JPS5846656A - Magazine for electronic part - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To lighten weight, to reduce cost, to prevent electrostatic breakdown, to enable the recognition of the names of products and to give strength by forming an upper wall section by a high molecular compound becoming transparent and making contain or attaching a conductive member to a high molecular compound corresponding to a terminal receiving section. CONSTITUTION:The names of the products of the upper surface of a main body 3 placed onto a supporting section 12 can be recognized through the transparent upper wall section 11, external terminals 4 positioned into the terminal receiving section 13 are contacted or adjoined to the inner surface of the terminal receiving section 13 having small surface resistance, and the excellent preventive effect of electrostatic breakdown is obtained. The external terminals 4 are mutually short-circuited, and the magazine 10 is formed by the high molecular compounds as a whole. Styrol resin, etc. are adopted as the high molecular materials forming the magazine 10.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子部品用マガジン、特に半導体装置のための
マガジンに関するものであろうＭＯ８１Ｃあるいはバイ
ポーラＩＣ勢の半導体装置は、静電気によって電気的永
久破壊してしまうことがある。このような半導体装置の
永久破壊が生じないようにするために、半導体装置の外
部端子を電気的に短絡すればよいことが知られており、
半導体装置を梱包などのために収納するためのマガジン
にも半導体装置の外部端子を互いＶｃＩｓ絡させるよう
な構成が採用されている。例えば第１図に示すマガジン
１がその一例である。そして、このようなマガジン１は
特公昭５４−１７６２６号公報によって知られている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magazine for electronic parts, particularly a magazine for semiconductor devices.Semiconductor devices such as MO81C or bipolar ICs may be permanently electrically destroyed by static electricity. It is known that in order to prevent such permanent destruction of a semiconductor device, it is sufficient to electrically short-circuit the external terminals of the semiconductor device.
Magazines for storing semiconductor devices for packaging and the like also employ a configuration in which external terminals of semiconductor devices are connected to each other by VcIs. For example, the magazine 1 shown in FIG. 1 is one example. Such a magazine 1 is known from Japanese Patent Publication No. 54-17626.

このマガジン１は、アルミニウム等の金属材料を押出し
成形法等を用い【製造したものであり、半導体装置２の
本体３を支持するための支持部５と、半導体装置２の外
部端子４を収納するための端子収納部６および半導体装
置２の脱落を防止するための土壁部７より成っている。This magazine 1 is manufactured using a metal material such as aluminum using an extrusion molding method, and houses a support portion 5 for supporting a main body 3 of a semiconductor device 2 and an external terminal 4 of the semiconductor device 2. It consists of a terminal accommodating section 6 for preventing the semiconductor device 2 from falling off, and a clay wall section 7 for preventing the semiconductor device 2 from falling off.

半導体装置２はこのマガジンｌ内に直列状態に複数個づ
つ収納されると共に、その外部端子４はマガジンＩＫｍ
触するため、互いに短絡される。A plurality of semiconductor devices 2 are stored in series in this magazine l, and their external terminals 4 are connected to the magazine IKm.
Because they touch each other, they are shorted together.

したがって、半導体装置２の静電防止が図られる。Therefore, static electricity in the semiconductor device 2 can be prevented.

また、半導体装置２の本体３上面に記載した製品名は前
記上壁部７の開口８を通し【外部から認識できるようＫ
なっている。In addition, the product name written on the top surface of the main body 3 of the semiconductor device 2 can be recognized from the outside through the opening 8 of the top wall 7.
It has become.

しかしながら、マガジンの材質としてこのような金属を
使用することは、重量が大となって輸送費が嵩むと共に
、マガジン自体は消耗品であるために製品（半導体装置
）の価格の増大を鱒起するＥいう問題が゛ある。However, using such metal as the material of the magazine increases the weight and transportation costs, and since the magazine itself is a consumable item, the price of the product (semiconductor device) increases. There is a problem called E.

また、上記のようなマガジンに比べて軽量かつ安価であ
る静電破壊防止手段を施した合成樹脂製の１ガジンが上
記公報あるいは、実公昭５１−２４１９２号公報によっ
て知られている。前者の公報に記載されたマガジンは、
＠１図に示した！１゛１ ガジンｌと同様にその上壁部に開口が設けられているの
で、機械的強度が低い問題がある。一方、後者の公報に
記載されたマガジンは、第２図に示されたように静電破
壊防止手段としてその内側表面金体に塗布またはメッキ
によっ【導電性被膜９が形成され【いるので、マガジン
に収納された半導体装置の製品名あるいは数量の認識が
むずかしい。また導電性被膜９０表面抵抗は１０１３Ω
／ａ１１一度であり、約１０００ＶＫもなる帯電電圧か
ら半導体装置２を充分保−することができない。Furthermore, a synthetic resin magazine equipped with electrostatic damage prevention means, which is lighter and cheaper than the above magazines, is known from the above publication or Japanese Utility Model Publication No. 51-24192. The magazines listed in the former gazette are
@1 Shown in figure! Since the opening is provided in the upper wall like the 1.1 Gazin 1, there is a problem that the mechanical strength is low. On the other hand, as shown in FIG. 2, the magazine described in the latter publication has a conductive film 9 formed by coating or plating on its inner surface metal body as a means to prevent electrostatic damage. It is difficult to recognize the product name or quantity of semiconductor devices stored in a magazine. Also, the surface resistance of the conductive coating 90 is 1013Ω
/a11 once, and the semiconductor device 2 cannot be sufficiently protected from the charging voltage of about 1000 VK.

本発明の目的は軽量かつ安価で静電破壊防止効果に優れ
、さらＫは製品名の認識が可能でかつ充分な強度を有す
る電子部品用マガジンを提供するととｋある。It is an object of the present invention to provide a magazine for electronic components that is lightweight, inexpensive, has an excellent electrostatic damage prevention effect, allows for recognition of the product name, and has sufficient strength.

このよ５な目的を達成するために本発明の電子部品用マ
ガジンは、少なくとも上壁部が透明になるような高分子
化合物にて形成する一方、少なくとも端子収納部に相当
するこの高分子化合物には導電性部材を一体的に含有若
しくは付着させたことを特徴とするものである。In order to achieve these five objects, the magazine for electronic components of the present invention is made of a polymer compound such that at least the upper wall portion thereof is transparent, and at least the upper wall portion of the magazine is made of a polymer compound that is transparent. is characterized by integrally containing or adhering a conductive member.

ｇｓｉｉａは本発明のマガジン１０と、そのマガジン１
００両サイドにはめ込まれるキャップＣ３゜Ｃ１を示し
ている。このマガジンｌＯは透明な上壁部１１と、金属
を含有した支持部１２及び端子収納１１１ｍとから構成
され【いる。このマガジン１０は、土壁部１１を透明高
分子化合物にて成形する一方、支持部Ｉｎ端子収納部１
３は金属入り高分子化合物にて成形した上で両者を一体
的に構成したものである。これＫより、前記上壁部１１
は透明に形成され、ここを通して外部からマガジン内部
をみることかできる。また、前記支持部１２や端子収納
ｓ１３はその表面抵抗が金属に近いものとされ静電防止
効果が高いものとされる。gsiia is the magazine 10 of the present invention and the magazine 1
00 shows a cap C3°C1 that is fitted on both sides. This magazine IO is composed of a transparent upper wall portion 11, a support portion 12 containing metal, and a terminal housing 111m. This magazine 10 has a clay wall part 11 molded from a transparent polymer compound, and a support part In terminal storage part 1.
No. 3 is formed by molding a metal-containing polymer compound and then integrally constitutes both. From this K, the upper wall portion 11
is transparent, and the inside of the magazine can be seen from the outside through it. Further, the support portion 12 and the terminal housing s13 have a surface resistance close to that of metal, and are highly effective in preventing static electricity.

第３図に示されたマガジン１０内に半導体装置２を収納
した状態を第４図に示す。この半導体装置２は、例えば
複数のトランジスタ勢の素子が形成されているＭＯ８１
Ｃ（Ｍ＠ｔａｌ　　−０ｘｉｄｅ−Ｓ＠ｍ１ｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃ！ｒｃｕ目Ｓ）ベ
レットまたはバイポーラＩＣベレットと、そのペレット
を気密封止するための樹脂封止体と、上記トランジスタ
に電気的に接続されかつその封止体より外部に延びる複
数の外部端子とより成っている。そして、この半導体装
置２の本体（樹脂封止部分）３の上表面にはメーカー名
、製品名等が印刷されている。FIG. 4 shows a state in which the semiconductor device 2 is housed in the magazine 10 shown in FIG. 3. As shown in FIG. This semiconductor device 2 includes, for example, an MO81 in which a plurality of transistor elements are formed.
C(M@tal -0xide-S@m1condu
ctor Integrated C! S) Consisting of a pellet or bipolar IC pellet, a resin sealing body for hermetically sealing the pellet, and a plurality of external terminals electrically connected to the transistor and extending outside from the sealing body. ing. The manufacturer's name, product name, etc. are printed on the upper surface of the main body (resin-sealed portion) 3 of the semiconductor device 2.

第ｚＥＫ示された半導体装置２は一般ＫＤｕａｌ−Ｉｎ
ｌｉｎ＠ｔｙｐｅ半導体装置と呼ばれている。The semiconductor device 2 shown in the zEK is a general KDual-In.
It is called a lin@type semiconductor device.

マガジン１０Ｐ３に半導体装置２を収納したときには、
支持部１２上に載せた本体３の上面の製品名は透明な上
壁部１１を通してそのままの状態で認識できると共に、
端子収納部１３内に位置された複数の外部端子（金属リ
ード）４は表面抵抗の小さい端子収納部１３内ＷＫ接触
或いは近接されることになり、優れた静電破壊防止効果
が得られる。すなわち、その外部端子４はその接触によ
って互い＆Ｃ短絡される。同時に、このマガジンｌＯは
全体を高分子化合物に″′Ｃ構成していることにより、
金属材のものよりも軽量かつ安価にできるという効果が
あり、更に、上−郁１１に第１ＩＥＩＫ示したような開
口を設けなくとも半導体装置の認識が可能であることか
ら、梱包用マガジンとして充分な強度を得ることができ
るのである。When the semiconductor device 2 is stored in the magazine 10P3,
The product name on the top surface of the main body 3 placed on the support part 12 can be recognized as it is through the transparent top wall part 11, and
The plurality of external terminals (metal leads) 4 located in the terminal housing part 13 are brought into contact with or close to the WK inside the terminal housing part 13, which has a low surface resistance, so that an excellent electrostatic damage prevention effect can be obtained. That is, the external terminals 4 are short-circuited to each other by the contact. At the same time, this magazine IO is entirely composed of a polymer compound, so that
It has the effect of being lighter and cheaper than one made of metal, and furthermore, it is possible to recognize semiconductor devices without providing an opening as shown in No. 1 IEIK, so it is suitable as a packaging magazine. It is possible to obtain strong strength.

前記マガジン１０を構成する高分子材料とじては、塩化
ピ＝−Ａ／（Ｐｏ１ｙ　ｖｉｎｙｌ　ｃｈｌｏｒｌｄｅ
　　）或はポリステｏ　ｊｊＬ／　（ｐｏｌｙｓｔｙｒ
ｅｎｅ　）等のスチロール樹脂等が採用される。前者は
強度的に優れており、後者は軽量、安価の点で優れてい
る。上１１１ｉｌ！＋１１は前記材料を透明にし【形成
し、支持部１２平端子収納部１３はカーボンや金属等の
導電性部材を前記材料に含有して形成している。The polymer material constituting the magazine 10 is polyvinyl chloride
) or polysteo jjL/ (polystyr
Styrene resin such as ene) is used. The former is superior in strength, and the latter is lightweight and inexpensive. Upper 111il! +11 is formed by making the material transparent, and the support portion 12 and the flat terminal storage portion 13 are formed by containing a conductive member such as carbon or metal in the material.

第５図を用いて本発明のマガジンの製造方法を説明する
。上記のような透明高分子化合物の材料１４と、金属勢
を含有した高分子化合物の材料１５とを夫々独立したグ
イ１６．１７を通して夫々土壁部や支持部、端子収納部
に相当する部材１８゜１９を矢印方向に押出成形し、そ
の後（直後）Ｋ両部材１８．１９を結合炉３０に通して
両部材１８．１９の側縁な溶融結合して一体化する。こ
の結果、前記マガジンｌＯが形成できる。The magazine manufacturing method of the present invention will be explained using FIG. The above-mentioned transparent polymer compound material 14 and metal-containing polymer compound material 15 are passed through independent guides 16 and 17 to members 18 corresponding to earthen wall portions, support portions, and terminal storage portions, respectively. 19 is extruded in the direction of the arrow, and then (immediately) both K members 18 and 19 are passed through a bonding furnace 30 and the side edges of both members 18 and 19 are melted and bonded to be integrated. As a result, the magazine IO can be formed.

第６ＷＡは本発明の他の実施例であり、Ｓｉｎｇｌｅ−
Ｉｎ１ｉｎｅ　ｔｙｐｅ半導体装置に−した比較的に単
純な四角い断固形状をもったマガジン１０Ａを示してい
る。すなわち、このマガジンＩＯＡは、第７ＥＫ示すト
ランジスタあるいは第８ＷＡＫ示すＩＣのような樹脂封
止体３Ａの一方向にのびる複数の外部端子４人を有する
半導体装置２人を収納するのに適している。The 6th WA is another embodiment of the present invention, and is a Single-
A magazine 10A having a relatively simple square shape for an inline type semiconductor device is shown. That is, this magazine IOA is suitable for accommodating two semiconductor devices having four external terminals extending in one direction of the resin sealing body 3A, such as a transistor shown in the seventh EK or an IC shown in the eighth WAK.

第６！Ｉにおいて、マガジンＩＯＡは上半分が透明な上
壁部１１Ａと、下半分が金属等を含有した端子収納部１
３Ａとより成っている。このマガジンＩＯＡは前記実施
例と同様に高分子化合物の材料を成形するととＫより得
られ、第７図または第８図に示した半導体装置が複数個
収納できるように細長い筒形となっている。Sixth! In I, the magazine IOA has an upper wall part 11A whose upper half is transparent, and a terminal storage part 1 whose lower half contains metal etc.
It consists of 3A. This magazine IOA is obtained by molding a polymer compound material in the same manner as in the previous embodiment, and has an elongated cylindrical shape so that a plurality of semiconductor devices shown in FIG. 7 or 8 can be stored therein. .

第９図は本発明の他の実施例であり、フラットｔｙｐ・
半導体装置に遣したマガジンＩＯＢを示している。すな
わち、このマガジンＩＯＢは第１Ｏ図に示すようにセラ
建ツク封止体３Ａと、その封止体の両側藺より水平方向
に延びる複数の外部端子４Ａと′より成るフラットｔｙ
ｐｅの半導体装置へを収納するのに適して（−る。FIG. 9 shows another embodiment of the present invention, in which a flat type
The magazine IOB sent to the semiconductor device is shown. That is, as shown in FIG. 1O, this magazine IOB is a flat type consisting of a cell-built sealing body 3A and a plurality of external terminals 4A and 4 extending horizontally from both sides of the sealing body.
Suitable for storing PE semiconductor devices.

第９１１において、マガジンＩＯＡは透明な上面部１１
Ｂ、金属等を含有した不透明な側面部１２Ｂ。In No. 911, the magazine IOA has a transparent upper surface part 11
B, opaque side surface portion 12B containing metal or the like.

１３Ｂおよび下面部１４Ｂより成る細長い筒形のマガジ
ンである。特に、同図に示すように上面部１１８には凹
部１１０、下面部１４８には凸部１４Ｇがそれぞれ設け
られ、その凹部１１０の幅Ｗ、は凸部１４０の幅Ｗ嘗よ
りもはぼ等しいかもしくは着干広くなっている。したが
って、このような構造を有する複数のマガジンは互いＫ
となり合うマガジンの凹部と凸部とが結合するよ５に積
みかさねられるので、運搬が極めて秦になる。また、こ
の凸部１４０の内面の幅Ｗ、は第９図に示した半導体装
置２ＡＩＩ）封止体３人の横幅Ｗ４よりも小さく設計さ
れている。13B and a lower surface portion 14B. In particular, as shown in the figure, a recess 110 is provided on the upper surface portion 118 and a protrusion 14G is provided on the lower surface portion 148, and the width W of the recess 110 is approximately equal to the width W of the protrusion 140. Or it's getting wider. Therefore, multiple magazines with such a structure are mutually K
Since the concave portions and convex portions of adjacent magazines are stacked on top of each other so that they are connected, transportation becomes extremely simple. Further, the width W of the inner surface of the convex portion 140 is designed to be smaller than the width W4 of the three sealed semiconductor devices 2AII) shown in FIG.

このようなマガジンＩＯＨに半導体装置２人を収納した
場合、第１０図に示した複数の外部端子４人の先端がマ
ガジン１ＯＢｆ）［面部１２Ｂ、１３Ｂの内面Ｋｍ触し
て、外部端子４Ａは短絡された状ｍＫなり静電破壊防止
が達成できる。また、封止体３Ａの下面と凸部１４０の
内面との間にギャップができる。したがって、半導体装
置２Ａをそのマガジン１０Ｂから取り出す場合、そのギ
ャップにピンセット等を挿入して封止体３人をはさみ、
外部端子４Ａにふれることなく容易に堆り出すことかで
幹る。When two semiconductor devices are stored in such a magazine IOH, the tips of the four external terminals shown in FIG. When the mK is lowered, electrostatic damage can be prevented. Further, a gap is created between the lower surface of the sealing body 3A and the inner surface of the convex portion 140. Therefore, when taking out the semiconductor device 2A from the magazine 10B, insert tweezers or the like into the gap and pinch the three sealed bodies.
It can be easily removed without touching the external terminal 4A.

第１０１１に示した半導体装置２ＡＫ対して、より確実
に静電破壊防止を達成するためには、Ｓ　Ｗ。In order to more reliably prevent electrostatic damage to the semiconductor device 2AK shown in No. 1011, SW.

を横幅Ｗ４よりも大きく設計した方がよい。すなわち、
このように設計されたマガジンｌ０ＢＫ亭導体装置２人
を収納した場合、第１１図に示すように外部端子４Ａの
下面がマガジンＩＯＡの金属等を含有した不透明な下面
部１４８に接触する。It is better to design the width W4 to be larger than the width W4. That is,
When two magazine 10BK conductor devices designed in this manner are housed, the lower surface of the external terminal 4A comes into contact with the opaque lower surface portion 148 containing metal or the like of the magazine IOA, as shown in FIG.

それゆえ、マガジン１０Ｂを運搬している関に、その半
導体装置２ＢがマガジンＩＯＢ内で振動しても外部端子
４Ａの短絡を保つことができる。Therefore, even if the semiconductor device 2B vibrates within the magazine IOB while the magazine 10B is being transported, the external terminal 4A can be kept short-circuited.

なお、第１１図に示したマガジン１０Ｂにおいて、下面
部１４Ｂのみに金属等の含有させた構造としてもよい。Note that the magazine 10B shown in FIG. 11 may have a structure in which only the lower surface portion 14B contains metal or the like.

第９図と第１１図に示したマガジンＩＯＢは第６図に示
したマガジンの製造方法と同様に高分子化合物の材料を
成形することＫより得られ、第１Ｏ図に示した半導体装
置が複数個収納できるように細長い筒形となっている。The magazine IOB shown in FIGS. 9 and 11 is obtained by molding a polymer compound material in the same manner as the manufacturing method of the magazine shown in FIG. 6, and a plurality of semiconductor devices shown in FIG. It has an elongated cylindrical shape so that it can be stored individually.

なお、上記マガジンＩＯＨの変形例として、そのマガジ
ンＩＯＢを複数個並列に配列して一体成形したものが考
えられる。As a modification of the magazine IOH, a plurality of magazines IOB may be arranged in parallel and integrally molded.

縞１２図は本発明の他の実施例であり、Ｄｑａ　１−　
Ｉｎｊｊｎｅ　ｔｙｐｅ牛導体装置に適したマガジン１
ｏＣを示している。％にこのマガジン１０Ｃは図から明
らかなように、半導体装置２が複数列に収納されるよう
に、導電性部分１３ＣＫついたて１３０Ｃが所定の間隔
で複数個設けられている。The stripe diagram 12 is another embodiment of the present invention, in which Dqa 1-
Magazine 1 suitable for Injjne type cow conductor device
It shows oC. As is clear from the figure, this magazine 10C is provided with a plurality of conductive portions 13CK and a plurality of conductive portions 130C at predetermined intervals so that the semiconductor devices 2 can be stored in a plurality of rows.

このようなマガジンＩＯＣには、図示したように１一方
の開口部分にキャップＣ３が取り付けられ、そして他方
の開口部分より半導体装置２が挿入される。収納された
半導体装置２の製品名、数量等の確認は上面部分１１Ｃ
が透明になっているので極めて容易である。また、収納
された半導体装置２の外部端子４は導電性部分１３ＣＫ
接するので短絡される。それゆえ静電気による半導体装
置の電気的永久破壊は防げる。In such a magazine IOC, as shown in the figure, a cap C3 is attached to one opening, and a semiconductor device 2 is inserted through the other opening. Check the product name, quantity, etc. of the stored semiconductor device 2 on the top surface 11C.
This is extremely easy since it is transparent. Further, the external terminal 4 of the housed semiconductor device 2 is connected to the conductive portion 13CK.
Because they touch each other, they are shorted. Therefore, permanent electrical damage to the semiconductor device due to static electricity can be prevented.

このような１ガジン１０Ｃ４，第５図に示したマガジン
の製造方法と同様に高分子化合物の材料を成形すること
によって得られる。Such a magazine 10C4 can be obtained by molding a polymer compound material in the same manner as in the manufacturing method of the magazine shown in FIG.

なお、上記マガジンＩＯＣはついたて１３０Ｃの間隔を
適当に設定することＫより第７．８図そして第１０ＷＡ
Ｋ示した半導体装置の収納も可能である。In addition, the above magazine IOC should be set at an appropriate interval of 130C from Figure 7.8 and Figure 10WA.
It is also possible to store semiconductor devices shown in K.

以上説明したマガジンは、外部端子との接触部分が金属
環を含ませた高分子化合物によって形成されているので
、半導体装置を収納させた状態でマガジンを運搬してい
る間、半導体装置の外部端子によってその接触部分が傷
つけられても、金属製のマガジンと同様に静電破壊防止
の機能がそこなわれることはない。したがって、上述し
た構造のマガジンは長期間使用可能であるという利点を
もっている。In the magazine described above, the contact portion with the external terminal is formed of a polymer compound containing a metal ring, so while the magazine is being transported with the semiconductor device stored therein, the external terminal of the semiconductor device can be Even if the contact parts are damaged by metal magazines, the electrostatic damage prevention function will not be impaired. Therefore, the magazine having the above structure has the advantage of being usable for a long period of time.

第１２図は更に他の実施例であり、第３＃Ａに示したマ
ガジンと同様１（Ｄｕｅｌ　−Ｉｎ１ｉｎｅ　ｔｙｐｅ
半導体装置に適したマガジンＩＯＣを示している。FIG. 12 shows yet another embodiment, in which the magazine 1 (Duel-In1ine type) is similar to the magazine shown in #3A.
A magazine IOC suitable for semiconductor devices is shown.

このマガジンＩＯＣは、土壁部１１Ｃ，支持部１２Ｃ，
端子収納部１３Ｃを全て透明高分子化合物にて一体形成
した上で、少なくとも上壁部１１Ｃを除いた他の部位で
かつ少なくとも端子収納部１３Ｃの内面に導電性部材、
即ち金属等からなる導電性被膜２０を塗布或いは無電解
メツ中を論こしたものである。前記導電性徴＠２０は一
般に不透明であるが、上一部１１Ｃには形成していない
。This magazine IOC includes a clay wall part 11C, a support part 12C,
All of the terminal accommodating parts 13C are integrally formed of a transparent polymer compound, and a conductive member is formed on at least the inner surface of the terminal accommodating part 13C at least in other parts except for the upper wall part 11C.
That is, a conductive coating 20 made of metal or the like is coated or coated in an electroless coating. The conductive features @20 are generally opaque, but are not formed on the upper portion 11C.

それゆえ、土壁部から半導体装置の製品名を確認するこ
とが容易にできる。このようなマガジン１０Ｃは前記実
施例と同様に静電防止を達成できる。特に、このマガジ
ン１０Ｃは一体成形した後に所望の導電性材料を所望の
状態に塗布或いは無電解メッキして導電性被膜２０を形
成するので、端子収納部１３Ｃの表面抵抗を比較的自由
に設定でき、静電防止効果の調整が可能である。Therefore, the product name of the semiconductor device can be easily confirmed from the earthen wall. Such a magazine 10C can achieve static electricity prevention in the same way as in the previous embodiment. In particular, since the magazine 10C is integrally molded and then coated with a desired conductive material in a desired state or electrolessly plated to form the conductive coating 20, the surface resistance of the terminal housing portion 13C can be set relatively freely. , the antistatic effect can be adjusted.

上記実施例において、導電性被膜２０は第１３図に示し
た方法により形成してもよい。すなわち、マガジンｌＯ
Ｃを高分子化合物にて一体形成した後、そのマガジンＩ
ＯＣの下半分を導電性材料液２００にひたして、導電性
被膜をマガジン１０Ｃの表面に形成する。この場合、導
電性被膜はマガジン１０Ｃの九個の表面にも形成される
がそのまま残しておいてもかまわない。In the above embodiment, the conductive film 20 may be formed by the method shown in FIG. That is, magazine lO
After integrally forming C with a polymer compound, the magazine I
The lower half of the OC is soaked in the conductive material liquid 200 to form a conductive film on the surface of the magazine 10C. In this case, the conductive coating is also formed on the nine surfaces of the magazine 10C, but may be left as is.

以上のように本発明のマガジンによれば、全体を高分子
化合物にて形成しているので軽量かつ安価にできると共
に、土壁部を透明に形成したことｋより開口を不ｌｌ！
にして充分な強度を確保した上で製品の確認が可能であ
り、更に端子収納部は金属等の導電性材料を一体的に有
しているため優れた静電破壊防止効果を得ることができ
るという効果がある。As described above, according to the magazine of the present invention, since the entire magazine is made of a polymer compound, it can be made lightweight and inexpensive, and since the clay wall portion is formed transparent, there is no need for an opening.
It is possible to check the product while ensuring sufficient strength, and since the terminal housing is integrally made of conductive material such as metal, it is possible to obtain an excellent electrostatic damage prevention effect. There is an effect.

本発明のマガジンを形成するために使用される高分子化
合物は上述した材料以外Ｋｐｏｌｙｅｔｈｙ１ｅｎｅま
たはポリプロピレンでもよい。The polymer compound used to form the magazine of the present invention may be other than the materials mentioned above, such as polyethylene or polypropylene.

本発明のマガジンはコンデンサ等の電子部品の静電破壊
を防止する上でも有効である。The magazine of the present invention is also effective in preventing electrostatic damage to electronic components such as capacitors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は従来のマガジンと、そのマガジンに収納された
半導体装置を示す断面図、第２図は従来の他のマガジン
と、そのｉガジ７に収納された半導体装置を示す断面図
、第３図は本発明のマガジンを示す斜視図、第４図は本
発明のマガジンに半導体装置が収納された状態を示す部
分斜視図、第５図は本発明のマガジンの製造方法を説明
するための斜視図、第６図は本発明の他の実施例のマガ
ジンと、そのマガジンに収納された半導体装置を示す断
面図、第７図は第６図に示したマガジンに収納される半
導体装置の斜視図、第８図は第６図に示したマガジンに
収納される他の半導体装置の斜視図、第９図は本発明の
他の実施例のマガジンを示す斜視図ζ第１０図は第９図
に示したマガジンに収納される半導体装置の斜視図、第
１１図は本発明の他の実施例のマガジンと、そのマガジ
ンに収納された半導体装置を示す断面図、第１２図は本
発明の他の実施例を示す斜視図、第１３図は本発明のさ
らに他の実施例のマガジンと、そのマガジンに収納され
た半導体装置を示す断面図、そして第１４図は第１３図
に示したマガジンの製造方法を説明するための斜視図で
ある。 １０・・マガジン、１１・・・透明な土壁部、１２・・
・金属を含有した支持部、１３・・・端子収納部。 代理人　弁境士　　薄　１）利　幸 第１図　　　第２図 第１＋図 第１２図 弔１３図 第１４図FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conventional magazine and a semiconductor device stored in the magazine, FIG. 2 is a cross-sectional view showing another conventional magazine and a semiconductor device stored in its i-gauge 7, and FIG. Figure 4 is a perspective view showing the magazine of the present invention; Figure 4 is a partial perspective view showing a state in which semiconductor devices are housed in the magazine of the present invention; Figure 5 is a perspective view for explaining the method of manufacturing the magazine of the present invention. 6 is a sectional view showing a magazine according to another embodiment of the present invention and a semiconductor device housed in the magazine, and FIG. 7 is a perspective view of a semiconductor device housed in the magazine shown in FIG. , FIG. 8 is a perspective view of another semiconductor device housed in the magazine shown in FIG. 6, and FIG. 9 is a perspective view showing a magazine according to another embodiment of the present invention. FIG. 11 is a perspective view of a semiconductor device stored in the illustrated magazine, FIG. 11 is a sectional view showing a magazine according to another embodiment of the present invention and a semiconductor device stored in the magazine, and FIG. 12 is a perspective view of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. FIG. 13 is a perspective view showing an embodiment of the present invention, FIG. 13 is a sectional view showing a magazine according to still another embodiment of the present invention, and a semiconductor device housed in the magazine, and FIG. 14 is a diagram showing manufacturing of the magazine shown in FIG. 13. It is a perspective view for explaining a method. 10...Magazine, 11...Transparent clay wall, 12...
- Support part containing metal, 13...terminal storage part. Agent Attorney Susuki 1) Toshiyuki Figure 1 Figure 2 Figure 1 + Figure 12 Condolences Figure 13 Figure 14

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、静電破壊防止が必要とされるところの電子部品のた
めの筒状のマガジンにおいて、前記電子部品の本体が対
向されるマガジン上一部は少なくとも一部を透明高分子
化合物にて形成され、前記電子部品の外部端子が対向さ
れるマガジン端子収納部は導電性部材を有する高分子化
合物にて形成されていることを特徴とするマガジン。 ２、マガジン端子収納部はカーボンを含有する高分子化
合物である特許請求の範囲第１項記載のマガジン。 ３、それぞれが封止体とその封止体から蔦びる複数の外
部端子によって構成された複数の電子部品と、透明部分
と導電性部分とより成る筒状のマガジンとより成り、上
記電子部品はそのマガジン内に収納され、そし【上記外
部端子は互いに上記導電性部分に接していることを特徴
とする電子部品ユニット。[Claims] 1. In a cylindrical magazine for electronic components where electrostatic damage prevention is required, at least a portion of the upper part of the magazine facing the main body of the electronic component is made transparent. A magazine, characterized in that it is formed of a molecular compound, and that the magazine terminal storage portion facing the external terminal of the electronic component is formed of a polymer compound having a conductive member. 2. The magazine according to claim 1, wherein the magazine terminal housing portion is made of a polymer compound containing carbon. 3. The electronic component is composed of a plurality of electronic components, each consisting of a sealing body and a plurality of external terminals extending from the sealing body, and a cylindrical magazine consisting of a transparent part and a conductive part. An electronic component unit housed in the magazine, and characterized in that the external terminals are in contact with each other and the conductive portion.