JPS5844808A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPS5844808A JPS5844808A JP56142484A JP14248481A JPS5844808A JP S5844808 A JPS5844808 A JP S5844808A JP 56142484 A JP56142484 A JP 56142484A JP 14248481 A JP14248481 A JP 14248481A JP S5844808 A JPS5844808 A JP S5844808A
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、弾性表面波装置に係わり、特に高性能な弾
性表面波装置に関する。
性表面波装置に関する。
物理学者レイリー卿によって指摘された表面波は、所謂
インターディ/タル型電極によれば能率よく送受できる
。例えば圧電材料からなる基板上に、互いに入り組んだ
インターディジタル型電極からなる入力及び出カドラン
スデューサを設けて表面波の送受を行う。その際、所望
の通過帯域特性を得るには、電極重み付は法を用いれば
よい。
インターディ/タル型電極によれば能率よく送受できる
。例えば圧電材料からなる基板上に、互いに入り組んだ
インターディジタル型電極からなる入力及び出カドラン
スデューサを設けて表面波の送受を行う。その際、所望
の通過帯域特性を得るには、電極重み付は法を用いれば
よい。
特に、最も一般的なのは、アポダイズド(kpod i
zed )法であり、この手法は電極の対向部分の長
さを表面波伝搬方向に対する位置により変化させる方法
である。
zed )法であり、この手法は電極の対向部分の長
さを表面波伝搬方向に対する位置により変化させる方法
である。
このアポダイズド法を用いた表面波フィルタの設計につ
いて第1図乃至第3図に基づいて説明する。ただし第1
図乃至第3図は略図である。
いて第1図乃至第3図に基づいて説明する。ただし第1
図乃至第3図は略図である。
ここでは、フィルタは第3図に示すように、圧電基板(
Lll上に各々設けたIF規型iランスデ1.−サ04
と、アボダイズドトランスデューサa(至)とで構成さ
れる、設計手順としては、 (1)第1図の曲線Aに示す上うに実現しkい周波数特
性を設定する。
Lll上に各々設けたIF規型iランスデ1.−サ04
と、アボダイズドトランスデューサa(至)とで構成さ
れる、設計手順としては、 (1)第1図の曲線Aに示す上うに実現しkい周波数特
性を設定する。
(2)第2図のように、上記周波数特性のフーリエ逆変
換、即ち、フィルタのインパルス応答を求める。
換、即ち、フィルタのインパルス応答を求める。
(3)第3図のように、このインパルス応答の形ニ電極
を配置する。
を配置する。
即ち、フィルタのインパルス応答が、入出力トランスデ
ユーサのインパルス応答のコンボリューションとなるよ
うにすればよい。
ユーサのインパルス応答のコンボリューションとなるよ
うにすればよい。
このような設計手法を用いて、発明者は、テレビ送信機
用の残留側波帯(Vestigial 5ide Ba
nd :以下VSBと略す)フィルタの設計を試みた。
用の残留側波帯(Vestigial 5ide Ba
nd :以下VSBと略す)フィルタの設計を試みた。
即ち第1図に示すように周波数振幅特性Aが左右対称で
あり、群遅延時間特性Bがフラットで、シエイプファク
タがより1に近く、かつ比帯域幅が非常に大きい弾性表
面波フィルタを製作した0ここで、シェイブファクタは
、周波数振幅特性に於いて、中心周波数fOに対応する
振幅値から3dB下がった点及び3QdB下がった点で
の周波数の幅△f(3dB)及び△f (30dB)
、!: ノ比fあり、Δf (3Qd B )/Δf(
3dB)である。又、比帯域幅は、同じく周波数振幅特
性に於いて、中心周波数fOと、△f(3dB)との比
で、△f(3dB)/fo である。実際のハードウ
ェアの構造として入力側トランスデユーサとしてアボダ
イズドトランスデューサを用い、出力側トランスデユー
サとして正規型トランスデー−サを用いて、アボダイズ
ドトランスデューサの左側に正規型トランスデユーサを
設けた。
あり、群遅延時間特性Bがフラットで、シエイプファク
タがより1に近く、かつ比帯域幅が非常に大きい弾性表
面波フィルタを製作した0ここで、シェイブファクタは
、周波数振幅特性に於いて、中心周波数fOに対応する
振幅値から3dB下がった点及び3QdB下がった点で
の周波数の幅△f(3dB)及び△f (30dB)
、!: ノ比fあり、Δf (3Qd B )/Δf(
3dB)である。又、比帯域幅は、同じく周波数振幅特
性に於いて、中心周波数fOと、△f(3dB)との比
で、△f(3dB)/fo である。実際のハードウ
ェアの構造として入力側トランスデユーサとしてアボダ
イズドトランスデューサを用い、出力側トランスデユー
サとして正規型トランスデー−サを用いて、アボダイズ
ドトランスデューサの左側に正規型トランスデユーサを
設けた。
このようなフィルタのインパルス応答を測定したところ
、第4図に示すように左右非対称なインパルス応答を得
た。但し、第4図に於いて、横軸は時間、縦軸は電圧を
表わし、この第4図に示される曲線は、インパルス応答
の包結線である。この測定結果に於いて特徴的なことは
、右側のサイドローブが左側のサイドローブに比べて小
さいことである。例えば、左右のサイドローブのうち、
メインローフ゛(2□□□から2番目のサイドロープC
υ、(24の最大振幅A1.A2を比較すると、AI>
A2である。
、第4図に示すように左右非対称なインパルス応答を得
た。但し、第4図に於いて、横軸は時間、縦軸は電圧を
表わし、この第4図に示される曲線は、インパルス応答
の包結線である。この測定結果に於いて特徴的なことは
、右側のサイドローブが左側のサイドローブに比べて小
さいことである。例えば、左右のサイドローブのうち、
メインローフ゛(2□□□から2番目のサイドロープC
υ、(24の最大振幅A1.A2を比較すると、AI>
A2である。
これは、何番目のサイドローブに対しても成立し左側の
サイドローブ群の方が大きい。
サイドローブ群の方が大きい。
このインパルス応答の非対称の表われ方は、入力及び出
力側トランスデー−サの配置と比較することは意味があ
る。ここでは、第3図と同様に、入力側トランスデエ〜
すα漕の左に、出力側トランスデー−サとしての正規型
トランスデユーサ0りを設けた。従って、アボダイズド
トランスデーーサ崗のサイドロープに対応する電極指の
うち、正規型トランスデユーサ02に近い側、即ち、左
側の電極轡から励振される弾性表面波の方が、正規型ト
ランスデユーサ04に遠い側、即ち、右側の電極指から
励振される弾性表面波よりも≠く正規型トランスデユー
サaのに到達する。早く到達した弾性表面波が正規型ト
ランスデーーサ(lりに於いて早く電気信号に変換され
るので、第4図でメインローブ(2騰に対して左側のサ
イドロープは、アボダイズトランスデーーサa階の左側
のサイドローブを形成する電極指からの信号である。同
様に、メインロープ(ハ)に対して右側のサイドロープ
は、アボダイズドトランスデ二−サの右側のサイドロー
ブを形成する電極指からの信号である。まずこの点に留
意する。
力側トランスデー−サの配置と比較することは意味があ
る。ここでは、第3図と同様に、入力側トランスデエ〜
すα漕の左に、出力側トランスデー−サとしての正規型
トランスデユーサ0りを設けた。従って、アボダイズド
トランスデーーサ崗のサイドロープに対応する電極指の
うち、正規型トランスデユーサ02に近い側、即ち、左
側の電極轡から励振される弾性表面波の方が、正規型ト
ランスデユーサ04に遠い側、即ち、右側の電極指から
励振される弾性表面波よりも≠く正規型トランスデユー
サaのに到達する。早く到達した弾性表面波が正規型ト
ランスデーーサ(lりに於いて早く電気信号に変換され
るので、第4図でメインローブ(2騰に対して左側のサ
イドロープは、アボダイズトランスデーーサa階の左側
のサイドローブを形成する電極指からの信号である。同
様に、メインロープ(ハ)に対して右側のサイドロープ
は、アボダイズドトランスデ二−サの右側のサイドロー
ブを形成する電極指からの信号である。まずこの点に留
意する。
次に、ここでのフィルタの仕様が、フィルタの構造にど
のように影響を与えたかを吟味する。仕様のうち従来と
最も異なるのは、シヱイブ・ファクタはよりlに近く、
比帯域幅はよシ大きくした。
のように影響を与えたかを吟味する。仕様のうち従来と
最も異なるのは、シヱイブ・ファクタはよりlに近く、
比帯域幅はよシ大きくした。
シェイブ・ファクタは、インパルス応答の時間的長さに
比例し、比帯域幅は、インパルス応答のメつ、メインロ
ープが狭い、即ち、サイドローブ数が非常に多い波形と
なる。それで、この波形に従って、電極指を配置すると
、同一のアポダイズドトランスデューサα四内であって
も、電極指と正規型トランスデユーサα2までの距離に
大きな差が生じてしまう。電極指から励振される弾性表
面波は基板αDを伝播するにつれて減衰してしまうので
、アボダイズドトランスデューサα碍から励振される。
比例し、比帯域幅は、インパルス応答のメつ、メインロ
ープが狭い、即ち、サイドローブ数が非常に多い波形と
なる。それで、この波形に従って、電極指を配置すると
、同一のアポダイズドトランスデューサα四内であって
も、電極指と正規型トランスデユーサα2までの距離に
大きな差が生じてしまう。電極指から励振される弾性表
面波は基板αDを伝播するにつれて減衰してしまうので
、アボダイズドトランスデューサα碍から励振される。
弾性表面波も、励振される位置によって減衰量に大きな
差が生じてしまう。このような理由で、前述の設計手法
によるフィルタでは、そのインパルス応答が左右非対称
となってしまい、VSBフィルタなどに要求される性能
を実現することはできなかった。
差が生じてしまう。このような理由で、前述の設計手法
によるフィルタでは、そのインパルス応答が左右非対称
となってしまい、VSBフィルタなどに要求される性能
を実現することはできなかった。
以上述べたように、従来の重み付は法により設計された
電極を有する表面波装置では、実際には表面波伝播距離
差によってサイドローブの最大振幅が異なり、インパル
ス応答が左右非対称となる。
電極を有する表面波装置では、実際には表面波伝播距離
差によってサイドローブの最大振幅が異なり、インパル
ス応答が左右非対称となる。
特に、テレビ送信機のV8Bフィルタ等広い帯域を智求
される装置程サイドローブが多くなり表面波の伝播距離
差が大となって上記非対称性が顕著となり、要求される
性能を満足しない結果となっていた。
される装置程サイドローブが多くなり表面波の伝播距離
差が大となって上記非対称性が顕著となり、要求される
性能を満足しない結果となっていた。
この発明は、以上の欠点を除去し、比帯域幅が大きく、
かつ、インパルス応答が対称である弾性表面波装置を提
供することを目的とする。
かつ、インパルス応答が対称である弾性表面波装置を提
供することを目的とする。
この発明は、圧電体基板上に、インターディジタル型入
カドランデλ−サ及びインターディジタル型出力トラン
スデヱーサとが設けられた弾性表面波装置において、イ
ンターディジタル型入カドランスデューサ又はインター
ディジタル型出カドランスデューサの少なくとも一方の
トランスデユーサは、重み付けが施されており、ひとつ
の重み付けされたトランスデユーサのメインローブを中
心にして、相手方トランスデユーサとの間の表面波伝搬
経路が長い方のサイドローブに対応する電極指の交差幅
が、表面波伝搬経路の短い方のサイドローブに対応する
電極指の交差幅よりも大きい構造をとることを特徴と1
〜でいる。
カドランデλ−サ及びインターディジタル型出力トラン
スデヱーサとが設けられた弾性表面波装置において、イ
ンターディジタル型入カドランスデューサ又はインター
ディジタル型出カドランスデューサの少なくとも一方の
トランスデユーサは、重み付けが施されており、ひとつ
の重み付けされたトランスデユーサのメインローブを中
心にして、相手方トランスデユーサとの間の表面波伝搬
経路が長い方のサイドローブに対応する電極指の交差幅
が、表面波伝搬経路の短い方のサイドローブに対応する
電極指の交差幅よりも大きい構造をとることを特徴と1
〜でいる。
この発明によると、従来と等しい製造技術により、比帯
域幅が大きく、かつ、そのインパルス応答が左右対称な
弾性表面波装置を得ることができる。
域幅が大きく、かつ、そのインパルス応答が左右対称な
弾性表面波装置を得ることができる。
以F、この発明の一実施例を図面に従って説明する。こ
の実施例において示すのは、弾性表面波を利用したテレ
ビ送信機用VSBフィルタテする。
の実施例において示すのは、弾性表面波を利用したテレ
ビ送信機用VSBフィルタテする。
仕様は、中心周波数f o =゛19.5MHz、ンエ
イプファクタを1.08.比帯域1鴫を27%、第1図
に示すように周波数振幅特性Aは左右対称であり、群遅
延時間特性BはフラットTあるとする。
イプファクタを1.08.比帯域1鴫を27%、第1図
に示すように周波数振幅特性Aは左右対称であり、群遅
延時間特性BはフラットTあるとする。
このような仕様で製作したフィルタは、第3図に模式的
に示されるように、圧電基板(31)上に形成される。
に示されるように、圧電基板(31)上に形成される。
この圧電基板(31)は、LiNbO3から成る。
LiNbO3は、電気機械結合係数Kが、現在広く利用
されている材料中最大であり、電気信号を表面波に変換
する効率も大きいが、損失(減衰)も大きい。従って、
本願明細書で指摘した前述の欠点が非常に表われ易い。
されている材料中最大であり、電気信号を表面波に変換
する効率も大きいが、損失(減衰)も大きい。従って、
本願明細書で指摘した前述の欠点が非常に表われ易い。
しか、し、このLiNb0aの基板は入手が容易であシ
、最も広く利用されている。この発明は、LiNbO3
を基板として用いた装置に適用されると、 LiNb0
aの欠点を大いに補うものである。
、最も広く利用されている。この発明は、LiNbO3
を基板として用いた装置に適用されると、 LiNb0
aの欠点を大いに補うものである。
このような基板(31)の上面右側に、入カドランスデ
ューサとしてアボダイズドトランスデューサ(32)を
設ける。このアボダイズドトランスデューサC(2)の
左側に、出力側トランスデー−サ(33)を設ける。ア
ポダイズドトランスデーーサ(32)は。
ューサとしてアボダイズドトランスデューサ(32)を
設ける。このアボダイズドトランスデューサC(2)の
左側に、出力側トランスデー−サ(33)を設ける。ア
ポダイズドトランスデーーサ(32)は。
128対の電極指(,34)から、正規型トランスデユ
ーサ(33)は4対の電極指(34)から成る。このI
[極用(34)は、実際には第5図に示されるように、
λ/8型電極構造である。このλ/8型電極構造は、分
割電極構造の一種である。各電極指(51a)、(51
b)、、(51c)は、λ/8の幅を有し、λAの間隔
で、同方向に並んで2個ずつ設ける。電極指(51a)
が第3図中の1本の電極指(,34)に対応する。λ/
8型電極は、弾性表面波の反射を低減する役割を果たす
。更に、弾性表面波がフィルタ通過の際に電極指の有る
場所と無い場所とが不均一に分布することに起因するひ
ずみを防止するためにダミー電極(図示l−ない)をも
設ける。このようなバター7を基板(31)上に形成す
るために、まず、基板(31)上にアルミニウムを20
00X〜1μ蒸着させる。その後、フォトエツチングに
より所定のパターンを形成する0このように形成された
VSBフィルタは、アボダイズドトランスデューサ(3
2)に、電気信号を印加し、正規型トランスデユーサ(
33)に負荷を接続し、信号を取り山中し、フィルタと
して利用する。
ーサ(33)は4対の電極指(34)から成る。このI
[極用(34)は、実際には第5図に示されるように、
λ/8型電極構造である。このλ/8型電極構造は、分
割電極構造の一種である。各電極指(51a)、(51
b)、、(51c)は、λ/8の幅を有し、λAの間隔
で、同方向に並んで2個ずつ設ける。電極指(51a)
が第3図中の1本の電極指(,34)に対応する。λ/
8型電極は、弾性表面波の反射を低減する役割を果たす
。更に、弾性表面波がフィルタ通過の際に電極指の有る
場所と無い場所とが不均一に分布することに起因するひ
ずみを防止するためにダミー電極(図示l−ない)をも
設ける。このようなバター7を基板(31)上に形成す
るために、まず、基板(31)上にアルミニウムを20
00X〜1μ蒸着させる。その後、フォトエツチングに
より所定のパターンを形成する0このように形成された
VSBフィルタは、アボダイズドトランスデューサ(3
2)に、電気信号を印加し、正規型トランスデユーサ(
33)に負荷を接続し、信号を取り山中し、フィルタと
して利用する。
さて、この実施例で、最も重装なのは、アボダイズドト
ランスデューサ(32)における電極指の交差幅である
。電極指の交差幅は、第4図に示されるようなフィルタ
のインパルス応答と等価であるので、電極指の交差幅に
ついて第4図を用いて説明する。第4図において、メイ
ンローブを中心にして左右共2番目のサイドローブ(4
1) 、 (42) の最大振幅a1+a2に注目し
、右側のサイドローブの最大振幅を左側のサイドローブ
に対してどれ程大きくするかを見る。
ランスデューサ(32)における電極指の交差幅である
。電極指の交差幅は、第4図に示されるようなフィルタ
のインパルス応答と等価であるので、電極指の交差幅に
ついて第4図を用いて説明する。第4図において、メイ
ンローブを中心にして左右共2番目のサイドローブ(4
1) 、 (42) の最大振幅a1+a2に注目し
、右側のサイドローブの最大振幅を左側のサイドローブ
に対してどれ程大きくするかを見る。
その際、単にa1/a2を扱うのではなく、この皺をデ
シベル単位に変換後、規格化する。即ち、λ という量で評価を行う。但しλは、メインローブの中心
周波数fOの逆数と、サイドローブ(41) 、 (4
2)の最大振幅を与える時間の差tとの比で。
シベル単位に変換後、規格化する。即ち、λ という量で評価を行う。但しλは、メインローブの中心
周波数fOの逆数と、サイドローブ(41) 、 (4
2)の最大振幅を与える時間の差tとの比で。
al : a2、即ちA=Oの場合は、従来例であり、
この時のVSBフィルタのインパルス応答は第2図で示
される。これに対j〜、本実施例ではA=0.05とし
、右半分のサイドローブに対応する電極指の交差幅を大
きくした。すると第6図に示すような左右対称なインパ
ルス応答が得られた。A=0.1とした時にも、同様な
結果が得られた。ところがA=0.2とすると、第7図
に示すように右側のサイドローブが大きくなりすぎて左
右非対称になってしまった。結局この実施例ではAと1
〜では、0.05乃至01程度の値が対称なインパルス
応答を与える。
この時のVSBフィルタのインパルス応答は第2図で示
される。これに対j〜、本実施例ではA=0.05とし
、右半分のサイドローブに対応する電極指の交差幅を大
きくした。すると第6図に示すような左右対称なインパ
ルス応答が得られた。A=0.1とした時にも、同様な
結果が得られた。ところがA=0.2とすると、第7図
に示すように右側のサイドローブが大きくなりすぎて左
右非対称になってしまった。結局この実施例ではAと1
〜では、0.05乃至01程度の値が対称なインパルス
応答を与える。
但し、この人の111は扱う周波数によって変化する。
又、当然ではあるが、対称なインパルス応答の位相特性
は、リニアで、群遅延時間特性はフラットとなる6、 このように本実施例の弾性表面波フィルタは、VSBフ
ィルタとしての特性を充分に満たし、比帯域幅が大きく
、群遅延時間特性がほぼフラットになる。しかも、この
フィルタの製造は、現状の技術によって完全に実現出来
るものである。
は、リニアで、群遅延時間特性はフラットとなる6、 このように本実施例の弾性表面波フィルタは、VSBフ
ィルタとしての特性を充分に満たし、比帯域幅が大きく
、群遅延時間特性がほぼフラットになる。しかも、この
フィルタの製造は、現状の技術によって完全に実現出来
るものである。
次に本発明の他の実施例を図面に基づいて説明する。前
述の実施例では、入力側トランすデー一サとして、アボ
ダイズドトランスデューサを用い出力側トランスデー−
サとして正規型トランスデユーサを用いだが、この実施
例では第8図に示すように第1及び第2のアボダイズド
トランスデューサ(81)、 (82)を用いた場合に
も本発明は適用される。この実施例では、第1のアボダ
イズドトランスデューサ(81)を基板上(80)の左
側に入力側として、第2のアボダイズドトランスデーー
サ(82)は基板上(80)の右側に出力側として設け
、その間にマルチストリップカップラー(83)を設け
る。第1のアボダイズドトランスデューサ(81)と第
2のアボダイズドトラ/スデューサ(82)とはそれぞ
れの弾性表面波の伝搬経路が互いに交差しないように設
ける。第1のアボダイズドドランスデューサ(81)は
、左側のサイドローブに対応する電極指の第2のアボダ
イズドトランスデューザ(82)は、右側のサイドロー
ブに対応する電極指の交差幅を大きくする。互いに相手
のトランスデー−サから遠い方のサイドローブに対応す
る電極指の交差幅を大きくする。
述の実施例では、入力側トランすデー一サとして、アボ
ダイズドトランスデューサを用い出力側トランスデー−
サとして正規型トランスデユーサを用いだが、この実施
例では第8図に示すように第1及び第2のアボダイズド
トランスデューサ(81)、 (82)を用いた場合に
も本発明は適用される。この実施例では、第1のアボダ
イズドトランスデューサ(81)を基板上(80)の左
側に入力側として、第2のアボダイズドトランスデーー
サ(82)は基板上(80)の右側に出力側として設け
、その間にマルチストリップカップラー(83)を設け
る。第1のアボダイズドトランスデューサ(81)と第
2のアボダイズドトラ/スデューサ(82)とはそれぞ
れの弾性表面波の伝搬経路が互いに交差しないように設
ける。第1のアボダイズドドランスデューサ(81)は
、左側のサイドローブに対応する電極指の第2のアボダ
イズドトランスデューザ(82)は、右側のサイドロー
ブに対応する電極指の交差幅を大きくする。互いに相手
のトランスデー−サから遠い方のサイドローブに対応す
る電極指の交差幅を大きくする。
この実施例によると、マルチストリップカップラー(8
3)を用い、入力側トランスデー−サと出力側トランス
デユーサをずらして配設しているのでバルク信号の伝搬
が防止され表面波が有効に伝搬され、表面波の減衰も補
正される。
3)を用い、入力側トランスデー−サと出力側トランス
デユーサをずらして配設しているのでバルク信号の伝搬
が防止され表面波が有効に伝搬され、表面波の減衰も補
正される。
次に、もう一つの実施例を第9図に基づいて説明する。
第1図に示されるように、傾斜型トランスデー−サ(9
1)を入力側とし、基板(90)上の左側に設け、正規
型トランスデー−サ(92)を出力側とし基板(90)
上の右側に設けている。この時、傾斜型トランスデユー
サ(91)の左側のサイドローブに対応する電極指の交
差幅は右側のそれに対して大きい。
1)を入力側とし、基板(90)上の左側に設け、正規
型トランスデー−サ(92)を出力側とし基板(90)
上の右側に設けている。この時、傾斜型トランスデユー
サ(91)の左側のサイドローブに対応する電極指の交
差幅は右側のそれに対して大きい。
傾斜型トランスデユーサ(91)を用いているので弾性
表面波の干渉が少なくなるばかりでなく、しかもこの発
明を適用したので弾性表面波の減衰が補正できる。
表面波の干渉が少なくなるばかりでなく、しかもこの発
明を適用したので弾性表面波の減衰が補正できる。
以上、本発明について詳述してきたが、本発明は、以上
の実施例に何ら拘束されるものではない。
の実施例に何ら拘束されるものではない。
例えば、入力側トランスデー−サ及び出力側トランスデ
ユーサは実施例のものを逆にしても何ら構わない。又、
サイドローブに対応する電極指の交差中をどのように変
化させるか、例えば第1の実施例におけるAの選択は、
製作する装置の仕様並びに材料により変化する。蛇足な
がら付は加えると、本発明を特性劣化への対応技術と併
せて用いることは、相乗効果があり、望ましい。
ユーサは実施例のものを逆にしても何ら構わない。又、
サイドローブに対応する電極指の交差中をどのように変
化させるか、例えば第1の実施例におけるAの選択は、
製作する装置の仕様並びに材料により変化する。蛇足な
がら付は加えると、本発明を特性劣化への対応技術と併
せて用いることは、相乗効果があり、望ましい。
第1図乃至第3図は、従来の弾性表面波フィルタの設計
を説明するだめの図で、第1図は、フィルタの周波数特
性及び群遅延時間特性図、第2図は、第1図に示す周波
数特性に逆フーリエ変換を施した波形図、第3図は第1
図の特性を得るために、従来の設計手法に基づき設計さ
れたフィルタの模式平面図、M4図は、第3図のフィル
タのインパルス応答を示す波形図、第5図乃至第9図は
本発明に係る実施例を説明するだめの図で、第5図は、
テレビ送信機用VSBフィルタの模式平面図、第6図は
、電極指の交差幅を説明するための模式波形図、第7図
は、第5図に示されるVSBフィルタに実際に用いられ
るλ/8型電極を示す平面図、第8図は、第5図に示す
V8Bフィルタに於いて電極指の交差幅が適切な場合の
インパルス応答を示す波形図、第9図は、第5図に示す
vSBフィルタに於いて電極指の交差幅が不適切な場合
のインパルス応答を示す波形図である。又、第10図は
、2つのアボダイズドトランスデーーサを用いた他の実
施例を示す模式f面図、第11図は、傾斜型トランスデ
ユーサを用りたもうひとつの実施例を示す模式平面図で
ある。 (’11 ) 、 (131)・・・圧電基板、(12
) 、 (33) 、 (92)・正規型トランスデー
−サ、(13) 、 (32) 、 (81)、(82
’l・・・アボダイズドトランスデューサ、(14”)
、 (41) 、 (42)・・サイ トロープ、(
15)・ メインローブ〇 第1図 第3図 第4図 第 8 図 第1O図 第11図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 特許庁長官4 56.11.−5 1、事件の表示 昭和56年特願第142484号 2、発明の名称 弾性表面波装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒lυO 東京都千代田区内幸町1−1−6 東京芝浦成気株式会社東京事務所内 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説叩の欄 6 補正の内容 (1)本願明細書の第7頁第7行目乃至第8行目の「・
・・VSBフィルタ等広い帯域を・・上記非対称性・・
・」という記載を、「・・・VSBフィルタ等広い帯域
及び低いシエイプ・ファクタとを同時に要求される装置
程、サイドローブが多くなると共にインパルス応答が時
間軸上で長くなってしまう。従って、この時には、左右
のサイドロープに相当する電極指からの表面波は、その
伝播距離にかなりの差が生じてしまい上記非対称性・・
・」と訂正する。 (2)本願明細書の第7頁第12行乃至第13行目の「
・・・を除去し2、比帯域幅が大きく、かつ、インパル
ス応答が・・・」という記載を、「・・・を除去し、イ
ンパルス応答が・・・」と訂正する。 (3)本願明細書の第8頁第9行目の「比帯域幅が大き
く、かつ、」という記載を削除する。 (4)本願明細書の第9頁第15行目乃至第16行目の
「128対の電極指<3→から・・・は4対の電極指(
ロ)から成る。」という記載を、[128対の等ピッチ
の電極指C341から・・・は4対の等ピッチの電極指
0(1)から成る。」と訂正する。
を説明するだめの図で、第1図は、フィルタの周波数特
性及び群遅延時間特性図、第2図は、第1図に示す周波
数特性に逆フーリエ変換を施した波形図、第3図は第1
図の特性を得るために、従来の設計手法に基づき設計さ
れたフィルタの模式平面図、M4図は、第3図のフィル
タのインパルス応答を示す波形図、第5図乃至第9図は
本発明に係る実施例を説明するだめの図で、第5図は、
テレビ送信機用VSBフィルタの模式平面図、第6図は
、電極指の交差幅を説明するための模式波形図、第7図
は、第5図に示されるVSBフィルタに実際に用いられ
るλ/8型電極を示す平面図、第8図は、第5図に示す
V8Bフィルタに於いて電極指の交差幅が適切な場合の
インパルス応答を示す波形図、第9図は、第5図に示す
vSBフィルタに於いて電極指の交差幅が不適切な場合
のインパルス応答を示す波形図である。又、第10図は
、2つのアボダイズドトランスデーーサを用いた他の実
施例を示す模式f面図、第11図は、傾斜型トランスデ
ユーサを用りたもうひとつの実施例を示す模式平面図で
ある。 (’11 ) 、 (131)・・・圧電基板、(12
) 、 (33) 、 (92)・正規型トランスデー
−サ、(13) 、 (32) 、 (81)、(82
’l・・・アボダイズドトランスデューサ、(14”)
、 (41) 、 (42)・・サイ トロープ、(
15)・ メインローブ〇 第1図 第3図 第4図 第 8 図 第1O図 第11図 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 特許庁長官4 56.11.−5 1、事件の表示 昭和56年特願第142484号 2、発明の名称 弾性表面波装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307) 東京芝浦電気株式会社 4、代理人 〒lυO 東京都千代田区内幸町1−1−6 東京芝浦成気株式会社東京事務所内 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説叩の欄 6 補正の内容 (1)本願明細書の第7頁第7行目乃至第8行目の「・
・・VSBフィルタ等広い帯域を・・上記非対称性・・
・」という記載を、「・・・VSBフィルタ等広い帯域
及び低いシエイプ・ファクタとを同時に要求される装置
程、サイドローブが多くなると共にインパルス応答が時
間軸上で長くなってしまう。従って、この時には、左右
のサイドロープに相当する電極指からの表面波は、その
伝播距離にかなりの差が生じてしまい上記非対称性・・
・」と訂正する。 (2)本願明細書の第7頁第12行乃至第13行目の「
・・・を除去し2、比帯域幅が大きく、かつ、インパル
ス応答が・・・」という記載を、「・・・を除去し、イ
ンパルス応答が・・・」と訂正する。 (3)本願明細書の第8頁第9行目の「比帯域幅が大き
く、かつ、」という記載を削除する。 (4)本願明細書の第9頁第15行目乃至第16行目の
「128対の電極指<3→から・・・は4対の電極指(
ロ)から成る。」という記載を、[128対の等ピッチ
の電極指C341から・・・は4対の等ピッチの電極指
0(1)から成る。」と訂正する。
Claims (1)
- (1)圧電基板と、この圧電基板上に設けられたインタ
ーディジタル型入カドランスデューサ及びインターディ
ジタル型出カドランスデューサを備えた弾性表面波装置
において、前記インターディジタル型入カドランスデュ
ーサ及びインターディジタル型出力トランスデー−サの
うち少なくとも一方のトランスデ゛ム弓“は、重み付け
されており、ひとつの重み付けされたトランスデー−サ
に於いて、経路が長い方のサイドロープに対応する電極
指の交差幅を、同一トランスデー−サの他方のサイドロ
ープに対応する電極指の交差幅よりも大きくして成るこ
とを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142484A JPS5844808A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 弾性表面波装置 |
US06/409,040 US4458221A (en) | 1981-09-11 | 1982-08-18 | Surface acoustic wave filter |
DE8282304686T DE3277793D1 (en) | 1981-09-11 | 1982-09-07 | Surface acoustic wave filter |
EP82304686A EP0074781B1 (en) | 1981-09-11 | 1982-09-07 | Surface acoustic wave filter |
CA000411173A CA1192633A (en) | 1981-09-11 | 1982-09-10 | Surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142484A JPS5844808A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5844808A true JPS5844808A (ja) | 1983-03-15 |
JPH0356014B2 JPH0356014B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=15316390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56142484A Granted JPS5844808A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 弾性表面波装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4458221A (ja) |
EP (1) | EP0074781B1 (ja) |
JP (1) | JPS5844808A (ja) |
CA (1) | CA1192633A (ja) |
DE (1) | DE3277793D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2157522B (en) * | 1984-04-09 | 1987-08-19 | Philips Electronic Associated | Electrical filter comprising an acoustic surface wave device, and method of manufacturing such a filter |
US5028831A (en) * | 1990-04-04 | 1991-07-02 | Motorola, Inc. | SAW reflectionless quarter-wavelength transducers |
US6025762A (en) * | 1999-01-11 | 2000-02-15 | Cts Corporation | Delay line incorporating a surface acoustic wave ladder filter and method of providing same |
US7221074B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-05-22 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic device |
JP2007060108A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置 |
JP4654271B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2011-03-16 | 日本電波工業株式会社 | トランスバーサル型フィルタ |
CN106419955B (zh) * | 2016-09-07 | 2019-08-13 | 苏州国科昂卓医疗科技有限公司 | 超声波束合成方法的应用及剪切波超声弹性成像方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5555615A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave filter |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2036374A5 (ja) * | 1969-03-12 | 1970-12-24 | Thomson Csf | |
FR2040881A5 (ja) * | 1969-04-16 | 1971-01-22 | Thomson Csf | |
JPS5915524B2 (ja) * | 1976-05-10 | 1984-04-10 | 株式会社東芝 | 弾性表面波フイルタ |
JPS5947494B2 (ja) * | 1977-01-28 | 1984-11-19 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波フイルタ |
JPS5636604A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Single core optical fiber cable |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP56142484A patent/JPS5844808A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-18 US US06/409,040 patent/US4458221A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-09-07 DE DE8282304686T patent/DE3277793D1/de not_active Expired
- 1982-09-07 EP EP82304686A patent/EP0074781B1/en not_active Expired
- 1982-09-10 CA CA000411173A patent/CA1192633A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5555615A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0356014B2 (ja) | 1991-08-27 |
EP0074781A3 (en) | 1984-12-12 |
EP0074781B1 (en) | 1987-12-02 |
EP0074781A2 (en) | 1983-03-23 |
CA1192633A (en) | 1985-08-27 |
DE3277793D1 (en) | 1988-01-14 |
US4458221A (en) | 1984-07-03 |
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