JPS5833841A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5833841A JPS5833841A JP56131490A JP13149081A JPS5833841A JP S5833841 A JPS5833841 A JP S5833841A JP 56131490 A JP56131490 A JP 56131490A JP 13149081 A JP13149081 A JP 13149081A JP S5833841 A JPS5833841 A JP S5833841A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は、ポリイミド系樹脂膜を絶縁膜として用いる半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
例えば特公＠４８−２９５６号明細書に示されたボリイ
２ドイツインドロ中ナシリンジオン合成樹脂（以下、Ｐ
ＩＱ樹脂と称する）は、溶液状態で半導体基板上に塗布
後に硬化されるものであるから、表面の平坦性の嵐い絶
縁属を形成するのに有利である。しかも、このＰＩＱ樹
脂樹脂筒パッケージのモールド樹脂等から放射されるα
！ｌｌを遁断する作用を有し【おり、半導体素子の耐α
−強度、例えはＭＯａ型メ４ ｓ）の電荷保持機能を向
上させるのく有効なパッジベージｌン効果を示す。
２ドイツインドロ中ナシリンジオン合成樹脂（以下、Ｐ
ＩＱ樹脂と称する）は、溶液状態で半導体基板上に塗布
後に硬化されるものであるから、表面の平坦性の嵐い絶
縁属を形成するのに有利である。しかも、このＰＩＱ樹
脂樹脂筒パッケージのモールド樹脂等から放射されるα
！ｌｌを遁断する作用を有し【おり、半導体素子の耐α
−強度、例えはＭＯａ型メ４ ｓ）の電荷保持機能を向
上させるのく有効なパッジベージｌン効果を示す。
このＰＩＱ樹脂腰はパッジページ璽ン膜又は多層起重の
層間絶縁膜として用いられるが、下地の８ｉ０オ膜等と
の接着性を良くする目的でＡＩキレートを下地表面に回
転金布し九後ｉｌｃ酸素雰囲気中でベータを行なうこと
により薄い（１００λ程度）Ａｄ、０．膜を形成し、こ
のＡＩｔＯａ膜上にＰＩＱ樹脂樹脂筒すことがある。し
かしながらこのようなデバイスでは、Ａｊ、Ｏ１膜を形
成するのにスピンナー塗布及びベークが必要であって工
程が煩雑となり、また工程中に異物等が付着し鳥いこと
が判明しｔつしかも、接着強度にもなお改醤の余地があ
ることも確認された。
層間絶縁膜として用いられるが、下地の８ｉ０オ膜等と
の接着性を良くする目的でＡＩキレートを下地表面に回
転金布し九後ｉｌｃ酸素雰囲気中でベータを行なうこと
により薄い（１００λ程度）Ａｄ、０．膜を形成し、こ
のＡＩｔＯａ膜上にＰＩＱ樹脂樹脂筒すことがある。し
かしながらこのようなデバイスでは、Ａｊ、Ｏ１膜を形
成するのにスピンナー塗布及びベークが必要であって工
程が煩雑となり、また工程中に異物等が付着し鳥いこと
が判明しｔつしかも、接着強度にもなお改醤の余地があ
ることも確認された。
従って、本発明の目的は、ポリイミド系ｓａｇの接着性
を向上させると共に、その接着性に寄与する酸化アル１
＝ウム膜が簡便でかつ清浄に形成されたデバイスを提供
することＫある。
を向上させると共に、その接着性に寄与する酸化アル１
＝ウム膜が簡便でかつ清浄に形成されたデバイスを提供
することＫある。
この目的を達成するために、本発明和よれば、下地との
間に介在せしめられた酸化アルｉ＝ウム膜が有機アルに
クム化合物による４ｍ成長技技術ＯＶＤ）で形成される
ように構成している。
間に介在せしめられた酸化アルｉ＝ウム膜が有機アルに
クム化合物による４ｍ成長技技術ＯＶＤ）で形成される
ように構成している。
以下、本発明の実施例を図面について詳細に述べる。
１１Ｅ１１！ＩＱは、例えばＭＯ８１１１半導体デバイ
スにおける配線部分を示すものである。所定の半導体素
子を設けたシリコン基１［１０表面ＫＳｔＯ１膜２が熱
酸化技術で形成され、この８ｉ０．膜２上には各素子間
を電気的ＫＷ！続するためのアルｊ＝りム配線３が所定
パターンに形成されている。そして、この配線３から８
ＩＯ１膜２Ｋかけて全面にＡＪ、０゜膜４が約１０ＯＡ
の厚壜に形成されており、パッジベージ璽ン属又は層間
絶縁膜としてその上に塗布形成されえＰＩＱ樹脂膜Ｓの
接着強度を高めている。ここで注目すべぎことは、Ａｎ
、０．膜が後述するＯＶＤ技術により形成されているこ
とである。第２１！ＰｌＩは多層配線の例を示し、１層
目のアルミｘ−りム配＊３上の一部が露出するようにグ
ツズ！析出処１１ａｌＣよるＯＶＤでリンシリケートガ
ラス属（又は窒化シリコン膜）６が被着され、この層が
形成され、更にこの配線７から層間絶縁膜６ＫかけてＰ
ＩＱ樹脂ｊ［５との間には０ＶＤＫよるＡ４０ａ膜４が
介在せしめられている。
スにおける配線部分を示すものである。所定の半導体素
子を設けたシリコン基１［１０表面ＫＳｔＯ１膜２が熱
酸化技術で形成され、この８ｉ０．膜２上には各素子間
を電気的ＫＷ！続するためのアルｊ＝りム配線３が所定
パターンに形成されている。そして、この配線３から８
ＩＯ１膜２Ｋかけて全面にＡＪ、０゜膜４が約１０ＯＡ
の厚壜に形成されており、パッジベージ璽ン属又は層間
絶縁膜としてその上に塗布形成されえＰＩＱ樹脂膜Ｓの
接着強度を高めている。ここで注目すべぎことは、Ａｎ
、０．膜が後述するＯＶＤ技術により形成されているこ
とである。第２１！ＰｌＩは多層配線の例を示し、１層
目のアルミｘ−りム配＊３上の一部が露出するようにグ
ツズ！析出処１１ａｌＣよるＯＶＤでリンシリケートガ
ラス属（又は窒化シリコン膜）６が被着され、この層が
形成され、更にこの配線７から層間絶縁膜６ＫかけてＰ
ＩＱ樹脂ｊ［５との間には０ＶＤＫよるＡ４０ａ膜４が
介在せしめられている。
上記のＡｊｍＯｍ ｌＩ４は、既述したＡｊキレートの
塗布及びベークという工程とは根本的に異なって、第３
図に示す如き反応装置を用いてＯＶＤ技術で形成される
。即ち、反応容器８内ではす竜ブタ９上に半導体基板ｌ
がセットされ、反応容器８内を所定の反応温度まで加熱
しながら導管１ｏを通して反応ガス、キャリアガスを供
給し、廃ガスは導管１１から排出する。使用する反応ガ
スとしては、アルミニウム供給源となる有機アルミニウ
ム化合物←例えば、トリインブチルアルミニウム。
塗布及びベークという工程とは根本的に異なって、第３
図に示す如き反応装置を用いてＯＶＤ技術で形成される
。即ち、反応容器８内ではす竜ブタ９上に半導体基板ｌ
がセットされ、反応容器８内を所定の反応温度まで加熱
しながら導管１ｏを通して反応ガス、キャリアガスを供
給し、廃ガスは導管１１から排出する。使用する反応ガ
スとしては、アルミニウム供給源となる有機アルミニウ
ム化合物←例えば、トリインブチルアルミニウム。
トリメチルアル１ニウム）、及び酸素等の酸化性ガスを
夫々用込、また窒素又はアルゴンをキャリアガスとして
用いる。この反応装置によって、反応ガス流量等の反応
条件をコントロールするのみで、低温下で容易ｋＡｌｔ
ｏｓ属４が所望の厚みに形成される。
夫々用込、また窒素又はアルゴンをキャリアガスとして
用いる。この反応装置によって、反応ガス流量等の反応
条件をコントロールするのみで、低温下で容易ｋＡｌｔ
ｏｓ属４が所望の厚みに形成される。
このようなデバイスによれば、Ａｊ會Ｏｍ膜４が１工程
で容易に形成されるから、工程が非常に簡単となる。し
かも、反応容器内での反応によるために、クリーンな状
態でＡｊｍＯｍが成長せしめられており、異物の付着量
を減少させることができる。また、ＰＩＱ樹脂樹脂一般
にムｌ ”？ＡｊｗＯｓ膜に対し高−接着性を有してい
るが、８ｉＯ３膜等に対しては比験的接着力が弱いとさ
れている。しかし、本実施例のＯＶＤ技術でＡｊｍＯｍ
膜が形成される場合は、Ｐ Ｉ Ｑｌｌｌｌｒ属がＡｊ
ｍＯｍ膜によって高い装着力を示すと共Ｋ、既述したＡ
ｊキレートを用いる処理による場合に比べＰＩＱ樹脂膜
の接着強度が約２０−も向上し、信頼性が良好となるこ
とが期待される。なお、この人ｊ寓Ｏｓ膜によってＰＩ
Ｑ樹脂膜の透水性が遮断され、下層のフルｌｘりム配■
等の腐食が駐止される効果もある。
で容易に形成されるから、工程が非常に簡単となる。し
かも、反応容器内での反応によるために、クリーンな状
態でＡｊｍＯｍが成長せしめられており、異物の付着量
を減少させることができる。また、ＰＩＱ樹脂樹脂一般
にムｌ ”？ＡｊｗＯｓ膜に対し高−接着性を有してい
るが、８ｉＯ３膜等に対しては比験的接着力が弱いとさ
れている。しかし、本実施例のＯＶＤ技術でＡｊｍＯｍ
膜が形成される場合は、Ｐ Ｉ Ｑｌｌｌｌｒ属がＡｊ
ｍＯｍ膜によって高い装着力を示すと共Ｋ、既述したＡ
ｊキレートを用いる処理による場合に比べＰＩＱ樹脂膜
の接着強度が約２０−も向上し、信頼性が良好となるこ
とが期待される。なお、この人ｊ寓Ｏｓ膜によってＰＩ
Ｑ樹脂膜の透水性が遮断され、下層のフルｌｘりム配■
等の腐食が駐止される効果もある。
また、既述したＡＩキレートを用いる処理による場合、
アル１ニウム配葱又はパッドが腐食する傾向があるが、
本実施例ではそうし九Ａツキレート処理によらないから
腐食の問題は生じない。
アル１ニウム配葱又はパッドが腐食する傾向があるが、
本実施例ではそうし九Ａツキレート処理によらないから
腐食の問題は生じない。
、ＩＥＫｔた、第２図のように７２ズマ析ｍ技ｗによる
層間絶縁膜６上にＡｊｌｏ、膜４が形成されるときＫは
、このＡｊ、０．膜４もプラズマ放電に↓るＣＶＤで形
ｇ−ｇれるよ５にすれば、下地膜と人！、０．膜とを同
一の装置を用いて連続的に処理することが可能となり、
それだけ工程がより簡単になる。
層間絶縁膜６上にＡｊｌｏ、膜４が形成されるときＫは
、このＡｊ、０．膜４もプラズマ放電に↓るＣＶＤで形
ｇ−ｇれるよ５にすれば、下地膜と人！、０．膜とを同
一の装置を用いて連続的に処理することが可能となり、
それだけ工程がより簡単になる。
なお、本実施例で使用するＰＩＱ樹脂膜５は、既述した
特電Ｉ！８４８−２９５６号明細書く開示されたもので
あって、４．４’−シアミノジフェニルエーテル−３−
カルボンア電ド及び４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル等のジアミノ化合物と、無水ピロメリト酸及び３．
３’、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルポン酸
二無水物等の駿無水物との縮合重金物からなって偽る。
特電Ｉ！８４８−２９５６号明細書く開示されたもので
あって、４．４’−シアミノジフェニルエーテル−３−
カルボンア電ド及び４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル等のジアミノ化合物と、無水ピロメリト酸及び３．
３’、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルポン酸
二無水物等の駿無水物との縮合重金物からなって偽る。
これは、溶液状態で半導体基摩上に塗布され、必要に応
じて加熱により半硬化又は硬化状態となされる。
じて加熱により半硬化又は硬化状態となされる。
以上、本発明を例示したが、上述の実施例は本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能である。
術的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、上述のＰＩＱ樹脂に代えて他のポリイイド系樹
脂、儒えは１分子中に多数のイミド結合（イにド＊＞を
有するデーボン社製のＲＫ−６９２゜ＰＩ−１１００等
を絶縁層として用いてよい。また、本発明は、ＭＯａ型
デバイスに限らず、バイボー−）Ｗｉにも広（適用可能
である。
脂、儒えは１分子中に多数のイミド結合（イにド＊＞を
有するデーボン社製のＲＫ−６９２゜ＰＩ−１１００等
を絶縁層として用いてよい。また、本発明は、ＭＯａ型
デバイスに限らず、バイボー−）Ｗｉにも広（適用可能
である。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は半
導体装置の主ｌ！部断面図、纂２図はその多層配＊ｉｉ
ａの断面図、第３図はＡｎ 、 Ｏ、の気相成長に用い
る反応装置の一例の概略断面図である。 なお、図面に示された符号にお込て、２は８１０゜膜、
３及び７はアルミニウム配線、４はＡｎ、Ｏ。 膜、５はＰＩＱ樹脂膜、６はリンシリケートガラス膜又
は窒化シリコン膜である。 第 １ 図
導体装置の主ｌ！部断面図、纂２図はその多層配＊ｉｉ
ａの断面図、第３図はＡｎ 、 Ｏ、の気相成長に用い
る反応装置の一例の概略断面図である。 なお、図面に示された符号にお込て、２は８１０゜膜、
３及び７はアルミニウム配線、４はＡｎ、Ｏ。 膜、５はＰＩＱ樹脂膜、６はリンシリケートガラス膜又
は窒化シリコン膜である。 第 １ 図
Claims (1)
- ｌ、半導体基体上にボリイ電ド系樹脂からなる絶縁属が
施されている半導体装置において、前記絶縁膜とその下
地膜との閣に、有機アル１＝ウム化合物及び酸化性ガス
を用いた化学的気相成長によって形成され九酸化アル１
＝ウム膜が介在せしめられＣ％Ａることを善徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131490A JPS5833841A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131490A JPS5833841A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833841A true JPS5833841A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15059207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131490A Pending JPS5833841A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833841A (ja) |
Cited By (21)
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-
1981
- 1981-08-24 JP JP56131490A patent/JPS5833841A/ja active Pending
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