JPS5848923A - 高圧酸化装置 - Google Patents
高圧酸化装置Info
- Publication number
- JPS5848923A JPS5848923A JP56148081A JP14808181A JPS5848923A JP S5848923 A JPS5848923 A JP S5848923A JP 56148081 A JP56148081 A JP 56148081A JP 14808181 A JP14808181 A JP 14808181A JP S5848923 A JPS5848923 A JP S5848923A
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- Japan
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- tube
- reaction vessel
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- vessel
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高圧酸化装置に係り、特に反応容器内を加湿雰
囲気とするための加湿装置に関する。
囲気とするための加湿装置に関する。
高圧酸化袋、置は半導体基板を高圧の加湿雰囲気内で加
熱旭理することにより、シリコン基板表面に比較的低温
且つ短時間で酸化ｋｍを形成することを目的とする装置
であや、そのため反応管内を加湿雰囲気とするための加
湿手段を具備している。
熱旭理することにより、シリコン基板表面に比較的低温
且つ短時間で酸化ｋｍを形成することを目的とする装置
であや、そのため反応管内を加湿雰囲気とするための加
湿手段を具備している。
この加温手段として従来は高圧水素（Ｈりを燃焼させ【
水蒸気（Ｈ！ ｏ）を発生させるようにしたものが多く
用いられていた。これは加湿源が気体であるので取り扱
いが容易なこと、及び高純度のＨ２Ｏが得られ汚染の心
配がないという長所を有する反面、高圧水素を用いるの
で爆発を招く危険がある。
水蒸気（Ｈ！ ｏ）を発生させるようにしたものが多く
用いられていた。これは加湿源が気体であるので取り扱
いが容易なこと、及び高純度のＨ２Ｏが得られ汚染の心
配がないという長所を有する反面、高圧水素を用いるの
で爆発を招く危険がある。
そこで昨今においては高圧水素に代えて高純度の水を加
湿源とする加温手段が試みられている。
湿源とする加温手段が試みられている。
これは例えば高圧ポンプを用いて高純度の水を反応管内
に圧送しようとする（のであって、前述した爆発のよう
な急峻性はないが、高圧ポンプ自身の材質や、高圧ポン
プの溶接部の材質、加工法に起因する汚染が発生する恐
れがあり、長期間にわたってかかる汚染の発生を防止す
ることは容易ではない。
に圧送しようとする（のであって、前述した爆発のよう
な急峻性はないが、高圧ポンプ自身の材質や、高圧ポン
プの溶接部の材質、加工法に起因する汚染が発生する恐
れがあり、長期間にわたってかかる汚染の発生を防止す
ることは容易ではない。
本発明の目的は上記問題点を解消して汚染を発生する恐
れがなく、且つ安全な高圧酸化装置を提供することにあ
る。
れがなく、且つ安全な高圧酸化装置を提供することにあ
る。
本発明の高圧酸化装置の特徴は、水槽と、該水槽を収容
せる副耐圧容器と、前記水槽及び反応容器（ｆ）とを連
通ずる細管と、前記間耐圧容器内圧力の制御手段とを有
してなる加湿手段を具備することにある。
せる副耐圧容器と、前記水槽及び反応容器（ｆ）とを連
通ずる細管と、前記間耐圧容器内圧力の制御手段とを有
してなる加湿手段を具備することにある。
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
図において１は金属製の主耐圧容器、２は該主耐圧容器
内に収容された石英よりなる反応管、３はフィードバッ
ク型しギレータで、以上により高圧酸化装置の主部Ａを
構成する。また４は石英よりなる水槽、５は該水槽４を
内部に収容する副耐圧容器でステンレスのような金属よ
りなり、６は高純度の水（以下単に純水と記す）、７は
一端が前記水槽４内に貯えられた純水６の中に挿し込ま
ね、一端が、前記反応管２に連結された石英よりなる細
管、８は前記細管７を保持すると共に、前記主耐圧容器
１内部と副耐圧容１１５内部とを密封状、に遮断するゴ
ム栓、９はフィードバック型レギュレータ、１０は前記
主耐圧容器１内圧力をフィードパ、り型レギエレータ９
にフィードバックするための配管、１１はパルプ、１２
は配管であって、以上により加湿装［Ｂを構成する。
内に収容された石英よりなる反応管、３はフィードバッ
ク型しギレータで、以上により高圧酸化装置の主部Ａを
構成する。また４は石英よりなる水槽、５は該水槽４を
内部に収容する副耐圧容器でステンレスのような金属よ
りなり、６は高純度の水（以下単に純水と記す）、７は
一端が前記水槽４内に貯えられた純水６の中に挿し込ま
ね、一端が、前記反応管２に連結された石英よりなる細
管、８は前記細管７を保持すると共に、前記主耐圧容器
１内部と副耐圧容１１５内部とを密封状、に遮断するゴ
ム栓、９はフィードバック型レギュレータ、１０は前記
主耐圧容器１内圧力をフィードパ、り型レギエレータ９
にフィードバックするための配管、１１はパルプ、１２
は配管であって、以上により加湿装［Ｂを構成する。
上記中、主耐圧容器内ｔ内に反応管２を収容する主部Ａ
は、従来の高圧酸化装置と何ら異なる所はな（、この構
造は周知の如く反応管２内外の圧力差を極力小さくして
、反応管の破損や変形を防止しようとするものである。
は、従来の高圧酸化装置と何ら異なる所はな（、この構
造は周知の如く反応管２内外の圧力差を極力小さくして
、反応管の破損や変形を防止しようとするものである。
即ち、主耐圧容器ｌ内圧力Ｐを所定の反応管２内圧力Ｐ
０と大気圧との間の選ばれた圧力（実用的にはＰｏより
稍低い圧力）として、反応管２内圧力Ｐ０と大気圧との
差の大部分を主耐圧容Ｗｈ１で負担させ、反応管２の負
担を軽減し得るようになっている。ここで反応管２内圧
力Ｐ６を主耐圧容器１内圧力Ｐより大とするのは、主耐
圧容器１内雰囲気が反応管２内に入るのを防止するため
である。フィードバック型しｄｆｊＬレータ３はこの目
的のために選ばれたものであって、これは主耐圧容器１
内圧力Ｐを基準として、反応管２内圧力Ｐ。が常にＰよ
る所望の圧力差ΔＰ０だけ高くなるよう制御する。
０と大気圧との間の選ばれた圧力（実用的にはＰｏより
稍低い圧力）として、反応管２内圧力Ｐ０と大気圧との
差の大部分を主耐圧容Ｗｈ１で負担させ、反応管２の負
担を軽減し得るようになっている。ここで反応管２内圧
力Ｐ６を主耐圧容器１内圧力Ｐより大とするのは、主耐
圧容器１内雰囲気が反応管２内に入るのを防止するため
である。フィードバック型しｄｆｊＬレータ３はこの目
的のために選ばれたものであって、これは主耐圧容器１
内圧力Ｐを基準として、反応管２内圧力Ｐ。が常にＰよ
る所望の圧力差ΔＰ０だけ高くなるよう制御する。
上′記主部Ａに具備せしめた加湿装置Ｂは、水槽６内に
収容された純水６を、反応管２内に圧力差によ咬圧逸し
ようとするものである。
収容された純水６を、反応管２内に圧力差によ咬圧逸し
ようとするものである。
この目的のため、副耐圧容器５を設け、これを主耐圧容
器１と気密状に連結する。そして副耐圧容ＳＳ内部に水
槽４を設置し、その中に純水６を入れておく。この水槽
′４から細管７を導出し反応管２と連結させる。これに
より水槽４内と反応管２内とを連通せしめる。なお１３
は反応管２より導出された石英細管よりなる接続端１４
との接続部を示す。更に細管７が気密状に挿通されたゴ
ム栓８番こより耐圧容器５の連結用開口部を密封する。
器１と気密状に連結する。そして副耐圧容ＳＳ内部に水
槽４を設置し、その中に純水６を入れておく。この水槽
′４から細管７を導出し反応管２と連結させる。これに
より水槽４内と反応管２内とを連通せしめる。なお１３
は反応管２より導出された石英細管よりなる接続端１４
との接続部を示す。更に細管７が気密状に挿通されたゴ
ム栓８番こより耐圧容器５の連結用開口部を密封する。
このゴム栓８は主耐圧容器ｌと副耐圧容器５間を気密状
に遮断すると共に、細管７を保持する。副耐圧容器５内
には所望の高圧ガス、例えば高圧窒素（Ｎｍ）がパルプ
１１を開くことにより配管１２を介して送入される。副
耐圧容器５内の圧力Ｐ□は、フィードバック型レギュレ
ータ９により主耐圧容器ｌ内圧力Ｐを基準として設定さ
れた所望の圧力差ΔＰ１だけ高い圧力に１Ｉｉ１１御さ
れる。
に遮断すると共に、細管７を保持する。副耐圧容器５内
には所望の高圧ガス、例えば高圧窒素（Ｎｍ）がパルプ
１１を開くことにより配管１２を介して送入される。副
耐圧容器５内の圧力Ｐ□は、フィードバック型レギュレ
ータ９により主耐圧容器ｌ内圧力Ｐを基準として設定さ
れた所望の圧力差ΔＰ１だけ高い圧力に１Ｉｉ１１御さ
れる。
次に上述の如く構成した高圧酸化装置の動作をこりいて
説明する。
説明する。
先ず主耐圧容器ｌ内圧力Ｐを所定の圧力、例えば１０〔
υ〕Ｇ二設定する。これは図示はしてなし・が、主耐圧
容器１に連結された間圧ガス（例えば窒素Ｎ、）配管系
を二通常のレギーレータを介装しておき、このレギ、レ
ー月こ上記所定の圧力を設定することにより行なうこと
ができる。
υ〕Ｇ二設定する。これは図示はしてなし・が、主耐圧
容器１に連結された間圧ガス（例えば窒素Ｎ、）配管系
を二通常のレギーレータを介装しておき、このレギ、レ
ー月こ上記所定の圧力を設定することにより行なうこと
ができる。
次いで反応管２内圧力Ｐ０、副耐圧容器５内圧力Ｐ、と
鋳記主耐圧容器Ｐとの圧力差ΔＰ０．ΔＰ１をそれぞれ
、フィードバック型レギュレータ、３．９Ｇこ設定する
。なおΔＰＧ 、及びムＰ１は前述した如く、ｐｏ＝ｐ
＋ΔＰ。
鋳記主耐圧容器Ｐとの圧力差ΔＰ０．ΔＰ１をそれぞれ
、フィードバック型レギュレータ、３．９Ｇこ設定する
。なおΔＰＧ 、及びムＰ１は前述した如く、ｐｏ＝ｐ
＋ΔＰ。
ｐ、−ｐ ＋ΔＰ１
且つ Δｐ、 ＞ Δｐｏ、（ΔＰ０＋ Δｐ、＞ｏ）
なる関係を満足するよう選ばれた値であって、例えばａ
Ｐ。を５〜２０ （Ｔｏｒｒ） ＊ΔＰ、を約０．５
（警）とする。
なる関係を満足するよう選ばれた値であって、例えばａ
Ｐ。を５〜２０ （Ｔｏｒｒ） ＊ΔＰ、を約０．５
（警）とする。
以上により各部の圧力は所望の如く制御され、Ｐ ＜
Ｐ、＜ Ｐｌなる関係に保たれる。従って純水６はＰｌ
とＰｏとの圧力差ΔＰ〔即ちΔＰ−ΔＰ、−ΔＰ０）に
より細管７を介して反応管２内に圧送されることとなり
、反応管２内を加湿雰囲気とすることができる。
Ｐ、＜ Ｐｌなる関係に保たれる。従って純水６はＰｌ
とＰｏとの圧力差ΔＰ〔即ちΔＰ−ΔＰ、−ΔＰ０）に
より細管７を介して反応管２内に圧送されることとなり
、反応管２内を加湿雰囲気とすることができる。
本加湿装置においては、反発管２内に供給される純水の
量を、容易に制御できる。即ち上記圧力差ΔＰを適宜選
択することにより制御し得るのみならず、細管７が水の
流れに対し抵抗として作用することを利用し、この抵抗
を可変することによっても制御し得る。上記抵抗の値は
、Ｊｉ’＋？ ７の内径を選択するか、或いは細管７の
途中にバルブを設け、このパルプにより流路を制限する
等により可変できる。
量を、容易に制御できる。即ち上記圧力差ΔＰを適宜選
択することにより制御し得るのみならず、細管７が水の
流れに対し抵抗として作用することを利用し、この抵抗
を可変することによっても制御し得る。上記抵抗の値は
、Ｊｉ’＋？ ７の内径を選択するか、或いは細管７の
途中にバルブを設け、このパルプにより流路を制限する
等により可変できる。
以上述べた如く本実施例においては、圧力差シΔＰによ
って純水が反応管２内に圧送され、従来例の如く望まし
くない高圧ポンプを必要としない。
って純水が反応管２内に圧送され、従来例の如く望まし
くない高圧ポンプを必要としない。
また水槽４及び細管７に加えられる圧力はごく小さくて
よいので、両者とも半導体に対する汚染の心配のない石
英により作成し得る。従って本実施例の加湿装置は汚染
を生じる恐れがなく、安全且つ取り扱い容易である。
よいので、両者とも半導体に対する汚染の心配のない石
英により作成し得る。従って本実施例の加湿装置は汚染
を生じる恐れがなく、安全且つ取り扱い容易である。
本発明は上記−実施例に限定されることなく更に種々変
形して実施できる。
形して実施できる。
例えば細管７は水槽４の側壁の底面近くから導出しても
よい。
よい。
また編耐圧容器５の配設位置は上記一実施例の如く主耐
圧容器１の上部に限定する必要はなく、主耐圧容器１の
横或いは斜め上方等任意である。
圧容器１の上部に限定する必要はなく、主耐圧容器１の
横或いは斜め上方等任意である。
但し、水槽４と反応管２との高さ方向の相対的更に使用
する高圧ガスが高圧窒素に限定されるものでなく、例え
ば反応管２内雰囲気を高圧酸素（０２）としてもよいこ
と、或いは圧力の制御方法も選択し得るものであること
、等は特に説明するまでもない。
する高圧ガスが高圧窒素に限定されるものでなく、例え
ば反応管２内雰囲気を高圧酸素（０２）としてもよいこ
と、或いは圧力の制御方法も選択し得るものであること
、等は特に説明するまでもない。
以上説明した如く、本発明により汚染を生じる恐れがな
く、取や扱い容易且つ安全な高圧酸化装置が提供された
。
く、取や扱い容易且つ安全な高圧酸化装置が提供された
。
図は本発明の一実施例を示す要部断面図で、図中、１は
主耐圧容器、２は反応管、４は水槽、５は副耐圧容器、
６は高純度の水、７は細管、Ｂは加湿装置を示す。
主耐圧容器、２は反応管、４は水槽、５は副耐圧容器、
６は高純度の水、７は細管、Ｂは加湿装置を示す。
Claims (1)
- 被電現物を収容する反応容器と、該反応容器を内部に収
変せる主耐圧容器と、前記反応容器内雰囲気に加湿する
手段とを具備し、前記反応容器内及び前記主耐圧容器内
圧力を所望の圧力に制御し得る高圧酸化装置に粘いて、
前記加湿手段が水槽と、該水槽を収容する副耐圧容器と
、前記水槽及び前記反応容器とを連通ずる細管と、前記
副耐圧容器内圧力の制御手段とを具備してなり、前記副
耐圧容器内圧力を前記反応容器内圧力より高くすること
により、前記水槽より前記反応容器内に水分を供給する
ように構成したことを特徴とする高圧酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148081A JPS5848923A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 高圧酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148081A JPS5848923A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 高圧酸化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848923A true JPS5848923A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15444798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148081A Pending JPS5848923A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 高圧酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718863B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-13 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Vacuum booster |
| US7549711B2 (en) | 2002-06-21 | 2009-06-23 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Vacuum pressure booster |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56148081A patent/JPS5848923A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6718863B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-13 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Vacuum booster |
| US7549711B2 (en) | 2002-06-21 | 2009-06-23 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Vacuum pressure booster |
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