JPS5834986A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5834986A JPS5834986A JP56135253A JP13525381A JPS5834986A JP S5834986 A JPS5834986 A JP S5834986A JP 56135253 A JP56135253 A JP 56135253A JP 13525381 A JP13525381 A JP 13525381A JP S5834986 A JPS5834986 A JP S5834986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- grown
- gaas substrate
- clad layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 102220043690 rs1049562 Human genes 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ伝送システムの光ソースとして利用
される発光素子の製造方法に関するものである。
される発光素子の製造方法に関するものである。
コア径が５０〜２００ｆｎの光ファイバを用いた情報伝
送システムの光ソースとしてＧａＡｌＡｓ ダブルへテ
ロ構造（ＤＨ構造）を有する発光グイオード（ＬＥＤ）
が開発され、実用化が推し進められている。一般に光フ
アイバ用ＬＥＤには、ファイバとの光結合効率を高める
目的でファイバコア径より小さな微小発光を実現する為
にＺｎ選択拡散等により電流狭窄されたストライ−ブ状
の電流通路が形成されている。光フアイバ通信用ＬＥＤ
は大別するとフロント放射型とエツジ放射型に区分され
る。本発明は、フロント放射型ＬＥＤに係るものであり
、以下フロント放射型ＬＥＤの製造方法に関して説明す
る。
送システムの光ソースとしてＧａＡｌＡｓ ダブルへテ
ロ構造（ＤＨ構造）を有する発光グイオード（ＬＥＤ）
が開発され、実用化が推し進められている。一般に光フ
アイバ用ＬＥＤには、ファイバとの光結合効率を高める
目的でファイバコア径より小さな微小発光を実現する為
にＺｎ選択拡散等により電流狭窄されたストライ−ブ状
の電流通路が形成されている。光フアイバ通信用ＬＥＤ
は大別するとフロント放射型とエツジ放射型に区分され
る。本発明は、フロント放射型ＬＥＤに係るものであり
、以下フロント放射型ＬＥＤの製造方法に関して説明す
る。
フロント放射型ＬＥＤでは一般に活性層側をステムに対
して密着させるアップサイドダウンによるマウント法が
採用されている。このマウント方法により通常１００ｍ
Ａの高電流駆動時に活性層の発熱を防止しかつ活性層か
らのＥＬ光のうち光取り出し恵方向への光のみならずス
テム側電極により反射されたＥＬ光をも利用しファイバ
内に導入される光の強度を高める工夫がなされている。
して密着させるアップサイドダウンによるマウント法が
採用されている。このマウント方法により通常１００ｍ
Ａの高電流駆動時に活性層の発熱を防止しかつ活性層か
らのＥＬ光のうち光取り出し恵方向への光のみならずス
テム側電極により反射されたＥＬ光をも利用しファイバ
内に導入される光の強度を高める工夫がなされている。
アップサイドダウンマウント法によるフロント放射型Ｌ
ＥＤの製造法に関してはいくつかの報告があるが、以下
主な報告例について述べる。
ＥＤの製造法に関してはいくつかの報告があるが、以下
主な報告例について述べる。
その１つの例としては、ＧａＡ３基板上に１０μｍの厚
いＧａＯ，７Ａ１（ｌｓＡｓ層を形成し、この層上に活
性層、クラッド層を順次液相成長法によりエピタキシャ
ル成長させ、成長層側に電流狭窄用Ｚｎ選択拡散を施し
だ後選択エツチング法により裏面のＧａＡｓ基板の一部
を除去し光取り出し窓を形成・する。この製造方法にお
いては、均一な光取り出し窓を形成する必要上予めＧａ
Ａ３基板の全体を５０−７０廁の厚さに設定するため発
生するウェハ内のソリが工程上障害となり、表裏のホト
エツチングが困難となる。また光取り出し窓を形成する
ためＧａＡｓ基板の一部を選択エツチングする際エツチ
ングの横方内拡がりがウェハの場所により不均一となる
為、光取シ出し窓の形状が不均一となり生産性に欠ける
。第２の報告例としては、ＧａＡｓ基板上に５０７ｒｍ
の厚いｎ型Ｇａ（１，６ＡＩ（１，４Ａｓを成長させ、
続いて活性層、ｐ型クラッド層を順次成長させ、活性層
からの光を通過しないＧａＡｓ基板を全て除去し、ｐ型
クラッド層面内にＺｎ選択拡散を施す方法がある。この
方法では厚い Ｇａ（１，６Ａ１ｏ、４Ａｓ層を成長後薄い活性層、ク
ラッド層を成長させることになるが、厚い成長を行なう
ことにより周辺の盛り上りが発生し、この盛り上りの為
に成長用融液を収納しているカーボンスライドボードの
移動が困難となり、活性層成長時に寿命特性を悪化させ
る欠陥が導入され易くなる。
いＧａＯ，７Ａ１（ｌｓＡｓ層を形成し、この層上に活
性層、クラッド層を順次液相成長法によりエピタキシャ
ル成長させ、成長層側に電流狭窄用Ｚｎ選択拡散を施し
だ後選択エツチング法により裏面のＧａＡｓ基板の一部
を除去し光取り出し窓を形成・する。この製造方法にお
いては、均一な光取り出し窓を形成する必要上予めＧａ
Ａ３基板の全体を５０−７０廁の厚さに設定するため発
生するウェハ内のソリが工程上障害となり、表裏のホト
エツチングが困難となる。また光取り出し窓を形成する
ためＧａＡｓ基板の一部を選択エツチングする際エツチ
ングの横方内拡がりがウェハの場所により不均一となる
為、光取シ出し窓の形状が不均一となり生産性に欠ける
。第２の報告例としては、ＧａＡｓ基板上に５０７ｒｍ
の厚いｎ型Ｇａ（１，６ＡＩ（１，４Ａｓを成長させ、
続いて活性層、ｐ型クラッド層を順次成長させ、活性層
からの光を通過しないＧａＡｓ基板を全て除去し、ｐ型
クラッド層面内にＺｎ選択拡散を施す方法がある。この
方法では厚い Ｇａ（１，６Ａ１ｏ、４Ａｓ層を成長後薄い活性層、ク
ラッド層を成長させることになるが、厚い成長を行なう
ことにより周辺の盛り上りが発生し、この盛り上りの為
に成長用融液を収納しているカーボンスライドボードの
移動が困難となり、活性層成長時に寿命特性を悪化させ
る欠陥が導入され易くなる。
またウニ八周辺の盛り上りによるスライダ移動時のウェ
ハ内の傷の発生を防ぐ目的でウニ八表面とスライダ底の
ギャップを大きくしなければならない為、前のＧａメル
トを除去するメルト除去法が使用できずウニ八層厚方向
や・面内のＡｔ混晶比分布、不純物分布が不安定となる
。以上の理由により製作される素子の歩留が低下する。
ハ内の傷の発生を防ぐ目的でウニ八表面とスライダ底の
ギャップを大きくしなければならない為、前のＧａメル
トを除去するメルト除去法が使用できずウニ八層厚方向
や・面内のＡｔ混晶比分布、不純物分布が不安定となる
。以上の理由により製作される素子の歩留が低下する。
−第３の報告例としては、予め別の方法で１５０〜３０
０薊のＧａ□、７Ａ１ｏ、８Ａｓ基板を製作し、このＧ
ａＯ，７Ａｌ（１，８Ａｓ基板上にダブルへテロ構造を
形成する方法がある。この方法では、基板がＧａ００７
Ａ１ｏ、ＢＡｓ層である為、活性層からのＥＬ光を取り
出す為の基板エツチング等の工程は不要となるが支持層
となる厚いかつ大面積のＧａｏ、７ＡｌｏＪＡｓ基板を
別の方法で製作することは難かしく発光素子の製造コス
トが高くなる。更に、Ｇａｏ、７Ａ１ｏ、８Ａｓ基板上
に液相成長層を得るだめには、表面酸化物をほぼ完全に
除去する必要があり、ＧａＡｓ基板上に液相成長させる
ことに比較して難かしく、また欠陥が導入され易いとい
う欠点がある。従って上記同様製作される素子の歩留り
が低下する。
０薊のＧａ□、７Ａ１ｏ、８Ａｓ基板を製作し、このＧ
ａＯ，７Ａｌ（１，８Ａｓ基板上にダブルへテロ構造を
形成する方法がある。この方法では、基板がＧａ００７
Ａ１ｏ、ＢＡｓ層である為、活性層からのＥＬ光を取り
出す為の基板エツチング等の工程は不要となるが支持層
となる厚いかつ大面積のＧａｏ、７ＡｌｏＪＡｓ基板を
別の方法で製作することは難かしく発光素子の製造コス
トが高くなる。更に、Ｇａｏ、７Ａ１ｏ、８Ａｓ基板上
に液相成長層を得るだめには、表面酸化物をほぼ完全に
除去する必要があり、ＧａＡｓ基板上に液相成長させる
ことに比較して難かしく、また欠陥が導入され易いとい
う欠点がある。従って上記同様製作される素子の歩留り
が低下する。
本発明は上記現状に鑑み、技術的手段を駆使することに
より、生産性が高く簡単な光フアイバ通信用ダブルへテ
ロ構造発光素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
より、生産性が高く簡単な光フアイバ通信用ダブルへテ
ロ構造発光素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
本実施例に使用する基板は（ｔｏｏ）ｎ型ＧａＡｓ（ｓ
ｔドープキャリア濃度２ｘｌＯｃｍ ）とする。第１
図に示す如く、液相成長前にＧａＡｓ基板（１）表面に
縦横４５０Ｉｙｎ ピッチで８０師径の大きさに深さ１
−８蝉の埋込み穴（２）を形成する。埋込み穴（２）は
通常のホトリソグラフィ法によりホトレジスト（ＡＺ−
１３７０）を用い８０／Ｉｍ径の穴を開けＨ２ＳＯ４：
Ｈ２Ｏ２： Ｈ２０＝８ ： １ ： Ｉで０．６〜
２．０分間のエツチングを行なうことにより形成する。
ｔドープキャリア濃度２ｘｌＯｃｍ ）とする。第１
図に示す如く、液相成長前にＧａＡｓ基板（１）表面に
縦横４５０Ｉｙｎ ピッチで８０師径の大きさに深さ１
−８蝉の埋込み穴（２）を形成する。埋込み穴（２）は
通常のホトリソグラフィ法によりホトレジスト（ＡＺ−
１３７０）を用い８０／Ｉｍ径の穴を開けＨ２ＳＯ４：
Ｈ２Ｏ２： Ｈ２０＝８ ： １ ： Ｉで０．６〜
２．０分間のエツチングを行なうことにより形成する。
エツチング完了後レジスト膜をアセト／で除去し洗浄し
た後液相成長用カーボンボートに設置する。ＧａＡＳ基
板の大きさは１２Ｘ１０ｗｍであり、成長領域はＧａＡ
ｓ基板の中央部１０ＸＩＯ■の領域である。
た後液相成長用カーボンボートに設置する。ＧａＡＳ基
板の大きさは１２Ｘ１０ｗｍであり、成長領域はＧａＡ
ｓ基板の中央部１０ＸＩＯ■の領域である。
液相成長は３つのメルト溜を有するカーボンスライドポ
ートを用い従来周知の徐冷法により行なった。Ａｌ、Ｇ
ａＡｓソース、不純物の所望量を仕込んだ３種類のＧａ
メルトを８５０℃２時間水素気流中で保持した後、炉の
温度を徐冷しつつ順次ＧａＡｓ基板（１）上に被せる。
ートを用い従来周知の徐冷法により行なった。Ａｌ、Ｇ
ａＡｓソース、不純物の所望量を仕込んだ３種類のＧａ
メルトを８５０℃２時間水素気流中で保持した後、炉の
温度を徐冷しつつ順次ＧａＡｓ基板（１）上に被せる。
Ｇａメルトの冷却速度は１℃／分とした。８５０℃の保
持温度より３℃降下した時点で第１層（３）としてＧｅ
ドープｐ型ＧａＯ，７ＡｌＯ，３Ａｓを１．５〜２ＩＩ
ｍ 成長させ、６℃降下した時点で第２層（４）として
Ｇｅ ドープｐ型Ｇａｏ、９５Ａｌｏ、ｏｓＡｓを０，
８〜１μｍ成長させる。更に第３層り５）としてＴｅド
ープｎ型ＧａＯ，６Ａ１０，４Ａ８を５０〜８０１Ｉｍ
成長させ、ダブルへテロ構造を構成する。第３層（５）
のＧａ００６Ａｌ□、４Ａｓ の成長が始まった時点′
で炉の冷却速度を０．３℃／分に変更し、炉内温度が７
００℃を過ぎた時点で炉の電源を切夛ボートを室温近傍
まで放置する。第１層（３）、第２層（４）、第３層（
５）のキャリア濃度は各々ＩＸ Ｉ ０１８ｃｍ−３と
する。
持温度より３℃降下した時点で第１層（３）としてＧｅ
ドープｐ型ＧａＯ，７ＡｌＯ，３Ａｓを１．５〜２ＩＩ
ｍ 成長させ、６℃降下した時点で第２層（４）として
Ｇｅ ドープｐ型Ｇａｏ、９５Ａｌｏ、ｏｓＡｓを０，
８〜１μｍ成長させる。更に第３層り５）としてＴｅド
ープｎ型ＧａＯ，６Ａ１０，４Ａ８を５０〜８０１Ｉｍ
成長させ、ダブルへテロ構造を構成する。第３層（５）
のＧａ００６Ａｌ□、４Ａｓ の成長が始まった時点′
で炉の冷却速度を０．３℃／分に変更し、炉内温度が７
００℃を過ぎた時点で炉の電源を切夛ボートを室温近傍
まで放置する。第１層（３）、第２層（４）、第３層（
５）のキャリア濃度は各々ＩＸ Ｉ ０１８ｃｍ−３と
する。
第２図は第３層（５）の層厚方向のＡｌ混晶比の分布を
示す説明図である。活性層である第２層（４）からの距
離が離れ、表面へ近づくにつれて第３層（５）のＡｌ混
晶比は低下し、活性層との界面ではＡｌ混晶比は０．４
であるが第３層（５）表面領域では０．１程度となって
いる。
示す説明図である。活性層である第２層（４）からの距
離が離れ、表面へ近づくにつれて第３層（５）のＡｌ混
晶比は低下し、活性層との界面ではＡｌ混晶比は０．４
であるが第３層（５）表面領域では０．１程度となって
いる。
上記工程により得られる第３層（５）の層厚は６５ｐ±
１５μｍとなり、後工程でＧａＡ３基板（１）を除去し
てもこの第３層（５）で充分に活性層である第２層（４
）を支持することができる。
１５μｍとなり、後工程でＧａＡ３基板（１）を除去し
てもこの第３層（５）で充分に活性層である第２層（４
）を支持することができる。
上記製造方法は層厚制御の必要な比較的層厚の薄いｐ型
クラッド層である第１層（３）及び活性層である第２層
（４）をまず成長させ、その後ｎ型りラツ下層兼素子支
持層の働きをする厚い成長層を形成する点にウェハ製作
上の特徴を有しており厚い成長層である第３層（５）を
成長後スライダの移動を必要としない為にメルト除去法
が利用で考層厚と不純物分布が制御されかつ結晶欠陥の
導入が少ない良好な活性層（４）が得られる点に利点が
ある。
クラッド層である第１層（３）及び活性層である第２層
（４）をまず成長させ、その後ｎ型りラツ下層兼素子支
持層の働きをする厚い成長層を形成する点にウェハ製作
上の特徴を有しており厚い成長層である第３層（５）を
成長後スライダの移動を必要としない為にメルト除去法
が利用で考層厚と不純物分布が制御されかつ結晶欠陥の
導入が少ない良好な活性層（４）が得られる点に利点が
ある。
上記工程で成長されたウェハの第３層（５）上に残存し
ているＧａメルトを除去し、第３図に示す如く、ＯＭＲ
ホトレジストを用い予めＧｋＡｓ基板（１）に形成した
埋込み穴（２）と同心円状に＋ ５０ ｇｍ−の穴（ト
）をホトリソグラフィ法により形成する。その後Ｈ２５
０４： Ｈ２Ｏ２： Ｈ２０＝８ ： １ ： １のエ
ツチング液を用い、第３層（５）表面のＡｌ結晶比の低
い層を除去する為、表面より２５−エツチングし、光取
り出し窓（１）を形成する。本実施例では光堆り出し窓
の表面を平坦な面としたが凸レンズ状に加工することも
可能である。光取り出し場翰の表面のＡｌ結晶比は０．
２〜０２５となるので第２層（４）の活性層からの光が
第３層（５）内で吸収されることはない。光取シ出し窓
翰を形成後２０℃でＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２＝１：１５の
エツチング液を用いＧａＡｓ基板（１）を選択的に除去
する。ＧａＡｓ基板（１）の除去後、成長層は若干のソ
リを生じるがこれは工程上支障を生じない程度であり、
問題はない。次に第４図に示す如く露出された第１層（
３）のｐ型クラッド層上には１〜３岬の深さの埋込み穴
（２）により転写された８０ｇｍ径の盛り上った領域（
至）が認められるＯ第１層（３）のＧａ０．７Ａ１０．
３Ａｓ面に０．１ｇｍ０Ａ１２０Ｂ膜（９）をＣＶＤ法
でコートし８０ｇｍ径の盛り上った領域（１）の中心に
８５〜５０Ｉｒｍ径の穴をホトリソグラフィ法で形成す
る。レジストはＡＺ−１３５０を用いた。
ているＧａメルトを除去し、第３図に示す如く、ＯＭＲ
ホトレジストを用い予めＧｋＡｓ基板（１）に形成した
埋込み穴（２）と同心円状に＋ ５０ ｇｍ−の穴（ト
）をホトリソグラフィ法により形成する。その後Ｈ２５
０４： Ｈ２Ｏ２： Ｈ２０＝８ ： １ ： １のエ
ツチング液を用い、第３層（５）表面のＡｌ結晶比の低
い層を除去する為、表面より２５−エツチングし、光取
り出し窓（１）を形成する。本実施例では光堆り出し窓
の表面を平坦な面としたが凸レンズ状に加工することも
可能である。光取り出し場翰の表面のＡｌ結晶比は０．
２〜０２５となるので第２層（４）の活性層からの光が
第３層（５）内で吸収されることはない。光取シ出し窓
翰を形成後２０℃でＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２＝１：１５の
エツチング液を用いＧａＡｓ基板（１）を選択的に除去
する。ＧａＡｓ基板（１）の除去後、成長層は若干のソ
リを生じるがこれは工程上支障を生じない程度であり、
問題はない。次に第４図に示す如く露出された第１層（
３）のｐ型クラッド層上には１〜３岬の深さの埋込み穴
（２）により転写された８０ｇｍ径の盛り上った領域（
至）が認められるＯ第１層（３）のＧａ０．７Ａ１０．
３Ａｓ面に０．１ｇｍ０Ａ１２０Ｂ膜（９）をＣＶＤ法
でコートし８０ｇｍ径の盛り上った領域（１）の中心に
８５〜５０Ｉｒｍ径の穴をホトリソグラフィ法で形成す
る。レジストはＡＺ−１３５０を用いた。
ウエノ・を洗浄後１ｇ／ｃｃ の割合で計量されたＺＨ
Ａｓ２と共に石英管中に真空封入し、６５０℃−６００
℃の２ゾーン炉を用いてＺｎ選択拡散を施こし電流通路
とする。Ｚｎ拡散層０１）の深さはＯ，ａμｍに設定す
る。上記工程に於いて、成長前に形成された埋込穴（２
）により表裏両方のホトエツチングが精度よく行なわれ
ることに本実施例の第２の特徴がある。Ｚｎｎ拡散筒第
３層５）側の光取り出し窓（１）上にレジスト（ＡＺ−
１１３５０）を用いて２００Ｉｆｎ径の大きさでリフト
オフ用マスク＠を形成する。勢その後第３層（５）表面
に電極となるＡｕ−Ｇｅを０．５μｍ１厚さに真空蒸着
しアセトンでリフトオフ用マスク＠を除去し光取り出し
窓上のＡｕ−ＧｅＱｅをリフトオフする０その後５Ｘ
１０ ’ ｔｏｒｒ の真空度で４７０℃８分間の条件
のもとにＡｕ−Ｇｅを合金化しｎ側電極α→とする。第
２図に示した如く、第３層（５）表面のＡｌ混晶比が０
．１に低下しているので良好なオーミックコンタクトが
得られる。次に、第１層（３）側にＭＯ及びＡｕをそれ
ぞれ０．１−ずつ電子ビーム蒸着しｐ側電極（ト）とす
る０その後３００岬平方の大きさで選択的にＺｎ拡散領
域に菖０〜１５暉のＡｕメッキ層αηを形成する。ダイ
シングは４５０μｍピッチで第３層（５）側から行なう
。またマウントは、Ａｕ−Ｇｅ （Ｇｅ１４ｗｔ％）の
小片を用い第１層（３）側を下にしてステム（Ｔｏ−４
６）等にマウントし更にｎ側に２５μｍ径のＡｕワイヤ
を用いてリード線を取り付けＬＥＤとする。
Ａｓ２と共に石英管中に真空封入し、６５０℃−６００
℃の２ゾーン炉を用いてＺｎ選択拡散を施こし電流通路
とする。Ｚｎ拡散層０１）の深さはＯ，ａμｍに設定す
る。上記工程に於いて、成長前に形成された埋込穴（２
）により表裏両方のホトエツチングが精度よく行なわれ
ることに本実施例の第２の特徴がある。Ｚｎｎ拡散筒第
３層５）側の光取り出し窓（１）上にレジスト（ＡＺ−
１１３５０）を用いて２００Ｉｆｎ径の大きさでリフト
オフ用マスク＠を形成する。勢その後第３層（５）表面
に電極となるＡｕ−Ｇｅを０．５μｍ１厚さに真空蒸着
しアセトンでリフトオフ用マスク＠を除去し光取り出し
窓上のＡｕ−ＧｅＱｅをリフトオフする０その後５Ｘ
１０ ’ ｔｏｒｒ の真空度で４７０℃８分間の条件
のもとにＡｕ−Ｇｅを合金化しｎ側電極α→とする。第
２図に示した如く、第３層（５）表面のＡｌ混晶比が０
．１に低下しているので良好なオーミックコンタクトが
得られる。次に、第１層（３）側にＭＯ及びＡｕをそれ
ぞれ０．１−ずつ電子ビーム蒸着しｐ側電極（ト）とす
る０その後３００岬平方の大きさで選択的にＺｎ拡散領
域に菖０〜１５暉のＡｕメッキ層αηを形成する。ダイ
シングは４５０μｍピッチで第３層（５）側から行なう
。またマウントは、Ａｕ−Ｇｅ （Ｇｅ１４ｗｔ％）の
小片を用い第１層（３）側を下にしてステム（Ｔｏ−４
６）等にマウントし更にｎ側に２５μｍ径のＡｕワイヤ
を用いてリード線を取り付けＬＥＤとする。
以上の様にして製造されたＬＥＤは、光出力、遮断周波
数のチップ間のばらつきが小さく、かつ寿命特性も優れ
ている０１００ｍＡの電流駆動で光出力は平均５ｍＷ以
上、また１０％変調による− １．５ ｄＢでの遮断周
波数は平均４０ＭＨｚであっ魁また１００ｍＡの駆動電
流で室温１００時間でのスリリーニングを行なった時の
素子の寿命歩留は９６−以上であった。また上記ＬＥＤ
と、先端を放物体状に加工されたコア径６ｏｌｔｍ径、
開口数０．１７の光ファイバを結合させた場合ファイバ
内入力は４５０μＷであった。
数のチップ間のばらつきが小さく、かつ寿命特性も優れ
ている０１００ｍＡの電流駆動で光出力は平均５ｍＷ以
上、また１０％変調による− １．５ ｄＢでの遮断周
波数は平均４０ＭＨｚであっ魁また１００ｍＡの駆動電
流で室温１００時間でのスリリーニングを行なった時の
素子の寿命歩留は９６−以上であった。また上記ＬＥＤ
と、先端を放物体状に加工されたコア径６ｏｌｔｍ径、
開口数０．１７の光ファイバを結合させた場合ファイバ
内入力は４５０μＷであった。
以上詳説した如く本発明によれば、光フアイバ伝送シス
テム用光源としての高い性能のＬＥＤが簡単にかつ歩留
よく製作され、光通信の実用化がより一層推し進められ
る。
テム用光源としての高い性能のＬＥＤが簡単にかつ歩留
よく製作され、光通信の実用化がより一層推し進められ
る。
第１図は本発明の１実施例を説明するウェハの断面図で
ある。第２図は第３層に於けるＡｌ混晶比の層厚方向分
布を示す説明図である。第３図及び第４図は第１図のウ
ェハよりＬＥＤを製作する工程を説明する説明図である
。 ｌ・・・Ｑ＆Ａ、基板、２・・・埋め込み穴、３・・・
第１層（ｐ型クラッド層）、４・・・第２層（活性層）
、５・・・第３層（ｎ型クラッド層）、２０・・・光取
り出し窓Ｑ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
ある。第２図は第３層に於けるＡｌ混晶比の層厚方向分
布を示す説明図である。第３図及び第４図は第１図のウ
ェハよりＬＥＤを製作する工程を説明する説明図である
。 ｌ・・・Ｑ＆Ａ、基板、２・・・埋め込み穴、３・・・
第１層（ｐ型クラッド層）、４・・・第２層（活性層）
、５・・・第３層（ｎ型クラッド層）、２０・・・光取
り出し窓Ｑ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- １、 ＧａＡｓ基板の一生面上に埋込み穴を形成し、
該主面上に薄いクラッド層、活性層、厚いクラッド層を
順次成長させ、該厚いクラッド層を支持層にして前記Ｇ
ａＡｓ基板を除去した後、６前記埋め込み穴に対応して
形成された前記薄いクラッド層の突起部に電流通路を形
成するとともに前記厚いクラッド層に光取り出し窓を前
記突起部に対応して形成することを特徴とする発光素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135253A JPS5834986A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135253A JPS5834986A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834986A true JPS5834986A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15147384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135253A Pending JPS5834986A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412396A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Smithkline Corp | Cephalosporin compound |
| JPS54141592A (en) * | 1978-04-21 | 1979-11-02 | Philips Nv | Semiconductor device |
| JPS54141591A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of light emitting diode |
-
1981
- 1981-08-27 JP JP56135253A patent/JPS5834986A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412396A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Smithkline Corp | Cephalosporin compound |
| JPS54141592A (en) * | 1978-04-21 | 1979-11-02 | Philips Nv | Semiconductor device |
| JPS54141591A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of light emitting diode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0770755B2 (ja) | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
| US4779281A (en) | Light emitting chip and optical communication apparatus using the same | |
| KR910008439B1 (ko) | 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| US4017881A (en) | Light emitting semiconductor device and a method for making the same | |
| CA1078949A (en) | Light emitting devices | |
| US3998672A (en) | Method of producing infrared luminescent diodes | |
| US3647579A (en) | Liquid phase double epitaxial process for manufacturing light emitting gallium phosphide devices | |
| US4404730A (en) | Method of producing luminescent or laser diodes having an internally limited luminescent surface | |
| JPS5834986A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| GB2033155A (en) | Light emissive diode structure | |
| US4280131A (en) | Pleochroic light emitting diode and method of fabricating the same | |
| US3351827A (en) | Opto-electronic semiconductor with improved emitter-region | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6184888A (ja) | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ | |
| JPH0770758B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
| KR910005392B1 (ko) | 접합전류 제한 영역을 갖는 이중 헤테로 접합형 발광다이오드의 제조방법 | |
| JPS6381887A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6325517B2 (ja) | ||
| JPS6077482A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6216583A (ja) | メサ型モノリシック発光ダイオードアレイ | |
| US5652178A (en) | Method of manufacturing a light emitting diode using LPE at different temperatures | |
| JPS6344311B2 (ja) | ||
| JPS6114753A (ja) | 複合光半導体素子の製造方法 | |
| JPS63129683A (ja) | 埋め込み構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6222552B2 (ja) |