JPS5839075A - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
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- JPS5839075A JPS5839075A JP56136859A JP13685981A JPS5839075A JP S5839075 A JPS5839075 A JP S5839075A JP 56136859 A JP56136859 A JP 56136859A JP 13685981 A JP13685981 A JP 13685981A JP S5839075 A JPS5839075 A JP S5839075A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも一部の情報伝達を光で行う素子を
包む電子回路装置のパッケージに関する。
包む電子回路装置のパッケージに関する。
従来、特にICなどにおいては、IC内の同一チップ上
や異なるチップ上の素子間の情報伝達にはポリシリコン
配線や金の細線を配線することに3゛よって行ってきた
。これには、配線による工程増加、容量や抵抗増加、イ
ンピーダンス整合などの難しい問題をかかえている。こ
れを解決し、かつ高速で動作しうる光素子(少なくとも
’さ一!、z受光素子を含む)を結合することが現在者
えられ、一部は、近距離での通信などに使用されている
。
や異なるチップ上の素子間の情報伝達にはポリシリコン
配線や金の細線を配線することに3゛よって行ってきた
。これには、配線による工程増加、容量や抵抗増加、イ
ンピーダンス整合などの難しい問題をかかえている。こ
れを解決し、かつ高速で動作しうる光素子(少なくとも
’さ一!、z受光素子を含む)を結合することが現在者
えられ、一部は、近距離での通信などに使用されている
。
本発明者らは、一つのパッケージ内におさめられたチッ
プ(複数も含む)の情報伝達を光で行うことに着目し、
本発明はかかる検討にもとづいてなされたものである。
プ(複数も含む)の情報伝達を光で行うことに着目し、
本発明はかかる検討にもとづいてなされたものである。
ところで、セラミックパッケージ内に発光、受光素子を
形成したチップを設置したものにおいても、発光素子か
らの光はアルミナ等のパッケージの内面等を反射しなが
らパッケージの空間内を伝達され、同一パッケージ内の
受光素子に入射され、光による信号伝達は可能である。
形成したチップを設置したものにおいても、発光素子か
らの光はアルミナ等のパッケージの内面等を反射しなが
らパッケージの空間内を伝達され、同一パッケージ内の
受光素子に入射され、光による信号伝達は可能である。
さらに、この構造において、アルミナパッケージの内面
にS 102やSi3N4のような誘電体膜よシなる反
射膜を形成すると、発光素子の出力を約%に少なくして
も受光素子へ同一のS/N比を有する信号伝達が可能と
なった。こうした反射膜を形成しない場合は、%の出力
では光量が少フぐ受光素子は動作し得す情報伝達は不可
能であった。
にS 102やSi3N4のような誘電体膜よシなる反
射膜を形成すると、発光素子の出力を約%に少なくして
も受光素子へ同一のS/N比を有する信号伝達が可能と
なった。こうした反射膜を形成しない場合は、%の出力
では光量が少フぐ受光素子は動作し得す情報伝達は不可
能であった。
図はこうした現象をもとにした本発明の−実施例にかか
る電子回路パッケージの概略構造を示すものである。1
は絶縁基体で、この上に電子回路素子たとえば発光部2
を有する半導体集積回路基板3が設置され、さらに基体
1上には他の電子回路素子たとえば受光部4を有する半
導体集積回路基板5が設置されている。6はアルミナ等
からなる外囲器で、その内面にはAx等の金属や多結晶
シリコン膜等の半金属のように光をよく反射する物質よ
りなる反射膜7が形成されており、たとえばこの膜7は
基板3,6を装(する部分の周辺を除いて形成されてい
る。すなわち、反射膜7は基板3,6と基体1が接触し
ない面に全面形成してもよいが、基板3,6を接着する
部分には通常ボンディング用のメタライジングがあるの
で、この部分との重な#)fI:避けるため、基板3,
6の接着部分には反射膜7を形成しない方が望ましい。
る電子回路パッケージの概略構造を示すものである。1
は絶縁基体で、この上に電子回路素子たとえば発光部2
を有する半導体集積回路基板3が設置され、さらに基体
1上には他の電子回路素子たとえば受光部4を有する半
導体集積回路基板5が設置されている。6はアルミナ等
からなる外囲器で、その内面にはAx等の金属や多結晶
シリコン膜等の半金属のように光をよく反射する物質よ
りなる反射膜7が形成されており、たとえばこの膜7は
基板3,6を装(する部分の周辺を除いて形成されてい
る。すなわち、反射膜7は基板3,6と基体1が接触し
ない面に全面形成してもよいが、基板3,6を接着する
部分には通常ボンディング用のメタライジングがあるの
で、この部分との重な#)fI:避けるため、基板3,
6の接着部分には反射膜7を形成しない方が望ましい。
また、基体1上には外部との接続のための電極配線が形
成されているが、この部分上にも反射膜7は形成しない
方が望ましい。なお、反射膜7i前述した誘電体膜でも
よい。
成されているが、この部分上にも反射膜7は形成しない
方が望ましい。なお、反射膜7i前述した誘電体膜でも
よい。
図に示した構造によれば、発光部2から発せられた光は
反射膜7の影響により弱い発光であっても確実に受光部
4に到達し、確実に基板3から基板5への信号伝達が可
能となる。さらに、本発明によれば基板3,5間に突起
物13等の障害物がパッケージ内に存在しても光になる
信号伝達は可能となる。通常このような突起物13があ
るとこの内面の反射膜7により確実に基板3,5間の信
号。
反射膜7の影響により弱い発光であっても確実に受光部
4に到達し、確実に基板3から基板5への信号伝達が可
能となる。さらに、本発明によれば基板3,5間に突起
物13等の障害物がパッケージ内に存在しても光になる
信号伝達は可能となる。通常このような突起物13があ
るとこの内面の反射膜7により確実に基板3,5間の信
号。
伝達が可能となる。
以上のように、本発明によれ8ば複雑な形状の電子回路
パッケージにおいても素子間の情報伝達が確実に行え、
かつ発光素子の発光出力を減少させることができ、有用
な電子回路パッケージの実現に大きく寄与するものであ
る。
パッケージにおいても素子間の情報伝達が確実に行え、
かつ発光素子の発光出力を減少させることができ、有用
な電子回路パッケージの実現に大きく寄与するものであ
る。
図は本発明の一実施例にかかる電子回路パッケージの概
略構造断面図である。 1・・・・・・基体、2・・・・・・発光部、3,6・
・・・・・半導体、4・・・・・・受光部、6・・・・
・・外周器、7・・・・・・反射膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名72
3/、J、jl/
略構造断面図である。 1・・・・・・基体、2・・・・・・発光部、3,6・
・・・・・半導体、4・・・・・・受光部、6・・・・
・・外周器、7・・・・・・反射膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名72
3/、J、jl/
Claims (2)
- (1)発光素子および受光素子を内蔵し、内面の前記素
子を装着する部分の周辺を少くとも除いて光反射膜を形
成し永9とを特徴とする電子回路装置。 - (2)反射膜の少なくとも一部が金属、半金属又は誘電
体で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
4項に記載の電子−路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56136859A JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56136859A JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5839075A true JPS5839075A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15185177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56136859A Pending JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5839075A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2564266A1 (fr) * | 1984-05-08 | 1985-11-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Photocoupleur |
FR2585510A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Cit Alcatel | Dispositif de couplage de plusieurs voies electriques d'entree de signaux a une meme voie electrique de sortie avec isolement des masses |
JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
JPH02105473A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
JPH07131063A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | マルチチップモジュール |
US6888237B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-05-03 | Osram Gmbh | Encapsulation of a device |
US6949825B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductor Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136859A patent/JPS5839075A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2564266A1 (fr) * | 1984-05-08 | 1985-11-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Photocoupleur |
FR2585510A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Cit Alcatel | Dispositif de couplage de plusieurs voies electriques d'entree de signaux a une meme voie electrique de sortie avec isolement des masses |
JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
JPH02105473A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
JPH07131063A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | マルチチップモジュール |
US6888237B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-05-03 | Osram Gmbh | Encapsulation of a device |
US6949825B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductor Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
US7214570B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-05-08 | Osram Gmbh | Encapsulating a device |
US7262441B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
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