JPS5839075A - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
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- JPS5839075A JPS5839075A JP56136859A JP13685981A JPS5839075A JP S5839075 A JPS5839075 A JP S5839075A JP 56136859 A JP56136859 A JP 56136859A JP 13685981 A JP13685981 A JP 13685981A JP S5839075 A JPS5839075 A JP S5839075A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも一部の情報伝達を光で行う素子を
包む電子回路装置のパッケージに関する。
包む電子回路装置のパッケージに関する。
従来、特にＩＣなどにおいては、ＩＣ内の同一チップ上
や異なるチップ上の素子間の情報伝達にはポリシリコン
配線や金の細線を配線することに３゛よって行ってきた
。これには、配線による工程増加、容量や抵抗増加、イ
ンピーダンス整合などの難しい問題をかかえている。こ
れを解決し、かつ高速で動作しうる光素子（少なくとも
’さ一！、ｚ受光素子を含む）を結合することが現在者
えられ、一部は、近距離での通信などに使用されている
。
や異なるチップ上の素子間の情報伝達にはポリシリコン
配線や金の細線を配線することに３゛よって行ってきた
。これには、配線による工程増加、容量や抵抗増加、イ
ンピーダンス整合などの難しい問題をかかえている。こ
れを解決し、かつ高速で動作しうる光素子（少なくとも
’さ一！、ｚ受光素子を含む）を結合することが現在者
えられ、一部は、近距離での通信などに使用されている
。
本発明者らは、一つのパッケージ内におさめられたチッ
プ（複数も含む）の情報伝達を光で行うことに着目し、
本発明はかかる検討にもとづいてなされたものである。
プ（複数も含む）の情報伝達を光で行うことに着目し、
本発明はかかる検討にもとづいてなされたものである。
ところで、セラミックパッケージ内に発光、受光素子を
形成したチップを設置したものにおいても、発光素子か
らの光はアルミナ等のパッケージの内面等を反射しなが
らパッケージの空間内を伝達され、同一パッケージ内の
受光素子に入射され、光による信号伝達は可能である。
形成したチップを設置したものにおいても、発光素子か
らの光はアルミナ等のパッケージの内面等を反射しなが
らパッケージの空間内を伝達され、同一パッケージ内の
受光素子に入射され、光による信号伝達は可能である。
さらに、この構造において、アルミナパッケージの内面
にＳ １０２やＳｉ３Ｎ４のような誘電体膜よシなる反
射膜を形成すると、発光素子の出力を約％に少なくして
も受光素子へ同一のＳ／Ｎ比を有する信号伝達が可能と
なった。こうした反射膜を形成しない場合は、％の出力
では光量が少フぐ受光素子は動作し得す情報伝達は不可
能であった。
にＳ １０２やＳｉ３Ｎ４のような誘電体膜よシなる反
射膜を形成すると、発光素子の出力を約％に少なくして
も受光素子へ同一のＳ／Ｎ比を有する信号伝達が可能と
なった。こうした反射膜を形成しない場合は、％の出力
では光量が少フぐ受光素子は動作し得す情報伝達は不可
能であった。
図はこうした現象をもとにした本発明の−実施例にかか
る電子回路パッケージの概略構造を示すものである。１
は絶縁基体で、この上に電子回路素子たとえば発光部２
を有する半導体集積回路基板３が設置され、さらに基体
１上には他の電子回路素子たとえば受光部４を有する半
導体集積回路基板５が設置されている。６はアルミナ等
からなる外囲器で、その内面にはＡｘ等の金属や多結晶
シリコン膜等の半金属のように光をよく反射する物質よ
りなる反射膜７が形成されており、たとえばこの膜７は
基板３，６を装（する部分の周辺を除いて形成されてい
る。すなわち、反射膜７は基板３，６と基体１が接触し
ない面に全面形成してもよいが、基板３，６を接着する
部分には通常ボンディング用のメタライジングがあるの
で、この部分との重な＃）ｆＩ：避けるため、基板３，
６の接着部分には反射膜７を形成しない方が望ましい。
る電子回路パッケージの概略構造を示すものである。１
は絶縁基体で、この上に電子回路素子たとえば発光部２
を有する半導体集積回路基板３が設置され、さらに基体
１上には他の電子回路素子たとえば受光部４を有する半
導体集積回路基板５が設置されている。６はアルミナ等
からなる外囲器で、その内面にはＡｘ等の金属や多結晶
シリコン膜等の半金属のように光をよく反射する物質よ
りなる反射膜７が形成されており、たとえばこの膜７は
基板３，６を装（する部分の周辺を除いて形成されてい
る。すなわち、反射膜７は基板３，６と基体１が接触し
ない面に全面形成してもよいが、基板３，６を接着する
部分には通常ボンディング用のメタライジングがあるの
で、この部分との重な＃）ｆＩ：避けるため、基板３，
６の接着部分には反射膜７を形成しない方が望ましい。
また、基体１上には外部との接続のための電極配線が形
成されているが、この部分上にも反射膜７は形成しない
方が望ましい。なお、反射膜７ｉ前述した誘電体膜でも
よい。
成されているが、この部分上にも反射膜７は形成しない
方が望ましい。なお、反射膜７ｉ前述した誘電体膜でも
よい。
図に示した構造によれば、発光部２から発せられた光は
反射膜７の影響により弱い発光であっても確実に受光部
４に到達し、確実に基板３から基板５への信号伝達が可
能となる。さらに、本発明によれば基板３，５間に突起
物１３等の障害物がパッケージ内に存在しても光になる
信号伝達は可能となる。通常このような突起物１３があ
るとこの内面の反射膜７により確実に基板３，５間の信
号。
反射膜７の影響により弱い発光であっても確実に受光部
４に到達し、確実に基板３から基板５への信号伝達が可
能となる。さらに、本発明によれば基板３，５間に突起
物１３等の障害物がパッケージ内に存在しても光になる
信号伝達は可能となる。通常このような突起物１３があ
るとこの内面の反射膜７により確実に基板３，５間の信
号。
伝達が可能となる。
以上のように、本発明によれ８ば複雑な形状の電子回路
パッケージにおいても素子間の情報伝達が確実に行え、
かつ発光素子の発光出力を減少させることができ、有用
な電子回路パッケージの実現に大きく寄与するものであ
る。
パッケージにおいても素子間の情報伝達が確実に行え、
かつ発光素子の発光出力を減少させることができ、有用
な電子回路パッケージの実現に大きく寄与するものであ
る。
図は本発明の一実施例にかかる電子回路パッケージの概
略構造断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・発光部、３，６・
・・・・・半導体、４・・・・・・受光部、６・・・・
・・外周器、７・・・・・・反射膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７２
３／、Ｊ、ｊｌ／
略構造断面図である。 １・・・・・・基体、２・・・・・・発光部、３，６・
・・・・・半導体、４・・・・・・受光部、６・・・・
・・外周器、７・・・・・・反射膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７２
３／、Ｊ、ｊｌ／
Claims (2)
- （１）発光素子および受光素子を内蔵し、内面の前記素
子を装着する部分の周辺を少くとも除いて光反射膜を形
成し永９とを特徴とする電子回路装置。 - （２）反射膜の少なくとも一部が金属、半金属又は誘電
体で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
４項に記載の電子−路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136859A JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136859A JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839075A true JPS5839075A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15185177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136859A Pending JPS5839075A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839075A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2564266A1 (fr) * | 1984-05-08 | 1985-11-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Photocoupleur |
| FR2585510A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Cit Alcatel | Dispositif de couplage de plusieurs voies electriques d'entree de signaux a une meme voie electrique de sortie avec isolement des masses |
| JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
| JPH02105473A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
| JPH07131063A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | マルチチップモジュール |
| US6888237B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-05-03 | Osram Gmbh | Encapsulation of a device |
| US6949825B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductor Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136859A patent/JPS5839075A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2564266A1 (fr) * | 1984-05-08 | 1985-11-15 | Telefunken Electronic Gmbh | Photocoupleur |
| FR2585510A1 (fr) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Cit Alcatel | Dispositif de couplage de plusieurs voies electriques d'entree de signaux a une meme voie electrique de sortie avec isolement des masses |
| JPS63102379A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-07 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 反射光障壁およびその製造方法 |
| JPH02105473A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
| JPH07131063A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | マルチチップモジュール |
| US6888237B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-05-03 | Osram Gmbh | Encapsulation of a device |
| US6949825B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductor Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
| US7214570B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-05-08 | Osram Gmbh | Encapsulating a device |
| US7262441B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Laminates for encapsulating devices |
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