JPS5852995B2 - フルフラ−ル誘導体の製造法 - Google Patents
フルフラ−ル誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS5852995B2 JPS5852995B2 JP56154483A JP15448381A JPS5852995B2 JP S5852995 B2 JPS5852995 B2 JP S5852995B2 JP 56154483 A JP56154483 A JP 56154483A JP 15448381 A JP15448381 A JP 15448381A JP S5852995 B2 JPS5852995 B2 JP S5852995B2
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- compound represented
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は医薬品などとして有用な一般式
(式中、R1はニトロ基を、Xは酸素原子を示す)で表
わされる化合物(I)の合成中間体として用いられれる
一般式 (式中、R’ 、 R2,Xは前記と同意義を有する)
で表わされる新規化合物の製造法に関するものである。
わされる化合物(I)の合成中間体として用いられれる
一般式 (式中、R’ 、 R2,Xは前記と同意義を有する)
で表わされる新規化合物の製造法に関するものである。
上記一般式(I)で表わされる化合物は筋弛緩作用を有
する薬剤としてきわめて有効であり、その製造法として
アメリガ特許43415821(1968年)記載の方
法があるが、その製法は一般に収率が悪く工業的に有利
な方法とはいい難い。
する薬剤としてきわめて有効であり、その製造法として
アメリガ特許43415821(1968年)記載の方
法があるが、その製法は一般に収率が悪く工業的に有利
な方法とはいい難い。
本発明者等は、種々検討の結果、一般式
(式中、R1は前記と同意義を有する)で表わされる化
合物と一般式 %式% () (式中、R2は低級アノ+4yし基を示し、Xは前記と
同意義を有する)で表わされる化合物を反応させるか、
または化合物(II)と一般式 %式%() (式中、R2は前記と同意義を有する)で表わされる化
合物を反応させて一般式 (式中、R1、R2は前記と同意義を有する)で表わさ
れる化合物とし、ついでイソシアン酸を反応させること
によって得られる化合物(ト)を加熱環化させると、化
合物(I)が高収率で製造し得ることを見出し、これに
基づいて本発明を完成した。
合物と一般式 %式% () (式中、R2は低級アノ+4yし基を示し、Xは前記と
同意義を有する)で表わされる化合物を反応させるか、
または化合物(II)と一般式 %式%() (式中、R2は前記と同意義を有する)で表わされる化
合物を反応させて一般式 (式中、R1、R2は前記と同意義を有する)で表わさ
れる化合物とし、ついでイソシアン酸を反応させること
によって得られる化合物(ト)を加熱環化させると、化
合物(I)が高収率で製造し得ることを見出し、これに
基づいて本発明を完成した。
即ち、本発明は、
(1)化合物(n)と化合物(l[)を反応させること
を特徴とする、化合物(ト)の製造法、 (2)化合物(n)とヒドラジノ酢酸エステル類(イ)
を反応させて化合物(V)を製造し、これにイソシアン
酸を反応させることを特徴とする、化合物(ト)の製造
法に関するものである。
を特徴とする、化合物(ト)の製造法、 (2)化合物(n)とヒドラジノ酢酸エステル類(イ)
を反応させて化合物(V)を製造し、これにイソシアン
酸を反応させることを特徴とする、化合物(ト)の製造
法に関するものである。
本願の目的化合物(ト)は、化合物(II)と化合物(
I)とを反応させることにより製造できる。
I)とを反応させることにより製造できる。
この反応は、一般式(■)1モルに対し、(I)の過剰
モル量、一般に約1〜5モル量が好んで用いられる。
モル量、一般に約1〜5モル量が好んで用いられる。
反応は通常反応自体に不活性の適宜の溶剤、たとえばア
ルコール類(例、メタノール、エタノール、プロパツー
ルなと)あるいはジアルキルホルムアミド類(例、ジメ
チルホルムアミド、ジエチルホルムアミドなど)などが
用いられるが、必ずしも溶剤の要はなく、直接両者を反
応させてもよい。
ルコール類(例、メタノール、エタノール、プロパツー
ルなと)あるいはジアルキルホルムアミド類(例、ジメ
チルホルムアミド、ジエチルホルムアミドなど)などが
用いられるが、必ずしも溶剤の要はなく、直接両者を反
応させてもよい。
反応温度は00〜200℃の間の適宜の温度が選ばれる
。
。
また、目的化合物(Vl)は、化合物(II)とヒドラ
ジノ酢酸エステル類(IV)を反応させて化合物(V)
を製造し、これにイソシアン酸を反応させることにより
製造することができる。
ジノ酢酸エステル類(IV)を反応させて化合物(V)
を製造し、これにイソシアン酸を反応させることにより
製造することができる。
この反応に於いては、(■)1モルに対しGV)1〜5
モル使用し得るが、通常約1〜2モルが好んで用いられ
る。
モル使用し得るが、通常約1〜2モルが好んで用いられ
る。
反応は反応自体に不活性の溶媒、たとえば(II)と(
1)の反応で記載した溶媒などが用いられるが、必ずし
も溶媒使用の必要はなく直接両者を反応させてもよい。
1)の反応で記載した溶媒などが用いられるが、必ずし
も溶媒使用の必要はなく直接両者を反応させてもよい。
反応温度は0°〜200°Cの間で適宜の温度を用いる
のが好ましい。
のが好ましい。
このようにして製造した■)に、イソシアン酸を反応さ
せて化合物(VI)を製造する。
せて化合物(VI)を製造する。
この反応で用いられるイソシアン酸は一般式
%式%()
〔式中、Mはアルカリ金属(例、ナトリウム、カリウム
)またはアルカリ土類金属(例、カルシウム、バリウム
)を示し、Xは前記と同意義を有する〕で表わされる化
合物を酸性とすることにより生成するものであってもよ
い。
)またはアルカリ土類金属(例、カルシウム、バリウム
)を示し、Xは前記と同意義を有する〕で表わされる化
合物を酸性とすることにより生成するものであってもよ
い。
通常■)と−を酸性条件で反応させるのが好ましく、そ
のために用いられる酸としてはたとえば酢酸あるいはプ
ロピオン酸のような有機酸、あるいは塩酸、硫酸のよう
な鉱酸等が繁用される。
のために用いられる酸としてはたとえば酢酸あるいはプ
ロピオン酸のような有機酸、あるいは塩酸、硫酸のよう
な鉱酸等が繁用される。
一般に(V)1モルに対しくVI[11〜10モルを用
いて反応させるのがよい。
いて反応させるのがよい。
通常本反応は反応自体に不活性な溶媒、たとえば水、(
It)と(I)の反応で記載した溶媒等またはこれらの
混合物中で行なわれる。
It)と(I)の反応で記載した溶媒等またはこれらの
混合物中で行なわれる。
あるいはこれら溶媒と上記酸類の混合溶媒を用いること
もできるし、酸自体を溶媒とすることもできる。
もできるし、酸自体を溶媒とすることもできる。
反応温度は通常200〜150℃の間の適宜の温度が選
ばれる。
ばれる。
このようにして製造された(口)は、反応液を中性とす
ると通常結晶性物質として採取することができる。
ると通常結晶性物質として採取することができる。
本化合物(ト)は必要に応じて、たとえばクロマトグラ
フィー、再結晶法などそれ自体公知の精製手段により、
より高純変のものとすることもできるが、一般にそのま
ま次工程の原料としても使用できる。
フィー、再結晶法などそれ自体公知の精製手段により、
より高純変のものとすることもできるが、一般にそのま
ま次工程の原料としても使用できる。
かくして得られる化合物(ト)を加熱することにより化
合物(I)を製造することができる。
合物(I)を製造することができる。
本反応は、(ト)を約30°C〜200°Cの間から選
ばれた適宜の温度に加熱することにより目的を達成でき
る。
ばれた適宜の温度に加熱することにより目的を達成でき
る。
この際溶媒は用いないか、または必要により反応自体に
不活性な溶媒、たとえばジアルキルホルムアミド類(例
、ジメチル−またはジエチル−ホルムアミド等)、ジア
ルキルスルホキシド(例、ジメチル−またはジエチル−
スルホキシドなど)などの中で行なうこともできる。
不活性な溶媒、たとえばジアルキルホルムアミド類(例
、ジメチル−またはジエチル−ホルムアミド等)、ジア
ルキルスルホキシド(例、ジメチル−またはジエチル−
スルホキシドなど)などの中で行なうこともできる。
通常(VI)1モルに対し縮合剤1〜10モル程度の添
加が好結果をもたらす。
加が好結果をもたらす。
このようにして製造された(I)はそれ自体公知の分離
精製手段、たとえば再結晶法、クロマトグラフ法などに
より任意線区のものとして採取できる。
精製手段、たとえば再結晶法、クロマトグラフ法などに
より任意線区のものとして採取できる。
通常(II)からの通算収率は70%以上90%程庇で
ある。
ある。
実施例 1
ヒドラジノ酢酸エチル塩酸塩Q、928.9の水2ml
溶液にイソシアン酸カリウム0.53iを加えて溶解、
15分間放置し、N′−力ルバモイルヒドラジノ酢酸エ
チルの溶液とする、この溶液に4N−塩酸を加えPH2
〜3に調整し、ついでエタノール10m4P−ニトロフ
ェニルフルフラール0.434gを加え、10分間加熱
還流後水を加え析出結晶を沢取するとN−(5−(P−
ニトロフェニル)フルフリリデンアミノ〕−N−力ルバ
モイルグリシンエチルエステルの結晶が得られる。
溶液にイソシアン酸カリウム0.53iを加えて溶解、
15分間放置し、N′−力ルバモイルヒドラジノ酢酸エ
チルの溶液とする、この溶液に4N−塩酸を加えPH2
〜3に調整し、ついでエタノール10m4P−ニトロフ
ェニルフルフラール0.434gを加え、10分間加熱
還流後水を加え析出結晶を沢取するとN−(5−(P−
ニトロフェニル)フルフリリデンアミノ〕−N−力ルバ
モイルグリシンエチルエステルの結晶が得られる。
収率97.2% 本島は含水ジメチルホルムアミドから
再結晶すると、融点234−236℃を示す黄色針状晶
が得られる。
再結晶すると、融点234−236℃を示す黄色針状晶
が得られる。
元素分析 C16H14N406
計算値 C53,33,’H4,48,N 15.5
5実験値 C53,47,H4,39,N 15.53
実施例 2 (1) 5−(P−ニトロフェニル)フルフラール0
.44gのエタノール10m1液に、ヒドラジノ酢酸エ
チルエステル塩酸塩0.34gを加え数分間加熱して溶
液とし、しばらく室温に放置、これに飽和炭酸水素すI
−IJウム液を加え酢酸エチルで抽出する。
5実験値 C53,47,H4,39,N 15.53
実施例 2 (1) 5−(P−ニトロフェニル)フルフラール0
.44gのエタノール10m1液に、ヒドラジノ酢酸エ
チルエステル塩酸塩0.34gを加え数分間加熱して溶
液とし、しばらく室温に放置、これに飽和炭酸水素すI
−IJウム液を加え酢酸エチルで抽出する。
酢酸エチル層は水洗、乾燥(Na2SO4)後溶媒を留
去すると、N−(5−(p−ニトロフェニル)フルフリ
リデンアミノ〕グリ針エチルエステルの結晶が得られる
。
去すると、N−(5−(p−ニトロフェニル)フルフリ
リデンアミノ〕グリ針エチルエステルの結晶が得られる
。
赤橙色針状晶、融点120−122℃。
(2)上記で製造したN −(5−(P−ニトロフェニ
ル)フルフリリデンアミノ〕グリシンエチルエステル0
.32.?の酢酸5ml液に、氷冷下イソシアン酸カリ
ウム0.48gを3回に分けて加えた後、10分間かき
混ぜてから水を加え析出結晶を済取する。
ル)フルフリリデンアミノ〕グリシンエチルエステル0
.32.?の酢酸5ml液に、氷冷下イソシアン酸カリ
ウム0.48gを3回に分けて加えた後、10分間かき
混ぜてから水を加え析出結晶を済取する。
水、アセトンで順次洗浄、乾燥tルトN−(5−(P−
ニトロフェニル)フルフリリデンアミノ〕−N−カルバ
モイルグリシンエチルエステルの結晶が得られる。
ニトロフェニル)フルフリリデンアミノ〕−N−カルバ
モイルグリシンエチルエステルの結晶が得られる。
融点233−236°C0
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1はニトロ基を示す)で表わされる化合物と
一般式 NH2−N−CH,C00R2 X=C−NH2 (式中、R2は低級アルキル基を、Xは酸素原子を示す
)で表わされる化合物を反応させることを特徴とする、
一般式 (式中、I(1,R2,Xは前記と同意義を有する)で
表わされる化合物の製造法。 2 一般式 (式中、R1はニトロ基を示す)で表わされる化合物と
一般式 %式% (式中、R2は低級アルキル基を示す)で表わされるヒ
ドラジノ酢酸エステル類を反応させて一般式 (式中、R1、R2は前記と同意義を有する)で表わさ
れる化合物を製造し、これにイソシアン酸を反応させる
ことを特徴とする、一般式 (式中、R’ j R2は前記と同意義を有し、Xは酸
素原子を示す。 )で表わされる化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56154483A JPS5852995B2 (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | フルフラ−ル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56154483A JPS5852995B2 (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | フルフラ−ル誘導体の製造法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1357873A Division JPS5544752B2 (ja) | 1973-02-01 | 1973-02-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57145873A JPS57145873A (en) | 1982-09-09 |
JPS5852995B2 true JPS5852995B2 (ja) | 1983-11-26 |
Family
ID=15585225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56154483A Expired JPS5852995B2 (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | フルフラ−ル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5852995B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW224974B (ja) * | 1991-07-02 | 1994-06-11 | Hoffmann La Roche | |
DK0863890T3 (da) * | 1995-09-15 | 2003-03-24 | Upjohn Co | 5-amidomethyl alfa, beta-mættede og -umættede 3-aryl-butyrolacetone antibakterielle midler |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5544752A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Nec Corp | Manufacture of multilayer wiring type semiconductor |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56154483A patent/JPS5852995B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5544752A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Nec Corp | Manufacture of multilayer wiring type semiconductor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57145873A (en) | 1982-09-09 |
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