応槽、4
:循環冷却器、5:クロルスル本ン酸貯槽、6:循環?
ング、7:ガス冷却器および8〜18:配管を表す。
ス、C:クロルスルホノ酸、およびD:排ガスを表し、
またlニー次反応檜、2:吸収塔、3:二次反応槽、4
:循環冷却器、5:クロルスル本ン酸貯槽、6:循環?
ング、7:ガス冷却器および8〜18:配管を表す。
上記各機器の間は、配管8〜12で接続され、)
循環ポンプ6によりクロルスルホン酸0が循環している
。安定化無水硫酸ムは配管13により −次反応槽1中
に供給し、塩化水素ガスは、その使用量をほぼ2分して
、−次反応檜lおよび二次反応槽3に供給する。本反応
は、−次反応檜Iにおいては無水硫酸過剰の条−件で、
二次反応槽3においては塩化水素過剰の条件で行うこと
によp1安定化無水硫酸、塩化水素ガス共にほぼ100
−の反応率となる。−次反応槽1における無水硫酸(8
0g )過剰の条件は、−次反応檜15二次反応槽3、
循環冷却器4およびガス冷却lI7の冷却能力、特に−
次反応檜1および二次反応槽3における反応熱除去能力
によって異るが、−次反応檜1から配管8t−通してオ
ーバーフローする一次反応液中のフリーの無水硫酸濃度
が10重量−以下、好ましくは、4〜7重量−であり、
安定化無水硫酸は一次反応液中のフリーの無水硫酸濃度
によシー次反応槽lへの供給量が制御される。−次反応
液中のフリーの無水硫酸は二次反応槽2に供給される過
剰の塩化水素ガスによシ全て反応し、クロルスルホン酸
を生成する。一方、二次反応槽3における過剰の塩化水
素ガスは、ガス吸収塔2内で一次反応液中からオーバー
フローし、配管8によシガス吸収塔2の塔頂付近に供給
される一次反応液と向流接触した後、ガス吸収塔2の塔
頂よシ配管16によシー次反応檜1内に吹込まれ、ここ
で全て反応し、クロルスルホン酸を生成する。−次反応
槽lの反応排ガスDは、ガス冷却器7において、ガス冷
却器7の塔頂付近く配管12によシ供給される。冷却さ
れた循環クロルスルホン酸と向流接触することによ〕、
反応排ガス中のクロルスルホン酸、および無水硫酸蒸気
を凝縮除去した後配管17により排ガス処理工程へ排出
する。排ガス処理は、アルカリ水溶液β洗浄し大気放出
する。塩化水素ガスとして合成塩化水素ガスを使用する
場合、排ガス中に水素ガスが濃縮されているので、水素
の爆発限界濃[(29G)にまで空気で稀釈した後放出
する。
。安定化無水硫酸ムは配管13により −次反応槽1中
に供給し、塩化水素ガスは、その使用量をほぼ2分して
、−次反応檜lおよび二次反応槽3に供給する。本反応
は、−次反応檜Iにおいては無水硫酸過剰の条−件で、
二次反応槽3においては塩化水素過剰の条件で行うこと
によp1安定化無水硫酸、塩化水素ガス共にほぼ100
−の反応率となる。−次反応槽1における無水硫酸(8
0g )過剰の条件は、−次反応檜15二次反応槽3、
循環冷却器4およびガス冷却lI7の冷却能力、特に−
次反応檜1および二次反応槽3における反応熱除去能力
によって異るが、−次反応檜1から配管8t−通してオ
ーバーフローする一次反応液中のフリーの無水硫酸濃度
が10重量−以下、好ましくは、4〜7重量−であり、
安定化無水硫酸は一次反応液中のフリーの無水硫酸濃度
によシー次反応槽lへの供給量が制御される。−次反応
液中のフリーの無水硫酸は二次反応槽2に供給される過
剰の塩化水素ガスによシ全て反応し、クロルスルホン酸
を生成する。一方、二次反応槽3における過剰の塩化水
素ガスは、ガス吸収塔2内で一次反応液中からオーバー
フローし、配管8によシガス吸収塔2の塔頂付近に供給
される一次反応液と向流接触した後、ガス吸収塔2の塔
頂よシ配管16によシー次反応檜1内に吹込まれ、ここ
で全て反応し、クロルスルホン酸を生成する。−次反応
槽lの反応排ガスDは、ガス冷却器7において、ガス冷
却器7の塔頂付近く配管12によシ供給される。冷却さ
れた循環クロルスルホン酸と向流接触することによ〕、
反応排ガス中のクロルスルホン酸、および無水硫酸蒸気
を凝縮除去した後配管17により排ガス処理工程へ排出
する。排ガス処理は、アルカリ水溶液β洗浄し大気放出
する。塩化水素ガスとして合成塩化水素ガスを使用する
場合、排ガス中に水素ガスが濃縮されているので、水素
の爆発限界濃[(29G)にまで空気で稀釈した後放出
する。
本反応の温度条件は、クロルスルホン酸の生産量によシ
異るが、−次反応槽lおよび二次反応槽2共に45〜1
00℃であり、ガス冷却器に供給する循環クロルスルホ
ン酸の温度は、無水硫酸の沸点以下、好ましくは40’
C以下である。
異るが、−次反応槽lおよび二次反応槽2共に45〜1
00℃であり、ガス冷却器に供給する循環クロルスルホ
ン酸の温度は、無水硫酸の沸点以下、好ましくは40’
C以下である。
本発明は、下記の特徴を有している。
0)液状の安定化無水値#を直接使用するため、無水硫
酸ガス発生のための加熱エネルギーおよび生成りロルス
ルホン酸を凝縮せしめるための冷却エネルギーが不要で
ある。
酸ガス発生のための加熱エネルギーおよび生成りロルス
ルホン酸を凝縮せしめるための冷却エネルギーが不要で
ある。
(ロ)安定化無水硫酸をクロルスルホン酸に溶解せしめ
て使用することにより、反応熱の除去効率が向上し、ガ
ス−ガス反応に比較し、温和な反応条件で反応を行うこ
とができ、安全である。
て使用することにより、反応熱の除去効率が向上し、ガ
ス−ガス反応に比較し、温和な反応条件で反応を行うこ
とができ、安全である。
e→ 安定化無水硫酸を使用するため、製品の純度が高
い。
い。
に) クロルスルホン酸を反応溶媒としているため、特
殊な場合を除いて、製品の精製を行う必要がない。
殊な場合を除いて、製品の精製を行う必要がない。
(イ)安定化無水硫酸を蒸発せしめることなく使用する
ので反応収率が高い。
ので反応収率が高い。
本発明は、温和な反応条件で高純度のクロルスルホン酸
を高収率で製造する方法を提供するものであり、特に省
エネルゼー的に有利なりロルスルホン酸の製造方法であ
シ、その産業的意義は大きい。
を高収率で製造する方法を提供するものであり、特に省
エネルゼー的に有利なりロルスルホン酸の製造方法であ
シ、その産業的意義は大きい。
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明する。ただ
し、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
し、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
実施例1
第1図に示す70−シートと同一の反応装置を用い、該
装置内にクロルスルホン酸を循環せしめながら、−次反
応槽1に安定化無水硫酸を連続的に供給しながら、−次
反応槽1および二次反応槽3に5℃に冷却した合成塩化
水素ゲスを各225Kt/Hrの供給速度で供給した。
装置内にクロルスルホン酸を循環せしめながら、−次反
応槽1に安定化無水硫酸を連続的に供給しながら、−次
反応槽1および二次反応槽3に5℃に冷却した合成塩化
水素ゲスを各225Kt/Hrの供給速度で供給した。
−次反応液中の717−の無水硫酸濃度を5.3±0.
5(重量)−に維持した時、安定化無水硫酸の供給速度
はIs oo 7に4/Hrであった。ガス冷却器に供
給する循環クロルスルホ/酸の温度は、あ〜関℃に維持
した。−次反応楕lおよび二次反応槽3の反応温度は9
0〜95℃であった。
5(重量)−に維持した時、安定化無水硫酸の供給速度
はIs oo 7に4/Hrであった。ガス冷却器に供
給する循環クロルスルホ/酸の温度は、あ〜関℃に維持
した。−次反応楕lおよび二次反応槽3の反応温度は9
0〜95℃であった。
本実施例における収率は、対安定化無水硫酸98.6チ
、対塩化水素ガス1001G%で製品純度は99.2−
であシ、従来のガス−ガス法と比較して対安定化無水硫
酸収率が0.7チ上昇した。また、安定化無水硫酸の加
熱蒸発を行わないので、ガス−ガス法で使用していたス
チーム原単位(325−/l(製品))が0であった。
、対塩化水素ガス1001G%で製品純度は99.2−
であシ、従来のガス−ガス法と比較して対安定化無水硫
酸収率が0.7チ上昇した。また、安定化無水硫酸の加
熱蒸発を行わないので、ガス−ガス法で使用していたス
チーム原単位(325−/l(製品))が0であった。
;
第1図は、本発明の一実施態様を示すフローシー゛トで
ある。 〔使用記号〕 ム:安定化無水硫酸 B:塩化水素ガスC:クロルスル
ホン酸(製品) D:排ガス 1ニ一次反応檜 2:ガス吸収塔 3:二次反応槽 4:循環冷却器 5:クロルスルホン酸貯槽 6:循′fj1/ン7” 7:7’/ス冷却器8
〜18;配管
ある。 〔使用記号〕 ム:安定化無水硫酸 B:塩化水素ガスC:クロルスル
ホン酸(製品) D:排ガス 1ニ一次反応檜 2:ガス吸収塔 3:二次反応槽 4:循環冷却器 5:クロルスルホン酸貯槽 6:循′fj1/ン7” 7:7’/ス冷却器8
〜18;配管
Claims (1)
- 液状の安定化無水硫酸をクロルスルホン酸に溶解せしめ
た溶液と、塩化水素ガスとを接触反応せしめることt−
特徴とするクロルスル示ン酸O製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15468081A JPS5855313A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | クロルスルホン酸の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15468081A JPS5855313A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | クロルスルホン酸の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5855313A true JPS5855313A (ja) | 1983-04-01 |
Family
ID=15589560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15468081A Pending JPS5855313A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | クロルスルホン酸の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5855313A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1063156C (zh) * | 1997-01-08 | 2001-03-14 | 苏州精细化工集团公司 | 利用低浓度氯化氢直接制高浓度氯磺酸新工艺 |
CN1067961C (zh) * | 1997-06-22 | 2001-07-04 | 四平联合化工股份有限公司 | 采用高浓度三氧化硫合成氯磺酸的工艺方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53102892A (en) * | 1977-02-17 | 1978-09-07 | Ciba Geigy Ag | Method of utilizing hydrogen chloride gas |
EP0000173A1 (de) * | 1977-07-02 | 1979-01-10 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Chlorsulfonsäure |
JPS57203055A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-13 | Tokuyama Soda Co Ltd | Preparation of chlorosulfonic acid |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP15468081A patent/JPS5855313A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53102892A (en) * | 1977-02-17 | 1978-09-07 | Ciba Geigy Ag | Method of utilizing hydrogen chloride gas |
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