JPS5846875A - Driving circuit for power transistor - Google Patents

Driving circuit for power transistor

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JPS5846875A
JPS5846875A JP56145252A JP14525281A JPS5846875A JP S5846875 A JPS5846875 A JP S5846875A JP 56145252 A JP56145252 A JP 56145252A JP 14525281 A JP14525281 A JP 14525281A JP S5846875 A JPS5846875 A JP S5846875A
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diode
current
circuit
resistor
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JP56145252A
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Katsuyoshi Mase
勝好 間瀬
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To contrive the reduction of the idle time of input signal on an inverter circuit and the like by a method wherein a diode is connected between the base and the collector of a transistor, and in addition, a free-wheel diode which has been connected in forward direction between an emitter and the collector is provided. CONSTITUTION:A power transistor Q2 is driven by a driving circuit having transistors Q5 and Q6 as main constituent elements. When no freewheel current is running on a diode SR2, the driving current of the transistor Q2 runs on a resistor R3, a diode SR6 and the transistor Q2, and the base current in an OFF state passes through the route of the transistor Q2, a diode SR7 and a resistor R3, thereby enabling to run both current without fail. Also, when the free-wheel current is running on the diode SR2, as the base current at OFF state passes through a diode SR5, no charge is accumulated on the transistor Q2 and the idle time can be cut down.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明ij P W M (Pu1se Width
 Modwjatloo)方式で制御されるインバータ
(ロ)路等に使用されるパワートランジスタのドライブ
回路に関する。
[Detailed description of the invention] This invention
The present invention relates to a drive circuit for power transistors used in inverter circuits and the like controlled by the Modwjatloo method.

周知のように、PWM方式のインバーター路においては
、その基本周波数を上げる仁とによ)、フィルタ油路【
小型化し、インバータ回路O小II%軽量化I11って
いる。
As is well known, in the PWM inverter path, there is a filter oil path that increases the fundamental frequency.
The inverter circuit is smaller and lighter by 11%.

しかしながら、インバーター路の負荷が抵抗であること
は・まれであり、モータコントロールの場合のように誘
導性負荷であることがほとんどである。こO8l導極負
荷の場合に#:t1短絡状の電流か負荷1通らずに通電
されるため、十分長i体止期111111會設足し、短
絡状の電流の驚流餉會小さくして、ドライブ回路にお打
るトランジスタの損失の低減1行なっている。このため
、インバータ回路の小型化に制約を生じる。そこで、上
記休止期間管長くしないで、短絡状の電流の電流値管小
さくするようfk回路の出現が望まれていた。。
However, the load on the inverter path is rarely a resistor, and is almost always an inductive load, as in the case of motor control. In the case of this O8l conductor load, #: t1 short-circuit current is passed without passing through the load, so we add a sufficiently long i-body stop period 111111 to reduce the short-circuit current shock, One step is to reduce the loss of the transistor in the drive circuit. This imposes restrictions on miniaturization of the inverter circuit. Therefore, it has been desired to develop an fk circuit that reduces the current value of the short-circuited current without lengthening the above-mentioned idle period. .

第1図は代表的なインバータ回路の伸略−路脂、第2図
はその動作を説明するための夕・イミンダチャート、第
3図は上記インバータ回路におけゐ従来のドライブ回路
の一例會示す回路図である。
Figure 1 is a diagram of a typical inverter circuit, Figure 2 is an evening diagram to explain its operation, and Figure 3 is an example of a conventional drive circuit in the above inverter circuit. FIG.

第1図において、QJ−Q4はモータMのドライブ用の
N F NfifJパワートランジスタ、8RJ〜8R
4はトランジスタQ1〜Q4に対するフリーホイルダイ
オード、CIFi平滑用0コンデンサである。このよう
なインバータ回路tPWM方式でドライ1丁ゐ時、壜ず
*2N(Aに示すような出力周波数に勢しい基準となる
交流出力側−電圧會発生させる。次に、この電圧OII
 @ K比例したパルス幅會持つ傷号會発生させる。こ
の信号は第2−〇および山に示すように1.第2図に)
に示した交流電圧O正O峙にパルス幅が大きくなる信号
と、負の時にパルス幅が大きくなる信号02種−が必要
である。このパルス幅変調された1号管用いて、トラン
ジスタQ1〜Q4のドライブ1行なう。すなわち、Fラ
ンジスタQ1とQ4tl!2図0に示した信号でドライ
ブし、トランジスタQ2とQjtl!2図aK示した信
号でドライブすれば、モータMKは第2WA何に示すよ
うな電流が流れる。ここで、高速ダイオード812と8
 ” 3 t’l、)ランジスタQ1七Q、4管ドライ
ブしてコレクタ1流管通電した後、トランジスタQ1と
Q4tオフした時、負荷電流がamするためのフリーホ
イルダイオードである。また、高速ダイオード8111
と814は、トランジスタQjlとQB管オツした時0
7リーホイルダイオードである。
In Fig. 1, QJ-Q4 is a N F NfifJ power transistor for driving motor M, 8RJ to 8R.
4 is a freewheel diode for transistors Q1 to Q4, and a CIFi smoothing capacitor. With this type of inverter circuit tPWM system, when the output is dry, an AC output side voltage is generated which is a strong reference for the output frequency as shown in A.Next, this voltage OII
@ Generate a flaw signal having a pulse width proportional to K. This signal is 1. as shown in 2-0 and the mountain. (See Figure 2)
A signal whose pulse width becomes larger when the AC voltage O is positive, and a signal whose pulse width becomes larger when the AC voltage is negative, as shown in 02, are required. This pulse width modulated No. 1 tube is used to drive transistors Q1 to Q4. That is, F transistors Q1 and Q4tl! 2 Drive with the signal shown in Figure 0, transistors Q2 and Qjtl! When the motor MK is driven by the signal shown in FIG. 2aK, a current as shown in the second WA flows through the motor MK. Here, fast diodes 812 and 8
" 3 t'l,) It is a freewheel diode that makes the load current am when transistor Q1 and Q4t are turned off after transistor Q1 and Q4 are driven and the collector is energized. It is also a high-speed diode. 8111
and 814 are 0 when the transistor Qjl and QB tube are turned off.
It is a 7-Lee foil diode.

*2園@に示した信号から、PWM方式のスイツチンダ
局波数管あげれば、よp正弦波に近い電流・【負荷であ
るモータMに通電できるCとが容易に推察される。しか
しながら、トランジスタQJOコレクタ電RKは、実際
には第2図(至)に示すような短絡状の(コンデンサC
1をトランジスタQ1とQ2で短絡したような)電流8
Tが會すれてお9、この電力損失が無視できないため、
PMW方式のスイッチング速度t゛上げる仁とは難かし
いO 第3図に、上記インバータ回路における従来のドライブ
1路〇一部會示す回線図+ある。第3図において、トラ
ンジスタQ2およびダイオード8Rjは、第1rI!J
におけるものと同様である。この−路において、電@V
ccシよびVB2間に、抵抗R1、PNP型トランジス
タQ5、N P Nll )ランレスタQ6および抵抗
R2が直列KIN続さiていゐ、壇た、信号入力端82
は、抵抗R4の一端にi読点P1でWe#itされ、仁
υ1!eAPJは上記トランジスタQ5およびQ60ベ
ースに接続されていゐ、さらに、接続点P1と共通電源
COM間には抵抗R5が挿入されている。また、接続点
P1と、上記トランジスタQ5のエイツタおよびトラン
ジスタQ6の工しツタOf!−読点P2間に社抵抗R4
が挿入されている。さらに、上記接続点P2およびFラ
ンジスタQ1のベース間には抵抗R3が挿入されている
。なお、トランジスタQ2の工建ツタは共通亀@COM
K接続されている。
*2 From the signal shown in Garden @, if we take a PWM system switchboard station wave number tube, it can be easily inferred that a current close to a psine wave [C that can energize the motor M, which is the load]. However, the transistor QJO collector voltage RK is actually short-circuited (capacitor C
1 shorted by transistors Q1 and Q2) current 8
When T meets 9, this power loss cannot be ignored, so
It is difficult to increase the switching speed of the PMW system. Fig. 3 is a circuit diagram showing part of a conventional drive circuit in the above inverter circuit. In FIG. 3, transistor Q2 and diode 8Rj are connected to the first rI! J
It is similar to that in . In this − path, electric @V
A resistor R1, a PNP transistor Q5, a N P Nll) run resistor Q6, and a resistor R2 are connected in series between CC and VB2.
is We#it at the i reading point P1 at one end of the resistor R4, and jinυ1! eAPJ is connected to the bases of the transistors Q5 and Q60, and furthermore, a resistor R5 is inserted between the connection point P1 and the common power supply COM. In addition, the connection point P1, the input terminal of the transistor Q5, and the input terminal of the transistor Q6 are connected to Of! -Resistance R4 between reading points P2
is inserted. Furthermore, a resistor R3 is inserted between the connection point P2 and the base of the F transistor Q1. In addition, the construction ivy of transistor Q2 is common Kame@COM
K is connected.

このように構成されたドライブ回路と同様な回路が、゛
前記第1図におけるトランジスタQ2〜Q4に対して設
けられてiる。
A circuit similar to the drive circuit configured in this manner is provided for the transistors Q2 to Q4 in FIG.

このようなドライブ回路管用いた場合に、上述したよう
な短絡状の電流が流れる原因には、高速ダイオード■1
〜8114のりカバリ電流、トランジスタQJ#Q4の
コレクタ・ベース間S量によゐコレクタ・エイツタ間電
圧急上昇時の増幅電流等があるが、最も大きく影響【与
えていゐOは、第8aK示すような例えばトランジスI
Qjt)ペース電流IIである。
When such a drive circuit tube is used, the cause of the short-circuit current flowing as described above is due to the high-speed diode ■1.
~8114 There is a recovery current, an amplification current when the voltage between the collector and the output rises depending on the amount of S between the collector and the base of the transistor QJ#Q4, etc., but the biggest influence [O is as shown in 8aK] For example, Transis I
Qjt) is the pace current II.

メイオデドJlljにフリーホイル電[I・が流れてい
る時、トランジスタQ2がドライブされると、トランジ
スタQ2のコレクタはエミッタより低い電位になってい
るので1 トランジスJQ、!のベース電流IBは、ベ
ース・コレクタ接合tan、モータM1ダイオード8R
3、図示せぬ電源管経由して、トランジスタQ2のエイ
ツタKlj4ってくる。トランジスタQ2がドラ妙とし
て動作する。このため、トランジス・りQ・20ベ一ス
層の電荷は略蓄積時間(tstg)経過すれば消滅して
しまうので、この蓄&時間を基に、トランジスタQ1お
よびQffi?ドライブするための入力信号における休
止期間管設電するようにすればよい。しか−しながら、
トランジスタQ2をドライブしても、負荷電流l・が、
そのままダイオードSRjを通電しており、トランジス
タQ2のドライブが終わって、トランジスタQノのドラ
イブが#?まると、トランジスタ920ペース層には大
くの残貿亀荷があるので、仁れがトランジスタQ2のベ
ース電流と等価になり、菖2図[相]あるいは第4図0
に示すような短絡状の電流8T會発生する・ このため従来は、第4図に)に示すようなトランジスタ
QJへの入力信号と、第4図@に示すような入力端S2
に入力されるトランジスタQ2への入力信号との間に1
蓄積時間(ts’1g )の何倫もの長さの休止期間R
T?設定していた。
When transistor Q2 is driven when a freewheel current [I. The base current IB of is the base-collector junction tan, motor M1 diode 8R
3. The output terminal Klj4 of the transistor Q2 is connected via a power supply tube (not shown). Transistor Q2 operates as a driver. Therefore, the charge in the transistor Q20 base layer disappears after approximately the storage time (tstg) has elapsed, so based on this storage time, the transistors Q1 and Qffi? What is necessary is to provide power during the idle period of the input signal for driving. However,
Even if transistor Q2 is driven, the load current l.
The diode SRj continues to be energized, and after the drive of the transistor Q2 is completed, the drive of the transistor Q is #? As a result, since there is a large residual load in the transistor 920 paste layer, the ridge becomes equivalent to the base current of transistor Q2, and the phase in Figure 4 or Figure 4 is 0.
A short-circuit current 8T as shown in FIG.
1 between the input signal to transistor Q2 input to
The rest period R is as long as the accumulation time (ts'1g)
T? It was set.

しかしながら、これでもベース・コレクタ接合の電荷の
゛消滅は遅く、第4図に)、何に示すような入力信号の
変化に対応するトランジスタQ19コレ!り電fllK
は#!4図(C)K示すような短絡状の電$18Tが流
れている・ この発明は上記のような事情Kl!!みてなされたもの
で%PWM方式のインバーター路等における入力信号の
休止期間の短縮會−ることがで會ゐパワートランジスタ
のドライブ論路管長供することvtiiI的と丁ゐ・ 以下、図j1′に#照してこの発明の一!II!施例會
説明する。纂5図はこの発明の一実趨例の一路図であゐ
@第5脂におけるパワートランジスタのドライブ一路に
、第3図に示した従来のドライブ回路に対応するもので
あり、第31と共通部分は同−符号管付しである。また
%*5図に示すようなドライブ−路!−第1図に示した
インバーター路におけるドライブ−路に適用した場合管
側にとって説明全行なうことにする。
However, even with this, the charge at the base-collector junction disappears slowly (see Figure 4), and the transistor Q19 responds to changes in the input signal as shown in Figure 4. Riden fullK
teeth#! Figure 4 (C) A short-circuit current of $18T is flowing as shown in K. This invention is based on the above circumstances Kl! ! It is possible to shorten the idle period of the input signal in the inverter circuit of the PWM system, etc., and to provide the drive logic circuit length of the power transistor. This is one of the best inventions! II! An example meeting will be explained. Figure 5 is a line diagram of a practical example of this invention. The drive line of the power transistor in the 5th circuit corresponds to the conventional drive circuit shown in Figure 3, and is common to the 31st drive circuit. The parts have the same code. Also, the drive road as shown in the %*5 diagram! - When applied to the drive path in the inverter path shown in FIG. 1, the entire explanation will be given for the pipe side.

aS図に、おいて、抵抗R3は接続点P2および13間
に挿入されている。また接続点Pjおよびトランジスタ
Q2のコレクタ間には、・順方向K11lI速ダイオー
ド8R5が挿入されている。
In the aS diagram, a resistor R3 is inserted between connection points P2 and 13. Further, a forward direction K111I speed diode 8R5 is inserted between the connection point Pj and the collector of the transistor Q2.

また、接続点PJおよびトランジスタQ2のベース関に
は、ダイオード8R6が順方向に挿入されている。′g
らに、このダイオード8鷲6と並列でかつ逆方向にダイ
オードSR7がIl[されている、上記接続点P3およ
び共通電源COM間には、コンデンサC2および抵抗R
6が並列に接続されていゐ、また、トランジスタQ2の
ベースと共通電源COM関に、コンチンt Csおよび
抵抗R7が並列に接続されている0次に、仁のように構
成されたドライブ−路會第1図に示したインバーター路
に適用した場合の動作にキいて説明する。
Further, a diode 8R6 is inserted in the forward direction between the connection point PJ and the base of the transistor Q2. 'g
Furthermore, a diode SR7 is connected in parallel with this diode 8 and in the opposite direction, and a capacitor C2 and a resistor R are connected between the connection point P3 and the common power supply COM.
6 are connected in parallel, and a converter t Cs and a resistor R7 are connected in parallel to the base of the transistor Q2 and the common power supply COM. The operation when applied to the inverter path shown in FIG. 1 will be explained.

ま−す、ダイオード8R:IK7リーオイル電流が流れ
ていない時、トランジスタQjt−ドライブするための
ドライブ電流l111は、電源Vccから流出し、抵抗
R1、トランジスタQss抵抗1j、ダイオード8R6
、トランジスタ“Q2會経由して共通電源CO,Mに戻
る。また、トランジスタQ2管オフさせるためのベース
電流1醇−は、共通電源COMより流出し、トランジス
タQx、ダイオード817、抵抗R3、トランジスタQ
 a 、抵抗R2f経由して電源VllKINる。この
ようにして、トランジスタQ2會オンさせ為ベース電@
1 mlと、速くオフさせるためのペース電flLIB
愈tiii*t、ている。
When the diode 8R: IK7 oil current is not flowing, the drive current l111 for driving the transistor Qjt flows out from the power supply Vcc, and is connected to the resistor R1, the transistor Qss, the resistor 1j, and the diode 8R6.
, returns to the common power supply CO, M via the transistor Q2. Also, the base current for turning off the transistor Q2 flows out from the common power supply COM, and is connected to the transistor Qx, the diode 817, the resistor R3, and the transistor Q.
a, the power supply VllKIN is applied via the resistor R2f. In this way, to turn on transistor Q2, the base voltage @
1 ml and pace electrode flLIB for quick turn off
戈tiii*t, I'm there.

壜た、高速ダイオード8R2に7リーホイル電Rが諏れ
て―ゐ時、入力jll18Jに)〜イレベルの入力信号
が供給されても、電源Vc@から流出する電@IB、は
、抵抗IJ、トランジスタCOMK員るので、トランジ
スタQ2のベース層には電荷が蓄積されることはない、
このため、トランジスタQIK対して第6融(2)に示
すような信号管入力し、トランジスタQ2に対して第6
図@に示すような信号管入力した場合でも、トランジス
、りQlのコレクタに流れる11流は°第6図0に示す
ようにな〕、短絡求の電流8?は非常に小さくなる。さ
らに、休止靭間RT社、トランジスタQ2の蓄積時間(
t stg )だけt考慮すればよいので、従来のドラ
イブ回路に比較して非常に短かく設定することが可能と
なゐ・管た、抵抗16とコンデンサCjFi、)ランジ
スタQ10ゴレクタ・ベース間の電圧が急増した時に、
ダイオード8R5f通して流れる逆−復電RVrバイパ
スさせるもので、トランジスタQ10ベースに上記電R
が1流入するのを防ぐものである。これによp第3図0
に示した燦絡状の電[〇一部を減少させることができる
・さらに、抵抗R1とコンデンサCJr1%)ランジス
タQjのコレクタ・ベース間の電圧が急増した時に、ダ
イオード8R5f通して流れる逆−腹電極の一部と1、
トランジスタQffiのベース・コレタタ関のキャパシ
タCabによる変位電Rをバイパスさせるもので、トラ
ンジスタQlt)ベース・エイツタ関に通電する電流會
減少させるためのものである。これにより、第3図0(
示した短絡状の電流の一部會減少させる仁とができる。
When a high-speed diode 8R2 is connected to a 7-leaf coil current R, even if an input signal of high level is supplied to the input jll18J, the current flowing out from the power supply Vc@ is from the resistor IJ and the transistor. Since COMK is present, no charge is accumulated in the base layer of transistor Q2.
For this reason, a signal tube input as shown in the sixth fusing (2) is applied to the transistor QIK, and the sixth signal tube is inputted to the transistor Q2.
Even if the signal tube input is as shown in Figure @, the current flowing through the collector of the transistor Ql will be as shown in Figure 6 (0), and the short circuit current 8? becomes very small. Furthermore, the storage time of the transistor Q2 (
Since only t stg ) needs to be taken into consideration, it is possible to set the drive circuit to be much shorter than that of conventional drive circuits. When there was a sudden increase in
This is to bypass the reverse-recovery current RVr flowing through the diode 8R5f, and the above voltage R to the base of the transistor Q10.
This prevents the inflow of 1. This results in pFigure 3 0
When the voltage between the collector and base of the transistor Qj increases rapidly, the inverse-antinode current flowing through the diode 8R5f as shown in Figure 2. Part of the electrode and 1
This is to bypass the displacement current R caused by the capacitor Cab associated with the base and collector of the transistor Qffi, and to reduce the current flowing through the base and collector of the transistor Qlt. As a result, Fig. 3 0 (
A portion of the short-circuit current shown can be reduced.

第7図は1、この発明によるドライブ回路を適用した場
合と従来のドライブ回路を使用した場合の短絡状の電流
と休止期間の関係會示したグラフ図でああ0図中、縦軸
は短絡状の電流の比會示し、横軸は休止期間の比管示し
ている。★た、破線は従来O1r!IIIKよる場合管
示し、実線はこの発明の回路による場合管示している。
Figure 7 is a graph showing the relationship between short-circuit current and rest period when the drive circuit according to the present invention is applied and when a conventional drive circuit is used. The horizontal axis shows the current ratio during the rest period. ★The broken line is the conventional O1r! The case according to IIIK is shown, and the solid line shows the case according to the circuit of the present invention.

この改善&)@II!は、トランジスタQJ−Q4の構
造に%1依存するが、こO発Ti!i4によるドライブ
1賂を適用すれば、休止期間をかな夛短かく設定するこ
とができる。
This improvement &) @II! depends on the structure of transistors QJ-Q4, but Ti! If the i4 drive 1 reward is applied, the pause period can be set much shorter.

なお、上記実施例ではこの発明のドライで(ロ)路Vr
PWM方式の単相インバータ(ロ)路に適用する場合管
示したが、これに駆足されるものではなく、3相インバ
ータ(ロ)路あるいは多相インバータ回路のドライブ回
路、PNP)ランジスタのドライブ回路、逆導通サイリ
スタのドライブ回路、逆導、電型あるいは逆阻止型ゲー
トターンオフサイリスタのドライブ−路岬にも適用でき
゛ゐことはもちろんである。
In addition, in the above embodiment, the dry (b) road Vr of this invention
Although the case where it is applied to a PWM type single-phase inverter circuit is shown, it is not driven by this, and it can also be applied to a drive circuit of a three-phase inverter circuit or a multi-phase inverter circuit, or a drive circuit of a PNP transistor. It goes without saying that the present invention can also be applied to circuits, drive circuits for reverse conduction thyristors, and drive circuits for reverse conduction, electric type or reverse blocking type gate turn-off thyristors.

以上述べ友ようにこの発明によれば、PWM方式のイン
バータ回路*における入力信号の休止期間の短縮管間る
ことができるパワートランジスタのドライブ回路を提供
することができる・
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power transistor drive circuit that can shorten the idle period of an input signal in a PWM inverter circuit*.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

馬1fmは代表的なインバータ回路の概略(ロ)路“図
、92図に)〜(至)社上記インバータ回路における従
来の動作を説明するためのタイ建ングチャート、第3−
は上記インバーター路における従来のドライブ−路の一
路−1JIB41F8〜0は謝3mのドライブ−路の動
作管説明するためのタインンダチャート%JI5図はこ
の発明の一実施例のドライブ回路の回□路図、86図(
6)〜(qは上記実施例のドライブ回路の動作V説明す
るためのタイ電ングチャー)、 It!7図はこの発明
の効果1示すグラフ図である。 Q1〜Q6・・・トランジスタ、8RJ #817・・
・ダイオード、RJ〜R5・・・抵抗、01〜03・・
・コンデンサ。 出願人代理人 弁理土鈴 江 武 彦 第1図 第2図 (C)− 第4図
1fm is a schematic diagram of a typical inverter circuit (Fig.
1JIB41F8~0 is a 3m drive path operation tube diagram for explaining the operation of the conventional drive path in the above inverter path. Figure, Figure 86 (
6) ~ (q is a tie diagram for explaining the operation of the drive circuit of the above embodiment), It! FIG. 7 is a graph diagram showing effect 1 of this invention. Q1~Q6...Transistor, 8RJ #817...
・Diode, RJ~R5...Resistance, 01~03...
・Capacitor. Applicant's agent Takehiko E, patent attorney, Figure 1, Figure 2 (C) - Figure 4

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  )ランジスタと、このトランジスタのペース
に一端が接続された第1ダイオードと、こa@1ダイオ
ードの他端と上記トランジスタのコレクタとの間に接続
されたl!2ダイオードと、上記ダイオードの工ζツタ
およびジレタタ間に順方向に接続されたフリーホイルダ
イオードとを具備したことを特徴とするパワートランジ
スタのドライブ回路。 ■ 上記ll!ダイオードとは異なった極性で上記纂2
ダイオードに並列に第3ダイオード【接続したこと全特
徴とする特許請求の範囲第一項記載のパワートランジス
タのドライブ回路。
(1)) A transistor, a first diode whose one end is connected to the pace of this transistor, and l! which is connected between the other end of the a@1 diode and the collector of the transistor. 1. A drive circuit for a power transistor, comprising a freewheel diode connected in a forward direction between a terminal and a terminal of the diode. ■ The above ll! The above example 2 with a different polarity than the diode
A drive circuit for a power transistor according to claim 1, characterized in that a third diode is connected in parallel to the diode.
(2) 上記第1および集2ダイオードの篠絖点と上記
トランジスタのエミッタ間に1、;ンテンナと抵抗管並
列にあるいはiずれか一方を挿入したことt41微とす
ゐ特許請求の範8謝1項または#1!21記載のパワー
トランジスタのドライブ回路。 (J  −上記トランジスタのベースおよ、びエミッタ
間に、プンポンサと抵抗管並列にあるいけいずれか一方
管挿入したこと17特徴とする特許請求の範囲1t!1
項!たけ第2項才た扛纂3項記載のパワートランジスタ
のドライブ回餡。
(2) t41 and t41 that either one of the antenna and the resistor tube is inserted in parallel with the resistor tube and the emitter of the transistor between the shinoki points of the first and second diodes and the emitter of the transistor; A drive circuit for the power transistor according to item 1 or #1!21. (J - Claims 1t!1 characterized in that either one of the tubes is inserted between the base and emitter of the above transistor in parallel with the pumpon sensor and the resistance tube.
Section! A drive circuit for the power transistor described in Section 2 and Section 3.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5330892A (en) * 1976-08-17 1978-03-23 Emi Ltd Medical radiation camera

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JPS5330892A (en) * 1976-08-17 1978-03-23 Emi Ltd Medical radiation camera

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