JPS5846568Y2 - 高周波トランジスタｃ級増幅器のバイアス回路 - Google Patents
高周波トランジスタｃ級増幅器のバイアス回路Info
- Publication number
- JPS5846568Y2 JPS5846568Y2 JP2830379U JP2830379U JPS5846568Y2 JP S5846568 Y2 JPS5846568 Y2 JP S5846568Y2 JP 2830379 U JP2830379 U JP 2830379U JP 2830379 U JP2830379 U JP 2830379U JP S5846568 Y2 JPS5846568 Y2 JP S5846568Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias circuit
- amplifier
- distributed constant
- transistor
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は高周波トランジスタＣ級増幅器のバイアス回
路に関する。
路に関する。
トランジスタＣ級増幅器においてはトランジスタの入力
端子（トランジスタをエミッタ接地で使用する通常の場
合はベース端子）を直流的に接地し、高周波的には開放
となるようなバイアス回路が必要である。
端子（トランジスタをエミッタ接地で使用する通常の場
合はベース端子）を直流的に接地し、高周波的には開放
となるようなバイアス回路が必要である。
ＵＨＦＨＦ帯内上周波で回路が分布定数線路で構成され
る場合、このバイアス回路は第１図に示す構成で実現で
きる。
る場合、このバイアス回路は第１図に示す構成で実現で
きる。
第１図で１はエミッタ接地のトランジスタ、２は長さが
１／４波長の分布定数線路である。
１／４波長の分布定数線路である。
ベース端子９から分布定数線路２を見たインピーダンス
は直流的には接地、高周波的には開放となる。
は直流的には接地、高周波的には開放となる。
第１図の基本構成では帯域外の低い周波数で不要発振が
起る場合が多いので実際には第２図ａ。
起る場合が多いので実際には第２図ａ。
ｂに示す構成が用いられる。
第２図ａ、ｌ）において１１．２１はエミッタ接地のト
ランジスタ、１２，２２は長さが１／４波長の分布定数
線路、１３．２３は抵抗である。
ランジスタ、１２，２２は長さが１／４波長の分布定数
線路、１３．２３は抵抗である。
第１図の基本構成ではベース端子９から分布定数線路２
を見たインピーダンスは不要発振の生ずる周波数（通常
は帯域中心周波数の１／１０〜１／２）で純リアクタン
スとなり、損失成分が無いが第２図の構成にすると抵抗
１３．２３により帯域外の低い周波数で損失成分を含む
ことになり不要発振を防止することができる。
を見たインピーダンスは不要発振の生ずる周波数（通常
は帯域中心周波数の１／１０〜１／２）で純リアクタン
スとなり、損失成分が無いが第２図の構成にすると抵抗
１３．２３により帯域外の低い周波数で損失成分を含む
ことになり不要発振を防止することができる。
しかしながら第２図に示す構成では以下に述べる欠点が
ある。
ある。
まず第２図ａの構成ではベース端子１９からバイアス回
路を見たインピーダンスは高周波的には開放となるが、
直流的には接地とならない。
路を見たインピーダンスは高周波的には開放となるが、
直流的には接地とならない。
そのためトランジスタ１１の直流ベース電流でバイアス
点が変化する。
点が変化する。
トランジスタの直流ベース電流は高周波入力電力の大き
さに依存するため結局高周波入力電力の大きさにより直
流バイアス点が変化する。
さに依存するため結局高周波入力電力の大きさにより直
流バイアス点が変化する。
変化の方向は高周波入力電力が大きくなるとバイアス点
がマイナス側に大きくなる方向、すなわちトランジスタ
の利得を減少させる方向である。
がマイナス側に大きくなる方向、すなわちトランジスタ
の利得を減少させる方向である。
利得の減少をなるべく少なくするため通常１３の抵抗値
は１（ｌ以下の小さな値に設定されるが、もちろん完全
に無くすることは不可能である。
は１（ｌ以下の小さな値に設定されるが、もちろん完全
に無くすることは不可能である。
一方第２図すの構成ではベース端子２９からバイアス回
路を見たインピーダンスは直流的には接地となるが、高
周波的には開放とならない。
路を見たインピーダンスは直流的には接地となるが、高
周波的には開放とならない。
高周波的にも抵抗２３による損失成分が含まれてしまう
ため高周波入力電力が損失する。
ため高周波入力電力が損失する。
この損失をなるべく少なくするため通常２３の抵抗値は
１００Ω以上の大きな値に設定されるが、完全に損失を
無くすることは不可能である。
１００Ω以上の大きな値に設定されるが、完全に損失を
無くすることは不可能である。
即ち、バイアス回路に要求されるインピーダンスは利得
を減少させないため直流的に接地となり入力電力の損失
を無くするため高周波的には開放′となり、しかも不要
発振を防止するため低い周波数で抵抗成分を含むことが
必要条件となる。
を減少させないため直流的に接地となり入力電力の損失
を無くするため高周波的には開放′となり、しかも不要
発振を防止するため低い周波数で抵抗成分を含むことが
必要条件となる。
しかしながら上記３条件を同時に満足するようなバイア
ス回路は前述した従来の構成では不可能であった。
ス回路は前述した従来の構成では不可能であった。
この考案の目的は上記３条件を同時に満たすバイアス回
路、いいかえれば利得の減少および入力電力の損失がな
く、シかも不要発振を防止しうる高周波トランジスタＣ
級増幅器のバイアス回路を提供することにある。
路、いいかえれば利得の減少および入力電力の損失がな
く、シかも不要発振を防止しうる高周波トランジスタＣ
級増幅器のバイアス回路を提供することにある。
この考案によれば一端がトランジスタの入力端子に接続
された１／４波長分布定数線路の他端に先端接地の１／
２波長分布定数線路と抵抗が並列接続された回路が接続
されていることを特徴とする高周波トランジスタＣ級増
幅器のバイアス回路が得られる。
された１／４波長分布定数線路の他端に先端接地の１／
２波長分布定数線路と抵抗が並列接続された回路が接続
されていることを特徴とする高周波トランジスタＣ級増
幅器のバイアス回路が得られる。
第３図はこの考案の実施例を示す図であり、３１はトラ
ンジスタ、３２は長さ１／４波長の分布定数線路、３３
は長さ１／２波長の分布定数線路、３４は抵抗である。
ンジスタ、３２は長さ１／４波長の分布定数線路、３３
は長さ１／２波長の分布定数線路、３４は抵抗である。
第３図において２つの分布定数線路の接続点３８から、
分布定数線路３３と抵抗３４の接続回路側を見たインピ
ーダンスは直流的には接地、高周波的にも接地となるが
、低周波では抵抗３４による損失成分が含まれる。
分布定数線路３３と抵抗３４の接続回路側を見たインピ
ーダンスは直流的には接地、高周波的にも接地となるが
、低周波では抵抗３４による損失成分が含まれる。
したがってトランジスタのベース端子３９からバイアス
回路を見たインピーダンスは直流的に接地、高周波的に
は開放となす、シかも低周波では抵抗３４による損失成
分が含まれるので所望の３条件をすべて満たすことがで
きる。
回路を見たインピーダンスは直流的に接地、高周波的に
は開放となす、シかも低周波では抵抗３４による損失成
分が含まれるので所望の３条件をすべて満たすことがで
きる。
したがって従来のバイアス回路のように抵抗３４の値に
制限がなく、不要発振が防止できる任意の抵抗値を選択
することができる。
制限がなく、不要発振が防止できる任意の抵抗値を選択
することができる。
以上図面を用いて詳細に説明したようにこの考案による
高周波トランジスタＣ級増幅器のバイアス回路によれば
利得の減少や入力電力の損失なしに低周波の不要発振を
防止することができるので実用上有効である。
高周波トランジスタＣ級増幅器のバイアス回路によれば
利得の減少や入力電力の損失なしに低周波の不要発振を
防止することができるので実用上有効である。
第１図は高周波トランジスタＣ級増幅器のバイアス回路
の基本構成を示す回路図であり、２は１／４波長分布定
数線路である。 第２図ａ、ｌ）は従来の高周波トランジスタＣ級増幅器
のバイアス回路の構成を示す回路図であり、１２および
２２は１／４波長分布定数線路である。 第３図はこの考案による高周波トランジスタＣ級増幅器
のバイアス回路の構成を示す回路図であり、３２は１／
４波長分布定数線路、３３は１／２波長分布定数線路で
ある。
の基本構成を示す回路図であり、２は１／４波長分布定
数線路である。 第２図ａ、ｌ）は従来の高周波トランジスタＣ級増幅器
のバイアス回路の構成を示す回路図であり、１２および
２２は１／４波長分布定数線路である。 第３図はこの考案による高周波トランジスタＣ級増幅器
のバイアス回路の構成を示す回路図であり、３２は１／
４波長分布定数線路、３３は１／２波長分布定数線路で
ある。
Claims (1)
- 一端がトランジスタの入力端子に接続された１／４波長
分布定数線路の他端に先端接地の１／２波長分布定数線
路と抵抗が並列接続された回路が接続されていることを
特徴とする高周波トランジスタＣ級増幅器のバイアス回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2830379U JPS5846568Y2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 高周波トランジスタｃ級増幅器のバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2830379U JPS5846568Y2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 高周波トランジスタｃ級増幅器のバイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55127415U JPS55127415U (ja) | 1980-09-09 |
| JPS5846568Y2 true JPS5846568Y2 (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=28874023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2830379U Expired JPS5846568Y2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 高周波トランジスタｃ級増幅器のバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846568Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-03-06 JP JP2830379U patent/JPS5846568Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55127415U (ja) | 1980-09-09 |
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