JPS5842303A - 反射率可変レ−ダリフレクタ - Google Patents
反射率可変レ−ダリフレクタInfo
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- JPS5842303A JPS5842303A JP14017281A JP14017281A JPS5842303A JP S5842303 A JPS5842303 A JP S5842303A JP 14017281 A JP14017281 A JP 14017281A JP 14017281 A JP14017281 A JP 14017281A JP S5842303 A JPS5842303 A JP S5842303A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/24—Polarising devices; Polarisation filters
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反射率可変レーダリフレクタに係り、とくに
円偏波、直線偏波のいずれのレーダ波に対してもこれを
反射する場合の反射率を変化させるのにｉ適な反射率可
変レーダリフレクタＫｌｌする。
円偏波、直線偏波のいずれのレーダ波に対してもこれを
反射する場合の反射率を変化させるのにｉ適な反射率可
変レーダリフレクタＫｌｌする。
一般に、レーダリフレクタは、不特定な小形物標や航路
標識の反射率を向上せしめて、当該物標等の検知を害鳥
にするためＷＣＳ用されるものであるＯ °近年、発明者らは、上記レーダリフレクタを用いて、
その反射率を可変することで、レーダ局に対し【リフレ
クタ設置場所から、あまり多量でない情報を伝送する所
■パッシブテレメトリに関する研究開発を盛んに行りて
いる。この／（ツシプテレメトリは、情報を伝送する側
であるり７レクタ自身が電波を発射しないため、他の過
信に妨害を与えず、また通常の発信機の如く電力回路を
要しないことから、装置が小雇簡単となると同時に、す
７レクタの情報な鱗貌可能な復調器を備えれば不特定レ
ーダ局が使用できるとい５俊れた肩点を有し、物標の職
別や、環境情報など各種測定データの伝送に広範囲の利
用が期待されている。
標識の反射率を向上せしめて、当該物標等の検知を害鳥
にするためＷＣＳ用されるものであるＯ °近年、発明者らは、上記レーダリフレクタを用いて、
その反射率を可変することで、レーダ局に対し【リフレ
クタ設置場所から、あまり多量でない情報を伝送する所
■パッシブテレメトリに関する研究開発を盛んに行りて
いる。この／（ツシプテレメトリは、情報を伝送する側
であるり７レクタ自身が電波を発射しないため、他の過
信に妨害を与えず、また通常の発信機の如く電力回路を
要しないことから、装置が小雇簡単となると同時に、す
７レクタの情報な鱗貌可能な復調器を備えれば不特定レ
ーダ局が使用できるとい５俊れた肩点を有し、物標の職
別や、環境情報など各種測定データの伝送に広範囲の利
用が期待されている。
本発明者は、先に１特願＠５４−ｓｓｓｔｓ号公報、同
５４−８８５２０号会報に於て、金属板く形成したスロ
ットをレーダ波に対し共振・非共振状態に電気的又は機
械的に切換えるととｋより、比較的帯域幅が広く、構成
が簡単、かつ、調整の容易な反射率可変レーダリフレク
タを提案した。
５４−８８５２０号会報に於て、金属板く形成したスロ
ットをレーダ波に対し共振・非共振状態に電気的又は機
械的に切換えるととｋより、比較的帯域幅が広く、構成
が簡単、かつ、調整の容易な反射率可変レーダリフレク
タを提案した。
この反射率可変レーダリフレクタは、一般の航海用に用
いられる直線偏波（水平偏波）に対して有用であるが、
雨滴反射防害等を除去するために使用、される円偏波に
対しては、以下に述べるように、反射率の変化が少なく
、実用に共し得ないという不都合がありた。
いられる直線偏波（水平偏波）に対して有用であるが、
雨滴反射防害等を除去するために使用、される円偏波に
対しては、以下に述べるように、反射率の変化が少なく
、実用に共し得ないという不都合がありた。
円偏波に対しては、例えば、第１図に示すようにル−グ
アンテナ３より発射した右旋円偏波Ａが金属板１に入射
すると、反射波は位相が逆転され左脚円偏波Ｂとなる。
アンテナ３より発射した右旋円偏波Ａが金属板１に入射
すると、反射波は位相が逆転され左脚円偏波Ｂとなる。
この逆旋反射波は、送受信が同一アンテナで行なわれる
レーダでは受信されない。前述した特願昭５４−８８５
２０号公報に示されるスロット共振形の反射率可変レー
ダリフレクタに円偏波が入射した場合の作用を第２図に
示す。図に於て、反射率可変レーダリフレクタ２は、短
冊状に形成配置された金属板４０間の細隙５．５、・・
・ｋ所定間隔細い【複数個のスイッチングダイオード６
、ａ・・・−が接続されたものであり、このダイオード
６、＆・−・−には、両端金属板４Ａ、４Ａを介して、
バイアス制御回路７より所定のバイアス電圧が切換印加
されるよ５Ｆｃ構成されている。前記バイアス制御回路
７は電源８とスイッチ９とから成り、スイッチ９０閉開
切換により、前記ダイオード６．６．−がＯＮ、０ＦＦ
Ｌ、、該ダイオード６．６．・・・がＯＮのとき各ダイ
オード６．６．・・・間の細隙が共振スロットとなり、
ＯＦＦのとき非共振状態となるよ５に形成されている。
レーダでは受信されない。前述した特願昭５４−８８５
２０号公報に示されるスロット共振形の反射率可変レー
ダリフレクタに円偏波が入射した場合の作用を第２図に
示す。図に於て、反射率可変レーダリフレクタ２は、短
冊状に形成配置された金属板４０間の細隙５．５、・・
・ｋ所定間隔細い【複数個のスイッチングダイオード６
、ａ・・・−が接続されたものであり、このダイオード
６、＆・−・−には、両端金属板４Ａ、４Ａを介して、
バイアス制御回路７より所定のバイアス電圧が切換印加
されるよ５Ｆｃ構成されている。前記バイアス制御回路
７は電源８とスイッチ９とから成り、スイッチ９０閉開
切換により、前記ダイオード６．６．−がＯＮ、０ＦＦ
Ｌ、、該ダイオード６．６．・・・がＯＮのとき各ダイ
オード６．６．・・・間の細隙が共振スロットとなり、
ＯＦＦのとき非共振状態となるよ５に形成されている。
この反射率可変レーダリフレクタ４のダイオード６．６
．・・・がＯＦＦのとき、該反射率可変レーダリフレク
タ２は捻イ金属板に近い反射を起すので、前述したよ５
に円偏波は反射波の位相が逆転しレーダアンテナ３では
受信されない。一方、スイッチ９が閉じられて（第２図
参照）前記ダイオード６．６．・・・がＯＮＬ導通状１
１になると共振スロットが形成される。このとき、レー
ダアンテナ３から発射された円偏波人は、共振スロット
と同一方向の＊＊偏波成分が反射され（第２図Ｂ１参照
）、共振スロットと直角方向の水平偏波成分人２が通過
される。したがって反射波は垂直偏波成分Ｂ１のみとな
り、入射電力のＩＡとなる。この垂直偏波成分Ｂ１が円
偏波用のレーダアンテナ３で受信されると、該円偏波用
のレーダアンテナ３の構造上、更に１／２の電力が失な
われるため、前記反射率可変レーダリフレクタ４０入射
波が全部反射されるとした理想的な反射レベルの１／４
の電力が受信されることＫなる。実際には更に１前記ス
イツチングダイオード６．６．−・・がＯＦＦのとき、
細隙があるため、水平偏波成分の反射が不完全となり、
一方、ＯＮのとき、該水平偏波成分の一部が反射してし
まうため、スイッチングダイオード６．６．・−のＯＮ
、ＯＦＦによる反射波のレベル差はより小さくなり、こ
のため第２図に示す率 反熟り変レーダリフレクタ２は円偏波に対しでそ° の
機能を果たすことができなかった。
．・・・がＯＦＦのとき、該反射率可変レーダリフレク
タ２は捻イ金属板に近い反射を起すので、前述したよ５
に円偏波は反射波の位相が逆転しレーダアンテナ３では
受信されない。一方、スイッチ９が閉じられて（第２図
参照）前記ダイオード６．６．・・・がＯＮＬ導通状１
１になると共振スロットが形成される。このとき、レー
ダアンテナ３から発射された円偏波人は、共振スロット
と同一方向の＊＊偏波成分が反射され（第２図Ｂ１参照
）、共振スロットと直角方向の水平偏波成分人２が通過
される。したがって反射波は垂直偏波成分Ｂ１のみとな
り、入射電力のＩＡとなる。この垂直偏波成分Ｂ１が円
偏波用のレーダアンテナ３で受信されると、該円偏波用
のレーダアンテナ３の構造上、更に１／２の電力が失な
われるため、前記反射率可変レーダリフレクタ４０入射
波が全部反射されるとした理想的な反射レベルの１／４
の電力が受信されることＫなる。実際には更に１前記ス
イツチングダイオード６．６．−・・がＯＦＦのとき、
細隙があるため、水平偏波成分の反射が不完全となり、
一方、ＯＮのとき、該水平偏波成分の一部が反射してし
まうため、スイッチングダイオード６．６．・−のＯＮ
、ＯＦＦによる反射波のレベル差はより小さくなり、こ
のため第２図に示す率 反熟り変レーダリフレクタ２は円偏波に対しでそ° の
機能を果たすことができなかった。
本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みなされたもので
あって、スロットの非共振時には円偏波を逆旋とするこ
となく同一旋回方向に反射し、かつスロット共振時には
直線偏波成分のみを反射せしめることｋより、円偏波に
対しても有効に変調動作を行なうことの可能な反射率可
変レーダリフレクタを提供することを、その目的とする
。
あって、スロットの非共振時には円偏波を逆旋とするこ
となく同一旋回方向に反射し、かつスロット共振時には
直線偏波成分のみを反射せしめることｋより、円偏波に
対しても有効に変調動作を行なうことの可能な反射率可
変レーダリフレクタを提供することを、その目的とする
。
本発明は、レーダ液の到来方角に対向し【前方及び後方
に、レーダ波の略１／４波長の距離を隔てて第１及び第
２の電波反射体を配置し、前記第１の電波反射体を所定
間隔の平行格子状に形成し、一方、第２の電波反射体は
、複数個の煙量状の金属板を所定の細隙を挾んで同一平
面状に配設して成り、かつ、前記細１１１Ｃ所定間隔を
おい【複数個のスイッチングダイオードを接続し、この
スイッチングダイオードに印加するバイアス電圧を制御
するととにより反射率を変化せしめ、前記目的を達成し
ようとするものである〇 以下本発明の一実施例を第３図及び第４図に基づいて説
明する。
に、レーダ波の略１／４波長の距離を隔てて第１及び第
２の電波反射体を配置し、前記第１の電波反射体を所定
間隔の平行格子状に形成し、一方、第２の電波反射体は
、複数個の煙量状の金属板を所定の細隙を挾んで同一平
面状に配設して成り、かつ、前記細１１１Ｃ所定間隔を
おい【複数個のスイッチングダイオードを接続し、この
スイッチングダイオードに印加するバイアス電圧を制御
するととにより反射率を変化せしめ、前記目的を達成し
ようとするものである〇 以下本発明の一実施例を第３図及び第４図に基づいて説
明する。
第３図は、本発明に係る反射率可変レーダリ７レクタを
示す全体的概略図である。図に於て、反射率可変レーダ
リフレクタ２０は、レーダアンテナ３に対向して、前後
方向に所定の間隔、即ち、し〜電波の略１／４波長に等
しい距離Ｌ１だけ離れて装備された第１の電波反射体２
１及び第２の電波反射体２２とから成る。前記第１の電
波反射体２１は、レーダ波の到来方向に対し―直面内の
上下方向に延設された複数側の導電性条体２３．２３゜
・・・を有し、これらの導電性条体２３．２３．・・・
が所定間隔り、 Ｉ において平行格子状に配設されて
成る。前記導電性条体２３は、金属線、金属箔、導電性
−料等から成り、また間隔Ｌｘは垂直偏波成分が透過し
ない適当な間隔に設定されている。本実施例では９ＧＨ
２帯の電波に対し、α１５λ（但し、λは波長）に設定
しであるｏｊ！に導電性条体２３゛の幅Ｌ３は、水平偏
波成分に対しては損失なく透過すると共に垂直偏波成分
に対しては効率よく反射するような寸法（本実施例では
へ０４λ）Ｋ設定されている。このように構成された第
１の電波反射体２１はレーダアンテナ３より入射される
円偏波に対し、その水平偏波成分を通過壁しめ、垂直偏
波成分を反射する機能を有している。
示す全体的概略図である。図に於て、反射率可変レーダ
リフレクタ２０は、レーダアンテナ３に対向して、前後
方向に所定の間隔、即ち、し〜電波の略１／４波長に等
しい距離Ｌ１だけ離れて装備された第１の電波反射体２
１及び第２の電波反射体２２とから成る。前記第１の電
波反射体２１は、レーダ波の到来方向に対し―直面内の
上下方向に延設された複数側の導電性条体２３．２３゜
・・・を有し、これらの導電性条体２３．２３．・・・
が所定間隔り、 Ｉ において平行格子状に配設されて
成る。前記導電性条体２３は、金属線、金属箔、導電性
−料等から成り、また間隔Ｌｘは垂直偏波成分が透過し
ない適当な間隔に設定されている。本実施例では９ＧＨ
２帯の電波に対し、α１５λ（但し、λは波長）に設定
しであるｏｊ！に導電性条体２３゛の幅Ｌ３は、水平偏
波成分に対しては損失なく透過すると共に垂直偏波成分
に対しては効率よく反射するような寸法（本実施例では
へ０４λ）Ｋ設定されている。このように構成された第
１の電波反射体２１はレーダアンテナ３より入射される
円偏波に対し、その水平偏波成分を通過壁しめ、垂直偏
波成分を反射する機能を有している。
一方、レーダ到来方向に対し後方に位置される前記第２
の電波反射体２２は、前述した従来の反射率可変レーダ
リフレクタ（第２図参照）と略同様に構成されている。
の電波反射体２２は、前述した従来の反射率可変レーダ
リフレクタ（第２図参照）と略同様に構成されている。
即ち、所定の幅Ｌ４を有する複数個の煙量状金属板２４
．２４．・・・がレーダ到来方向に対し垂直な同一平面
内に配設されており、各々の金属板２４．２４．−間に
は所定の間隔Ｌｓを有する細＠２５．２５．−が形成さ
れるようになりている。そしてこの細＠２５ 、・・・
の長手方向が前記第１の電波反射体２１の格子方向と一
致するよ５に設定されている０前記８１１１２５゜２５
、・・・には、隣接する金属板２４．２４．・−を電気
的ｋＩＩ続するため、スイッチングダイオード２６．２
６．・・・が所定間隔Ｌ１だけ離れて、２次元的に負荷
されている・前記スイッチングダイオード２６，２６．
−・・の間隔Ｌ６はいより着干小さく設定されている。
．２４．・・・がレーダ到来方向に対し垂直な同一平面
内に配設されており、各々の金属板２４．２４．−間に
は所定の間隔Ｌｓを有する細＠２５．２５．−が形成さ
れるようになりている。そしてこの細＠２５ 、・・・
の長手方向が前記第１の電波反射体２１の格子方向と一
致するよ５に設定されている０前記８１１１２５゜２５
、・・・には、隣接する金属板２４．２４．・−を電気
的ｋＩＩ続するため、スイッチングダイオード２６．２
６．・・・が所定間隔Ｌ１だけ離れて、２次元的に負荷
されている・前記スイッチングダイオード２６，２６．
−・・の間隔Ｌ６はいより着干小さく設定されている。
そして、このように形成された第２の電波反射体２２の
両端の金属板２４Ａ。
両端の金属板２４Ａ。
２４Ａにはバイアス制御回路２７が接続されており、こ
のバイアス制御回路２７のスイッチ２８を開閉すること
により電源ｚ９がバイアス電圧として、前記各スイッチ
ングダイオード２６．２６゜・・・に切換印加されるよ
うに成りている。具体的にはスイッチ２８が閉じたとき
、スイッチングダイオード２６．２６．・・・はＯＮと
なり、各スイッチングダイオード間の細隙２５．２５．
・−に等価的に共振スロットが形成される。またスイッ
チ２８が開かれると、スイッチングダイオード２６．２
６゜・・・は０ＦＰＬ、当該第２の電波反射体２２は、
非共振状態となり、その面積に見合りた通常の金属反射
板と同一の反射作用を行なう。このように構成され第２
の電波反射体２２は、スイッチングダイオード２６がＯ
Ｎのとき、水平偏波成分を通過せしめ、ＯＦＦのとき入
射波を反射する機能を有している。
のバイアス制御回路２７のスイッチ２８を開閉すること
により電源ｚ９がバイアス電圧として、前記各スイッチ
ングダイオード２６．２６゜・・・に切換印加されるよ
うに成りている。具体的にはスイッチ２８が閉じたとき
、スイッチングダイオード２６．２６．・・・はＯＮと
なり、各スイッチングダイオード間の細隙２５．２５．
・−に等価的に共振スロットが形成される。またスイッ
チ２８が開かれると、スイッチングダイオード２６．２
６゜・・・は０ＦＰＬ、当該第２の電波反射体２２は、
非共振状態となり、その面積に見合りた通常の金属反射
板と同一の反射作用を行なう。このように構成され第２
の電波反射体２２は、スイッチングダイオード２６がＯ
Ｎのとき、水平偏波成分を通過せしめ、ＯＦＦのとき入
射波を反射する機能を有している。
次に、上記実施例の全体的動作を第３図及び第４図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
今、レーダアンテナ３から発射された右旋回円偏波Ａが
前記反射率可変り７レクタ２０に垂直に入射すると、こ
の円偏液ムの垂直偏波成分は、第１の電波反射体２１に
よフて入射方向に反射される。一方、円偏波人の水平偏
波成分は、第１の電波反射体２１に殆んど影響されるこ
となく通過し、前述した第２の電波反射体２２Ｋ１４適
する。
前記反射率可変り７レクタ２０に垂直に入射すると、こ
の円偏液ムの垂直偏波成分は、第１の電波反射体２１に
よフて入射方向に反射される。一方、円偏波人の水平偏
波成分は、第１の電波反射体２１に殆んど影響されるこ
となく通過し、前述した第２の電波反射体２２Ｋ１４適
する。
ここで、前記スイッチ２＄が開いており（第３図参照）
そしてスイッチングダイオード２６．２６゜、・、がＯ
ＦＦの状態にあるとき、前記水平偏波成分は、第２の電
波反射体２ｚで殆んど反射されるＯそして、この反射波
が、前記第１の電波反射体２１まで戻りたとき、前記−
直偏波成分の反射波との位相差が経路差である九ツジア
ンだけ異なるため、合成された反射波は右旋回円偏波Ｃ
となり逆波することなく反射されることとなる。従りて
、レーダアンテナ３では、反射率可変レーダリフレクタ
２０のレーダ断面積に対応するレベルの受信電力を得る
ことができる。
そしてスイッチングダイオード２６．２６゜、・、がＯ
ＦＦの状態にあるとき、前記水平偏波成分は、第２の電
波反射体２ｚで殆んど反射されるＯそして、この反射波
が、前記第１の電波反射体２１まで戻りたとき、前記−
直偏波成分の反射波との位相差が経路差である九ツジア
ンだけ異なるため、合成された反射波は右旋回円偏波Ｃ
となり逆波することなく反射されることとなる。従りて
、レーダアンテナ３では、反射率可変レーダリフレクタ
２０のレーダ断面積に対応するレベルの受信電力を得る
ことができる。
次に、第４図に示すように前記スイッチ２８を閉じ、ス
イッチングダイオード２６．２６．・−１所定のバイア
ス電圧を印加して、ＯＮ状ｓｋすると、入射円偏波Ａｆ
＞−直成分は、！Ｉ＋＃スイッチングダイオード２６．
２６．・・・のＯＮ、０ＦＦＪＣ関係な（前記第１の電
波反射体２１によりて反射されるが、水平偏波成分は第
２の電波反射体２２に共振スロットが形成されているた
め、尚該第２の電波反射体２２を通過する（第４図のＤ
参照）。
イッチングダイオード２６．２６．・−１所定のバイア
ス電圧を印加して、ＯＮ状ｓｋすると、入射円偏波Ａｆ
＞−直成分は、！Ｉ＋＃スイッチングダイオード２６．
２６．・・・のＯＮ、０ＦＦＪＣ関係な（前記第１の電
波反射体２１によりて反射されるが、水平偏波成分は第
２の電波反射体２２に共振スロットが形成されているた
め、尚該第２の電波反射体２２を通過する（第４図のＤ
参照）。
従って、反射率可変レーダリフレクタ２０は、全体とし
て垂直偏波成分（第４図のＥ参照）のみを反射すること
となり、これを受信するレーダアンテナ３では、第３図
に示した円偏波が反射される場合の受信レベルを１とす
ると約ＩＡの電力が受信される。すなわち、前記スイッ
チ２８の開閉により、１ ： １／４の受信レベル差が
得られる。
て垂直偏波成分（第４図のＥ参照）のみを反射すること
となり、これを受信するレーダアンテナ３では、第３図
に示した円偏波が反射される場合の受信レベルを１とす
ると約ＩＡの電力が受信される。すなわち、前記スイッ
チ２８の開閉により、１ ： １／４の受信レベル差が
得られる。
実際には、前記スイッチングダイオード２６゜２６、・
、、 ＯＦ Ｆ時において第２の電波反射体２２で反射
される水平偏波成分の反射は完全でなく、またスイッチ
ングダイオードＯＮ時の誼水平偏波成分の透過の不完全
さを生ずるが、第１の電波反射体２１の格子間隔Ｌ１．
第１と第２の電波反射体２１．２２相互の位置関係、第
２の電波反射体２２の細＠２Ｇの間隔等と調整するとと
Ｋより反射率の可変レベル差の改番を図ることが可能で
ある０ これとは別に、前述した反射率可変レーダリフレクタ２
０に直線偏波（水平偏波）のレーダ波が入射した場合に
は、前方におかれた第１の電波反射体２１は嫌とんど影
響せず、後方の第２の電波反射体２２のスイッチングダ
イオード２６．２６゜・・・のＯＮ、ＯＦＦ動作により
、骸水平偏波の透過、又は反射がなされる０従り【、レ
ーダアンテナ３儒では１０倍以上のレベル差と得ること
ができる。
、、 ＯＦ Ｆ時において第２の電波反射体２２で反射
される水平偏波成分の反射は完全でなく、またスイッチ
ングダイオードＯＮ時の誼水平偏波成分の透過の不完全
さを生ずるが、第１の電波反射体２１の格子間隔Ｌ１．
第１と第２の電波反射体２１．２２相互の位置関係、第
２の電波反射体２２の細＠２Ｇの間隔等と調整するとと
Ｋより反射率の可変レベル差の改番を図ることが可能で
ある０ これとは別に、前述した反射率可変レーダリフレクタ２
０に直線偏波（水平偏波）のレーダ波が入射した場合に
は、前方におかれた第１の電波反射体２１は嫌とんど影
響せず、後方の第２の電波反射体２２のスイッチングダ
イオード２６．２６゜・・・のＯＮ、ＯＦＦ動作により
、骸水平偏波の透過、又は反射がなされる０従り【、レ
ーダアンテナ３儒では１０倍以上のレベル差と得ること
ができる。
上述した第１爽施例によれば、直線偏波に対し得られる
高い変調率を損うことなく、円偏波に対しても、比較的
高レベルの変調率を得ることができるのでレーダ波の種
類に拘わらず常杖パッシブテレメトリを行なうことが可
能となる０しかも全体的な構成が小型簡単で安価である
とと−に、反射率を変化させるためにスイッチングダイ
オードを用いているため、応答速度が速く、さらに１複
数個のスイッチングダイオードが短冊状の金属板間に直
列に挿入されているため、耐電力性を高くすることがで
きる。
高い変調率を損うことなく、円偏波に対しても、比較的
高レベルの変調率を得ることができるのでレーダ波の種
類に拘わらず常杖パッシブテレメトリを行なうことが可
能となる０しかも全体的な構成が小型簡単で安価である
とと−に、反射率を変化させるためにスイッチングダイ
オードを用いているため、応答速度が速く、さらに１複
数個のスイッチングダイオードが短冊状の金属板間に直
列に挿入されているため、耐電力性を高くすることがで
きる。
次に上記第１実施例に示した円偏波・直線偏波両用の反
射率可変レーダリフレクタを所謂電波レンズに装備した
実施例を第５図忙示す。図中４０は誘電体材料で形成さ
れたルーネブルグレンズなどのような電波レンズである
。この電波レンズ４０の中心線方向からレーダ波が入射
すると反対称点のｆに焦点を結んだのちこの焦点に反射
板があると、再び骸電波レンズ４０の中を通りて入射方
向に反射され、従りて第５図に示すよ５に電波レンズ４
０の焦点面近傍に、第１１Ｊ！施例と略同様に形成され
た第１の電波反射体２１人及び第２の電波反射体２２Ａ
を所定間隔おいてそれぞれ内殻及び外殻上に対向装備し
、かつ、蟲骸電波レンズ４０の０例えば赤道上の一部又
は全部を囲繞すれば、スイッチングダイオード２６Ａ、
２６人、・−をＯＮ、ＯＦＦすることＫよりて、前述し
た第１実施例と同様の反射可変作用を広角度の入射レー
ダ波（円偏波、直線偏波）Ｋ対してなすことができる。
射率可変レーダリフレクタを所謂電波レンズに装備した
実施例を第５図忙示す。図中４０は誘電体材料で形成さ
れたルーネブルグレンズなどのような電波レンズである
。この電波レンズ４０の中心線方向からレーダ波が入射
すると反対称点のｆに焦点を結んだのちこの焦点に反射
板があると、再び骸電波レンズ４０の中を通りて入射方
向に反射され、従りて第５図に示すよ５に電波レンズ４
０の焦点面近傍に、第１１Ｊ！施例と略同様に形成され
た第１の電波反射体２１人及び第２の電波反射体２２Ａ
を所定間隔おいてそれぞれ内殻及び外殻上に対向装備し
、かつ、蟲骸電波レンズ４０の０例えば赤道上の一部又
は全部を囲繞すれば、スイッチングダイオード２６Ａ、
２６人、・−をＯＮ、ＯＦＦすることＫよりて、前述し
た第１実施例と同様の反射可変作用を広角度の入射レー
ダ波（円偏波、直線偏波）Ｋ対してなすことができる。
従ってこの第２実施例によれば、船舶等の移動局を対象
と量ることも可能である。
と量ることも可能である。
尚、上記各実施例に於ては、第２の電波反射体の共振・
非共振切換をスイッチングダイオードにて行なうように
構成したが、二組の短貴状金属板群を機械的にスライド
切換して行なうよ５に構成すれば、機械的強度、環境条
件に対する安定度等を向上させることができる。
非共振切換をスイッチングダイオードにて行なうように
構成したが、二組の短貴状金属板群を機械的にスライド
切換して行なうよ５に構成すれば、機械的強度、環境条
件に対する安定度等を向上させることができる。
以上のように、本発明によれば、レーダ波が円偏波・直
線偏波のいずれであっても、一つの構成で簡単に反射率
を可変することができ、従って、前述したバイアス制御
回路を介して物標の識別情報、各種測定データを入力し
、レーダ局側でこれ ′を復調することにより雨、霧等
の天候条件に拘わらず常にパッシブテレメトリを行なう
ことが可能な反射率可変レーダリフレクタを提供できる
。
線偏波のいずれであっても、一つの構成で簡単に反射率
を可変することができ、従って、前述したバイアス制御
回路を介して物標の識別情報、各種測定データを入力し
、レーダ局側でこれ ′を復調することにより雨、霧等
の天候条件に拘わらず常にパッシブテレメトリを行なう
ことが可能な反射率可変レーダリフレクタを提供できる
。
第１図は、反射板における円偏波反射状態を示す説明図
、第２図は従来の反射率可変レーダリフレクタの例を示
す概略図、第３図は、本発明の一実施例を示す斜視図、
第４図は第３図の作用説明図、第５図は他の実施例を示
す概略図である。 ２０・・・反射率可変レーダリフレクタ２１・・・第１
の電波反射体 ２２・・・第２の電波反射体 ２４．２４．−・・金属板 ２５．２５．・・・細隙 ２６．２６．・−スイッチングダイオード２７・・・バ
イアス制御回路 手続補正書（自発） 昭和６６年１０月３日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 Ｌ 事件の表示 昭和５６年特許願 ｊＩＩ １４０１７２号８、補正を
する者
、第２図は従来の反射率可変レーダリフレクタの例を示
す概略図、第３図は、本発明の一実施例を示す斜視図、
第４図は第３図の作用説明図、第５図は他の実施例を示
す概略図である。 ２０・・・反射率可変レーダリフレクタ２１・・・第１
の電波反射体 ２２・・・第２の電波反射体 ２４．２４．−・・金属板 ２５．２５．・・・細隙 ２６．２６．・−スイッチングダイオード２７・・・バ
イアス制御回路 手続補正書（自発） 昭和６６年１０月３日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 Ｌ 事件の表示 昭和５６年特許願 ｊＩＩ １４０１７２号８、補正を
する者
Claims (1)
- （１）レーダ波の到来方向に対向して前方及び後方に、
レーダ波の略１／４波長の距離を隔てて第１及び第２の
電波反射体を配置し、前記第１の電波反射体を所定間隔
の平行格子状に形成し、一方、第２の電波反射体は、複
数個のｆＩｉ貴状の金属板を所定の細隙を挾んで同一の
面上に配設して成り、かつ、前記細隙に所定間隔をおい
て複数個のスイッチングダイオードを接続し、このスイ
ッチングダイオード忙印加するバイアス電圧を制御する
ことＫより反射率を変化せしめることを特徴とした反射
率可変レーダリフ・レクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14017281A JPS5842303A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 反射率可変レ−ダリフレクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14017281A JPS5842303A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 反射率可変レ−ダリフレクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842303A true JPS5842303A (ja) | 1983-03-11 |
| JPH0223042B2 JPH0223042B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=15262555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14017281A Granted JPS5842303A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 反射率可変レ−ダリフレクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842303A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61638A (ja) * | 1984-06-07 | 1986-01-06 | 株式会社 竹村商店 | 裁断加工用原反生地とその製造方法 |
| FR2679703A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif hyperfrequence a semiconducteur et a commande optique. |
| US7301504B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-11-27 | Ems Technologies, Inc. | Mechanical scanning feed assembly for a spherical lens antenna |
| JP2019128249A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Tdk株式会社 | 電波反射箱 |
-
1981
- 1981-09-05 JP JP14017281A patent/JPS5842303A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61638A (ja) * | 1984-06-07 | 1986-01-06 | 株式会社 竹村商店 | 裁断加工用原反生地とその製造方法 |
| FR2679703A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif hyperfrequence a semiconducteur et a commande optique. |
| US7301504B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-11-27 | Ems Technologies, Inc. | Mechanical scanning feed assembly for a spherical lens antenna |
| JP2019128249A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Tdk株式会社 | 電波反射箱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223042B2 (ja) | 1990-05-22 |
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