JPS5854709A - 高周波装置 - Google Patents
高周波装置Info
- Publication number
- JPS5854709A JPS5854709A JP15436281A JP15436281A JPS5854709A JP S5854709 A JPS5854709 A JP S5854709A JP 15436281 A JP15436281 A JP 15436281A JP 15436281 A JP15436281 A JP 15436281A JP S5854709 A JPS5854709 A JP S5854709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- local oscillator
- power supply
- amplifier
- high frequency
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯の周波数変換に用いらｎる高周波
装置に関する。
装置に関する。
従来のマイクロ波帯の受信周波数変換装置は第１図に示
１如く、低雑音増幅器】、ミキリ゛−２と局部発振器３
から成り、入力端子４に印加さ７′またマイクロ波信号
は低雑音増幅器１で増幅さｎ、ミキャー２によって局部
発振器３の発振信号と混合１− さｎて中間周波信号に変換され出力端子５より出力さ几
る。
１如く、低雑音増幅器】、ミキリ゛−２と局部発振器３
から成り、入力端子４に印加さ７′またマイクロ波信号
は低雑音増幅器１で増幅さｎ、ミキャー２によって局部
発振器３の発振信号と混合１− さｎて中間周波信号に変換され出力端子５より出力さ几
る。
第１図において低雑音増幅器は、能動素子として例えば
電界効果ｌ・ランジスタを使用すると非常にすぐ牡だ性
能を得ることが出来る。ｍ２図はこの種の増幅回路の一
例である。第２図の如く、電昇効果ｉ・ランジスタ１０
のソース電極は直接接地する方が利得、雑音指数等の性
能が良好な増幅器を得ることが出来る。この場合、第２
図の回路ではプラス電源士ＶＤとマイナス電源−ＶＧ
を必要とする。然ｌ〜、装置に電源が一種類、例えば第
１図の如くプラス電源」−Ｂしか外部より供給されない
場せには、同図に示す如（ＤＣ−ＤＣコンバータ６を具
備してプラス電圧に変換して増１−器］に供給しなげｎ
、ばならない。
電界効果ｌ・ランジスタを使用すると非常にすぐ牡だ性
能を得ることが出来る。ｍ２図はこの種の増幅回路の一
例である。第２図の如く、電昇効果ｉ・ランジスタ１０
のソース電極は直接接地する方が利得、雑音指数等の性
能が良好な増幅器を得ることが出来る。この場合、第２
図の回路ではプラス電源士ＶＤとマイナス電源−ＶＧ
を必要とする。然ｌ〜、装置に電源が一種類、例えば第
１図の如くプラス電源」−Ｂしか外部より供給されない
場せには、同図に示す如（ＤＣ−ＤＣコンバータ６を具
備してプラス電圧に変換して増１−器］に供給しなげｎ
、ばならない。
然［７ながら、ＤＣ−ＤＣコンバータは一般に１００ｋ
ｌ（ｚ以下程度のスイッチング周波数でパルス動作して
いるため、ＤＣ−ＤＣコンバータより外部にこのスイッ
チング周波数及びその高調波のスパイク状の雑音電圧電
流を出し２て妨害を力え ２− る欠点があった。この雑音電圧電流は第１図の装置にお
いて例えば局部発振器３に影響を与えて発振周波数を変
調し７、その為装置の信号対雑音比特性（以下Ｓ／Ｎと
云う）を悪くする欠点があった。
ｌ（ｚ以下程度のスイッチング周波数でパルス動作して
いるため、ＤＣ−ＤＣコンバータより外部にこのスイッ
チング周波数及びその高調波のスパイク状の雑音電圧電
流を出し２て妨害を力え ２− る欠点があった。この雑音電圧電流は第１図の装置にお
いて例えば局部発振器３に影響を与えて発振周波数を変
調し７、その為装置の信号対雑音比特性（以下Ｓ／Ｎと
云う）を悪くする欠点があった。
このため該１） Ｃ−Ｄ Ｃコンバータの入出力端子に
は更にスイッチング周波数に対して連断特性を有する相
当大がかりな低域通過フィルター等を付加し々ければな
らないが、そ几でもいくらかはＳ／Ｎを悪化させるため
装置製造−ヒ、重大な問題となっていた。又、上述の如
＜ ＴＪ Ｃ−Ｄ Ｃコンバータや低域通過フィルター
を付加することは装置の小形化、簡単化を妨げ、価格を
高くする要因にもなっていた。
は更にスイッチング周波数に対して連断特性を有する相
当大がかりな低域通過フィルター等を付加し々ければな
らないが、そ几でもいくらかはＳ／Ｎを悪化させるため
装置製造−ヒ、重大な問題となっていた。又、上述の如
＜ ＴＪ Ｃ−Ｄ Ｃコンバータや低域通過フィルター
を付加することは装置の小形化、簡単化を妨げ、価格を
高くする要因にもなっていた。
本発明の目的は、これらの欠点を排除し、構ルｋが簡単
で、安価な高周波装置を提供することである。
で、安価な高周波装置を提供することである。
本発明によ几ば、局部発振器の発振電力の一部を整流し
、てマイナス電圧を発生させ、こｎを増幅器のマイナス
バイアスとして使用することにより、雑音の原因となる
Ｊ’） Ｃ−Ｉ） Ｃコンバータを排除し、簡単で高性
能のマイクロ波装置を構成することが出来る。
、てマイナス電圧を発生させ、こｎを増幅器のマイナス
バイアスとして使用することにより、雑音の原因となる
Ｊ’） Ｃ−Ｉ） Ｃコンバータを排除し、簡単で高性
能のマイクロ波装置を構成することが出来る。
以下本発明の一実施例の図■ηを診照して本発明の詳細
な説明する。第３図は本発明の一実施例を表わす回路図
であり、低雑音増幅器１１１局部発振器１２．整流回路
１３を具備しており、更に１４はミキナー、１５は電、
圧安定化回路を示す。同図にて局部発振器１２にはプラ
ス電源十Ｂが印加さｎて動作し、該局部発振器の発振出
力はミキサー１４に印加さ几ると共に、その一部は分割
さ扛て、例えばショットキーダイオードから成る整流回
路１３に印加されマイナス電圧を発生させる。該マイナ
ス電圧は必要の場合には電圧安定化回路１５により一定
の電圧に制御さｒ、た後、低雑音増幅器１１にマイナス
バイアス−Ｖとして印加さｎる。
な説明する。第３図は本発明の一実施例を表わす回路図
であり、低雑音増幅器１１１局部発振器１２．整流回路
１３を具備しており、更に１４はミキナー、１５は電、
圧安定化回路を示す。同図にて局部発振器１２にはプラ
ス電源十Ｂが印加さｎて動作し、該局部発振器の発振出
力はミキサー１４に印加さ几ると共に、その一部は分割
さ扛て、例えばショットキーダイオードから成る整流回
路１３に印加されマイナス電圧を発生させる。該マイナ
ス電圧は必要の場合には電圧安定化回路１５により一定
の電圧に制御さｒ、た後、低雑音増幅器１１にマイナス
バイアス−Ｖとして印加さｎる。
以上のように簡単な回路構成によシマイナス電圧を発生
させることが出来る。以上の説明におけるマイナス・バ
イアスは、電界効果トランジスタのゲート・バイアスで
あるから、例えば−３Ｖ。
させることが出来る。以上の説明におけるマイナス・バ
イアスは、電界効果トランジスタのゲート・バイアスで
あるから、例えば−３Ｖ。
０．１ｍＡ程度と極微少の電力で足シるため、とのマイ
ナス電圧電流に変換さｎる局部発振電力は通常の局部発
振器で充分供給し得る程度であり、このために局部発振
器の回路を大形化する必要はない。又、第３図の整流回
路で扱う信号はマイクロ波で、従来のＩ） Ｃ−Ｄ Ｃ
コンバータで扱う１００ｋ Ｈｚ程度の周波数に比べて
非常に高いので、平滑回路等に使用するコンデンサー、
コイル等の素子も小容蓋、小形のもので足りるため回路
が小形で、簡単になる特長を有する。又、第３図の装置
では、ＤＣ−ＤＣコンバータの如く雑音信号源となる可
能性の有る発振又はスイッチング回路を使用する必要が
ないから、従来の装置の如（Ｓ／Ｎが悪くなる恐扛はま
ったくない。
ナス電圧電流に変換さｎる局部発振電力は通常の局部発
振器で充分供給し得る程度であり、このために局部発振
器の回路を大形化する必要はない。又、第３図の整流回
路で扱う信号はマイクロ波で、従来のＩ） Ｃ−Ｄ Ｃ
コンバータで扱う１００ｋ Ｈｚ程度の周波数に比べて
非常に高いので、平滑回路等に使用するコンデンサー、
コイル等の素子も小容蓋、小形のもので足りるため回路
が小形で、簡単になる特長を有する。又、第３図の装置
では、ＤＣ−ＤＣコンバータの如く雑音信号源となる可
能性の有る発振又はスイッチング回路を使用する必要が
ないから、従来の装置の如（Ｓ／Ｎが悪くなる恐扛はま
ったくない。
第４図は本発明になる受信周波数変換装置の他の実施例
を示す回路図であり、同図において、２１は低雑音増幅
器、２２は局部発振器、２３はミキサー回路である。ミ
キサー回路２３のダイオード電流回路の例えば抵抗Ｒ２
よりマイナス電圧を取り出し低雑音増幅器２１のマイナ
ス・バイアス−■として使用することが出来て、第３図
の整流回５− 路１３を省略出来て、更に簡単な装置を構成することが
出来る。
を示す回路図であり、同図において、２１は低雑音増幅
器、２２は局部発振器、２３はミキサー回路である。ミ
キサー回路２３のダイオード電流回路の例えば抵抗Ｒ２
よりマイナス電圧を取り出し低雑音増幅器２１のマイナ
ス・バイアス−■として使用することが出来て、第３図
の整流回５− 路１３を省略出来て、更に簡単な装置を構成することが
出来る。
尚、以上の説明では、外部よりプラス電源が供給さ扛て
、装置内部でマイナス電圧を発生させたが、逆に外部よ
りマイナス電源を供給さｎて、装置内部でプラス電圧を
発生させることも出来る。
、装置内部でマイナス電圧を発生させたが、逆に外部よ
りマイナス電源を供給さｎて、装置内部でプラス電圧を
発生させることも出来る。
以上の説明では低雑音増幅器の能動素子として電界効果
トランジスタを使用した例を述べたが、バイポーラ・ト
ランジスタ等を使用しても同様の効果があることは明ら
かである。
トランジスタを使用した例を述べたが、バイポーラ・ト
ランジスタ等を使用しても同様の効果があることは明ら
かである。
以上の説明では受信周波数変換装置に本発明を実施した
例について述べたが、送信周波数変換装置や、一般に局
部発振器とトランジスタ増幅器を具備する高周波装置に
本発明を実施して同様の効果を上げることも出来る。本
発明は、以上説明した如く、局部発振器とトランジスタ
増幅器を具備し、該局部発振電力の一部を整流し、該ト
ランジスタ増幅器のバイアス電源に使用することにょシ
簡単でＳ／Ｎの良い高周波装置を提供する特徴をＨする
。
例について述べたが、送信周波数変換装置や、一般に局
部発振器とトランジスタ増幅器を具備する高周波装置に
本発明を実施して同様の効果を上げることも出来る。本
発明は、以上説明した如く、局部発振器とトランジスタ
増幅器を具備し、該局部発振電力の一部を整流し、該ト
ランジスタ増幅器のバイアス電源に使用することにょシ
簡単でＳ／Ｎの良い高周波装置を提供する特徴をＨする
。
６−
第１図は従来の受信周波数変換装置の系統図、第２図は
低雑音増幅器の回路図、第３図は本発明の一実施例を示
す回路図、第４図は本発明の他の実施例を示す回路図。 図において、１・・・・・低雑音増幅器、２・・・・・
・ミキサー、３・・・・・局部発振器、４・・・・・入
力端子、５ ・・・・出力端子、６・・・・・・ＤＣ−
ＤＣコンバータ、１０・・・・トランジスタ、１１・・
・・・・低雑音増幅器、１２・・・・・・局部発振器、
１３・・・・・整流回路、１４・・・・・ミキサー、１
５・・・・・・電圧安定化回路、２１・・・・・・低雑
音増幅器、２２・・・・局部発振器、２３・・・・・・
ミキサー回路。 、− −Ｖ６ ＋Ｖｖ 酩 Ｚ 図
低雑音増幅器の回路図、第３図は本発明の一実施例を示
す回路図、第４図は本発明の他の実施例を示す回路図。 図において、１・・・・・低雑音増幅器、２・・・・・
・ミキサー、３・・・・・局部発振器、４・・・・・入
力端子、５ ・・・・出力端子、６・・・・・・ＤＣ−
ＤＣコンバータ、１０・・・・トランジスタ、１１・・
・・・・低雑音増幅器、１２・・・・・・局部発振器、
１３・・・・・整流回路、１４・・・・・ミキサー、１
５・・・・・・電圧安定化回路、２１・・・・・・低雑
音増幅器、２２・・・・局部発振器、２３・・・・・・
ミキサー回路。 、− −Ｖ６ ＋Ｖｖ 酩 Ｚ 図
Claims (1)
- 局部発振器と、異なる極性の電圧を必要とする）・ラン
シスター増幅器と、前記局部発振器の発振電力の一部を
整流して前記トランジスター増幅器に必要な電圧の一方
の電圧を作る整流回路とを具備したことを特徴とする高
周波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15436281A JPS5854709A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 高周波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15436281A JPS5854709A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 高周波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854709A true JPS5854709A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15582493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15436281A Pending JPS5854709A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 高周波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854709A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6575936B1 (en) | 1997-01-10 | 2003-06-10 | Japan Servo Co., Ltd. | Liquid infusion apparatus |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP15436281A patent/JPS5854709A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6575936B1 (en) | 1997-01-10 | 2003-06-10 | Japan Servo Co., Ltd. | Liquid infusion apparatus |
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