【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
本発明は、光による入力像を光電効果によって投影像に
変換する電気光学装置に関する。
従来、この種の電気光学装置として液晶ンイトバルブ（
光弁）なるものが知られている。
その−例として、特開昭５６−４３６８１号公報に於て
は、液晶ノＷと訪′Ｉαミラーと、２個の透明電極間に
侠まれた光電感応層（光導１１ｆ層）とから成る薄膜の
多層構造をとる液晶ライトパルプが開示されている。そ
して、この様な液晶ライトバルブに於て、前記誘電ミラ
ーは、液晶層側から入射する投影光が光導電層には達し
ない様、事前に反射させる為に必要な要素である。
斯かる誘ｍミラーとしては、例えばＺｎＳ１Ｎａ、ＡＩ
Ｆ、 、 ＭｇＦ、、’ＩＩ’ ｉ ０．．５１０１等
から成る多層膜を用いている。このとき、可視域全域の
波長光を反射する誘電ミラーを得る為には、約１５層以
上の積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ作成する
必要があり、相当に高度な製造技術を要する。又、仮に
前述の目的を以て作成された誘電ミラーであっても、実
際には、投影光を完全には反射することができず、光導
電層と誘電ミラーとの間に別途、光吸収ノーを設けてそ
の機能を補うことが必要であった。
従って、この様な従来の液晶ライトバルブでは、所期の
機能が充分には発揮されず、且つ複雑な構造になる上そ
の製造にも手間がかかり、製造コストも高いものとなっ
ていた。
そこで、本発明は、斯かる従来の諸欠点を除去すると共
に、直流駆動を可能にして動画表示が容易である一般に
は液晶ライトパルプと呼ばれる′Ｉ狂気光学装置を提供
することを目的とするものである。この様な目的を達成
する本発明は、液晶層及び光導電層を具え、光による入
力像を光電効果によって投影像に変換する゛［ｄ気光学
装置であって、前記光導′１層が整流性を示すこと、並
びに、複数の透孔余有する遮光層及び、この遮光層の片
面に接した透光性の絶縁層を介して前Ｒｅｆｈ孔の各々
に対面し且つ互に分離した複数の反射鏡を前記液晶層と
光導′Ｉ［、Ｎとの間に介在させて成ることを特徴とす
るものである。
以下、回部を用いた具体例によって本発明の詳細な説明
する。
第１図は、ライトパルプ装置の一例の略画断面図であり
、図に於て、１０は偏光子（板）である。Ｉａ、ｌｂけ
共に透明基板で、ガラス板又は樹脂板よ構成る。又、２
ａ、２ｂは共に透明電極で、例えばＳｎＯ２やＩｎ、
（Ｓｎ）Ｏｓ等の薄膜（厚さ、５００〜３０００＾程度
）から成る。３は液晶層、又、４はスペーサーであって
、液晶層３をＶｔＹ封すると共に、この層厚を調整する
為のものである。
そしてこのスペーサー４としては通常、アルミナ粉末や
ガラスファイバー粉末を混入した（夕］脂製接着剤が用
いられる。液晶層３に於ける液晶構造の変化には、通常
、１）ＳＩＶｆのように電流効果によるものの他、ＴＮ
方式（ねじれネマティック効果）、ＤＡＰ（電界制御複
／１１１折効果）方式、相遷移方式あるいはＧｌｆ （
ゲストホスト効果）方式のように電界効果によるものが
あるが、この図示例ではＧ ｌｆ方式が好適なものとし
て採用されている。具体的に、このＧＩＩ（ゲストホス
ト）液晶層３に用いる液晶に就いては谷に制限はないが
、駆動時の温度上昇を考ｂｗしてクリアリング温度が５
０゛Ｃ以上、望ｉｆ、（は、６０ ’０液晶にゲストと
して混入される染料としては耐光性の良い、例えば、ア
ンスラキノン系の染料が好ましく用いられる。このとき
、液晶中の染（１Ｆの含有址は、液晶の種類によって左
右されるが、通常、重量％で、０．０５〜１０襲、望ま
しくは、０．１〜５俤である。更に、この液晶層３の厚
さは、一般に、１〜２０μｍ程度とし、液晶の性能、応
答速度、駆動電圧等によって適切な厚さが設定される。
５は遮光層であυ、カーボンや金属を堆積法により厚さ
５００八〜２μｍ程度に成膜させたものである。そして
、この遮光層５は第１図のＡ１Ａ’ｉＮＪに於ける切１
ｔＪｉ平面図である第２図のとおりの平面形状を有し、
この遮光層５には多数の透孔６が配列しである。尚、こ
の透孔６の一つが、投影像に於ける一画素に相当する。
因に、これ等の透孔６の形状は、図示例の正方形のみに
限られず、任意の形状のものとすることができる。
更に、第１図中の７は透光性絶縁層で、望ましくは １
０ ｔｔΩ・硼以上の体積抵抗率を有する。
これは例えば、グロー放電分解法によって形成されるＳ
ｉＣ，５ｉｌＮ４の膜、スパッタ蒸着法等により形成さ
レルＳｉＯ□膜やＰｂＴｉ０．、Ｉ）ＬＺＴ、ポリバラ
キシリレン等の強誘電体の膜から成る。そして、この透
光性絶縁層７の厚さは、１０００Ａ〜５ｔｔ１−ｎの範
囲とするのが良い。
８は反射ミラーであり、鏡面を成すＡｅ等金金属厚さ５
００Ｘ〜１μｍ程度の堆積膜から成る。このミラー８は
前記絶縁層７を介して透孔６の全てに対面する様に多数
個配置され、各ミラー８は第１図のＢＳＢ’線に於ける
切断平…１図である第３図のとおりに配列しである。尚
、このミラー８０１個は、各ミラーの間隙８１（からの
もれ光を防ぐ目的〃・ら、少なくとも前記透孔６の面積
以上の面積（広さ）に成形しである。
９は整流性を示す光導電層で、ここで謂う、整流性とは
、後述する様に通常のダイオードに於ける整流性と異な
９更に広い概念である。
ところで、第１図の構成例に於て、遮光ノー５の透光性
絶縁層７側の面には、カーボン層等の光吸収部材を設け
て、投影光のミラー８による反射戻り光を吸収するのが
、投影像のコントラストを上げる為には望ましいことで
ある。
又、反射ミラー８は、全て導′α体から成９、且つ分離
していなければならないが、その形状の如何は問わない
。反射ミラー８の全てが分離している理由は、これ等が
連続していると、同一・電位になって電位差が生じない
為、作像が不ｒ＋］’能になるからである。
ここで、別の回向を用いて、第１図に示した光曹込ノｌ
１１！液晶ライトパルプの作動ｅて就いて詳しく説明す
ると共に、不発明に於ける″整流性″の概念を明確にす
る。第４図は、第１図のライトバルブ装置の作動原理を
説すＪする模式図である。
第４図に於て、透明′電極２ａと２ｂとの間に電ｄｌｉ
！２０ Ｆ（：よりｉ、！ｌ＋定の直流′The present invention relates to an electro-optical device that converts an input optical image into a projected image using the photoelectric effect. Conventionally, this type of electro-optical device was a liquid crystal light valve (
The light valve) is known. As an example, JP-A No. 56-43681 discloses a thin film consisting of a liquid crystal W, an Iα mirror, and a photoelectrically sensitive layer (light conducting layer 11f) interposed between two transparent electrodes. A liquid crystal light pulp having a multilayer structure is disclosed. In such a liquid crystal light valve, the dielectric mirror is a necessary element for reflecting the projection light incident from the liquid crystal layer side in advance so that it does not reach the photoconductive layer. As such an attractive mirror, for example, ZnS1Na, AI
F, , MgF, ,'II' i 0. ．． A multilayer film made of 5101 or the like is used. At this time, in order to obtain a dielectric mirror that reflects wavelengths throughout the visible range, it is necessary to create a laminate of approximately 15 or more layers while precisely controlling the thickness of each layer, which requires considerably advanced manufacturing technology. It takes. Furthermore, even if a dielectric mirror is made for the above purpose, in reality it cannot completely reflect the projected light, and a separate light absorption layer is required between the photoconductive layer and the dielectric mirror. It was necessary to establish a system and supplement its functions. Therefore, such conventional liquid crystal light valves do not fully exhibit their intended functions, have a complicated structure, are time-consuming to manufacture, and are expensive to manufacture. SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a crazy optical device, generally called a liquid crystal light pulp, which eliminates the various drawbacks of the conventional technology and also enables direct current driving and facilitates display of moving images. It is. To achieve these objects, the present invention provides an optical device comprising a liquid crystal layer and a photoconductive layer, which converts an input image of light into a projected image by the photoelectric effect, wherein the first layer of light guides has a rectifying layer. A light-shielding layer having a plurality of transparent holes, and a plurality of reflections facing each of the front Refh holes and separated from each other via a light-transmitting insulating layer in contact with one side of the light-shielding layer. It is characterized in that a mirror is interposed between the liquid crystal layer and the light guides 'I[,N. Hereinafter, the present invention will be explained in detail using a specific example using a circular part. FIG. 1 is a schematic sectional view of an example of a light pulp apparatus, and in the figure, 10 is a polarizer (plate). Both Ia and lb are transparent substrates made of glass plates or resin plates. Also, 2
Both a and 2b are transparent electrodes, such as SnO2, In,
It consists of a thin film (thickness, approximately 500 to 3000^) of (Sn)Os, etc. 3 is a liquid crystal layer, and 4 is a spacer for sealing the liquid crystal layer 3 to VtY and adjusting the layer thickness. As this spacer 4, a resin adhesive mixed with alumina powder or glass fiber powder is usually used.The changes in the liquid crystal structure in the liquid crystal layer 3 are usually caused by 1) electric current such as SIVf. In addition to effects, TN
method (twisted nematic effect), DAP (electric field controlled double/111 fold effect) method, phase transition method or Glf (
Although there are methods based on electric field effects such as the guest-host effect method, the Glf method is suitably adopted in this illustrated example. Specifically, there is no limit to the valley of the liquid crystal used for this GII (guest host) liquid crystal layer 3, but the clearing temperature is set at 5 bw in consideration of the temperature rise during driving.
0゛C or higher, desirably, (is 60'0) As the dye to be mixed into the liquid crystal as a guest, it is preferable to use a dye with good light resistance, such as anthraquinone dye. The content of the liquid crystal layer 3 depends on the type of liquid crystal, but is usually 0.05 to 10 times, preferably 0.1 to 5 times by weight.Furthermore, the thickness of the liquid crystal layer 3 is as follows: In general, the thickness is about 1 to 20 μm, and the appropriate thickness is set depending on the performance of the liquid crystal, response speed, driving voltage, etc. 5 is a light shielding layer, which has a thickness of about 5008 to 2 μm by depositing carbon or metal. This light shielding layer 5 is formed at the cut 1 in A1A'iNJ in FIG.
It has a planar shape as shown in FIG. 2, which is a plan view of tJi,
This light shielding layer 5 has a large number of through holes 6 arranged therein. Note that one of the through holes 6 corresponds to one pixel in the projected image. Incidentally, the shape of these through holes 6 is not limited to the square shown in the illustrated example, but can be any shape. Furthermore, 7 in FIG. 1 is a transparent insulating layer, preferably 1
It has a volume resistivity of 0 ttΩ・boron or more. For example, S formed by glow discharge decomposition method
iC, 5ilN4 film, SiO□ film formed by sputter deposition method, PbTi0. , I) Consists of a ferroelectric film such as LZT or polyvaraxylylene. The thickness of the transparent insulating layer 7 is preferably in the range of 1000A to 5tt1-n. 8 is a reflective mirror, which has a mirror surface made of gold metal such as Ae, which has a thickness of 5.
It consists of a deposited film of about 00X to 1 μm. A large number of mirrors 8 are arranged so as to face all of the through holes 6 through the insulating layer 7, and each mirror 8 is arranged along the line BSB' in FIG. Arranged as follows. The 801 mirrors are formed to have an area (width) that is at least larger than the area of the through hole 6, in order to prevent light from leaking through the gap 81 between each mirror. In the photoconductive layer shown in FIG. In order to increase the contrast of the projected image, a light absorbing member such as a carbon layer is provided on the surface of No. 5 on the side of the translucent insulating layer 7 to absorb the reflected light reflected by the mirror 8 of the projected light. This is desirable.Also, all of the reflecting mirrors 8 must be made of a conductive material 9 and must be separated, but their shape does not matter.The reason why all of the reflecting mirrors 8 are separated is as follows. , if these are continuous, they will be at the same potential and no potential difference will occur, making it impossible to form an image. The light source shown in
11! The operation of the liquid crystal light pulp will be explained in detail, and the concept of "rectification" in the invention will be clarified. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating the operating principle of the light valve device of FIG. 1. In FIG. 4, an electric current is placed between the transparent electrodes 2a and 2b.
! 20 F (: from i, !l + constant DC'
【ｕ界を印加
する。このとき、信号光線が投射された領域では、発生
したギヤリア（図中ではＯ印で示すｒ４子）が前記１匡
界Ｖこよシ反ＭＪミン−８に移動する。これによって、
透り」′嵯極２ａと反射ミラー８の間のぼ圧が透孔６全
通して増太し閾値を越え、液晶層３に於て、認定異方性
が正の液晶分子３αと染料３βとがホモジーニアス配向
状態からホメオトロピック配向状態に変化する。そ［−
て、ここに、投影光を偏光板１０を通１〜て投射すると
、偏光が透光６を；ｉ！ｉ して反射ミラー８に至った
後ここで反射され反射光ＲＩ、２が得られる。
他方、信号光線が入射しない領域では、フォトキャリア
が発生しないので、キー）！リアは透Ｑｌ電極２ｂに留
り、反射ミラー８へは移動しない。
従って、この場合には液晶層３に印加をれる電圧が閾値
を越えることなく、液晶分子３αと染料３βはホモジー
ニアス配向状態に保たれる。
そこで、ここに入射した投影光（偏光）は液晶層３中の
二色性染料３βによって吸収され、反射ミラー８による
反射光ＲＬ、は１１工記反射光１１Ｌ。
に較べて光量が少なくなっている。
この様にして、反射光景の差に基づく投影像（・・・投
影する為の像）が形成され、液晶層３中に生じた像が不
図示のスクリーン等に拡大して投影される。
尚、斜上の過程に於ては、遮光層５及びミラー８によっ
て、信号光線が液晶層３側にもれ出ること及び、逆に投
影光が光導電層９に入射する不都合が阻止されている。
又、斜上の作動例に於て、液晶層３中に形成される投影
像が極微細なものでない限りは、特別な投影光によらな
くても室内光の下で投影像を目視観察することもできる
。
次に、第５図を用いた具体的構成例に就いて説明する。
ＭＹ １の構成例では、第５図に示す様に、透明基板１
ｂに設けた透明電極２ｂ上に、Ｐｔ 、 Ｐｄ。
Ａｕ又はＭｏを２０〜５００大、望ましくは３０〜２０
０穴の原さに焦眉して基層９ａを形成する。次いで、Ｓ
ｉルを主体とするガスを放電分解して基層９ａ上にａ−
８ｉ−Ｉｆ層９ｂを形成する。このａ−８ｔ−Ｈ層９１
Ｊは弱いｎ型の半導体となシ基層９ａとの間にショトキ
−バリア一層を形成する。尚、ａ−８ｔ −Ｉ−Ｉ層９
ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。
そして、この層９ｂの厚さは、他の層、とシわけ、液晶
層３との関係で決められるが、通常、５０００ Ａ〜２
０μｍの範囲にある。
更に、このａ −Ｓｉ −ＨＪｉ ９１）土に、５ｉｌ
Ｉ、を主体とするガスにＰＨ，を１００〜２００００ｐ
ｐｍ 、望１しくは、１０００〜１１００００ｐｐ混入
して放′屯分解を行い、厚さ、１００〜３０００Ａ 、
望ましくは５００〜２０００Ａに堆積した１１層９ｃを
形成して整流性光導電層９を作成する。
次いで、第１図に示した実施例と同様に、Ａｌから成る
反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５の形成を行っ
た後、別の透明基板１ａの両面に偏光板１０と透明′電
極２ａを設けて、遮光層５と透明′１極２ａとの間にＧ
ＩＩ液晶／＃３を封入してライトバルブ装置の一例が
完成する。この様にして得られたライトバルブ装置に於
ける光導電層９のバンドダイアグラム（ｉｌ−第６図ｔ
ａ＋に示す。
このバンドダイアグラムから解る様に、」二記装置によ
って投影像を得る場合、透明′＃ＪＬ極２ａと２ｂ間に
印加される電圧は、２ｂＩＩｌｌが負になる様に印加さ
れる。このとき、仮に、ショトキ−バリア層を形成せず
に透明電極２ｂに直接、ａ−Ｓｉ−ＩＩ層（ｉ ／留）
９ ｂを設けると、透明電極２ｂからギヤリア（・・
・ｉ層が弱いｎ型で、この場合、・電子）のインジェク
ションを生じるので、光導・屯Ｋｌ ９の暗抵抗が１０
８〜１０９Ω・鑞にある場合、期待しない結果となる。
これに対して、本例の様にショトキ−バリア層を形成す
ると、光導電層９へのギヤリアインジェクションが阻止
さＪｌ−Ｎ光４篭層９の暗抵抗が１ｏ１２ （，２・α
以上になる為、期待とおシの投影像を形成することがｉ
ｉＪ能になる。
又、本例Ｖこ於ける１層９Ｃは、投影像全消去する際、
７第１・ギヤリアを受容した反射ミラー８から透明′１
極２ｂにフォトキャリア全掃引するの全容易、且つ安定
して可能にする作用を持つ０
但し、このｎ Ｍ ９ ｃは、電気的（ｆこ低抵抗であ
るから、作像の都合上、ミラー８と同様、複数に分割し
て′ｒ区気的にアイソレイトさせることが必要であり、
実際には、第５図に示す（かに、写真蝕刻法を用いて、
ミラー８とＫｒ、 を同様のパターンに形成される。
尚、この場合、平行光で入射し／こ投影光を反射ミラー
８によって平行光として反射させるときには、個々の１
層９ｃの面積を、ミラー８のそれと同等か若干、広くす
ることが必要である。
因に、個々のｎ／＠９ｃの面積がミラー８のそれよシも
小さいときには、ミラー８０面に凹凸ができて、入射光
を散乱させることになり、それが拡散板としての効果を
示す様になる。
又、仮に、この１層９ｃを設けず、ａ−８ｉ−Ｉ−Ｉ層
９ｂに反射ミラー８が直接、接して形成される場合には
、両者の界面にバリアが形成されることがあり、フォト
キャリアの掃引に場］訴ムラがあったシネ完全になる等
の不都合が見られることが多い。但し、上記バリアが形
成さノ′しない場合には、１層９ｃを省略することもで
きる。
ところで、フ第１・キャリアの掃引に際して本例装置に
印加される電圧は、液晶層３にｎトる電圧が閾値を越え
ない限シ、透明電極２ｂが同２ａに対して正になる様な
順方向の直流電圧でも、或は、交流電圧のどちらでも良
い。
次に、第２の構成例を説明する。この例では、透明電極
２１〕土に、Ｓ ＩＩ５を主体とするガス中にＪｌ、Ｉ
Ｉａｅ ５０〜２００００ｐｐｍ 、望ましくは２００
〜１００００ｐ ｐｔｎ混入してグロー放電分解を行い
、厚さ、３０〜１００ＯＡ 、 ｇＨましくは５０〜３
００Ａに堆積した１３層９ａを形成する。この２層９ａ
の適切な厚さは、信号光線の吸収址、及びＰ７曽９ａと
その上に設けられるａ−８ｉ−Ｉ（層（ｉ層）９ｂとの
間の空乏層の形成との関係で決められる。
次いで、第１の構成例の場合と同様にして、ａ ＆ｉ
−ＩＩ Ｊｔｌ ９ ｂ −、ｎ Ｉ’ｌｌ ９ ｃ−
ｉ反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５を順次、積
層した後、他の透す」電極２ａとの間に液晶層３を封入
してライトバルブ装置を完成させた。この装置に於ける
光導′ｔαノー９のバンドダイアグラムを第６図＋ｌ、
ｌに示す。これから解る様に、投影像を形成する際の印
加延圧の極性は、上記第１の例の場合と同じで、且つ、
同様の効果が得られる。
又、本例に於ても、フ第１・キャリアの反射ミラー８か
ら透明電極２ｂへの掃引を、第１の例の場合と同様に行
うことができる。尚、２層９ａとしては、」二記のもの
の他、５ＩＩＩ４とＣｌＩ４のグロー放電分解による堆
積膜（Ｐ型ａ−８ｔ−Ｃ−Ｉ（膜）にａ−８ｉ−Ｉ−Ｉ
層９ｂ（ｉ−形成して得られるヘテロジャンクションで
あっても良く、全く同様の効果が得られる。
更に、第３の構成例では、光導電ノー９の構成が、上記
２例と異なるだけで、他は全く同様にして液晶ライトパ
ルプ装置を完成させる。本例では、光導電層９を次のと
おり作成する。即ち、透明電極２ｂ上に、ａ−８ｉ−Ｎ
−Ｉ（膜、ＳｌＯ！膜、又はポリパラキシリレンＮ ’
ｔｒ Ｊｌさ、５０〜１００ＯＯＡ１望ましくは１００
〜ａｏｏｏＡに形成して透光性絶縁層９ａを設けた後、
上記２例の場合と全く同様に、ａ−８ｔ−Ｈ層９ｂ、１
層９Ｃを順次、積層する０
この第３の例に於ける光導電層９の・くンドダイアグラ
ムを第６図（Ｃ）に示す。
本例では、透ＣＬＩ ’＋Ｉｉ： ’＋Ｍ ２ ｂから
ａ−８ｉ−Ｈ層（ｉ層） ９１）へのギヤリアインジェ
クションは絶縁層Ｑａ＆こより阻止され、又、ａ−３ｉ
−ＩＩｉ層ｂがｌ ｆｉｌｌ半導体である為、投影像を
形成する際に印加される′電圧極性は、上記２例の場合
と全く同じであり、同様の効果が得られる。又、フォト
ギヤリアの掃引操作もこれ等と同様に行うことができる
。
以上、３例の液晶ライトパルプ装置に於ては、Ｓ１■ム
を主体とするガスの放置分解によってＰ層、ａ−８ｉ−
Ｈ層（ｉ層）、ｎ層等の光導′酸層の形成を行ったが、
この他、５ｉＦ４（ｉ−主体とするガスの放′屯分解に
よっても、上記のものと同様に、Ｐ層（１３ｚｌ（ｓ
吟がドーピングガスとして用いられる）、ａ−８ｉ−Ｆ
−ＩＩミラーｉ層）、ｎ層（ドーピングガスとしてＩ）
）（、等が用いられる）を形成することができる。
因に、ａ−８ｉ （ａ−８ｔ −Ｈ、ａ−８ｉ −Ｆ−
Ｈ）の作成方法やその性質、ドーピング効果等に就いて
は、［アモルファス電子材月利用技術集成」（サイエン
スフォーラム社出版、１９８１）、その他の文献に詳し
く記載されているので、参照することができる。
又、容易に想起されることでは、ちるが、本発明に係る
整流性光４電層としては、斜上の他、５ｅＴｅ 、 Ａ
ｓ２Ｓｅ３ 、 ＣｄＳ 、 ＣｄＴｅ等と透光性絶縁
層との積層体やＣｄＳ （ｎ型）とＣｄＴｅ（Ｐ型）と
のヘテロジャンクレヨン等も適用することができる。
更に、ここで、具体的実施例に基づき本発明の詳細な説
明する。
実施例１
コーニング社製７０５９スライドガラスＩｂ上のＩｎ、
（Ｓｎ） ０． （松崎貢空製）を透明？Ｍ ｉｈ
２ ｂとし、これに電子ビームによりＰｔをＰｎ （ベ
ースプレッシャー） ＝ Ｉ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ蒸
着レイト（Ｒ）＝ＩＡ７ｓ、基板温度（Ｔａ ） ＝
８０’Ｏで４ＯＡの厚さに蒸着し、ｐｔ層９ａを設けた
。次いで、容量結合タイプのグロー放電分解法によりａ
−３ｔ −ＩＩＩ側９ｂを次のようにして厚さ、−威μ
ｍ堆積した。
アノード、カッ〜ド共に２００φ、その間の距離５０韻
の反応炉に５ｉｌ（４／Ｉ（、＝ ５０％のガスを２０
ＳＣＣＭ導入し、ＰＢ ＝ Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
ガス圧＝ ０．０５Ｔｏｒｒ 、 Ｔｓ ＝ ２５０°
Ｃのもとで、ＲＦ＝１３．５６■（ｚ 。
１Ｆパワー＝１５Ｗでグロー放電分解し、ａ−８ｉ−Ｉ
（層全スライドガラス上に１０時間−ｅ１刊−ｆｉｒｔ
ｈｆ二
堆積し瓜。スライドガラス束はアノード側にセットした
。この様にして得られたａ−８ｔ−Ｈ層は優れた光導電
性を示しクシ型′厄極を用いてサーフェスタイプで測定
した場合、ρ。（暗抵抗率）＝１０１ｅΩ−ｍ、ｐＬ（
Ｈｅ−Ｎｅレーザー、１ ｍＷ／ｃｒ／Ｉでの抵抗率）
＝１０″Ω・篩である。
次に、このａ−８ｉ−Ｈ層９ｂ上に電子ビーム蒸着によ
りＡ／を２００ＯＡの厚さに蒸着した。このとき、ＰＢ
＝ Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ１Ｔｓ ＝ ６０℃、
Ｒ−１０ん慴であった。次いで、写真蝕刻法によシ、１
個が９０μｍ×９０μｍの面積で１００μｍピッチの（
第３図示様のパターンを持つ）反射ミラー８を形成した
。更に、この反射ミラー８上に次のとおり、ａ−８１−
Ｎ−ＩＩの透光性絶縁層７を３０００１堆積した。この
とき、ａ−８ｔ−ＩＩを作製したのと同一の装置で、上
記の作製工程を経た基板を７ノード側にセットし、Ｐｎ
＝ Ｉ Ｘ １０〜’Ｔｏｒｒのもとで、５ｉＩ（、
／Ｉ−Ｉ、＝ １０％を５ＳＣＣＭ、純粋なＮｉｌ、を
２０ ＳＣＣＭＣＣ上ガス圧を０．１５’ｆ’ｏｒｒと
し、Ｔｓ＝２５０°Ｃ１ＲＦパワー＝５Ｗの条件で５時
間堆積した。こうして得られたａ−８ｉ−Ｎ−Ｈ）−の
体積抵抗率は１０１′Ω−ｃｒｎ以上である。次に、こ
のａ−８ｔ−Ｎ−ＩＩ透光性絶縁層７上に１／を２００
ＯＡ蒸着し、第２図示様のパターンの遮光層５を第３図
における反射ミラー８との重複［ＩＪが５μｍになるよ
う写真蝕刻法によりパターニングした。従って開口部６
の面積は８０μｍ×８０μｍである。次いで遮光層５上
にポリパラキシリレンを２００ＯＡの厚さに気相熱分解
法により堆積した。ポリパラキシリレン上を綿布でラビ
ングし液晶の配向処理を行った。
遮光層５の周辺（その部分のポリパラキシリレンは除去
しである）に、次の工程で必要な開ＩＩＩを有するよう
にＡｅ、０．粉末を分散させたエボ・）・シ樹）１’＋
Ｔを厚さ５μｍＫ塗布し、その上に配向処理をしたボリ
パラギシリレン層（２０００λの厚さ）をイｊ゛する透
明′ｔｈ：極２ａ’Ｑ持つ７０５９スジイドガラス１ａ
を圧カイした。充分エポキシ１ｉｊｊ脂を熱硬化さぜた
後これを真空槽内にゲストホスト液晶と共に入れ、ロー
タリーポンプで〜ｌＸｌ０”−２々にリークしなから真
空槽内を常圧にして雑光ノー５と透明電極２ａの間にゲ
ストホスト液晶を満し／ζ鏝、エボギシ樹Ｊｊｉで開口
を塞ぎ密封した。
尚、この液晶の配向け、ホモジーニアス配向で必る。ゲ
ストホスト液晶には、メルク社製ネマデイツクａ １２
９１にＢＤＩＩケミカル社製アンスラギノン系ブルーダ
イＤ５を重量比で０．５％分散させたものを用いた。上
記液晶のクリアリングポイントは１０７°Ｃであシ、閾
値電圧は２．２Ｖである。透り」基板ｌａ上に日東電工
製偏光フィルムＮ１）ｌｉ’−Ｑ−１２にュートラルグ
レー）を着プ装置を完成し／ζ。
第７図にこの液晶ライトバルブ装置４１Ｍ込んだ投影装
置の概略図を示す。１０１は、白色拡散面をもつスクリ
ーン、１０２は、投影光用ハロゲンランプ、１０３は、
投影光をミラー１（）４に集光する為のレンズ、１０５
は、ゲストホスト液晶ライトバルブ装置１０６で拳］−
！形成された投影像をスクリーン１０１に２０倍に拡大
するレンズである○１０７はポリゴンミラーで、督込用
光源１０９から射出され、集光レンズ１０８で集光され
たＨｅ −Ｎｅレーザーを光導′低層面上の予定された
位置に１００μｍＯのスポットで投射する。
ここで、本実施例の投影像の形成、消去及び、スクリー
ン」二に投影された結果について簡単に述べる。
透明電極２ａと２ｂに直流’ｔｕ圧を２ｂイＪＩＱが負
極になるようにして４．２ｖ印加した。ポリゴンミラー
１０７を駆動しながら書込用Ｉｌｅ −Ｎｅレーザーを
透明基板１ｂ全通して光導ＷＪｔｉ９に投射した。’＋
ＪＬ圧印加時間２０ｍ５ｅｃ、レーザーの書込強度、２
００μ’ＪＪ ／ ｃｒＡで予定した投影像をゲストホ
スト液晶に形成し、■００μＷ ／ ｃｔｌのハロゲン
ランプによる投影光で投影像をスクリーン上に投影した
。・ｔａられたスクリーン上の像のコントラストは、明
ＩＩＩ ’１ｉＩＮの反射光強度で最大６：１であった
。
投影像の消去は、透明電極２ａと２ｂとの間ＶＣＩ Ｋ
Ｉ４．ｚの交流車圧２Ｖを２０ｍ５ｅｃ印加して行った
。
このとき、光専珀：層９の逆方向暗抵抗率は】ＯＩ″Ｓ
、ｌ −ｃｕｔ以上で、順方向暗抵抗率は０易所ムラが
あるが）１０８〜１０９Ω・篩であった。
又、前記ポリパジキシリレンは透明′電極２ａ或は遮光
ノー５からのイオン注入を阻止し、液晶の寿命を増大さ
せる上で有効に作用した。
実施例２
実施例１と同様にして透明基板ｌｂ上の透明′電極２ｂ
面にｐｔを蒸着し、次いで、ａ−８ｉ−Ｈ層９ｂを堆積
した。このａ−８ｉ−Ｈ層９ｂ上に次に示す条件でｎ層
９ｃをｘｏｏｏＸの厚さに堆積した〇く堆積条件〉
ＰＢ ＝ Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒのもとで５ｉｎ４
／ｉｆ、−１０％ＣＤ カスを２ ＳＣＣＭ、 ＰＨ，
／ｌｌ２＝１００１）Ｉ）Ｍ （７）ガスを１０８００
Ｍ導入してガス圧を０．１ Ｔｏｒｒとし、Ｔａ＝２０
０°０、ＲＦパワー＝８Ｗで１６分間、堆積する。
この様にして得たｎ層を写真蝕刻法によｐ第３図示の反
射ミラーと同一形状にパターニングした。因に、このと
きの光導゛１区層９のバンドダイアグラムは第６図（Ｉ
Ｉ）の様になる。
次に、得られた９層９ｃ上に実施例１と同様にして反射
ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５を形成し、配向処
理したポリバラギシリレン層を有する遮光層５と透明電
極２ａとの間にゲストホスト液晶を密封した後、偏光板
ｌＯを透明基板ｌａ上に装着して本実施例の液晶ライト
バルブ装置を完成した。このライトバルブ装置を組込ん
だ第７図の装置を用いて、実施例１と同様に操作して曹
込光伯号に応じた像がスクリ−ンＪ旧上に再生された。
但し、投影像を形成するとき、透明電極２ａと２ｂとに
印加する１「圧は４．３■であった。
又、投影像の消去動作も実施例１と同一条件で行ったが
、光２．４ ’ｆｉｔ層９の順方向暗抵抗率は１０８Ω
・ｃｌＩｔで且つ、場所ムラが少なかった。
実施例３
透明基板（７０５９スライドガラス）ｌａ上の透明’、
ｌｊ 極（Ｉｎ、 （Ｓｎ） ０３ ） ２ ａに次に
示す条件でＰＪＭ ９ ａ ’ｔｃ １００Ａの厚さに
堆積しｆｃ。
〈堆積条件〉
ｐＨ＝ １− Ｘ ］、 ０１Ｔｏｒｒのもとで５ｉｌ
Ｉ４／Ｈ２＝ １０％のガス’ｘ ４ ＳｃＣＭ １
１３．Ｈａ／ｌＩｙ ｔｏｏ ＰＰＭのガスを１（）Ｓ
００Ｍ導入してガス正金０．ＩＴｏｒｒとし、Ｔｓ＝２
５０ ’Ｃ，ＲＦパワー＝１０Ｗで１００秒間、堆積し
た。こうしてイ↓ｔら、ｔシた１３層９ａ上に実施例１
と同様にしてａ Ｓｉ Ｉｆ層９１）を堆積し、次いで
、実施例２と同一条件でｎＪｉｉｊ９ｃを堆積しノ々タ
ーニングした後、実ｈｉ！ｉ例へ１と同様にして反射ミ
ラー８、透光性絶縁層７、遮光層５全形成し、配向処理
したポリパラキシリレン層を有する遮光層５と透明電極
２ａとの間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板１０を
？！！ｉ明基板ｌａ上に装着して本実施例の液晶ライト
パルプ装置を完成した。本実施例における光導電層９の
バンドダイアグラムは第６図ｆｂｌのようになり、逆方
向暗抵抗率は１０１！Ω・ＣｎＬ以−ヒ、順方向暗抵抗
率は１０８Ω・鑞で場所ムラは少なかった。実施例１と
同様にして書込光信号に応じた像がスクリ−ン１０１上
に再生された。その際の投影像形成の駆動印加′４圧は
実施例２と同様に４．３ Ｖである。
投影像の消去動作も実施例１と同一条件で行うことがで
きた。
実施例４
透明基板（７０５９スライドガラス）Ｉａ上の透明′電
極（Ｉｎ、 （Ｓｎ） Ｏｓ ） ２ ａ上にａ−８ｔ
−Ｎ−ＩＩから成る透光性絶縁膜９ａｆｃ、実施例１に
於て透光性絶縁層７を作製した条件と同一条件で２００
ＯＡの厚さに形成した。次いで、実施例１と同様にして
ａ−８ｉ−４Ｉ層９ｂを堆積した後、実施（タリ２と同
−条件でｎＮ９ｃを形成しパターニングする。次いで、
実施例１と同様にして反射ミラー８、透光性絶縁層７、
遮光層５を形成し、配向処理したポリパラキシリレン膜
を有する遮光層５と透明電極２ａとの間にゲストホスト
液晶を密刊し、偏光板１０を透明基板ｌａ上に装着し、
本実施例の液晶ライトパルプ装置を完成した。
本実施例における光導′酸層９のバンドダイアグラムは
第６図＋Ｃ１のようになり、実施例２及び実施例３と同
様にその逆方向暗抵抗率は１Ｏ１３Ω・ＣＩｒＬ以」二
、順方向暗抵抗率は１０”Ω・口であり、場ｊ’）ｉム
ラは少なかった。
この液晶ライトバルブ装置を組込んだ第７図の装置を用
いて、実施例１と同様の操作で書込光信号に応じた像が
スクリーン１０１上に再生さ／
同一条件にて行うことができた。
以上に詳しく説ゆ］した本発明の′祇気光学装置によれ
ば、
■、 直流’ｆｉｔ圧駆動によって電気光学効果全利用
した表示が可能であって、その際、動画表示が容易であ
る。
２、′ホ圧の巾が広くとれて、駆動’Ｌｉｉ ＩＩＨの
制御が容易である。
３、投影像を形成したとき、表示面全体Ｃ画質が安定し
ている。
４、装置が長寿命である。
５、装置構成要素、とりわけ、反射ミラーの構造が簡略
で、装置ｉｔ ｆ−コンパクトにすることができる。
６、反射ミラー要素によって直流′ぼ圧駆動に於けるフ
ォトキャリアの受容がＩＪＴ ｆ７ｉ：である。等々の
諸効果が得られる。[Apply u field. At this time, in the region onto which the signal beam is projected, the generated gear (r4 child indicated by O in the figure) moves to the above-mentioned 1 bound V-koyoshi anti-MJ min-8. by this,
The partial pressure between the polarization pole 2a and the reflection mirror 8 increases through the entire through-hole 6 and exceeds the threshold, and in the liquid crystal layer 3, liquid crystal molecules 3α and dye 3β with positive certified anisotropy and changes from a homogeneous orientation state to a homeotropic orientation state. That[-
Here, when the projection light is projected through the polarizing plate 10, the polarized light passes through the light 6;i! i and reaches the reflecting mirror 8, where it is reflected to obtain reflected light RI,2. On the other hand, in areas where the signal beam is not incident, no photocarriers are generated, so key)! The rear remains at the transparent Ql electrode 2b and does not move to the reflective mirror 8. Therefore, in this case, the voltage applied to the liquid crystal layer 3 does not exceed the threshold value, and the liquid crystal molecules 3α and the dye 3β are maintained in a homogeneous alignment state. Therefore, the projection light (polarized light) incident thereon is absorbed by the dichroic dye 3β in the liquid crystal layer 3, and the reflected light RL from the reflecting mirror 8 is reflected light 11L. The amount of light is less compared to . In this way, a projected image (an image to be projected) is formed based on the difference in reflected scenes, and the image generated in the liquid crystal layer 3 is enlarged and projected onto a screen (not shown) or the like. In addition, during the tilting process, the light shielding layer 5 and the mirror 8 prevent the signal light from leaking to the liquid crystal layer 3 side and conversely prevent the projection light from entering the photoconductive layer 9. There is. In addition, in the case of tilted operation, unless the projected image formed in the liquid crystal layer 3 is extremely fine, the projected image can be visually observed under room light without using special projection light. You can also do that. Next, a specific configuration example will be explained using FIG. 5. In the configuration example of MY 1, as shown in FIG.
Pt and Pd are placed on the transparent electrode 2b provided in b. Au or Mo 20 to 500, preferably 30 to 20
A base layer 9a is formed by focusing on the origin of the 0 hole. Then, S
A-
8i-If layer 9b is formed. This a-8t-H layer 91
J forms a Schottky barrier layer between the weak n-type semiconductor and the base layer 9a. In addition, a-8t-I-I layer 9
b is usually called the i-layer. The thickness of this layer 9b is determined depending on the relationship with other layers and the liquid crystal layer 3, but is usually 5000 A to 2.
It is in the range of 0 μm. Furthermore, in this a -Si -HJi 91) soil, 5il
PH of 100 to 20,000p to a gas mainly composed of I.
pm, preferably 1,000 to 110,000 pp, and subjected to radioactive decomposition, and the thickness is 100 to 3,000 A,
The rectifying photoconductive layer 9 is formed by forming 11 layers 9c, preferably 500 to 2000 Å. Next, similarly to the embodiment shown in FIG. 1, a reflective mirror 8 made of Al, a transparent insulating layer 7, and a light shielding layer 5 are formed, and then a polarizing plate 10 and a polarizing plate 10 are formed on both sides of another transparent substrate 1a. A transparent electrode 2a is provided, and G is formed between the light shielding layer 5 and the transparent electrode 2a.
An example of a light valve device is completed by enclosing II liquid crystal/#3. Band diagram of the photoconductive layer 9 in the light valve device thus obtained (il-FIG. 6t)
Shown in a+. As can be seen from this band diagram, when a projected image is obtained by the apparatus described in "2", the voltage applied between the transparent '#JL poles 2a and 2b is applied so that 2bIIll becomes negative. At this time, suppose that the a-Si-II layer (i/ru) is directly applied to the transparent electrode 2b without forming a Schottky barrier layer.
9b is provided, the transmission from the transparent electrode 2b to the gear rear (...
・The i-layer is weak n-type, and in this case, ・electrons) are injected, so the dark resistance of light guide ・tun Kl 9 is 10
If the resistance is between 8 and 109Ω, the result will be unexpected. On the other hand, when a Schottky barrier layer is formed as in this example, the gear injection into the photoconductive layer 9 is blocked and the dark resistance of the Jl-N light 4 cage layer 9 is 1o12 (,2・α
In order to achieve the above, it is necessary to form a projected image of expectations and Oshi.
Become iJ Noh. Moreover, when the first layer 9C in this example V is erased entirely of the projected image,
7 Transparent '1 from the reflective mirror 8 that received the first gear
However, this n M 9 c has the effect of making it possible to easily and stably sweep the entire photocarrier to the pole 2b. Similar to 8, it is necessary to divide it into multiple parts and isolate them spatially.
In reality, as shown in Figure 5, using the photo-etching method,
Mirror 8 and Kr are formed in a similar pattern. In this case, when the projected light incident as parallel light is reflected as parallel light by the reflecting mirror 8, each individual
It is necessary to make the area of the layer 9c equal to or slightly larger than that of the mirror 8. Incidentally, when the area of each n/@9c is smaller than that of the mirror 8, unevenness is formed on the surface of the mirror 80, scattering the incident light, and this appears to act as a diffuser. become. Furthermore, if this single layer 9c is not provided and the reflective mirror 8 is formed in direct contact with the a-8i-I-I layer 9b, a barrier may be formed at the interface between the two. When sweeping the photo carrier, there are often inconveniences such as uneven cine film, etc. However, if the barrier is not formed, one layer 9c can be omitted. By the way, the voltage applied to the device of this example when sweeping the first carrier is such that the transparent electrode 2b becomes positive with respect to the transparent electrode 2a, as long as the voltage applied to the liquid crystal layer 3 does not exceed the threshold value. Either a forward DC voltage or an AC voltage may be used. Next, a second configuration example will be explained. In this example, in the transparent electrode 21] soil, Jl, I in a gas mainly composed of S II5.
Iae 50-20000ppm, preferably 200
〜10000p PTN is mixed in and subjected to glow discharge decomposition, and the thickness is 30 to 100OA, gH or 50 to 3.
Form 13 layers 9a deposited on 00A. These two layers 9a
The appropriate thickness is determined in relation to the absorption of the signal beam and the formation of a depletion layer between the P7 9a and the a-8i-I (layer (i layer) 9b provided thereon). Next, in the same manner as in the first configuration example, a &i
-II Jtl 9 b -,n I'll 9 c-
After the reflective mirror 8, the transparent insulating layer 7, and the light shielding layer 5 were sequentially laminated, the liquid crystal layer 3 was sealed between the transparent electrode 2a and the light valve device was completed. The band diagram of the light guide 'tα No. 9 in this device is shown in Figure 6+l.
Shown in l. As can be seen from this, the polarity of the applied rolling pressure when forming the projected image is the same as in the first example above, and
A similar effect can be obtained. Also in this example, the first carrier can be swept from the reflective mirror 8 to the transparent electrode 2b in the same manner as in the first example. The second layer 9a includes, in addition to those described in "2", a deposited film (a-8i-I-I on P-type a-8t-C-I (film)) by glow discharge decomposition of 5III4 and ClI4.
It may be a heterojunction obtained by forming the layer 9b (i-), and the same effect can be obtained. Furthermore, in the third configuration example, the only difference is that the configuration of the photoconductive layer 9 is different from the above two examples. A liquid crystal light pulp device is completed in the same manner as above.In this example, the photoconductive layer 9 is prepared as follows.That is, on the transparent electrode 2b, a-8i-N
-I (membrane, SlO! membrane, or polyparaxylylene N'
tr Jl, 50-100OOA1 preferably 100
~aoooA and providing the transparent insulating layer 9a,
In exactly the same way as in the above two examples, the a-8t-H layers 9b, 1
A Kund diagram of the photoconductive layer 9 in this third example is shown in FIG. 6(C). In this example, the gear injection from the transparent CLI'+Ii:'+M2b to the a-8i-H layer (i layer) 91) is blocked by the insulating layer Qa &
Since the -IIi layer b is an l fill semiconductor, the voltage polarity applied when forming a projected image is exactly the same as in the above two examples, and the same effect can be obtained. Further, the photo gear rear sweeping operation can be performed in the same manner as above. As mentioned above, in the three liquid crystal light pulp devices, the P layer, a-8i-
Although the photoconducting acid layers such as the H layer (i layer) and the n layer were formed,
In addition, similar to the above, the P layer (13zl(s
(Gin is used as a doping gas), a-8i-F
-II mirror i layer), n layer (I as doping gas)
) (, etc. are used) can be formed. Incidentally, a-8i (a-8t -H, a-8i -F-
The preparation method of H), its properties, doping effects, etc. are described in detail in the ``Compilation of Technologies for Utilizing Amorphous Electronic Materials'' (Science Forum Publishing, 1981) and other documents, so please refer to them. can. Furthermore, it is easily recalled that the rectifying photoquaternary conductive layer according to the present invention includes 5eTe, A
A laminate of s2Se3, CdS, CdTe, etc. and a transparent insulating layer, a heterojunction of CdS (n type) and CdTe (p type), etc. can also be applied. Furthermore, the present invention will now be described in detail based on specific examples. Example 1 In on Corning 7059 slide glass Ib,
(Sn) 0. (made by Mitsuzaki Matsuzaki) transparent? M ih
2b, and Pt is added to it using an electron beam, Pn (base pressure) = I
A PT layer 9a was formed by vapor deposition at 80'O to a thickness of 4OA. Next, a capacitively coupled glow discharge decomposition method was used to
-3t -The thickness of the III side 9b is as follows, -width μ
m deposited. 5il (4/I(, = 50% gas is 200%
Introducing SCCM, PB = I X 10-'Torr
Gas pressure = 0.05Torr, Ts = 250°
Under C, RF = 13.56■ (z. Glow discharge decomposition with 1F power = 15W, a-8i-I
(Layer the entire glass slide for 10 hours - e1 edition - firt
hf2 piled melon. The slide glass bundle was set on the anode side. The a-8t-H layer obtained in this manner exhibits excellent photoconductivity and has a ρ value of ρ when measured with a surface type using a comb-type yakuken. (Dark resistivity)=101eΩ-m, pL(
He-Ne laser, resistivity at 1 mW/cr/I)
= 10''Ω・sieve. Next, A/ was deposited to a thickness of 200 OA on this a-8i-H layer 9b by electron beam evaporation. At this time, PB
= I X 10-'Torr1Ts = 60°C,
It was R-10. Then, by photolithography, 1
The pieces have an area of 90 μm x 90 μm and a pitch of 100 μm (
A reflecting mirror 8 (having a pattern as shown in FIG. 3) was formed. Furthermore, on this reflecting mirror 8, as follows, a-81-
A 30,001-layer N-II transparent insulating layer 7 was deposited. At this time, using the same equipment used to fabricate a-8t-II, set the substrate that underwent the above fabrication process on the 7th node side, and
= I
/I-I, = 10% in 5SCCM, pure Nil in 20 SCCMCC, with gas pressure of 0.15'f'orr and Ts = 250°C, 1RF power = 5W, and deposited for 5 hours. The volume resistivity of a-8i-N-H)- thus obtained is 101'Ω-crn or more. Next, on this a-8t-N-II transparent insulating layer 7, 1/200
OA vapor deposition was carried out, and the light shielding layer 5 having a pattern as shown in FIG. 2 was patterned by photolithography so that it overlapped with the reflecting mirror 8 in FIG. 3 (IJ was 5 μm). Therefore, the opening 6
The area of is 80 μm×80 μm. Next, polyparaxylylene was deposited on the light shielding layer 5 to a thickness of 200 OA by vapor phase pyrolysis. The polyparaxylylene was rubbed with a cotton cloth to align the liquid crystal. Around the light-shielding layer 5 (the polyparaxylylene in that part has been removed), Ae, 0. Evo・)・shiki）1'+ with powder dispersed
7059 tinned glass 1a with transparent ′th:pole 2a′Q, coated with T to a thickness of 5 μm, and then an oriented polyparaglysilylene layer (2000λ thick) applied thereon.
I was impressed. After thoroughly curing the epoxy 1ijj resin, put it in a vacuum chamber together with a guest host liquid crystal, and use a rotary pump to prevent any leakage. A guest-host liquid crystal was filled between the transparent electrodes 2a, and the opening was closed and sealed with a ζ-trowel and Ebogishi tree Jji. Note that this is necessary due to the homogeneous orientation of the liquid crystal. Nemadetsk a 12
91 and anthraginone-based Blue Dai D5 manufactured by BDII Chemical Co., Ltd. dispersed in an amount of 0.5% by weight was used. The clearing point of the liquid crystal is 107°C, and the threshold voltage is 2.2V. A device was completed for attaching Nitto Denko's polarizing film N1)li'-Q-12 (neutral gray) onto a transparent substrate la. FIG. 7 shows a schematic diagram of a projection device incorporating this liquid crystal light valve device 41M. 101 is a screen with a white diffusion surface, 102 is a halogen lamp for projection light, and 103 is
Lens 105 for condensing projection light onto mirror 1 ( ) 4
fist at the guest host LCD light valve device 106 ]-
! A polygon mirror ○107 is a lens that magnifies the formed projected image on the screen 101 by 20 times, and the He-Ne laser emitted from the collection light source 109 and focused by the condensing lens 108 is guided into the lower layer. A spot of 100 μmO is projected onto a predetermined position on the surface. Here, a brief description will be given of the formation, erasure, and results of projection images on the screen in this embodiment. A DC 'tu pressure of 4.2 V was applied to the transparent electrodes 2a and 2b with 2b and JIQ being negative electrodes. While driving the polygon mirror 107, a writing Ile-Ne laser was projected onto the light guide WJti9 through the entire transparent substrate 1b. '＋
JL pressure application time 20m5ec, laser writing intensity, 2
A projected image at 00 μ'JJ/crA was formed on a guest host liquid crystal, and projected onto a screen using projection light from a halogen lamp at ■00 μW/ctl. - The contrast of the image on the captured screen was 6:1 at the maximum with the reflected light intensity of Light III '1iIN. The projected image is erased by VCI K between the transparent electrodes 2a and 2b.
I4. The test was carried out by applying an AC vehicle pressure of 2V for 20m5ec. At this time, the reverse dark resistivity of the optical layer 9 is 】OI″S
, l -cut or more, the forward dark resistivity was 108 to 109 Ω·sieve (although there was some unevenness in some places). In addition, the polypadxylylene effectively prevented ion implantation from the transparent electrode 2a or the light-shielding electrode 5, thereby extending the life of the liquid crystal. Example 2 Transparent electrode 2b on transparent substrate lb in the same manner as in Example 1
PT was deposited on the surface, and then an a-8i-H layer 9b was deposited. On this a-8i-H layer 9b, an n layer 9c was deposited to a thickness of xoooX under the following conditions.
/if, -10% CD waste 2 SCCM, PH,
/ll2=1001)I)M (7) 10800 gas
M is introduced and the gas pressure is set to 0.1 Torr, Ta=20
Deposit for 16 minutes at 0°0 and RF power = 8W. The n-layer thus obtained was patterned into the same shape as the reflecting mirror shown in FIG. 3 by photolithography. Incidentally, the band diagram of the light guide 1 section layer 9 at this time is shown in Fig. 6 (I
It will look like I). Next, a reflective mirror 8, a transparent insulating layer 7, and a light shielding layer 5 are formed on the obtained nine layers 9c in the same manner as in Example 1, and a light shielding layer 5 having an oriented polybalagi silylene layer and a transparent After sealing the guest-host liquid crystal between the electrode 2a and the electrode 2a, a polarizing plate lO was mounted on the transparent substrate la to complete the liquid crystal light valve device of this example. Using the apparatus shown in FIG. 7 incorporating this light valve device and operating in the same manner as in Example 1, an image corresponding to Sogoko Hakugo was reproduced on the screen J old. However, when forming the projected image, the pressure applied to the transparent electrodes 2a and 2b was 4.3 cm.Also, the operation of erasing the projected image was performed under the same conditions as in Example 1, but the light 2.4 The forward dark resistivity of the fit layer 9 is 108Ω
・It was clIt and there was little unevenness in location. Example 3 Transparent substrate (7059 slide glass) on la,
PJM 9 a 'tc was deposited on the lj pole (In, (Sn) 03 ) 2 a to a thickness of 100 A under the following conditions and fc. <Deposition conditions> pH = 1-X], 5 il under 01 Torr
I4/H2 = 10% gas'x 4 ScCM 1
13. Ha/lIy too PPM gas 1()S
00M introduced and gas specie 0. ITorr, Ts=2
Deposition was performed at 50'C, RF power = 10W for 100 seconds. In this way, Example 1 is placed on the 13th layer 9a.
A Si If layer 91) was deposited in the same manner as in Example 2, and then nJiij9c was deposited under the same conditions as in Example 2 and after several turnings, the actual hi! To Example i, a reflective mirror 8, a transparent insulating layer 7, and a light shielding layer 5 were all formed in the same manner as in 1, and a guest host liquid crystal was placed between the light shielding layer 5 having an aligned polyparaxylylene layer and the transparent electrode 2a. Seal the polarizing plate 10? ! ! The liquid crystal light pulp device of this example was completed by mounting it on a bright substrate la. The band diagram of the photoconductive layer 9 in this example is as shown in FIG. 6fbl, and the reverse dark resistivity is 101! For Ω・CnL, the forward direction dark resistivity was 108 Ω・sold, and there was little local unevenness. An image corresponding to the write optical signal was reproduced on the screen 101 in the same manner as in Example 1. At this time, the driving voltage '4 applied for projection image formation was 4.3 V, as in the second embodiment. The operation of erasing the projected image could also be performed under the same conditions as in Example 1. Example 4 Transparent electrode (In, (Sn) Os) on transparent substrate (7059 slide glass) Ia A-8t on 2a
-N-II transparent insulating film 9afc, 200 ml under the same conditions as those for producing the transparent insulating layer 7 in Example 1.
It was formed to the thickness of OA. Next, an a-8i-4I layer 9b was deposited in the same manner as in Example 1, and then an nN9c layer was formed and patterned under the same conditions as Tari 2.
In the same manner as in Example 1, a reflective mirror 8, a transparent insulating layer 7,
A light shielding layer 5 is formed, a guest host liquid crystal is secretly placed between the light shielding layer 5 having an aligned polyparaxylylene film and the transparent electrode 2a, and a polarizing plate 10 is mounted on the transparent substrate la.
The liquid crystal light pulp device of this example was completed. The band diagram of the light-guiding acid layer 9 in this example is as shown in FIG. The rate was 10''Ω·min, and the field j')i nonuniformity was small. Using the device shown in FIG. 7 incorporating this liquid crystal light valve device, the writing optical signal was An image corresponding to It is possible to display using all the optical effects, and in this case, it is easy to display a moving image. 2. The width of the 'E pressure is wide, and the control of the drive 'Li IIH is easy. 3. The projected image When formed, the image quality of the entire display surface is stable. 4. The device has a long service life. 5. The structure of the device components, especially the reflecting mirror, is simple and the device can be made compact. 6. Reception of photocarriers in direct current 'voltage' driving by the reflective mirror element is IJT f7i: and other effects can be obtained.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]
第１図乃至第３図は、本発明装置Ｈの一構成例の概要説
明図、第４図は本発明装置の作動例を説明する模式図、
第５図は本発明装置に於ける光導電層の詳細構成を説明
する略ｌＩ！］Ｉ断面図、第６図＋ｉｔｌ 、 ｉｂｌ
、 ｔｅｌは倒れも、バンドダイアグラムを示す略図
、第７図は、本発明装置を含む投影光学系の概略配置図
である。
図に於て、２ａ、、２ｂは透明電極、３は液晶層、３α
は液晶分子、３βは染料、５は進光層、７は透光性絶縁
層、８は反射ミラー、９は光導電層、９ａは基層又はＰ
層又は透光性絶縁層、９ｂはｉ層、９ｃはｎＭＬｌｏは
偏光板、１０１はスクリーン、１０２はハロゲンランプ
、１０３゜１０８ｔよ集光レンズ、１０４は投影光反射
ミラー、１０５！Ｊ−、投影像拡大レンズ、１０６は液
晶ライトパルプ装置、１０７はポリゴンミラ−１１ｏ９
はレーザー発振源である。
特許出願人 キャノン株式会社
代理人丸島儀−詳Ｈｆ７ｙ、：１
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−／θ1 to 3 are schematic diagrams illustrating an example of the configuration of the device H of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of the operation of the device H of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating the detailed structure of the photoconductive layer in the device of the present invention. ] I sectional view, Fig. 6 + itl, ibl
, tel is a schematic diagram showing a band diagram, and FIG. 7 is a schematic layout diagram of a projection optical system including the apparatus of the present invention. In the figure, 2a, 2b are transparent electrodes, 3 is a liquid crystal layer, 3α
is a liquid crystal molecule, 3β is a dye, 5 is a light propagation layer, 7 is a transparent insulating layer, 8 is a reflective mirror, 9 is a photoconductive layer, 9a is a base layer or P
9b is an i layer, 9c is an nMLlo is a polarizing plate, 101 is a screen, 102 is a halogen lamp, 103°108t is a condensing lens, 104 is a projection light reflecting mirror, 105! J-, projection image magnifying lens, 106, liquid crystal light pulp device, 107, polygon mirror 11o9
is the laser oscillation source. Patent Applicant Canon Co., Ltd. Agent Gi Marushima - Details Hf7y: 1 J゛. K== I immersion 9 kan 6 no 2 9α 9 shi R8...□ -/θ