JPS5831530A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS5831530A JPS5831530A JP12972181A JP12972181A JPS5831530A JP S5831530 A JPS5831530 A JP S5831530A JP 12972181 A JP12972181 A JP 12972181A JP 12972181 A JP12972181 A JP 12972181A JP S5831530 A JPS5831530 A JP S5831530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- wafer
- supply
- solution
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明社半導体装置の製造装置に関するものである。
従来、半導体装置の製造装置、特に写真蝕刻に使用する
塗布装置や現像装置に於いては、つ゛エハース上にノズ
ルよシ処理液を噴出して、当該工程の処理を行っていた
。このとき、処理液をノズルから供給する際に１従来の
システムであれば、ノズルから溶剤の蒸発などが起り処
理液の組成変化などがあった。また、処理が終了した場
合の液切夛においても、ノズルから空気勢の逆流があシ
仁れらが、円滑な供給の障害となっていた。
塗布装置や現像装置に於いては、つ゛エハース上にノズ
ルよシ処理液を噴出して、当該工程の処理を行っていた
。このとき、処理液をノズルから供給する際に１従来の
システムであれば、ノズルから溶剤の蒸発などが起り処
理液の組成変化などがあった。また、処理が終了した場
合の液切夛においても、ノズルから空気勢の逆流があシ
仁れらが、円滑な供給の障害となっていた。
この発明の目的は、半導体装置製造において前記の欠点
のないノズルからの処理液を円滑に供給できる装置を提
供することにある。
のないノズルからの処理液を円滑に供給できる装置を提
供することにある。
この発明の半導体装置れ、従来の装置と違ってノズルと
供給源との間に適当な大きさの液だめを有する事を特徴
とするものである。すなわち、半導体製造に於ける写真
蝕刻工程に使用する塗布装置及び現像装置において、処
理液を噴出できるノズルを有し、このノズルと供給ポン
プとの間に液だめを有する事を特徴とする塗布装置及び
現像装置である。
供給源との間に適当な大きさの液だめを有する事を特徴
とするものである。すなわち、半導体製造に於ける写真
蝕刻工程に使用する塗布装置及び現像装置において、処
理液を噴出できるノズルを有し、このノズルと供給ポン
プとの間に液だめを有する事を特徴とする塗布装置及び
現像装置である。
この発明の半導体製造装置によれば、液だめをノズル付
近に設置した場合は、ノズルから溶剤の蒸発を起りに＜
＜シたり、液切りの際の空気の逆流を防いだりし、また
、液だめを供給ボ／グ付近に設置した場合などは急激な
圧送に対する緩衝の働きをしたりする。
近に設置した場合は、ノズルから溶剤の蒸発を起りに＜
＜シたり、液切りの際の空気の逆流を防いだりし、また
、液だめを供給ボ／グ付近に設置した場合などは急激な
圧送に対する緩衝の働きをしたりする。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための装置の見
識シ図である。この実施例の見識シ図は、説明を簡単に
するために塗布装置のしかも液だめをノズル付近に設置
したものである。まず、ウェハース１が塗布装置９に入
ると同転軸２が作動して、ウェハース１を固定する。次
に供給タンク６にあるフォトレジスト１０はポンプ５に
圧送されて、液切シ装置８及びパイプ４を通ってノズル
３よりウェハースに滴下される。滴下の終了したレジス
トは、液切シ装置８によ〕、またノズル３へもどされる
。このとき、液切シ装置８が強く作動し九場合などは、
フォトレジストはかなシ逆流し、空気などがノズル３に
入）ζむ。また、液切シが不十分であった場合には、ノ
ズル３にフォトレジストがたまシ、雫となりてウェハー
スに滴下することがある。従って液切シのタイミングお
よび条件にはかな多のむずかしさを伴うものとなってい
九しかしながら、ノズ、ル３の付近に適当な大きさの液
だめ装置７を設置することによって、液切りが強すぎた
場合でも、フォトレジストの逆流力；防止でき、を九液
切シが不十分であったとしてもノズル３からの雫の落下
を防止することが可能である。
識シ図である。この実施例の見識シ図は、説明を簡単に
するために塗布装置のしかも液だめをノズル付近に設置
したものである。まず、ウェハース１が塗布装置９に入
ると同転軸２が作動して、ウェハース１を固定する。次
に供給タンク６にあるフォトレジスト１０はポンプ５に
圧送されて、液切シ装置８及びパイプ４を通ってノズル
３よりウェハースに滴下される。滴下の終了したレジス
トは、液切シ装置８によ〕、またノズル３へもどされる
。このとき、液切シ装置８が強く作動し九場合などは、
フォトレジストはかなシ逆流し、空気などがノズル３に
入）ζむ。また、液切シが不十分であった場合には、ノ
ズル３にフォトレジストがたまシ、雫となりてウェハー
スに滴下することがある。従って液切シのタイミングお
よび条件にはかな多のむずかしさを伴うものとなってい
九しかしながら、ノズ、ル３の付近に適当な大きさの液
だめ装置７を設置することによって、液切りが強すぎた
場合でも、フォトレジストの逆流力；防止でき、を九液
切シが不十分であったとしてもノズル３からの雫の落下
を防止することが可能である。
また実施例で説明した以外にもたとえば、液だめ装置を
ポンプ付近に設置した場合などにも、フォトレジストの
圧送の際に緩衡効果がちシ、フォトレジストの急激な滴
下などを防止できる。
ポンプ付近に設置した場合などにも、フォトレジストの
圧送の際に緩衡効果がちシ、フォトレジストの急激な滴
下などを防止できる。
以上説明したとおシ、特に写真蝕刻における塗布工程に
本発明の装置を適用すれば、当該工程における不良は著
しく低減し、製品の歩留りは大巾に向上する。
本発明の装置を適用すれば、当該工程における不良は著
しく低減し、製品の歩留りは大巾に向上する。
なお、上述の実施例において説明を簡単にする為、写真
蝕刻における塗布工程を例にとりだが、本発明がノズル
からパイプを通って液を噴射する装置全てに通用できる
のは言うまでもない。
蝕刻における塗布工程を例にとりだが、本発明がノズル
からパイプを通って液を噴射する装置全てに通用できる
のは言うまでもない。
第１図は塗布装置を例にとった本発明の見識シ図である
。 なお図において、１はウエノ・−ス、２社回転軸、３は
ノズル、４はパイプ、５はポンプ、６は供給タンク、７
は液だめ装置、８は液切シ装置、９は塗布装置、を各々
示している。
。 なお図において、１はウエノ・−ス、２社回転軸、３は
ノズル、４はパイプ、５はポンプ、６は供給タンク、７
は液だめ装置、８は液切シ装置、９は塗布装置、を各々
示している。
Claims (1)
- ノズルを有し、骸ノズルと供給ポンプとの間に液だめを
有する事を特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12972181A JPS5831530A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12972181A JPS5831530A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831530A true JPS5831530A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15016551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12972181A Pending JPS5831530A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5977225U (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | ソニー株式会社 | 半導体素子製造装置 |
| JPS63319078A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Tokyo Electron Ltd | 吐出装置 |
| WO2005069077A3 (en) * | 2003-12-29 | 2009-03-26 | Asml Holding Nv | Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP12972181A patent/JPS5831530A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5977225U (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | ソニー株式会社 | 半導体素子製造装置 |
| JPH0128671Y2 (ja) * | 1982-11-15 | 1989-08-31 | ||
| JPS63319078A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Tokyo Electron Ltd | 吐出装置 |
| WO2005069077A3 (en) * | 2003-12-29 | 2009-03-26 | Asml Holding Nv | Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate |
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