JPS5846195B2 - 密着形イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents

密着形イメ−ジセンサの製造方法

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JPS5846195B2
JPS5846195B2 JP55123992A JP12399280A JPS5846195B2 JP S5846195 B2 JPS5846195 B2 JP S5846195B2 JP 55123992 A JP55123992 A JP 55123992A JP 12399280 A JP12399280 A JP 12399280A JP S5846195 B2 JPS5846195 B2 JP S5846195B2
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JP
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thin film
layers
solid solution
film
image sensor
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JP55123992A
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JPS5749263A (en
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敏夫 山下
一三 小宮
勝 大野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01L27/14678—Contact-type imagers
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＣｄＳ光導電材料とＣｄＳｅまたはＣｄＴｅ光
導電材料を用いて形成された光応答速度５分光感度特性
のすぐれた光導電性固溶体薄膜を有するイメージセンサ
に関するものである。
従来、ＣｄＳ光導電性薄膜のみを用いたイメージセンサ
は、■５００ ｎｍ以上の分光感度が極端に低下してい
ること、■光応答速度が１００ ｌｘの照明下で３０
ｍ５ｅｃ程度と遅いこと等のため、ファクシミリＪ等の
読み取り装置へ適用する場合低速機ニしか適用できない
ことが問題となっていた。
これを改善するためには通常ＣｄＳｅ 、ｅｄＴｅ等の
増感剤をＣｄＳ に混ぜ混晶とすることがプ般に行なわ
れている。
この方法はあらかじめＣｄＳ とＣｄＳｅまたはＣｄ
Ｔｅの粉末を混ぜ真空中で同時にガラス基板等に蒸着、
あるいはスパッタを行うのが普通である。
この場合、■ ガラスとの密着性が弱く例えばホトエツ
チングなどで小さな光導電素子列を形成する場合はがれ
の原因となる。
■ ＣｄＳ とＣｄＳｅまたはＣｄＴｅの配合比のコ
ントロールがしにくい。
したがって感度バラツキが生じやすく再現性も悪い。
したがって、例えばファクシミリ用イメージセンサのよ
うな微小なセンサを高密度に配列する場合などでは問題
となっていた。
本発明の目的は絶縁性基板との密着性がすぐれ、かつ高
感度の光導電体を有するイメージセンサの製造方法を提
供することであって、この方法は絶縁性基板上にＣｄＳ
膜を化学的析出法又はケミカルスプレー法により形成し
、このＣｄＳ 膜上にてＣｄＳｅ又はＣｄＴｅの膜を積
層形成し、上記２層の共通の融剤であるＣｄのハロゲン
化物の一種以上の蒸気を含む雰囲気中で上記２層と上記
Ｃｄのハロゲン化物との共晶温度以上の温度で上記２層
を熱処理して、上記２層を固溶体とした後、この固溶体
層を選択的に除去して複数の光導電体の島を形成し、こ
の光導電体の島に接続する電極を形成することを特徴と
する。
以下この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図Ａ−Ｅにおいて１はガラス等の絶縁性基板、２は
ＣｄＳ等の化学析出膜、３はＣｄ３ｅＣｄＴｅ等の蒸着
膜またはスパッタ膜、４はＣｄＳとＣｄＳｅ または
ＣｄＴｅ の固溶体膜、そして５はホトエツチング等の
手段により得られた光導電素子列をそれぞれ示す。
上記構造体は以下のようにして製造される。
ガラス基板１の上に化学析出法またはケミカルスプレー
法によりＣｄＳ膜２を厚さ０．２〜１．０μｍ程度で一
様に形成する（第１図ＡおよびＢ）。
化学析出法およびケミカルスプレー法は特公昭４３−７
３７６および米国特許３１４８０８４に開示されており
、これらの方法によれば、ガラス基板に密着性のよい正
規組成の化合物半導体薄膜が得られる。
ＣｄＳ膜２上２上２上部感剤るＣｄＳｅ またはＣｄ
Ｔｅ３を厚さをコントロールしながら蒸着する。
これによりＣｄＳ とＣｄＳｅ またはＣｄＴｅの
配合比がコントロールでき分光感度等の所望。
特性が得られる（第１図Ｃ）。
ＣｄＳ膜２とＣｄＳｅ またはＣｄＴｅ膜３を例えば小
量のＣｄＣｌ２の粉末と共に半密閉容器中でＣｄＳ
とＣｄＣｌ２の共晶温度である５４０℃以上の温度で熱
処理することにより固溶体膜４が得られる（第１図Ｄ）
。
ホトエツチングの技術により固溶体膜を選択的に除去し
て１００μ×１００μ程度の小さな光導電素子膜５の配
列を形成する（第１図Ｅ）。
つぎに各素子の両側にホトエツチング技術によってＮｉ
Ｃｒ−Ａｕなとの電極６を形成する（第２図および第３
図）。
ＣｄＳ膜２の上部に蒸着またはスパッタによって形成さ
れる膜３はＣｄＳｅ 、ＣｄＴｅに限らすＺｎ５ｅ等の
増感材料も適用できる。
第２図は本発明により形成したイメージセンサの受光部
の断面図である。
第３図は第２図の平面図である。
第２図および第３図に示したイメージセンサにおいて光
導電素子列５に光が照射されると抵抗値が変化し、外部
に接続した駆動回路によりその抵抗変化を読み出すもの
である。
以上説明したように本発明によれば、ガラス基板と密着
性がよくかつ高感度の光導電性膜を有するセンサを形成
することができる。
また本発明によれば高感度で高速読取りのできる大形の
イメージセンサ（例えば原稿サイズとほぼ同じ大きさの
もの）も容易に製造することができる。
上記２層の膜２および３をハロゲン化Ｃｄの蒸気を含ま
ない例えば不活性ガス中で熱処理しただけでは、これら
の膜とハロゲン化Ｃｄとの共晶温度よりはるかに高い温
度で長時間熱処理しない限り固溶体化しない。
したがって膜厚が薄い場合には、固溶体化するまでに膜
表面から成分元素が蒸発し膜厚が薄くなりまた固溶体組
成のずれなどが生ずる。
本発明の方法のようにハロゲン化Ｃｄと一緒に上記２層
を活性化処理すると、比較的低い温度で固溶体化される
と同時に結晶成長とアクセプタおよびドナー不純物が均
一にドープされるために高感度で光応答速度の速い光導
電性固溶体膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の製造方法の一実施例を示す工程図、第
２図は上記方法で製造したイメージセンサの要部の断面
図、そして第３図は第２図の平面図である。 １・・・・・・ガラス等の基板、２・・・・・・ＣｄＳ
薄膜、３・・・・・・ＣｄＳｅ またはＣｄＴｅ薄膜
、４・・・・・・ＣｄＳとＣｄＳｅ 又はＣｄＴｅ の
固溶体薄膜、５・・・・・・島状に形成された固溶体薄
膜、６・・・・・・電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 絶縁性基板上にＣｄＳ薄膜を化学的析出法またはケ
    ミカルスプレー法により形成し、この薄膜上にＣｄＳｅ
    またはＣｄＴｅ薄膜を形成し、上記２層の共通の融剤
    であるＣｄのハロゲン化物の一種以上の蒸気を含む雰囲
    気中で上記２層と上記Ｃｄのハロゲン化物との共晶温度
    以上の温度で上記２層の活性化熱処理を行って上記２層
    を固溶体とした後、この固溶体層を選択的に除去して複
    数の光導電体の島を形成しこの光導電体の島に接続する
    電極を形成することを特徴とする密着形イメージセンサ
    の製造方法。
JP55123992A 1980-09-09 1980-09-09 密着形イメ−ジセンサの製造方法 Expired JPS5846195B2 (ja)

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EP81304063A EP0047651B1 (en) 1980-09-09 1981-09-07 Method of producing image sensor
US06/300,105 US4376795A (en) 1980-09-09 1981-09-08 Method of producing image sensor

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JPS5749263A JPS5749263A (en) 1982-03-23
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Also Published As

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EP0047651B1 (en) 1984-01-11
US4376795A (en) 1983-03-15
JPS5749263A (en) 1982-03-23
EP0047651A1 (en) 1982-03-17

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