JPS58502079A - 容量を増大する回路板の製造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
容量を増大する回路板の製造
本発明は 電子回路部品に関し、特((プリント回路板技術に関する。
2、技術背景
電子装置のプリント回路板を電気的に相互接続することは、装置の低廉化に多大
に貢献する。このため、プリント回路板の相互接続密度を増加することにより、
回路板の寸法及び価格を縮減する広範な努力がなされてきた〜。相互接続密度の
増加(で用いられるある構成では、プリント回路パターンはガラスで補強したエ
ポキシ基板等の両主要面に置かれている。
2つのパターンの各点は、基板((穿孔して孔を金属化することにより、相互接
続される。この構成は1個のプリント回路板の容量を著しく増大するが、相互接
続用に穿設される孔は11例えば038乃至114ミリであり、一般に0127
乃至0.38ミリのパターン断面の通常幅°より太きいためパターン線の限界を
越えてしまう。相互接続孔を包囲する拡大された金属化部分との短絡を回避する
には隣接するパターン線全偏回させなければならない。従って孔がかなりの面積
を占めるがために、プリント回路板の寸法が大きくなる。さらにこれらの孔を設
けると必然的にプリント回路板パターンの設計が複雑になる。
プリント回路板の容量をさらに増大するため、多重レベルパターン構成も使用さ
れて来た。この種の−構成では、プリント回路板パターン9は、2枚以上の別々
の基板(第1図C段目の5)の両主要面に形成されている。例えば、エポキシを
含浸させたカラス布等の接着層(第1図B段目の7)は、夫・々両主要面に関連
する銅パターンを有する2枚以上の基板にはさまれている。多段構成は、2つの
C段層及び中間B段層を、夫々関連するB段層10を介して銅;斎4と追加のC
一段層8を含む外層の間にはさむことによって完成される。構成体全体を高温で
プレスする。圧力及び高温でB段の樹脂が硬化して単層構成体が形成される。銅
屑外層;て銅パターンを適宜((配列すると共に、各基板上に樹脂で包囲された
内パターン全適宜に整合させて構成体((孔を穿設してこれらを金属化すること
により、異なる基板上のパターン全電気的に相互接続できる。しかし適切な相互
接続全形成する様に、各基板上のパターンの適宜部分を整合させることは、かな
り困難である。また、この多段構成では両面型プリント回路板で説明した様(、
て、同一基板上のパターンが電気接触するため、この多段回路板では例えば孔が
太きいために寸法が大きくなったりまたパターンが複雑(・τなるといった両面
プリント回路板と同様の問題が生じる。さらに相互接続用の孔が構成体全体全貫
通する様に穿設されているため、2つのパターンを相互接続する孔を設けなけれ
ばならず、これに伴って全回路層が複雑化する。
上記の点に鑑み、2枚の独立基板を物理的に整合させる必要がない多段回路板が
開発された。この方法では第2図に示す様(て、銅層12をステンレス鋼キャリ
ヤ14に付着させる。所望パターンを形成する下層の銅領域を包囲して残りの銅
層を露出させる様;C1銅層にフォトレジストを塗布して所望のパターンに描更
する。銅層の露出部分をエツチング除去してから、フォトレジスト全除去して第
2B図の形状にする。別のフォトレジスト層ヲ付着させ、レジスト膜13のパタ
ーン接侵部分に孔17があく様(、′?c図形化する。次に基板上のレジスト膜
全体及び銅パターンの露出領域に調音蒸着させて、第2D図の形状にする。フォ
トレジスト膜全除去己、相互接続スタビ19全備えるパターン18を残して第2
E図の形状にする。銅パターンにポリイミド向脂を付着させて第2F図の形状に
する。ポリイミド層の頂部を研削して、第2G図に示す様□、′rc銅構成体全
構成体全露出ポリイミド層にフォトレジストを付着させ、第2レベル銅パターン
を形成するポリイミド露出領域を残して適切に図形化することにより、第2H図
の形状にする。(このパターンはパターンレベルの相互接続部として使用される
銅スタド全含んで(・る。)次υこ露出ポリイミド層及び銅スタドに第2銅層を
付着させてフォトレジズト層を除去することにより、第2工図の形状にする。上
記工程を反復し2て、連続するパターン化層を形成する。即ち、従来技法で再度
写頁製板して所望の相互接続開口部企画成し、レジストに銅を蒸着させ、レジス
トを除去し、第2ポリイミド層を付着させ、その表面を研削して鋼上露出させ、
写真製JLKよって次のパターン層を描画すると共にレジスト層(C銅を付着さ
せる。第2図及び上記の説明から判る籾に、この方法は数多くの処理工程を必要
とするため、少数の工程で形成できる高密度プリント回路板が得られない。
により、かなり少数の工程で高密度多層プリント回路板全製造できる。一実施例
では例えば銅1<ターン32等の所望の導体を有する、従来の基板31から開始
する。適宜の電磁放射線で露光すると、例えば橋かけ結合等の化学変化といった
変性を行って物質の機械的及び/又は化学的性質を変える。ポリマー特表昭58
−5t12U79 (3)
前駆物質等の感エネルギー剤を導体パターンを有する基板に付着させて、第3B
図の形状にする。付着後、第3C図に示す様に感エネルギー剤全パターン化する
。好適実施例ヤは、感エネルギー剤を、例えば紫外線等の初期図形化に用いるも
ρよりはるかに強い、放射線でブランケット露光する。この再度の露光により、
所望変性が完了する。例えば銅等の導体を得られたパターン化絶縁物質に直接付
着させる。
銅は、先のパターン形成工程で形成された、感エネルギー剤層の空所を満たして
初期銅パターンと接触すると共に、感エネルギー剤層上に層全形成する。
この機尾1工程で一銅層34で適切な第2パターン化銅層を形成すると共に、銅
層間の相互接続部35を形成する。新たに付着された銅層に、従来の写真製版法
で所望パターンを形成して第3E図の形状にする。
図形化自在の感エネルギー物質を選択するについてbま該物質に付着する、例え
ば銅等の導体のパターン形成後耐久性のあ°る結合を形成するに充分程度密着す
る様なものを選択する。導体を直接か一つ恒久的に、照射された感光物質表面に
付着させることにより、従来必要とされた多数の処理工程全省略できる適切な感
エネルギー物質は、(1)アクリル化エポキシ樹脂、(2)例えばアクリロニト
リルとブタジェンとの共重合体等のビニル停止化ゴムであって、アクリル酸モイ
エテイで停止されるゴム及び(3)例えばイソホルニルアクリレート等のモノマ
ー、又はエチレングリコール等の溶媒である。適切な減粘剤の組合わせから形成
される。
所望の場合は、処理工程全反復、即ち、適宜感エネルギー物質の付着、該物質の
図形化、所望に応じた該物質のブランケット露光、銅の直接付着、及び所望銅パ
ターンの形成を順次に行うこと(でより、パターンレベル間を接続しながらパタ
ーンレベルをさら((組立てていく。パターン形成及び所望に応じたブランケッ
ト照射−後鍋が接着するエネルギー限定自在物質と共に、上記の処理工程を用い
ることj(より、かなり少数の処理工程で高密度の多層プリント回路板が形成さ
れる。構成体全体に穿孔することなく、通常の被膜厚に、0102ミリ程度の小
さい相互接続孔、即ちヴアイアを形成できるので、回路板の寸法及び複雑性が不
必要に増大することはない。
上記の両面回路板の両側、又は例えばフレキシブル基板に基づく回路板に、多層
回路構成を形成できる。また、エネルギー限定自在物質は、照射後、完成された
回路板の最終的保護被膜として有益である。
る。
第3図及び第4図は、本発明による多層プリント回路板の製造方法である。及び
第5図及び第6図は、本発明方法によって形成された回路板の実施例である。
本発明によるプリント回路板は、通常−表面に銅等の図形化された導体パターン
全有する基板上に形成される。(教示目的のために以後:ま銅製導体に関して説
明するが、本発明は銅以外の導体:でも適用できるC)使用する基板の材料及び
基板上に導体パターン全形成する方法1ま、余り重要ではない。例えば、通常0
254乃至147ミリ範囲の厚さを有するカラス強化エポキシで構成される基板
、フレキシブル回路板、例えば99パーセントアルミナ物質であるセラミック体
、又は両主要面に導体パターンを有する回路板を使用する。基板上の導体パター
ンはサブトラクティブ、セミアテイテイフ、又:・よ完全アディティブ付着法等
の従来法によって形成される。(これらの方法シこついてシす、プリンテイドサ
ーキットノλンドブツク(Pr1nted C1ruuits Handboo
k ) ニジ−、,1m7−:I−ムズ・ジュニア(C,F、 Coombs、
Jr)著、1979年マグロ−ヒル(Mc G row Hill )社発行
、を参照されたい。)
要約すると、サブトラクティブ法では、約7.6乃至76ミリ厚の銅層全、熱間
プレス積層法で基板表面に接着する。次にラミナー(Lam1nar、L D
)軟膜フォトレジスト等のフォトレジストで銅層全被覆する。
最終的に所望の銅パターンを形成する銅領域を被覆した状態でフォトレジストを
露光して現像する。図形化されたフォトレジストで被覆されていない銅層部分を
エツチング除去して、所望の銅パターンを残す。エツチング後塩化メチル等の物
質を用いて、フォトレジストを溶解する。
アディティブ及びセミアディティブ法では、例えば通常の基板であ〜る絶縁体に
銅等の導体をめっきする必要がある。無電解めっきを用いる場合は、一般(r’
C特定の密着促進工程を用いる必要がある。これらの工程は従来のものであり、
通常ジメチルホルムアミド等の溶媒で処理して、絶縁物質を膨潤する工程及びク
ロム酸等の酸で処理して、絶縁物質をエツチングする工程で構成されている。
上記の様にセミアゲイブ法は、例えば基板表面をジメチルホルムアミド等の溶媒
で処理して膨潤すると共にクロム酸等でエツチング処理することにより初期に接
着を増進する工程を含んでいる。次に約10乃至5マイクロインチ厚の、銅等の
導電物質層を基板に無電解めっきする。(無電解めっき法の詳細は例えばメタリ
ック コーティングオブプラスティックス(Mettalic Coating
of Plastics ) :ダブリュ・ゴルデイ−(W−Goldie
)著、エレクトロケミカルパフリケーションス(Electrochemica
lPublications )社発行(]、 968年)等の文献(C記載さ
れている。)例えば銅層である付着された導電′物質層全ラミナー(Lam1n
ar L D )軟膜フォトレジスト(ダイナケム カムパニ−(Dynach
em Conpany)社の特許製品)等のフォトレジストで被覆する。現像の
際に、最終的に所望パターンを形成しない銅めっき領域全レジスト物質で覆う機
尾フォトレジストをパターン形成する。従来り電気めっき処理により露光銅部分
の厚さ全約76乃至76ミリまで厚くする。めっき処理に続き塩化メチル等の溶
媒を用いてフォトレジスト全除去する。次に銅の全表面をレジストで被覆された
薄い銅領域を除去する((充分な時間だけ、過gF酸アンモニウム等のエツチン
グ剤:・てさらす。(厚い銅領域)・ま、このエツチング処理で若干薄くなるが
、実質的な厚さは保持されている。)図形化フォトレジスト全除去する前に、ス
ス・鉛・合金の薄層(,00254乃至、0127ミリ)をめっきすることもで
きる。フォトレジストを除去してエツチング処理全開始後、スズは、銅パターン
の下側部分を完全に採掘する。
代表的実施例の完全アディティブ法は、先ず上記の方法で基板全処理して密着性
を促進させるものである。次に処理された基板をパラジウムと接触反応さ、せる
。(上記のメタリック コーティングオブプを参照されたい。)現像の一際に基
板の銅パターン描画領域全被覆しない様に、フォトレジストで基板全被覆して露
光する。次に図形化された基板を通常18時間程度、無電解銅メッキ浴に入れて
銅パターンの厚さ全豹25.4ミリにする。(この処理に適した無電解鋼めっき
法については、上記のメタリック コーティング オブ〜 プラスティックス(
MetallicCoating of Plastics ) f参照さit
たい。)次にフォトレジスト全除去して、基板上に所望パターンを形成する。
その後、初期の銅パターン形成に用いた方法(C関係なく、パターン形成後の適
宜処理時(て、銅が付着する感エネルギー物質でこのパターンを被覆する。
(適宜処理とは例えば蒸着又は銅等の金属をスパッタリングして感エネルギー物
質に銅等の金属をめっきする前に行う膨潤及びエツチング処理を指す。)また好
適実施例では適宜て選択した電磁放射線で照射する際1・て、照射領域の物質を
非照射領域に比して例えば溶解除去しにくくする様な感エネルギー物質が選択さ
れている。(この代りに照射領域;でおいて、より除去され易い絶縁物である物
質を用いるのが適切である。このため絶縁物質の開口部が照射領域に形成される
。パターン形成後、所望の場合は絶縁物質を例えば加熱処理して、残りの部分全
さらj(安定させる。)好適実施例では照射時に、橋かけ結合((より重合する
物質を用いる。適宜の感光−物質としては 1)アクリル化エポキシ樹脂、 2
)フタジエンアクリロニトリルを基剤とするゴムといった、例えば感光性の、ア
クリル酸モイエティ等り少くとも一種類の感エネルギー上イエティで停止化され
た低分子量ゴム、及び 3)〜例えばモノマー又は溶媒等の減粘成分を含有する
ものがある。(感エネルギー上イエテイとは、適切工之ルキーの作用下で反応す
るものを指す。)所望ゴム(組成(2))の生成・に適した種々のゴムが市販さ
れている。適切なものとしては、末端アクリレート基を有するフタジエンアクリ
ロニトリルゴムがある。
CH3
市販されているこの種の物質の一例として、ビー・エフ・グツドリッ汐 カーン
パニー(B、 F、GoodrichCompany )から市販されている、
HYCARVTB’N1300X22又はVTBN 1300X23がアル。以
下の構造全有するアクリル停止化ゴムも有益である。
(この種の物質は、米国特許第3,892,819号i・ζ記載されている。)
通常、ゴムj・ま2.OQ ’!乃至20.00 ’)好ましくは3. Q O
f)乃至10,000の分子量を有していなければならない。、(、低分子量物
質は、著しく収縮する性質があるが、高分子量物質;よ一般にねばっき過ぎて取
扱いにくい。゛)またブタジェンアクリロニトリルゴムの場合はゴムに含まれる
アクリロニトリル量が8乃至25重量パーセントであることが望ましい。アクリ
ロニトリル含量が多すぎても少なすぎてもエポ主シ組成物(物質(])との融和
11・ζ欠ける物質ができ易いため、除外されないまでも一般に望ましくない。
種々の変1牛エポキシ樹脂、即ちアクリル化エポキシ(組成(1))が有効であ
る。これらは一般にアクリル使全エポキシ樹脂と反応させること;(より生成さ
れる。有効なアクリル化エポキシ樹脂としては、ヒスフェノール−Aから誘導さ
れるものがある。適切な化合物は次の反応によって得られる。
CH3
(式中nは整数である。)
この種のアクリル化エポキシとしてはセラニーズカンパニー(Ce1anese
Company ) から市販されているセルラッド(Ce1rad ) 3
,700及びシェルカンパニー(5hell Compny )から布板されて
いるエポクリル(Epocryl ) 370がある。(これらの製品の場合、
n = Oである。)組成物(1)、即ちアクリル化エポキシを加えるのは、最
終的1(生成される組成物に耐熱性をもたせること全目的としている。従って5
0C以上、好ましくは75U以上のTg k有するアクリル化エポキシを使用す
る必要がある。アクリル化エポキシはビルスフエノールA等のフェノールをエヒ
・クロロヒドリンと反応させ、得られた生成物全アクリル酸と反応させることに
より生成さ丸るっゴム物質及びエポキシ物質は共;Cかなり粘度があり、この粘
度が、物質の取扱い及び基板への被覆を困難:てしている。種々の方法全利用]
7て、組成物パ1)と(2)との混合物の粘度を低下させることができる。
基本的には、くもりがなく混合物全所望基板に塗布する方法に適した粘度を有す
る透明な混合物金形成することが望ましい。(カーテン塗り、ローラー塗り、又
はスクリーンなせん等の通常の塗布寸法の場合は100乃至100,000 ・
ごンチポアズ範囲の粘度が望ましい。)カーテン塗りの場合は、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、又はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等の適切な溶媒で、組成物(1)と(2)とを共溶媒化する。溶媒を用い
る場合は、通常、塗布後混合物全加熱するだけで除去する。しかし溶媒除去温度
を、通常]、 20 c以下にして、感光物質の反応開始を回避する必要がある
。
粘r13−2下げるff1.Lの方法−とじては、電磁放射線の作用下で組成物
(1)及び(2)と反応するモノマーを用いるものがある。一般に低粘度(20
0センチポアズ以下)反応性モノマー(組成+ (3) ) k添加して、これ
らの物質を共に1つの透明な相にすると共に、組成物全体の粘度を扱い易いレベ
ル(で下げる。通常この目的を達成するには、モノマーの分子量i通常500以
下にする必要がある。一般に、モノマーが残りの感エネルギー組成物と反応しな
い場合は組成物全体の感エネルギー特性がかなり低下する。この様な反応性全得
るには、モノマーがアクリル酸、アクリルアミド、又はn−ビニル等の基金有し
ていなければならない。反応基は露光の際;て感エネルギー組成内で橋かけ結合
せずに長鎖化する様に選択されている。
即ち、これらはエポキシ樹脂及びコム樹脂の主要バックボーンを連接して鎖をの
ばそうとする。過度の橋かけ結合が開始されると、膨潤及びエツチングにより、
物質への密着を促進するのが困難になる。これらの要件を満]化すモノマーとし
てはイソボルニルアクリレート(IBOA)、ヒドロキシエチルアクリレート(
HE A、 )、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート(DOA)、エ
チルへ主シルアクリレート(EHA )、N−ビニルピロリドン(NVP)、及
’Jこれらモノマーを組合せたものがある。(ある用途では溶媒とモーツマ−と
を組合せると、所望の粘度を得るのに有効である点に留意されたい。有益な粘度
をもたらす正確な組合せは対照試料を用いて製剤される。)
感エネルギー物質は、ゴム(化合物2)と、変性アクリル化エポキシ(化合物1
)及び適切な粘度調節化合物(3)と全物理”的に混合して調製される。通常混
合物は10乃至30重量パーセント、好ましくは20乃至25重量パーセントの
化合物2.25乃至45重量パーセント、好ましくは3o乃至40重量パーセン
トの化合物1、及び残余のモノマー(3) t を有していなければならない。
(モノマー(3)の代り、又はこれに加えて溶媒を用いる場合、その含量は厳密
ではない。粘度を特定塗布法に要する適宜レベルに保つには、充分量の溶媒を用
いる必要がある。)所望ニ色付けする着色剤又はチキソトロピー特性全強化して
、例えばスクリーンなせん法で基板((物質を塗布・するのに要する粘度にする
体質顔料(例えばくん類シリカ)等の添加物で加えることができる。
また必要な場合は、ベンツインエーテル等の光反応開始剤を混合物に添加して、
化学放射線に露光される領域における反応全開始する。ベンツインエーテル、ジ
ェトキシアセトフェノン、又は2,2−ジメトキシフェニルアセトフェノン等の
、アクリル化感光物質の反応を開姓する従−来の光反応開始剤を、1乃至5重量
パーセントa変で添加する。
モノマー(3)はポリマーの最終的特性に作用する。
これらの特性のうち粘度が最も顕著であるか、他の特性も影響される。例えば電
気的特性、即ち抵抗及びカラス転移温度が多少影響を受ける。種々の銅パターン
レベルを電気的シて単離するには処理済の感エネルギー物質が、ASTMD25
7試験で試験した場合に、表面抵抗で2X108オ一ム以上、及び体積抵抗率で
4. X 10 ’オーム/センチ以上の抵抗を有していることが望ましい。ま
たその粘度全、基板への塗布が困難になるほど高くすべきではなく、スクリーン
なせんローラ塗り、又6まカーテン塗り等の通常の塗布法の場合は、100乃至
too、000センチポワス範囲であることが望ましい。この点に関し、上記の
様に適切な溶媒又はモノマー全屈いて特定の塗布法:C要する粘度にする必要が
ある。(この種の技法の詳細についてはコーティング アンド ラミ著、コーチ
インゲス テクノロジー カンパニー(Coatings Technolog
y Co−)発行(1,978年)、及びア プラクティカル カイト ツー
ニー フ゛イ キユアリング イン スクリーン プリンティング フォー T
リンテッド サーキット アンドウエッチインク(S、 G、 Wentink
)・ニス・ディー・コツホ(S、 D、 Koch )共著、テクノロジ7−
ケテイング コーポレーション(TechnologyMarketing C
orp、 )発行(1981年)全参照されたい。)
周囲温度がTg以上である場合は、通常下側基板に付着する感光物質の粘着力が
不充分であるので、最終的生成物の安定性を確保する+4cは、カラス転移温度
が50C以上好ましくは75C以上でなけれ、ずならない。選択されるエポキシ
が、この特性に最も影響するとはいえ、通常感光混合物に要するTgにかなった
モノマーを使用する必要がある。
適切なモノマーを組合せることは、単独のモノマーでは得られない特it得るの
に有益である。例えば、I BOAは憂れた抵抗率をもたらすが、同時に他のモ
ノマーより粘度を高めるため、例えばI BOAiNVPと組合せて用いること
により所望の抵抗率と粘度とを得る様(/Cすることが望ましい。
基板(て初期銅パターンを形成し7てから、感エネルギー物質を塗布する。通常
、ポリマーの厚さ全、2乃至10ミル程度−にする。感エネルギー物質層がこれ
より薄いと、被覆及び抵抗が不充分となり、一方厚すぎると最終パターンが巧く
溶解しなくなる。物質ケ化学放射線金用いる従来法によって例えば5乃至20ミ
リワット/平方センナ程度のかなり低い強さのレベルで15秒乃至2分間露光し
て、所望パターンにする。好適実施例では、開口部又はヴアイアを残して、除去
される感エネルギー物質領域を露光しない様にする。例えば、アクリル系物質及
びこれらの開始剤に対して250乃至350 nm波長の放射線を用いると、現
像時1・て、感エネルギー物質の開口部が、下層パターンに、パターン層間の相
互接続部となる露出領域を残す構成ができる。即ち第4図(て示す様にこれらの
開口部に相互接続部41ができる。(簡略化のため、第4図には銅パターンに’
Uする初期基板を示していない。)通常、得られる孔の寸法は、感エネルギー物
質層の厚さの1乃至2倍であるため、従来のプリント回路板技術に比して、かな
り小さい孔が得られる。この相互接続部全形成する孔を穿設する必要がなく、ま
た数層間の相互接続部全まっすぐな垂直形状にする必要がない。(第4図;て示
す様な形状にすることができる。)、溶解等の除去処理によって感エネルギー物
質全現像するには、1..1.1−トリクロロエタン、エチレングリコール、又
は−ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の現像液を用いる。感光物質を
露光し、現像してから、初期露光で開始された化学反応等の変化をさらに促進す
るに6ま、一般に、例えば紫外線(250乃至350ナノメートル)を用いる、
通常線量が10乃至80ミリワツト/平方πンチであるかなり高線量のエネルギ
ーで30秒乃至1分間露光して、さらに安定した露光物質全形成することが望ま
しい。エネルギー線量が多いと、感光物質Sつ厚さとほぼ同一直径の開口部が出
来ないため、現像前tC多量のエネルギーで初期露光し7て、その後ブランケッ
ト露光しないでおくことは可能ではあるが、通常望ましくない。しかし、現像前
の1回の露光で適切な開口部が得られれば、2回目の露光なしに物質が充分な電
気抵抗を有している限り、あえてブランケット露光する必要はない。
感エネルギー物質のパターン形成、及び所望の場合はブランケット露光の際に、
膨潤及びエツチンクに続いて電解めっき、蒸着又はスパッタリング等の従来技法
により、物質の表面及び開口部即ちグアイア孔を金属化する。次に、上記の完全
アディティブ及びセミアディティブめっき処理等の方法によって銅層の硬化樹脂
の頂部に所望パターン全形成する。
所望数の層が得られるまで、感エネルギー物質の・N着、光描画、及び−めっき
物質への銅パターン形成処理全反復する。
以下の実験例は本発明全例証するものであろっ実肋例1
3インチ×3インチX0.062インチ(7,62X7、62 X O,157
センチ)寸法の標準型銅被覆力ラス強化エポ千シ基板を、過硫酸アンモニウムで
処理して、銅被膜全除去した。次に基板を脱イオン化水でリンスして乾燥させた
。基板に塗布するイ感光物質を調製したが、化合物1として上式(lこ示す30
重量部の変性エポキシ(n=o)、化合物2Aとして上式に示す。20重量部の
変性ゴム(HY CAn V T B Nt300x22)、40重量部のI
B OA第2モノマーとして30重量部のエトキシル化ヒスフェノール−A ジ
アクリレート、1重量部の2.2−ジメトキシフェニルアセトフェノン、及び3
重量部の市販顔料(ペン カラー インコーホレーテッド(PennCo1or
、Incorporated )から市販されているA、 9 R75)全、共
通容器内で混合して行った。組成物を60Cに加熱して、10分間攪拌器で攪拌
した。得られた組成物全真空(約10ミリの水銀)中に置いて、攪拌中に捕捉し
た空気全除去した。
エポキシ基板〜縁の全長に沿って混合物ビードを置筆、インチ当り40本のより
糸を有する、4分のインチ直径で1イ−ンチ長さのナイロンロンドで基板全体に
ビードを塗り広げた。ロンドをヒートO背後:て置き、基板全長に亘ってヒート
にがぶせて引いたっこの処理により1、約5ミル(127ミリ)厚さの混合物被
膜が基板上jて残った。
直径が徐々に犬・きくなる円形開口部を備えるパターンを有するっ標進Iマイラ
マスクを用いて、感光被膜全露光した。光源としてハイブリッド テクノロジー
グループ社(Hybrid Technology Group )製のHT
G、 312−10型全用いて露光した。基板表面に到達する365ナノメート
ル領域1・でおける光の強さレベルを約20ミリワツト、/平方センチとして、
約15秒間露光した。
基板全タンクの上方に弓下させ、約2.5秒間ジエチルグリコールモノブチルエ
ーテル全吹付けて、露光基板を現像した。(デュポン(Dupont ) 社の
A型フォトレジスト処理装置全使用した。)基板を約30秒間水洗して、100
Cの強制空気オーブンで10分間乾燥した。次に、基板から6インチ(,15,
24センチ)離した。200ワット/インチの高圧水銀灯で約15秒間露光して
ブランケット処理した。この処理で、直径が6ミル(152μm)程度の輪郭が
はつきりした小孔が得られた。
実験例2
実験例1と同一の手順で行ったが、この場合はパターンを有さない、完全に無、
地の71′ラマスクを使用した。ブランケット処理に続き、被覆された基板全、
90重量パーセントのジメチルホルムアミド及び10重量パーセントの水から成
る、35Cの膨潤混合液1τ5分間浸してから脱イオン化水で約5秒間リンスし
た。56重量パーセントの硫酸、10重量パーセントのリン酸、3重量パーセン
トの三酸化クロム、及び31重量パーセントの水金化合させてエツチング溶液を
調製し、これ160Uに加熱してこの中に基板を約5分間浸した後、脱イオン化
水で5秒間再リンスした。
先ず基板i30rのIN水酸化ナトリウム浴(て1分間浸して、エツチング浴か
らの残余の酸全中和することにより、基板を金属化し、次1(一連の浴内で連続
的に処理した。第1浴として15重量パーセントの塩酸を含む浴に基板?室温で
2分間浸した。その後活性剤(エントーン カンパニーCEnthoneCom
pany)製のエンプレート アクティベイター(Enplate Activ
ator ) 443 )に室温で5分間、後活性剤(エントーン カンパニー
(Ei+thoneCompany )の特許製品であるエンプレート(Enp
laLe)PA491)に室温で10分間、及び無電解銅め2き溶液(エントー
ン カンパニーf: Enthone Company)の特許製品である一エ
ンプレート(Enplaie ) CU2O5)に室温で8分間浸した。この処
理にj:す、約20マイクロインチ(0,508マイクロ・メートル)厚の銅層
全行た。次にセルレックス キュバス エム(Sel −Rex’CuBath
M ) (オキシ メタル インダストリーズ インコーホレーテッド(Ox
y’MetalIndustries、rncop、oratad )の特許製
品である酸性硫酸銅めっき浴)を用いて、25アンペア/平方フイートの電流密
度で50分間、基板全電気めっきして銅の厚さ全1.4ミル(356マイクロメ
ードル)にした。
1.5ミル厚のラミナーCLam1nar ) L D軟膜フォトレジスト層を
熱間圧延ラミネータで基板:・ζ積層した。8分の1インチ(,317センチ)
幅の透明領域で離間された一連の8分の1インチ(,317センチ)幅の不透明
領域を含むマスフケ介してフォトレジスト全露光した。HTG31:l?−10
型光源から、約20ミリワツト/平方センナの強さでフォトレジスト表面に放射
光全車てて約15秒間露光した。デュポン(Du Pont )Aレジスト処理
器内でノ′オ料に1.1゜1−トリクロロエタンを30秒間吹げけC現像した。
現像で露出した銅130Cの過硫酸アンモニウム溶液(10パーセント)で5分
間エツチングして除去した。基板全塩化メチレンに約30秒間浸してフォトレジ
ストを除去−した。基板を125Cの強制空気オーブンに1時間入れた。
引張強度プルテスタで、銅条片の90度剥離強度を測定した。被検剥離強度は、
約6乃至8ポンド/インチ幅であった。プリント回路板の所望密着度は一般に5
ポンド/インチ以上である。(1ポンド/インチ=179グラム/インチ。)
実験例3
実験例1及び2の手順に従った。但し、エポキシ樹脂と、アクリル竣ヲ主剤とし
て若干の二酸全添加した組合せとの反応によって形成される化合物1の変性物で
ある50重量部のセルラッドCCe1rad )3702.30重量部の化合物
2 A (HYCARVTBN1300X23)、50重量部のIBOA、1重
量部の2.2−ジメトキシフェニルアセトフェノン、実験例1で用いた3重量部
の顔料、及び流n制御添加剤として1重量部のモダフロー(Modaflow
) Cモンサンド インダストリアル ケミカル カンパニー(Mon5ant
o Industrial Chemical Conpany ) 製 )を
有する感光剤全使用した。この物質は、6ミル(152マイクロメートル)台の
孔寸法、及び約5乃至7ポンド/インチの剥離強度全示した。
実験例4
実験例1及び2の手順に従った。但し、20重量部のn ”= 3とする蔵(1
)の化合物、15重量部のn−〇とする式(1)の化合物、25重量部の式(2
B)の化合物、40重量部のDOA、2重量部の2.2−ジメトキシフェニルア
セトフェノン、実験例1で用いた3重量部の顔料、及び1重量部のモダフロ−(
Modafjow ) k有する感光剤全使用した。約6ミル直径の孔、6乃至
8ポンド/インチ幅の剥離強度、及び58CのTgが得られた。40重量部のD
OAの代りに、30重量部のIBOA及び10重量部のNVP’i用いて同一要
領で処理した。4乃至6ポンド/インチの剥離強度及び100CのTgが得られ
た。
本発明方法で形成し得るパターンの例証として集積回路全装着するアレイの所望
の縦パッドを所望の横パッドに接続する手順を実施した。この処理ではラミナー
(Lam1nar■LD)軟膜フォトレジストを用いる上記のサブトラクティブ
法で、表面に銅パターンを有する基板を形成して、10パーセント過硫酸アンモ
ニウム水であるエツチング剤を5分間塗布した。サブトラクティブ法によって銅
((形成されるパターン全第6図((示す。密着性を改善するため、網金加熱(
100?T)したアルカリ溶液(エントーン カンパニー(Enthone C
ompany )製のエホノール(El〕onol■))−で処理して銅表面に
酸化ブラック全生成した。実験例1で説明した感光剤及び開始剤を実験例1に示
す様に、パターン形成ごれた基板に5ミルの厚さに塗布した。実験例1の露光手
順に7従いマスクパターンを用いて、■最終的に形成されるパッド56に接続さ
れる銅線55と、(B)銅線61との交点に相当する点から各銅線6コ(第5図
及び第6図参照)に一連の孔全穿設すると共5・こ、パッド56及び57にも穿
設した。基板テ実、検測1に示す様に現像して、フランケラト露光した。基板全
10パーセント塩酸溶液jC浸して露出した酸化フラッフを溶解してから、実験
例2に示す様に金属化及び電気めっきした。(感光剤の上面からの銅層の厚さか
、100マイクロインチ(2,54マイクロメートルに達するまで電気めっきし
た。)
銅層に15ミル(38,1マイクロメートル)厚のラミナー(Lam1nar■
LD”)軟膜フォトレジスト全塗布して、実、検測1の要領で露光し、パ、ツド
56から発出するレジストに、ひじ70付きの一連の線55を形成するパターン
にした。(これらの線のうち3本の一部拡大図全、第5図に示す。)実験例1で
説明した様に、フォトレジスト全現像した。25アンペア/平方フイートの電流
密度で、フィトレジストの現像で露出された銅を電気めっきして1ミルまで厚く
した。次にW続のエツチング工程中1(銅表面を保藤するため、シブレイ(5h
ipley ) L T−27浸債スズのめっき浴でめっきした。その後、塩化
メチレンでフォトレジストを剥離すると共に、銅の薄領域が除去されるまで、1
0重量パーセントの過硫酸アスモニウム水溶液で銅をエツチングしf−0この時
点で全パッド56は全パッド57に接続される。不要な接続全排除するため、第
2銅パターンの所望ひじ70をエツチング除去する。
FIG、 2
2■
FIG、5
57
国際調査報告
Claims (1)
- 1.第1導体パターン(32)k、絶縁材料(第3B図)で被覆して、絶縁材料 に導電ヴアイア(35)全穿設する工程、及び第1・第2パターンを前記材料で 分解すると共に、導電ヴアイアを介して電気的に接続する様に一第2導体パター ン(第3E図)全形成する工程から成る方法であって、感エネルギー材料層を形 成し、前記感エネルギー材料を電磁放射線で露光し、前記感エネルギー材料全処 理して前記ヴアイア及び前記絶縁材料を設け、導体を前記絶縁材料上に形成して 、前記導電ウアイア及び〜導電層(34)を設けると共に、前記導電層を処理し て前記第2パターンを形成することにより、前記導電ヴアイア及び絶縁材料全段 けることを特徴とする方法。 2 請求の範囲第1項に記載の方法であって、前記感エネルギー材料がアクリル 化ゴム少くとも50Cのカラス転移温度ケ有するアクリル化エポキシ、及び粘度 調節剤から成ることを特徴とする方法。 3 請求の範囲第2項に記載の方法であって、前記粘度調節剤が溶剤から成るこ とを特徴とする方法。 4、請求の範囲第2項に記載の方法であって、前記粘度調節剤が千ツマ−から成 ることを特徴とする方法。 5、請求の範囲第4項(C記載の方法であって、前記モノマーが、イソホルニル アクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、シシクロペニノテニルオキシエ チルアクリレート、エチルへキシルアクリレート、及びN−ヒニルピロリドンか ら成る群の1つを含むこと全特徴とする方法。 6 請求の範囲第1項に記載の方法であって、前記アクリル化ゴムが、アクリル 化フタジエン/アクリロニトリルゴムであることを特徴とする方法。 7 請求の範囲第1項、第2項又は第6項:・て記載の方法であって、前記エポ キシが、ヒスフェノール−Aから形成さ−れてい−ることを特徴とする方法。 8 第1(32)及び第2導電材料パターン、前記パターン間に挾まれた絶縁材 料、及び導電ウアイアによって前記第1・第2パターン間の絶縁材料:て穿設さ れた接続部(35)から成る生成物であって、 アクリル化ゴム、電磁放射線の作用下で前記アクリル化コムと反応し得る少くと も50Cのカラス転移温度を有するアクリル化エポキシ、及び粘度調節剤つ・ら 成る感エネルギー材料全電磁放射線で露光して処理することにより、前記導電ヴ アイア及び絶縁材料を形成すること全特徴とする生成物。 9、請求の範囲第8項に記載の生成物であって、前記感エネルギー材料が、アク リル化ゴム、少くとも50rのガラス転移温度を有するエポキシ、及び粘度調節 剤から成ることを特徴とする生成物。 10、請求の範囲第9項(・て記載の生成物であって、前記粘度調節剤が、溶剤 から成ること全特徴とする生成物。 11、請求の範囲第9項に記載の生成物であって、前記粘度調節剤がモノマーか ら成ること全特徴とする生成物。 12、請求の範囲第1J項に記載の生成物であって、前記モノマーが、〜イソボ ルニルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ジシクロペンテニルオキ シエチルアクリレート、エチルへキシルアクリレート、及びローヒニルピロリド ンから成る群の一つつ・ら成ることを特徴とする生成物。 ]3 請求の範囲第8項;て記載の生成物であって、前記アクリル化ゴムが、ア クリル化ブタジェン/アクリロニトリルゴムであることを特徴とする生成物。 14、請求の範囲第8項、第9項又は第13項に記載ノ生成物であって、前記エ ポキシがヒスフェノール−Aから形成されていることを特徴とする生成物。 ン
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